JP2008010793A - 露光位置マークの位置ずれ検出方法 - Google Patents

露光位置マークの位置ずれ検出方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008010793A
JP2008010793A JP2006182530A JP2006182530A JP2008010793A JP 2008010793 A JP2008010793 A JP 2008010793A JP 2006182530 A JP2006182530 A JP 2006182530A JP 2006182530 A JP2006182530 A JP 2006182530A JP 2008010793 A JP2008010793 A JP 2008010793A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
exposure position
square
patterns
detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006182530A
Other languages
English (en)
Inventor
Mutsumi Fujita
睦実 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2006182530A priority Critical patent/JP2008010793A/ja
Priority to US11/542,073 priority patent/US7466412B2/en
Priority to KR1020060103318A priority patent/KR100782957B1/ko
Priority to CNA2006101427160A priority patent/CN101097410A/zh
Publication of JP2008010793A publication Critical patent/JP2008010793A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】露光位置マークにを的確に認識して、その測定結果に基づいて露光位置の位置ずれ量を正確かつ効率的に検出できるようにする。
【解決手段】露光位置マークを、内側の四角形パターン10aと外側の四角形パターン10bとからなる第1のパターンと、内周と外周が四角形パターン20a、20bに形成された矩形枠状の第2のパターンとによって構成し、第1と第2のパターンの重心位置を一致させ、第1のパターンの内側の四角形パターン10aと外側の四角形パターン10bとに挟まれた領域内に、前記第2のパターンを配置させるねらいで形成し、前記第1のパターンの内側の四角形パターン10aと前記第2のパターンの内周の四角形パターン20aとの重心位置のずれ量を検出した測定値と、前記第1のパターンの外側の四角形パターン10bと前記第2のパターンの外周の四角形パターン20bとから重心位置のずれ量を検出した測定値とを平均して露光位置の位置ずれ量を求める。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体あるいは薄膜磁気ヘッド等の製造工程において、露光位置の位置ずれを検知するために設けられた露光位置マークの位置ずれ検出方法に関する。
半導体あるいは薄膜磁気ヘッド等の製造工程においては、フォトリソグラフィー法によって所要の導体パターンや絶縁層のパターンを形成することが行われる。これらの製造工程では、導体パターンや絶縁層のパターンを積層して形成する際にパターンがどの程度位置ずれしているかを検知し、露光位置が許容範囲内にあるか否かを検査し、また、位置ずれ量を露光装置にフィードバックして高精度の露光操作がなされるようにしている。
露光位置マークの位置ずれは、ワークの端縁部などの製品に影響を与えない部位に露光位置マークを形成し、下層と上層に設けた露光位置マークを画像認識して位置ずれを検出する。
露光位置マークには種々の形状があるが、図6は、四角形の露光位置マークを使用して位置ずれ量を検知する例である。図6(a)は正方形パターンを使用する場合、図6(b)はバー状のパターンを四角形配置とした例である。図6(a)では、前工程で形成した正方形パターン5よりも後工程で形成する正方形パターン6を大きな正方形に形成し、正方形パターン6の内側に正方形パターン5が位置するようにしている。図6(b)では、前工程で形成したバー状のパターン7を囲むように後工程で形成するパターン8を配置している。
図6(a)、(b)のいずれの場合も、正方形パターン5、6の重心位置、バー状のパターン7、8によって囲まれる四角形の重心位置を各々検知し、重心位置の位置ずれ量から露光位置の位置ずれを検知する。
特開平11−126746号公報 特開2001−332466号公報 特開2003−243297号公報
図6では、前工程で形成する露光位置マークを後工程で形成する露光位置マークよりも小さくしているが、前工程で大きなマークを形成し、後工程で小さなマークを形成してもよい。マークの大きさを変えて、大きなマークの内側に小さなマークを配置するようにしているのは、1回の画像の取り込みで露光位置マークを検知してこれらのマーク位置から位置ずれを検知できるようにするためである。
図6に示すように、前工程と後工程でのマークの重心位置がずれている場合、たとえば、図6の配置で位置ずれを検知した場合と、図6の配置を180度回転させて検知した場合とでは、原理的に同一の位置ずれ量として検知される筈であるが、実際には、同一の検知結果になるとは限らない。このため、マークを所定方向から画像認識した測定結果と、180度回転した位置からの測定結果を平均して位置ずれ量を求めるといったことも行っている。
このようなばらつきは、露光位置マークを画像認識する際に、パターンのエッジ部分などを正確に検知できないために生じるといったパターンの形状に起因する場合と、露光位置マークを測定する際に不可避的に生じる原因による場合がある。この原因としては、測定光学系に用いられるレンズの収差、前工程と後工程で形成される露光位置マークは積層方向に異なる位置に形成されるから高さ位置が異なる配置となっていること、露光位置マーク自体が所定の膜厚に形成されるから、測定方向によってマークの形状がずれて認識されるといった理由が考えられる。
図6(b)に示すバー状のパターンを備えるマークは、特に低段差の場合に、正方形パターンのマークにくらべてマーク位置を認識しやすくする形態として使用される。しかしながら、このようにマークの形態を変えたとしても、マークの測定装置やマークの膜厚等に起因する測定値のばらつきを解消することはできない。
半導体あるいは薄膜磁気ヘッドの製造においては、現在はナノメータレベルでパターンを制御している。このように、きわめて高精度の位置合わせが求められるようになると、従来は問題にならなかったような測定方法に起因する測定値のばらつきについても制御することが必要になってくる。
位置合わせを評価する際には、測定精度だけではなく、位置合わせマークが実デバイスを忠実に反映しているかも重要である。露光装置のレンズ収差(コマ収差など)は、パターン寸法により露光位置にずれを発生させることがある。従来のボックスマークでは、必然的に大小2つのパターンを形成しなければならないため、デバイスそのもののずれ以外に、露光装置の収差によるずれが加わる可能性がある。
本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、位置ずれを検知する露光位置マークを的確に認識し、その測定結果に基づいて露光位置の位置ずれ量の検出を正確にかつ効率的に行うことを可能にする露光位置マークの位置ずれ検知方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を備える。
すなわち、前工程と後工程においてワークに形成した露光位置マークを検知し、これらの露光位置マークの位置ずれから露光位置の位置ずれを検知する露光位置マークの位置ずれ検出方法において、前記露光位置マークを、内側の四角形パターンと外側の四角形パターンとからなる第1のパターンと、内周と外周が四角形パターンに形成された矩形枠状の第2のパターンとによって構成し、前記前工程と後工程において、前記第1のパターンと前記第2のパターンのいずれかを、前記第1と第2のパターンの重心位置を一致させ、前記第1のパターンの内側の四角形パターンと外側の四角形パターンとに挟まれた領域内に、前記第2のパターンを配置させるねらいで形成し、該露光位置マークを画像検知した結果に基づいて、前記第1のパターンの内側の四角形パターンと前記第2のパターンの内周の四角形パターンとの重心位置のずれ量を検出した測定値と、前記第1のパターンの外側の四角形パターンと前記第2のパターンの外周の四角形パターンとから重心位置のずれ量を検出した測定値とを平均して露光位置の位置ずれ量を求めることを特徴とする。
また、前記四角形パターンとしては、正方形パターンに形成することが有効であり、また、前記四角形パターンにかえて、バー状に形成したパターンを四角形配置に形成することも有効である。
また、前工程と後工程においてワークに形成した露光位置マークを検知し、これらの露光位置マークの位置ずれから露光位置の位置ずれを検知する露光位置マークの位置ずれ検出方法において、前記露光位置マークを、一対の四角形パターンからなる第1のパターンと、該第1のパターンと交差配置となる他の一対の四角形パターンからなる第2のパターンとによって構成し、前記前工程と後工程において、前記第1のパターンと前記第2のパターンのいずれかを、前記第1のパターンと第2のパターンの重心位置を一致させるねらいで形成し、該露光位置マークを画像検知した結果に基づいて、前記第1のパターンの重心位置を検出して得た測定値と、前記第2のパターンの重心位置を検出して得た測定値との平均値から露光位置の位置ずれ量を求めることを特徴とする。
また、前記四角形パターンを、互いに同一寸法の正方形パターンに形成することが有効であり、前記四角形パターンにかえて、バー状に形成したパターンを四角形配置に形成することも有効である。
本発明に係る露光位置マークの位置ずれ検知方法によれば、第1のパターンと第2のパターンを内外の相対位置関係に配置した露光位置マークを使用する場合には、第1のパターンと第2のパターンの相対位置に基づくばらつきを位置ずれ量から相殺するようにして求めることができ、露光位置マークの位置ずれを高精度に検出することができる。また、パターンを2重に配置する構成とすること、パターンを交差配置とすることによって、パターンの重心位置を平均化して得ることができ、これによって位置ずれ検出制度を向上させることができる。
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面とともに詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
図1は本発明に係る露光位置マークの位置ずれ検出方法において、マークの位置ずれを検出するために前工程と後工程においてそれぞれ形成する露光位置マークの例を示す。
図1(a)は、前工程において形成する露光位置マークを示す。この露光位置マークは、大小二つの正方形パターン10a、10bを各々の重心位置を一致させ、辺方向を互いに平行配置として形成したものである。
図1(b)、(c)は、図1(a)のA−A線断面図であり、下地層に正方形パターン10a、10bを形成する例を示す。図1(b)は、下地層に、内側の正方形パターン10aとなるパターン12aと、外側の正方形パターン10bとなるパターン12bを形成した例である。図1(c)は、下地層に枠状のパターン12cを形成して、内側の正方形パターン10aと外側の正方形パターン10bを形成した例である。正方形パターン10a、10bは、パターンの縁部分としてあらわれるから、図1(b)に示すように下地層に対して凸状のパターンとして形成することもできるし、図1(c)に示すように凹部状のパターンとして形成することもできる。
これらの露光位置マークとなるパターン12a、12b、12cは製造工程によって種々異なるものであり、露光位置マークの形成方法はとくに限定されるものではない。すなわち、導体パターンを形成する工程においては、導体パターンによってこれらのパターンを形成することもあるし、絶縁層を形成する工程では、所定のパターンに絶縁層を形成することによって露光位置マークとすることもある。また、所定パターンにパターニングするためにレジスト層を設けてレジストを露光および現像してレジストパターンとして形成するといったこともある。
図1(d)は、前工程で形成した露光位置マークに位置合わせして、後工程で露光位置マークを形成した状態を示す。後工程で形成する露光位置マークは、内周および外周を正方形パターン20a、20bとした正方形の枠体状に形成したものである。正方形パターン20a、20bは、重心位置を一致させ、辺方向を互いに平行にして形成する。
図のように、後工程で形成する正方形パターン20a、20bは、前工程で形成した内側の正方形パターン10aと外側の正方形パターン10bに挟まれた枠状の領域内に、前工程と後工程で形成するパターンの重心位置を一致させるねらいに形成する。
図1(e)、(f)は、図1(d)のB−B線断面図であり、前工程で形成した正方形パターン10a、10bの上層にパターン22を形成し、正方形パターン20a、20bを表示するようにした状態を示す。パターン22は、正方形の枠状に形成される。
このように、露光位置マークを前工程と後工程とで各々同心配置となるように、2重の正方形パターンを形成し、正方形パターンの重心位置から位置ずれを検出する方法によれば、従来の1重の正方形パターンによって位置ずれを検知する方法と比較して、高精度に位置ずれを検出することが可能になる。
(位置ずれ検出方法)
本実施形態においては、次のようにして位置ずれ量を検出する。すなわち、(1)前工程で形成した内側の正方形パターン10aと、後工程で形成した内周の正方形パターン20aの重心位置を検出して相互の重心位置の位置ずれ量を検出し(測定値D1)、(2)前工程で形成した外側の正方形パターン10bと、後工程で形成した外周の正方形パターン20bの重心位置を検出して相互の重心位置の位置ずれ量を検出し(測定値D2)、(3)これらの測定値D1、D2の平均値を求めて露光位置の位置ずれ量とする。
(1)の測定方法によって検出した測定値D1と、(2)の測定方法によって検出した測定値D2とを比較すると、前工程で形成した正方形パターンと後工程で形成した正方形パターンの相対的な配置位置が逆配置となるから、測定値D1と測定値D2には次の関係が成り立つ。
(測定値D1)=(真値)+(シフト量α)+(シフト量β)
(測定値D2)=−(真値)+(シフト量α)−(シフト量β)
測定値D2は、正方形パターンの配置が逆転するから、測定値がマイナス値になる。シフト量αは、前工程で形成した正方形パターンと後工程で形成した正方形パターンの相対的な位置関係に起因してあらわれるシフト量であり、シフト量βは測定系等に起因してあらわれるシフト量である。
測定値D1と測定値D2を平均し、正方形パターン10a、10bと正方形パターン20a、20bによる位置ずれ量は次式で表される。
(測定値D)={(測定値D1)−(測定値D2)}/2=(真値)+(シフト量β)
すなわち、測定値D1と測定値D2とを平均することにより、正方形パターンの相対的な位置関係に起因するシフト量αが相殺され、パターンの膜厚や測定系に起因するシフト量βが残ることになる。
図2は、正方形パターン10a、10bと正方形パターン20a、20bとの相対的位置関係を示す図である。上記実施形態では、前工程で正方形パターン10a、10bを形成し、後工程で正方形パターン20a、20bを形成したが、2重に配置した正方形パターンに基づいて位置ずれを検出する方法は、正方形パターンの相対位置関係に関わるのみであり、正方形パターンの形成順序に依存するものではない。
上述した本実施形態での位置ずれ検出方法は、正方形パターン10a、10bを第1のパターンとし、正方形パターン20a、20bを第2のパターンとすると、測定値D1は、第1のパターンの外側に第2のパターンが位置する関係で求められるのに対して、測定値D2は、第2のパターンの外側に第1のパターンが位置する関係によって求められ、測定値D1と測定値D2とでパターンの相対位置関係が逆転していることが特徴である。したがって、これらの測定値の平均をとることにより、第1のパターンと第2のパターンのインナーとアウターによる相対配置に起因する誤差が相殺され、測定精度を向上させることが可能となる。
また、本実施形態の位置ずれ検知方法では、2重の正方形パターンを使用することによって、2組の正方形パターンのデータから位置ずれが検知され、ランダムな原因に基づくばらつきを低減することができる。従来は1組の正方形パターンのデータのみから位置ずれを検知していることと比べると、この点からも本実施形態の位置ずれ検知方法によって位置ずれ検出精度を向上させることが可能となる。
(第2の実施の形態)
図3は、本発明に係る露光位置マークの位置ずれ検出方法において使用する他の露光位置マークの例を示す。本実施形態の露光位置マークは、バー状のパターンを四角形配置したもので、第1のパターンとして、内側のバー状のパターン30aと外側のバー状のパターン30bをそれぞれ四角形配置したものを用い、第2のパターンとして内側のバー状のパターン40aと外側のバー状のパターン40bをそれぞれ四角形配置としたものを用いる。
パターン30a、30bは各々の四角形配置の重心位置を一致させ、辺方向を平行とした正方形配置に形成される。パターン40a、40bについても、各々の四角形配置の重心位置を一致させ辺方向を平行とした正方形配置に形成される。第2のパターンであるパターン40a、40bは、第1のパターンであるパターン30a、30bによって囲まれた枠体領域内に配置される。
第1のパターンと第2のパターンとは、前工程と後工程のいずれで形成してもよく、第1のパターンと第2のパターンとは重心位置が一致するねらいで形成される。
本実施形態においても、第1のパターンであるパターン30aと第2のパターンであるパターン40aとから各々の四角形の重心位置を検出し、第1のパターンであるパターン30bと第2のパターンであるパターン40bとから各々の四角形の重心位置を検出し、これらの測定値を平均化することによって第1の実施の形態におけると同様な精度で露光位置の位置ずれ量を検出することができる。
(第3の実施の形態)
図4は、本発明に係る露光位置マークの位置ずれ検出方法において使用するさらに他の露光位置マークの例を示す。本実施形態の露光位置マークは、同一形状、大きさに形成した第1のパターンである正方形パターン50a、50bと、第2のパターンである正方形パターン60a、60bとを交差配置とした例である。
これら第1のパターンと第2のパターンとは異なる工程で形成する露光位置マークである。第1のパターンと第2のパターンとを形成する際には、設計上は、第1のパターンである正方形パターン50a、50bの各々の重心位置の重心と、第2のパターンである正方形パターン60a、60bの重心位置の重心とが一致するようにする。
位置ずれを検出する際には、第1のパターンである正方形パターン50a、50bと第2のパターンである正方形パターン60a、60bを画像認識してそれぞれの重心位置を検出し、一対の正方形パターン50a、50bの重心位置と一対の正方形パターン60a、60bの重心位置の位置ずれを検出して、露光位置の位置ずれ量とする。正方形パターン50a、50bと正方形パターン60a、60bを交差配置とすることで、露光位置の位置ずれが重心位置の位置ずれ量として検知できる。
本実施形態では、一対の正方形パターン50a、50bから求めた重心位置と他方の一対の正方形パターン60a、60bから求めた重心位置に基づいて露光位置の位置ずれ量を検出するから、図6に示すような、一対の四角形パターンに基づいて位置ずれ量を検出する方法と比較して、位置ずれ量の検知精度を向上させることができる。
また、本実施形態では、露光位置マークを同一形状の正方形とすることで、図1に示すような大きさが異なる正方形のパターンを形成する場合と比較してマークを形成しやすいという利点もある。
本実施形態では、前工程と後工程で同じ寸法のマークを形成するので、露光装置の収差やプロセスの影響を受けないという利点もある。
(第4の実施の形態)
図5は、第3の実施の形態の変形例で、正方形パターンにかえてバー状のパターンを四角形配置とした例である。本実施形態においては、第1のパターンとして、バー状のパターンを四角形配置としたパターン70a、70bを形成し、第2のパターンとして、バー状のパターンを四角形配置としたパターン80a、80bを形成する。パターン70a、70bおよびパターン80a、80bはすべて同一の四角形配置に形成される。第1のパターンと第2のパターンとは、パターンを交差配置とし、重心位置が一致するねらいで形成する。
本実施形態においても、第3の実施の形態におけると同様に、パターン70a、70bとパターン80a、80bを画像認識し、それぞれのパターンによって構成される四角形の重心位置を検知し、一対のパターン70a、70bから求めた重心位置と、他方の一対のパターン80a、80bから求めた重心位置に基づいて露光位置の位置ずれ量を検出する。本実施形態の場合も、パターンは同一形状に形成し、図3に示すように、大小の四角形配置にパターンを形成する必要がない点でパターンが形成しやすいという利点がある。また、一対のパターン同士の重心位置を検出することで、精度のよい露光位置の位置ずれ検出が可能になる。
露光位置マークの位置ずれを検出する際に使用するマークの構成を示す説明図である。 露光位置マークとして使用する正方形パターンの例を示す平面図である。 露光位置マークとして使用するバー状のパターンの例を示す平面図である。 露光位置マークとして正方形パターンを交差配置とした例を示す平面図である。 露光位置マークとしてバー状のパターンを交差配置とした例を示す平面図である。 従来の露光位置マークを示す平面図である。
符号の説明
5、6 正方形パターン
7、8 バー状のパターン
10a、10b 正方形パターン
12a、12b、12c、22 パターン
20a、20b 正方形パターン
30a、30b、40a、40b バー状のパターン
50a、50b、60a、60b 正方形パターン
70a、70b、80a、80b バー状のパターン

Claims (6)

  1. 前工程と後工程においてワークに形成した露光位置マークを検知し、これらの露光位置マークの位置ずれから露光位置の位置ずれを検知する露光位置マークの位置ずれ検出方法において、
    前記露光位置マークを、内側の四角形パターンと外側の四角形パターンとからなる第1のパターンと、内周と外周が四角形パターンに形成された矩形枠状の第2のパターンとによって構成し、
    前記前工程と後工程において、前記第1のパターンと前記第2のパターンのいずれかを、前記第1と第2のパターンの重心位置を一致させ、前記第1のパターンの内側の四角形パターンと外側の四角形パターンとに挟まれた領域内に、前記第2のパターンを配置させるねらいで形成し、
    該露光位置マークを画像検知した結果に基づいて、前記第1のパターンの内側の四角形パターンと前記第2のパターンの内周の四角形パターンとの重心位置のずれ量を検出した測定値と、前記第1のパターンの外側の四角形パターンと前記第2のパターンの外周の四角形パターンとから重心位置のずれ量を検出した測定値とを平均して露光位置の位置ずれ量を求めることを特徴とする露光位置パターンの検出方法。
  2. 前記四角形パターンを、正方形パターンに形成することを特徴とする請求項1記載の露光位置パターンの検出方法。
  3. 前記四角形パターンにかえて、バー状に形成したパターンを四角形配置に形成することを特徴とする請求項1記載の露光位置パターンの検出方法。
  4. 前工程と後工程においてワークに形成した露光位置マークを検知し、これらの露光位置マークの位置ずれから露光位置の位置ずれを検知する露光位置マークの位置ずれ検出方法において、
    前記露光位置マークを、一対の四角形パターンからなる第1のパターンと、該第1のパターンと交差配置となる他の一対の四角形パターンからなる第2のパターンとによって構成し、
    前記前工程と後工程において、前記第1のパターンと前記第2のパターンのいずれかを、前記第1のパターンと第2のパターンの重心位置を一致させるねらいで形成し、
    該露光位置マークを画像検知した結果に基づいて、前記第1のパターンの重心位置を検出して得た測定値と、前記第2のパターンの重心位置を検出して得た測定値との平均値から露光位置の位置ずれ量を求めることを特徴とする露光位置パターンの検出方法。
  5. 前記四角形パターンを、互いに同一寸法の正方形パターンに形成することを特徴とする請求項4記載の露光位置パターンの検出方法。
  6. 前記四角形パターンにかえて、バー状に形成したパターンを四角形配置に形成することを特徴とする請求項4記載の露光位置パターンの検出方法。
JP2006182530A 2006-06-30 2006-06-30 露光位置マークの位置ずれ検出方法 Withdrawn JP2008010793A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006182530A JP2008010793A (ja) 2006-06-30 2006-06-30 露光位置マークの位置ずれ検出方法
US11/542,073 US7466412B2 (en) 2006-06-30 2006-10-03 Method of detecting displacement of exposure position marks
KR1020060103318A KR100782957B1 (ko) 2006-06-30 2006-10-24 노광 위치 마크의 위치 어긋남 검출 방법
CNA2006101427160A CN101097410A (zh) 2006-06-30 2006-10-30 对曝光位置标记的位移进行检测的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006182530A JP2008010793A (ja) 2006-06-30 2006-06-30 露光位置マークの位置ずれ検出方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008010793A true JP2008010793A (ja) 2008-01-17

Family

ID=38929202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006182530A Withdrawn JP2008010793A (ja) 2006-06-30 2006-06-30 露光位置マークの位置ずれ検出方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7466412B2 (ja)
JP (1) JP2008010793A (ja)
KR (1) KR100782957B1 (ja)
CN (1) CN101097410A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104849901B (zh) 2015-06-05 2018-07-03 京东方科技集团股份有限公司 柱状隔垫物的对位标识的制备方法和精度检测方法
CN112269304B (zh) * 2020-12-28 2021-04-27 晶芯成(北京)科技有限公司 一种曝光位置的确定方法及系统

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5966201A (en) * 1996-11-07 1999-10-12 Nikon Corporation Mark for position detection, and mark detecting method and apparatus
JP3558511B2 (ja) * 1997-10-22 2004-08-25 株式会社リコー 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法
JP3348783B2 (ja) * 1999-07-28 2002-11-20 日本電気株式会社 重ね合わせ用マーク及び半導体装置
JP2001168002A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造に用いるフォトマスクならびにその重ね合わせ精度向上方法
JP4015798B2 (ja) 2000-03-14 2007-11-28 株式会社東芝 半導体積層工程の合わせずれ測定方法
US7068833B1 (en) * 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
JP3841697B2 (ja) 2002-02-20 2006-11-01 株式会社リコー 重ね合わせ精度測定方法
JP2003264135A (ja) 2002-03-08 2003-09-19 Canon Inc パターン形成方法、位置検出方法及び位置検出装置
US6835502B2 (en) * 2002-07-15 2004-12-28 International Business Machines Corporation In-situ pellicle monitor
TW200518185A (en) * 2003-08-01 2005-06-01 Koninkl Philips Electronics Nv Measuring the effect of flare on line width
JP4599893B2 (ja) 2004-05-31 2010-12-15 株式会社ニコン 位置ずれ検出方法
JP2006078262A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Nikon Corp 位置検出装置、露光装置、計測システム及び位置検出方法
KR20060133220A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 삼성전자주식회사 오버레이 마크 및 그의 위치 검출방법 계측방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100782957B1 (ko) 2007-12-07
US7466412B2 (en) 2008-12-16
CN101097410A (zh) 2008-01-02
US20080002203A1 (en) 2008-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4705526B2 (ja) アライメント装置及び方法
US9939605B2 (en) Submicron wafer alignment
CN104216234A (zh) 光刻系统光源对称性的检测方法
US10048473B2 (en) Submicron wafer alignment
JP3558511B2 (ja) 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法
JP2000133576A (ja) 位置ずれ計測マーク及び位置ずれ計測方法
JP2017207727A (ja) オーバーレイマーク、これを用いたオーバーレイ計測方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2008010793A (ja) 露光位置マークの位置ずれ検出方法
KR101714616B1 (ko) 세 개 층의 오버레이를 측정하는 방법
JP4525067B2 (ja) 位置ずれ検出用マーク
JPH1050583A (ja) 重ね合わせ測定マークおよび測定方法
JP5868813B2 (ja) 位置ずれ計測方法
JP2008085007A (ja) 多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置
US7136520B2 (en) Method of checking alignment accuracy of patterns on stacked semiconductor layers
TW202224136A (zh) 對位圖案單元及半導體製程的檢測系統
JP2006140300A (ja) 半導体装置、ウェーハ及び半導体装置の製造方法
TWI401529B (zh) 光罩上的對位標尺及應用對位標尺的遮蔽件位置確認方法
JP2000340482A (ja) 露光方法及びこの方法を用いた露光装置
KR100375290B1 (ko) 웨이퍼 패턴 오차의 요인 해석 방법 및 사진 제판용마스크의 제조 장치
JP2005274687A (ja) 露光装置及び位置合わせ方法
JP2004031542A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10186634A (ja) フォトマスク
KR100611069B1 (ko) 얼라인 마크를 이용하여 오버레이 보정 및 정렬 보정을수행하는 방법
CN113539867A (zh) 半导体器件套刻精度的测量方法
JP2010251532A (ja) 露光方法、露光装置、レチクル、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20090901