JP5834877B2 - ３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、３次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能な３次元表示用パターン配向膜を作製するための３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法に関する。

近年、３次元表示可能なフラットパネルディスプレイの検討が幅広い分野において進められている。３次元表示をするには、通常、視聴者に対して何らかの方式で右目用の映像と、左目用の映像とを別個に表示することが必要とされ、この一方式としてパッシブ方式がある。

図７はパッシブ方式の３次元表示の一例を示す概略図である。この方式では、フラットパネルディスプレイを構成する画素を、右目用映像表示画素と左目用映像表示画素の２種類の複数の画素にパターン状に分割し、一方のグループの画素では右目用の映像を表示させ、他方のグループの画素では左目用の映像を表示させる。また、直線偏光板と当該画素の分割パターンに対応したパターン状の位相差層が形成されたパターン位相差フィルムとを用い、右目用の映像と、左目用の映像とを円偏光に変換する。さらに、視聴者には右目用と左目用の円偏光メガネを装着させ、右目用の映像が右目のみに届き、左目用の映像が左目のみに届くようにすることによって３次元表示を可能とする。このようにパッシブ方式においてはパターン位相差フィルムが必須になる。

このパターン位相差フィルムの従来技術として、下記の特許文献１には、特定の方向に延在する複数の溝を表面に有する基板上に、溝の延在方向に沿って配向すると共に重合した液晶材料が位相差層として存在する位相差板が開示されている。そして、この基板は、第１の方向に延在した溝を含む第１の溝領域と、これに直交する第２の方向に延在した溝を含む第２の溝領域とを有し、第１及び第２の溝領域はそれぞれストライプ状であると共に交互に配置されている型（版）を転写して得られ、この型の溝をパルスレーザー、研磨、バイト切削などにより形成することが記載されている。

特開２０１０−１５２２９６号公報

このように、パターン位相差フィルムでは、異なるパターンをストライプ状で交互に形成する必要がある。このような、微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第１凹凸構造領域と、前記第１凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第２凹凸構造領域とが交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法として、例えば、下記に示す方法が検討されている。

この方法は、具体的には、無機材料からなる第１層の表面に第１凹凸構造領域を形成する第１研磨工程と、第１層の第１凹凸構造領域の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、レジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第２層膜を形成する第２層形成工程と、第２層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第２凹凸構造領域を形成する第２研磨工程と、レジスト部及び該レジスト部上の第２層膜を剥離するレジスト剥離工程とからなる。すなわち、帯状のレジスト部の形成によって一方の凹凸構造領域（将来凹凸構造領域が形成される領域でもよい）を一時的にマスキングし、その後にレジスト部を剥離することによって異なる凹凸構造領域を帯状に交互に配列させる方法である。

しかしながら、レジスト部は樹脂であり、無機材料の第２層膜との密着が不充分である。このため、ラビング処理などで第２層膜の表面を強く研磨すると、一部の第２層膜がレジストから剥離して脱落して異物となり、ラビング布などに巻き込まれると研磨の際に表面に傷が生じて不良となる恐れがある。また、これによりレジスト自体も削り取られて脱落し、やはり原版の不良となってしまう。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、３次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で作製することができる３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法を提供する。具体的には本発明は以下のものを提供する。

（１） 微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第１凹凸構造領域と、前記第１凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第２凹凸構造領域とが交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、
無機材料からなる第１層の表面に、前記第１凹凸構造領域を形成する第１研磨工程と、
前記第１層の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、
前記レジスト部の表面に、前記レジスト部との密着性を向上させるためのアンカー層を形成する工程と、
前記レジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる第２層膜を形成することで、前記非レジスト部上に第２層パターンを形成する第２層形成工程と、
前記第２層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第２凹凸構造領域を形成する第２研磨工程と、
前記レジスト部と、該レジスト部上の前記アンカー層と、該アンカー層上の前記第２層膜と、を剥離するレジスト剥離工程と、
を備える３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。

（２） 前記アンカー層が、酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、酸化珪素、シランカップリング剤、チタン系カップリング剤、からなる群より選択される１種である（１）記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。

（３） 前記アンカー層の膜厚が０．０１μｍ以上１μｍ以下である（１）又は（２）に記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。

（４） 前記アンカー層を、前記レジスト部及び非レジスト部の全面に形成する（１）から（３）いずれか記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。

（５） 前記第２層膜が金属クロム、金属ニッケル、金属チタン、ダイヤモンドライクカーボン、からなる群より選択される１種である（１）から（４）いずれか記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。

本発明によれば、３次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、高精度で作製することができる３次元表示用パターン配向膜用原版を提供できる。

本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法の一例を示す工程図であり、工程（ａ）から（ｂ）を示す図である。 図１に続き、工程（ｃ）から（ｄ）を示す図である。 図２に続き、工程（ｅ）から（ｆ）を示す図である。 図３に続き、工程（ｇ）を示す図である。 本発明の製造方法によって得られた版を用いて賦型転写した３次元表示用パターン配向膜の斜視図である。 図３の３次元表示用パターン配向膜上に液晶層が配向形成されたパターン位相差フィルムの斜視図である。 パッシブ方式で３次元映像を表示可能な液晶表示装置の例を示す概略図である。

図面を用いて本発明を具体的に説明する。図１から図４は、本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法の一例を示す工程図である。この製造プロセスは、工程（ａ）から（ｇ）で構成されている。具体的には、図１の工程（ａ）に示す無機材料からなる第１層の表面に、図１の工程（ｂ）に示すように第１凹凸構造領域を形成する第１研磨工程と、図２の工程（ｃ）に示すように第１層の第１凹凸構造領域の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、図２の工程（ｄ）に示すようにレジスト部及び非レジスト部の表面にアンカー層を形成する工程と、図３の工程（ｅ）に示すようにアンカー層上に第２層膜を形成する工程と、図３の工程（ｆ）に示すように第２層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第２凹凸構造領域を形成する第２研磨工程と、図４の工程（ｇ）に示すようにレジスト部、及び、該レジスト部上のアンカー層と第２層膜を剥離するレジスト剥離工程と、からなる。以下、各工程について詳細に説明する。

＜第１研磨工程＞
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、第１層１０の表面を研磨して、その略全面に微小なライン状凹凸構造である、第１凹凸構造領域１２を形成する。

第１層１０は基材の最表層として存在する無機材料層である。無機材料としては、後述する第２層を剥離除去可能に積層できるものであれば特に限定されるものではなく、ニッケル、銅、アルミニウム、スズ、クロム、ステンレス、鉄等の金属材料；ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_ｘ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_３等の無機酸化物；Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ等の無機窒化物；ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ等の無機酸化窒化物；ＳｉＣ等の無機炭化物；ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等を挙げることができ、なかでも、後述する第２層や第３層を剥離除去可能に積層できる観点から、金属材料、ＤＬＣ等であることが好ましく、チタン、ニッケル、クロム、ＤＬＣであることがより好ましい。

第１凹凸構造領域１２は、第１層１０の表面に略一定方向にランダムに形成されたものである。ここで、略一定方向にランダムに形成された微小なライン状凹凸構造とは、例えば、表面にラビング処理がなされた場合等に形成されるような微小な傷のようなライン状凹凸構造が、略一定方向に形成されたものである。微小なライン状凹凸構造としては、本発明の原版を用いて形成されたパターン配向膜により３次元表示可能なパターン位相差フィルムとすることができるものであれば特に限定されるものではない。

微小なライン状凹凸構造の断面形状としては、凹凸構造を有し、上記液晶化合物を所定の方向に配列できるものであれば特に限定されるものではなく、略矩形、略三角形、略台形等とすることができる。また、一定の形状でなくともよい。微小なライン状凹凸構造の高さ、幅、及び周期としては、液晶化合物を配列させることができる範囲内であれば特に限定されるものではない。本発明において、微小なライン状凹凸構造の幅は、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、なかでも、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、特に、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。また、微小なライン状凹凸構造の高さは、１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、なかでも、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、特に、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。さらに、微小なライン状凹凸構造の周期は、必ずしも一定ではなくてもよいが、概ね１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、なかでも１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。微小なライン状凹凸構造が上述のサイズであることにより、安定的に液晶化合物を配列させることができるからである。

研磨方法としては、砥石研磨、ペーパー研磨、テープ研磨、バフ研磨、サンドブラスト法、ショットブラスト法、グリットブラスト法、ガラスビーズブラスト法等のブラスト法、ナイロン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂、レーヨン、コットンなどの合成繊維からなる合成樹脂毛、不織布、動物毛、スチールワイヤ等のブラシ材を用いる、ラビング法を含むブラシグレイニング法、金属ワイヤーで引っかくワイヤーグレイニング法、研磨剤を含有するスラリー液を供給しながらブラシ研磨する方法（ブラシグレイニング法）、ボールグレイン法、液体ホーニング法等のバフ研磨法、ショットピーニング法等を挙げることができる。

第１層１０がＤＬＣのような硬い基材表面の場合には、テープ研磨法、ペーパー研磨であることが好ましいが、本発明においては第１層１０をチタンやクロムやニッケルのような金属材料とすることも好ましいので、この場合にはラビンク法も好ましく用いられる。

＜第２層形成工程＞
まず、図１（ｃ）に示すように、第１凹凸構造領域１２が形成された第１層１０の表面に帯状の第１レジスト部３１と非レジスト部３２とをパターン形成する。

レジストを平行な帯状に形成する方法としては、レジスト材料を塗布することによりレジスト膜（図示せず）を形成した後、平行な帯状に露光し、次いで、現像することにより、第１レジスト部３１と非レジスト部３２とをパターン形成することができる。

本工程に用いられるレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料（光照射部分が溶解するもの）およびネガ型レジスト材料（光照射部分が固まるもの）のいずれも用いることができる。ポジ型レジスト材料としては、例えばノボラック樹脂をベース樹脂とした化学増幅型レジスト等が挙げられる。また、ネガ型レジスト材料としては、例えば架橋型樹脂をベースとした化学増幅型レジスト、具体的にはポリビニルフェノールに架橋剤を加え、さらに酸発生剤を加えた化学増幅型レジスト等が挙げられる。なかでも、レジスト剥離工程におけるレジスト剥離の容易さ、溶解容易性、ポットタイム（可使時間）の観点からポジ型レジスト材料であることが好ましい。

レジスト材料は、化学増幅レジスト、非化学増幅レジストいずれも使用可能であるが、後述する残留溶剤との関係から親水性のものをなるべく含まないレジストであることが好ましい。ポジ型レジストとしては、スチレン−マレイン酸系樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリビニルフェノール系樹脂、ノボラック樹脂などのベース樹脂において、フェノール基やカルボキシル基などの水素原子を酸の作用により解離する基で置換した樹脂が例示できる。ネガ型のレジストとしては、上記のベース樹脂において、フェノール基やカルボキシル基などの水素原子を酸や光により重合する基で置換した樹脂が例示できる。

スチレン−マレイン酸系樹脂を含むポジ型レジストとしては、例えば、ＷＯ２００５／００１５７６号国際公開公報に記載の、スチレン／マレイン酸系共重合体のように分子中に少なくとも１つのカルボキシル基を有する高分子物質、及び、露光光源の赤外線を吸収して熱に変換する光熱変換物質（赤外線吸収色素）、を含有するポジ型感光性組成物などが例示できる。ここで、スチレン／マレイン酸系共重合体は、スチレン系単量体と、無水マレイン酸との共重合物であるスチレン／無水マレイン酸系共重合体に、水アルコールなどの水酸基を有する化合物を反応させて部分エステル化させて得ることができる。このスチレン／マレイン酸系共重合体は公知であり、例えば、ＳＡＲＴＯＭＥＲ社製の商品名ＳＭＡ１１４０などを使用できる。

上記レジスト材料を塗工してレジスト膜を形成する方法としては、一般的な塗工方法を用いることができ、例えばスピンコート法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法等を使用することができる。

上記レジスト膜を平行な帯状に露光する方法としては、通常のフォトマスク描画に用いられる電子線描画法、もしくはレーザー描画法等を用いることができる。また、マスクを介して紫外線照射を行う方法を用いることもできる。なかでも、レーザー描画法であることが好ましい。上記金属基材の形状がロール状である場合であっても、精度よくパターン状に露光することができるからである。また、露光後のレジスト膜の現像方法としては、一般的なアルカリ現像などの現像方法を用いることができる。

このようにして形成されたレジスト部３１の膜厚は１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。１μｍ未満であると膜厚ムラが大きく、レジスト色の濃淡の違いで線幅のバラツキが大きくなること、また後述する２層目の研磨（ラビング）工程において、レジスト膜下にある１層目チタン膜へレジストを突き抜けて傷つけてしまうため好ましくなく、１０μｍを超えると露光時の減衰が大きくなりレジストの深い部分が露光不足となったり、近在する２層目間の段差が大きく（図３の工程（ｅ）の隣接する第２層膜２０間の段差）、図３の工程（ｆ）において高さが低い２層目へラビング布の毛の先端が入りにくくなり、後述する液晶の塗工時に、液晶が一方向に配向する領域が狭くなるため好ましくない。

次いで、図２の工程（ｄ）に示すように、レジスト部３１及び非レジスト部３２上に、アンカー層４０が、好ましくは０．０１μｍ以上１μｍ以下で薄膜形成される。アンカー層４０はレジスト部３１上に形成されていればよく、非レジスト部３２上には必ずしもなくてもよい。このアンカー層４０は、酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、酸化珪素、シランカップリング剤、チタン系カップリング剤、より選択される１種である。例えば第２層が金属チタンの場合には、密着性の観点から酸化チタンがアンカー層４０として好ましい。他のアンカー層／第２層の好ましい組み合わせとしては、酸化クロム／金属クロム、酸化クロム／金属チタン、酸化クロム／金属ニッケル、酸化珪素／金属クロム、シランカップリング剤／金属ニッケル、チタン系カップリング剤／金属チタンなどが例示できる。

なお、シランカップリング剤としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランのようなアルキル系、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシランのようなビニル系、２−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランのようなエポキシ系、ｐ−スチリルトリメトキシシランのようなスチリル系、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランのようなメタクリロキシ系、３−アクリロキシプロピルトリエトキシシランのようなアクリロキシ系、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシランのようなアミノ系、３−ウレイドプロピルトリエトキシシランのようなウレイド系、３−クロロプロピルトリメトキシシランのようなクロロプロピル系、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシランのようなメルカプト系、ビス−（３−〔トリエトキシシリル〕−プロピル）−テトラサルファンのようなスルフィド系、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランのようなイソシアネート系が例示でき、チタン系カップリング剤としては、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラｎ−ブトキシチタン、イソプロポキシチタンジメタクリレートイソステアレート、イソプロポキシチタントリスジオクチルフォスフェート、イソプロポ
キシチタントリＮ−エチルアミノエチルアミナト、チタニウムビスジオクチルピロフォスフェートオキシアセテート等が例示できる。

薄膜形成の方法は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ）、気相成長法（ＣＶＤ法）、めっき法、塗布法等を挙げることができる。

次いで、図３の工程（ｅ）に示すように、アンカー層４０上に、無機材料の第２層膜２０が、好ましくは０．０１μｍ以上１μｍ以下で薄膜形成される。これにより、非レジスト部３２の凹部内に第２層膜２０からなる第２層パターンが形成される。この第２層膜２０の膜厚が０．０１μｍ未満であると第１層表面に研磨又はラビングにより形成された微小な凹凸が第2層膜により埋まらず、第１層の微小な凹凸と第２層の微小な凹凸が混在し配向不良となるので好ましくなく、１μｍを越えると段差が大きくなり位相差量が変化するので好ましくない。薄膜形成の方法は、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ）、気相成長法（ＣＶＤ法）、めっき法、塗布法等を挙げることができる。無機材料としては、上記の第１層１０と同じでもよく、異なっていてもよいが、好ましくは金属クロム、金属ニッケル、金属チタン、ダイヤモンドライクカーボン、からなる群より選択される１種である。

＜第２研磨工程＞
次に、図３の工程（ｆ）に示すように、第２層膜２０の全面、すなわちアンカー層４０上の第２層膜２０の表面を、第１凹凸構造領域１２ａと異なる方向に研磨して、第２層パターン２１の表面に、微小なライン状凹凸構造である、第２凹凸構造領域２１ａを形成する。この工程は、研磨方向が第１凹凸構造領域１２ａと異なる方向である点を除いては、基本的に図１の工程（ｂ）で説明した上記の第１研磨工程と同じ工程である。よって研磨方向以外の詳細説明を省略する。

第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａとは、上記微小なライン状凹凸構造の形成方向が異なる。図１の工程（ｂ）の第１研磨工程と、図３の工程（ｆ）の第２研磨工程とでは、ＸＹ平面における相互の微小なライン状凹凸構造の形成方向θが、それぞれ１３５度及び４５度であり９０度異なる場合（図２（ｆ）のθ１＝１３５度、θ２＝４５度参照）を示しているが、これに限らず、例えば４５度異なっていてもよい。なお、θ１＝０度、θ２＝９０度であってもよい。

最後に、図４の工程（ｇ）に示すように、この状態でアルカリ処理や溶剤処理などによりレジスト部３１を剥離する。このとき、レジスト部３１上に形成されるアンカー層４０と第２層膜２０も併せて除去されて第１層１０上の第１凹凸構造領域１２ａが形成されると共に表面に第２凹凸構造領域２１ａが形成された第２層パターン２１が残り、３次元表示用パターン配向膜用原版１００が得られる。

図４の工程（ｇ）に示すように、この３次元表示用パターン配向膜用原版１００は平面視Ａにおいては、第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａとが帯状交互に形成されている。また、断面視Ｂにおいては第１層１０上に、アンカー層４０と第２層パターン２１とが凸部として存在して、アンカー層４０と第２層パターン２１との合計膜厚ｈ分の段差が形成されている。

＜パターン配向膜／パターン位相差フィルム＞
このようにして得られた３次元表示用パターン配向膜用原版１００は、図５に示すように、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）やＣＯＰ（環状オレフィン樹脂）やアクリル樹脂などからなる位相差の小さいフィルム１１０上に、従来公知のＵＶ硬化樹脂などの賦型樹脂１２０を積層した積層体の賦型樹脂面を圧着され、３次元表示用パターン配向膜用原版１００の第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａで構成される微小なライン状凹凸構造が賦型樹脂表面１２１に転写され、その後ＵＶ硬化させる。これによりパターン配向膜１５０が得られる。

さらに、図６に示すように、この賦型樹脂表面１２１上には重合性の液晶化合物１６０が塗布されることで、微小なライン状凹凸構造に沿って液晶分子が配向し、その後に重合硬化することでパターン位相差フィルム２００が得られる。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

例えば、上記実施形態の説明は、第１凹凸構造領域１２ａと第２凹凸構造領域２１ａとで段差を有する版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、第１凹凸構造領域と第２凹凸構造領域とが、同一平面に交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法でも適用可能である。

また、例えば、上記実施形態の説明は平板状の版を基に説明したが、本発明はこれに限らず、ロール状のロール版に対しても適用可能である。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。以下の実施例は図１から図４に示す工程（ａ）から（ｇ）を、最表面に第１層を備える円筒状のロール基材に適用して形成したものである。

［実施例１］
＜第１研磨工程＞
図１の工程（ａ）（ｂ）：円筒状の基材の最表面チタン層５μｍ（第１層）の円周方向に対し、円筒の円周方向から＋４５度方向でラビング処理し、全面に第１凹凸構造領域を形成した。

＜第２層形成工程＞
図２の工程（ｃ）：レジスト材料として、上記のスチレン−マレイン酸系樹脂及び赤外線吸収色素を含むポジ型レジストを、固形分５％となるように溶剤で希釈し、円周方向に対し上記のレジストをコーティングし、１５℃から２５℃で所定時間乾燥した。

その後、実施例及び比較例について、赤外線レーザー露光方法で３６０μｍ幅の平行な帯状にパターンを形成し、アルカリ溶液にて現像処理を行い、その後、洗浄として水にてレジストの残渣を除去することにより、３６０μｍ幅の非レジスト部と、３６０μｍピッチで高さ５μｍのレジスト部とをチタン層上に交互に形成した。

図２の工程（ｄ）：第１レジスト部及び非レジスト部に、アンカー層として０．１μｍの酸化チタン層をスパッタリングで形成した。

図３の工程（ｅ）：第１レジスト部及び非レジスト部に、第２層膜として厚さ０．１μｍのチタン層をスパッタリングで形成した（合計の段差ｈとして０．２μｍ）。

＜第２研磨工程＞
図３の工程（ｆ）：第２層膜の全面を、円筒の円周方向から＋１３５度方向にラビング処理して第２凹凸構造領域を形成した。

＜レジスト剥離工程＞
図４の工程（ｇ）：レジスト部、及び、該レジスト部上のアンカー層と第２層膜とを、ＭＥＫ，ＩＰＡ，メタノールの混合溶剤で剥離して、第１凹凸構造領域及び第２凹凸構造領域を３６０μｍピッチで交互に形成し、本発明の３次元表示用パターン配向膜用原版を得た。

＜パターン配向膜の作製＞
透明フィルム基材として６０μｍのＴＡＣに、希釈溶剤としてＭＥＫとＭＩＢＫとが質量比４対１で混合されてなる希釈溶剤で希釈された固形分４５％、２５００ｍＰａ・ｓのアクリル系紫外線硬化樹脂組成物を厚み８μｍとなるようにコーティングし、溶剤を８０℃で３０秒間で乾燥蒸発させた後、上記で作製した版にゴムロールで１０００ＭＰａ/ｃｍの加重で押し付けた後、紫外線を照射し、固化させたのち剥離し、パターン配向層をもつ基材（パターン配向膜）を得た。

＜パターン位相差フィルムの作製＞
得られたパターン配向膜の表面に、重合性の液晶化合物として紫外線硬化性液晶材料（ＵＣＬ−００１、大日本インキ化学工業製）に反応開始剤を０．３重量％を添加したものを塗工後紫外線を照射し、リタデーションが１１０ｎｍのパターン位相差フィルムを得た。

＜クロスニコルを用いた評価＞
得られたパターン位相差フィルムを、消光位を示すようクロスニコルに挟み肉眼で観察したところ、問題となるような光漏れはみられなかった。

［実施例２］
実施例１において、円筒状の基材の最表面をクロム層５μｍに、アンカー層を酸化クロム層に、第２層膜をクロム層とした他は、実施例１と同様に行った。実施例１と同様のクロスニコルを用いた評価で光漏れはみられなかった。

［実施例３］
実施例１において、円筒状の基材の最表面をニッケル層５μｍに、アンカー層を酸化クロム層に、第２層膜をニッケル層とした他は、実施例１と同様に行った。実施例１と同様のクロスニコルを用いた評価で光漏れはみられなかった。

［実施例４］
実施例１において、円筒状の基材の最表面をニッケル層５μｍに、アンカー層を酸化クロム層に、第２層膜をクロム層とした他は、実施例１と同様に行った。実施例１と同様のクロスニコルを用いた評価で光漏れはみられなかった。

［比較例１］
アンカー層４０を形成せずにレジスト部上に直接第２層膜の形成した以外は、実施例１と同様の試験を行なった。

その結果、クロスニコルを用いた評価では、多数の光漏れが確認された。光学顕微鏡で観察したところ、長さコンマ数ｍｍ〜数ｍｍの線状の配向不良部分から光が漏れており、これは、第２研磨工程時にレジスト上から剥離した第２層膜が異物となり、レジスト上にない第２層膜に傷が生じたり、また、レジストを削り取って第１層に傷が生じたりし、傷上の液晶の配向が乱れたためと分かった。

［比較例２］
実施例４において、アンカー層４０の厚みを０．００５μとした他は、実施例４と同様に行った。その結果、クロスニコルを用いた評価では、多数の光漏れが確認された。

１０ 第１層
１２ａ 第１凹凸構造領域
２０ 第２層膜
２１ 第２層パターン
２１ａ 第２凹凸構造領域
３１ レジスト部
３２ 非レジスト部
４０ アンカー層
１００ ３次元表示用パターン配向膜用原版
１１０ 位相差の小さいフィルム
１２０ 賦型樹脂
１２１ 賦型樹脂表面
１５０ パターン配向膜
１６０ 液晶化合物
２００ パターン位相差フィルム

Claims (5)

1. 微小なライン状凹凸構造が略一定方向に形成される帯状の第１凹凸構造領域と、前記第１凹凸構造と異なる方向に微小なライン状凹凸構造が形成される帯状の第２凹凸構造領域とが交互に形成されている３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法であって、
   無機材料からなる第１層の表面に、前記第１凹凸構造領域を形成する第１研磨工程と、
   前記第１層の表面に帯状のレジスト部をパターン形成する工程と、
   前記レジスト部の表面に、前記レジスト部と第２層膜との密着性を向上させるためのアンカー層を形成する工程と、
   前記レジスト部及び非レジスト部の表面に無機材料からなる前記第２層膜を形成することで、前記非レジスト部上に第２層パターンを形成する第２層形成工程と、
   前記第２層膜の表面を前記異なる方向に研磨して第２凹凸構造領域を形成する第２研磨工程と、
   前記非レジスト部上は、前記アンカー層、前記第２層パターンを剥離しないで、前記レジスト部と、該レジスト部上の前記アンカー層と、該アンカー層上の前記第２層膜と、を剥離するレジスト剥離工程と、
   を備える３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
2. 前記アンカー層が、酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、酸化珪素、シランカップリング剤、チタン系カップリング剤、からなる群より選択される１種である請求項１記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
3. 前記アンカー層の膜厚が０．０１μｍ以上１μｍ以下である請求項１又は２に記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
4. 前記アンカー層を、前記レジスト部及び非レジスト部の全面に形成する請求項１から３いずれか記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。
5. 前記第２層膜が金属クロム、金属ニッケル、金属チタン、ダイヤモンドライクカーボン、からなる群より選択される１種である請求項１から４いずれか記載の３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法。

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