JP5825920B2 - 金属窒化物の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、金属窒化物、特にアルカリ金属、アルカリ土類金属又はランタノイド族金属の窒化物の製造方法に関する。
近年、金属窒化物は、半導体装置に用いる窒化アルミニウムの原料、金属摺動部材、電極構成材料等の材料の1つとして注目されている。また、金属窒化物を用いた蛍光体も多数見出され、その原料としての需要も高まってきている。このような用途に使用される金属窒化物は、高純度品が求められる。
従来の金属窒化物の製造方法としては、カルシウム等のアルカリ土類金属を窒素気流中で加熱する方法が挙げられる(非特許文献1、2)。
しかしながら、この方法では、金属の表面だけが窒化するにすぎず、内部まで窒化させることは困難であった。従って、この方法で得られた金属窒化物は、前記半導体装置等の高純度品が要求される用途には使用できなかった。
また、カルシウムをアンモニアと熱する方法があるが、この方法によると水素化カルシウムが副生するという問題があり(非特許文献3)、さらに、4窒化三カルシウムを250℃に熱する方法もあるが、爆発性や毒性の問題があった(非特許文献4)。
また、溶融した亜鉛−カルシウム合金を、加熱、加圧された窒素のジェットと反応させる窒化カルシウムの合成方法が開示されているが(特許文献1)、この方法には、特別な装置が必要であり、工業的に有利な方法とは言い難い。
特表2005−531483号公報
大木道則他編、「化学大辞典」第1版、東京化学同人、第1版1413頁、1989年 日本化学会編、「新実験化学講座8、無機化合物の合成I」丸善(株)、第414頁、1976) 「化学大辞典5」縮刷版、共立出版(株)、第880頁、1987年 「無機化合物・錯体辞典」中原勝儼著、講談社、第476頁、1997年
しかしながら、従来の方法で得られた金属窒化物は、いずれも純度が低く、前記高純度品が求められる用途には使用できなかった。
本発明は、上記の問題点が無く、容易な方法で収率良く、高純度の金属窒化物を製造する方法を提供することを課題とする。
斯かる実情に鑑み、本発明者は鋭意研究を行った結果、金属水素化物を原料として用い、これを窒素ガス又はアンモニアガス下、加熱するのみで高純度の金属窒化物が収率良く得られることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は、金属水素化物を窒素ガス又はアンモニアガス下、加熱することを特徴とする当該金属窒化物の製造方法を提供するものである。
また、本発明は、金属水素化物を窒素ガス又はアンモニアガス下、加熱することにより製造される当該金属窒化物を提供するものである。
本発明によれば、容易な方法で収率良く、高純度の金属窒化物を製造することができる。
実施例1により得られた窒化ランタンのXRD結果を示す図である。 実施例2により得られた窒化カルシウムのXRD結果を示す図である。 実施例3により得られた窒化リチウムのXRD結果を示す図である。 実施例4により得られた窒化ストロンチウムのXRD結果を示す図である。 実施例5により得られた窒化バリウムのXRD結果を示す図である。 実施例6により得られた窒化バリウムのXRD結果を示す図である。 実施例7により得られた窒化バリウムのXRD結果を示す図である。 実施例8により得られた窒化ランタンのXRD結果を示す図である。 実施例9により得られた窒化ランタンのXRD結果を示す図である。 実施例10により得られた窒化セリウムのXRD結果を示す図である。 実施例11により得られた窒化マグネシウムのXRD結果を示す図である。
本発明に用いられる金属水素化物としては、特にアルカリ金属水素化物、アルカリ土類金属水素化物及びランタノイド族金属の水素化物から選ばれる1種又は2種以上が好ましい。ここで、アルカリ金属水素化物としては、LiH、NaH、KHが挙げられる。アルカリ土類金属水素化物としては、BaH2、MgH2、CaH2、SrH3、BaH3が挙げられる。ランタノイト族金属水素化物としては、LaH3、CeH3、EuH3が挙げられる。
本発明の原料であるアルカリ金属水素化物は、例えば、アルカリ金属に高温で水素を作用させる方法(「化学大辞典」縮刷版、共立出版(株)水素化リチウム、水素化カリウムの項)等により製造することができる。
本発明の原料であるアルカリ土類金属水素化物は、例えば、アルカリ土類金属に高温で水素を作用させる方法(「化学大辞典」縮刷版、共立出版(株)水素化カルシウム、水素化バリウムの項)等により製造することができる。
本発明の原料であるランタノイド族金属の水素化物は、例えば、ランタンに水素を作用させる方法(「化学大辞典」縮刷版、共立出版(株)ランタンの項)等により製造することができる。
また、本発明方法により、アルカリ金属水素化物、アルカリ土類金属水素化物及びランタノイド族金属の水素化物以外の金属水素化物からも金属窒化物を製造することができる。
本発明に用いる金属水素化物は、粉末であることが望ましい。
本発明において、窒化反応は、前記金属水素化物を、窒素ガス又はアンモニアガス下に加熱することにより行うが、窒素ガスを用いることが好ましい。また、これらガス雰囲気下で反応を行う場合、その圧力は特に制限はないが、常圧で行うのが経済的で好ましい。また、反応は、バッチ式でも連続式でも良いが、量産する場合は、連続式が有利である。
本発明において、加熱温度は、100℃以上が好ましく、300℃以上がより好ましく、500℃以上がさらに好ましい。温度の上限は、生成する金属窒化物が分解しない温度であるが、反応炉や経済性から、1500℃以下とすることが好ましい。従って、加熱温度は、100〜1500℃が好ましく、さらに300〜1300℃、特に500〜1200℃が好ましい。
本発明において、原料としてアルカリ金属水素化物を用いた場合の加熱温度は、100℃以上が好ましく、300℃以上がより好ましく、400℃以上がさらに好ましい。温度の上限は、生成したアルカリ金属窒化物が分解しない温度であるが、反応炉や経済性から、1500℃以下とすることが好ましい。従って、アルカリ金属水素化物を用いた場合の加熱温度は、100〜1500℃が好ましく、さらに300〜1000℃、特に400〜900℃が好ましい。最も好ましくは、600〜800℃である。
本発明において、原料としてアルカリ土類金属水素化物を用いた場合の加熱温度は、400℃以上が好ましく、500℃以上がより好ましく、600℃以上がさらに好ましい。温度の上限は、生成したアルカリ土類金属窒化物が分解しない温度であるが、反応炉や経済性から、1500℃以下とすることが好ましい。従って、アルカリ土類金属水素化物を用いた場合の加熱温度は、400〜1500℃が好ましく、さらに500〜1100℃、特に600〜1000℃が好ましい。最も好ましくは、700〜900℃である。
更に、本発明において、原料としてランタノイド族金属の水素化物を用いた場合の加熱温度は、500℃以上が好ましく、600℃以上がより好ましく、700℃以上がさらに好ましい。温度の上限は、生成したランタノイド族金属の窒化物が分解しない温度であるが、反応炉や経済性から、1500℃以下とすることが好ましい。従って、ランタノイド族金属の水素化物を用いた場合の加熱温度は、500〜1500℃が好ましく、さらに600〜1300℃、特に700〜1200℃が好ましい。最も好ましくは、800〜1000℃である。
反応時間は、装置、反応温度、原料量により適宜決定すればよいが、通常10分〜48時間とすることが好ましく、1時間〜24時間がさらに好ましく、特に3時間〜12時間が好ましい。
反応装置は、1500℃程度の熱に耐えられる装置であればよく、例えば、管状炉、電気炉、バッチ式キルン、ロータリーキルンを用いればよい。
反応終了後は、例えばバッチ式の場合には、反応装置内には目的とする金属窒化物のみが粉体状で残存するので、回収は極めて容易である。
一方、連続式の場合には、例えば、N2で内部が満たされたロータリーキルンを用いれば、容易に金属窒化物が連続的に回収される。
得られる金属窒化物としては、アルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物及びランタノイド族金属の窒化物、例えばLi3N、Na3N、K3N、Be32、Mg32、Ca32、Ca2N、Sr32、Sr2N、Ba32、Ba2N及びLaN、CeN、EuNが好ましい。
本発明方法により得られる金属窒化物は、窒化反応により容易に内部まで反応が進行するため、高純度である。
以下実施例を挙げて、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、実施例1、3及び8〜10は参考例である。
実施例1
出発原料である水素化ランタンは、200cc耐圧容器に金属ランタン40gを仕込み、真空排気した後、水素1.5MPaを充填し、反応温度100℃で18時間反応を行った。得られた水素化ランタンは以下の試験に用いた。
表1に示すような温度、時間(h)でランタン窒化物の製造試験を行った。すなわち、グローブボックス内にて炉心管(内径50mm、長さ600mm)にランタン水素化物3gを入れ、シリコンキャップで密閉した。グローブボックスから取り出した炉心管を管状炉にセットし、窒素雰囲気下で加熱した。
Figure 0005825920
得られたLaN合成物の粉末XRD解析を行った。LaN結果を図1に示す。なお、図1中には参考のため、原料のLaH2のXRDも示す。
XRDの結果から、500〜1000℃の加熱で目的とする高純度のランタン窒化物が高収率で生成していることが分かる。また、その反応時間は、反応温度が高くなるほど、短時間でよいことが分かる。1000℃で得られたランタン窒化物を窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は9.07mass%であり理論量(9.16mass%)から算出した純度は99.0%であった。
実施例2
出発原料である水素化カルシウムは、200cc耐圧容器に金属カルシウム40gを仕込み、真空排気した後、水素10MPaを充填し、反応温度150℃で24時間反応を行った。得られたカルシウム水素化物3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は800℃で反応時間は16時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相窒化カルシウム(Ca32)であった(図2参照)。得られた窒化カルシウムを窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は18.40mass%であり理論量(18.90mass%)から算出した純度は97.4%であった。
実施例3
出発原料である水素化リチウムは、200cc耐圧容器に金属リチウム40gを仕込み、真空排気した後、水素10MPaを充填し、反応温度200℃で24時間反応を行った。得られたリチウム水素化物3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は600℃で反応時間は16時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相窒化リチウム(Li3N)であった(図3参照)。得られた窒化リチウムを窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は39.20mass%であり理論量(40.21mass%)から算出した純度は97.5%であった。
比較例1
金属ランタン3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は1000℃で反応時間は16時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相ランタン(La)であった。
比較例2
金属カルシウム3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は800℃で反応時間は16時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相カルシウム(Ca)であった。
比較例3
金属リチウム3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った
場合の温度は600℃、で反応時間は16時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相リチウム(Li)であった。
以上の比較例から、金属を窒素雰囲気下で窒化しようとしても、窒化はほとんど進まないことが分かる。
実施例4
出発原料である水素化ストロンチウムは、200cc耐圧容器に金属ストロンチウム40gを仕込み、真空排気した後、水素0.9MPaを充填し、反応温度150℃で12時間反応を行った。得られた水素化ストロンチウム3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は900℃で反応時間は4時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相窒化ストロンチウム(Sr32)であった(図4)。得られた窒化ストロンチウムを窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は9.5mass%であり理論量(9.63mass%)から算出した純度は98.7%であった。
実施例5
出発原料である水素化バリウムは、200cc耐圧容器に金属バリウム40gを仕込み、真空排気した後、水素0.9MPaを充填し、反応温度150℃で12時間反応を行った。得られた水素化バリウム3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は800℃で反応時間は4時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相窒化バリウム(Ba2N)であった(図5)。得られた窒化バリウムを窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は4.7mass%であり理論量(4.85mass%)から算出した純度は96.9%であった。
実施例6
得られた水素化バリウム3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は900℃で反応時間は4時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相窒化バリウム(Ba2N)であった(図6)。得られた窒化バリウムを窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は4.7mass%であり理論量(4.85mass%)から算出した純度は96.9%であった。
実施例7
得られた水素化バリウム3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は1000℃で反応時間は4時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相窒化バリウム(Ba2N)であった(図7)。得られた窒化バリウムを窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は4.8mass%であり理論量(4.85mass%)から算出した純度は98.9%であった。
実施例8
出発原料である水素化ランタンは、200cc耐圧容器に金属ランタン40gを仕込み、真空排気した後、水素0.9MPaを充填し、反応温度150℃で12時間反応を行った。得られた水素化ランタン3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は1400℃で反応時間は4時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相窒化ランタン(LaN)であった(図8)。得られた窒化ランタンを窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は9.1mass%であり理論量(9.16mass%)から算出した純度は99.3%であった。
実施例9
得られた水素化ランタン3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。NH3ガス雰囲気下で行った場合の温度は800℃で反応時間は4時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相窒化ランタン(LaN)であった(図9)。得られた窒化ランタンを窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は9.1mass%であり理論量(9.16mass%)から算出した純度は99.3%であった。
実施例10
出発原料である水素化セリウムは、200cc耐圧容器に金属セリウム40gを仕込み、真空排気した後、水素0.9MPaを充填し、反応温度150℃で12時間反応を行った。得られた水素化セリウム3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は1000℃で反応時間は4時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相窒化セリウム(CeN)であった(図10)。得られた窒化セリウムを窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は8.9mass%であり理論量(9.09mass%)から算出した純度は97.9%であった。
実施例11
出発原料に水素化マグネシウム3gを用い、実施例1と同様の操作を行った。N2ガス雰囲気下で行った場合の温度は900℃で反応時間は6時間であった。得られた合成物の粉末XRD解析を行ったところ全相窒化マグネシウム(Mg32)であった(図11)。得られた窒化マグネシウムを窒素酸素同時分析計で定量したところ、N量は27.1mass%であり理論量(27.76mass%)から算出した純度は97.6%であった。

Claims (3)

  1. アルカリ土類金属水素化物窒素ガス下600〜1000℃で加熱することを特徴とする、アルカリ土類金属窒化物の製造方法。
  2. アルカリ土類金属水素化物が、水素化カルシウム、水素化ストロンチウム又は水素化バリウムである請求項1記載の製造方法。
  3. 加熱の温度が700900℃である請求項1又は2記載の製造方法。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5884101B2 (ja) * 2012-07-26 2016-03-15 国立大学法人東京工業大学 窒化物エレクトライド及びその製法
JP6039474B2 (ja) * 2013-03-19 2016-12-07 太平洋セメント株式会社 アルカリ土類金属イミドの製造方法
JP6190265B2 (ja) * 2013-12-19 2017-08-30 太平洋セメント株式会社 窒化バリウム粒子の製造法及び蛍光体の製造方法
CN106460229B (zh) 2014-04-02 2019-12-10 F·纳塔利 掺杂的稀土氮化物材料和包含其的器件
JP6388814B2 (ja) * 2014-10-21 2018-09-12 太平洋セメント株式会社 ランタン水素化物の製造法
JP6366038B2 (ja) * 2015-03-24 2018-08-01 太平洋セメント株式会社 金属窒化物の製造方法
JP6487787B2 (ja) * 2015-06-17 2019-03-20 太平洋セメント株式会社 水素化バリウム粒子及びその製造法
CN106629634B (zh) * 2016-12-30 2018-09-11 河北利福光电技术有限公司 一种高纯氮化铈粉体及其制备方法和应用
CN107010610B (zh) * 2017-06-13 2023-09-19 王兆兵 一种高效节能的高纯氮化锰生产系统
JP6940778B2 (ja) * 2019-02-27 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体の製造方法
JP7326183B2 (ja) * 2020-02-13 2023-08-15 太平洋セメント株式会社 窒化ランタン
CN115403043B (zh) * 2022-08-19 2023-07-11 四川大学 一种稀土元素碳化物、氮化物或碳氮化物粉末的制备方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2461018A (en) * 1945-03-02 1949-02-08 Metal Hydrides Inc Production of titanium nitride
US2893862A (en) * 1955-09-26 1959-07-07 Bayer Ag Process for the production of alkalineearth metals
NL294900A (ja) * 1962-07-04
JPS4815159B1 (ja) * 1970-01-23 1973-05-12
JPS49106499A (ja) * 1973-02-15 1974-10-09
JPS52117898A (en) * 1976-03-31 1977-10-03 Nippon Shinkinzoku Kk Process for peparing nitride
US4321163A (en) * 1978-11-21 1982-03-23 Max-Planck-Gesellschaft Lithium nitride of increased conductivity, method for its preparation, and its use
JPS5590406A (en) * 1979-10-09 1980-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd Preparation of nitride
JPS62108718A (ja) * 1985-11-07 1987-05-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 立方晶窒化ほう素焼結体の製造方法
JPS63256505A (ja) * 1986-04-15 1988-10-24 マ−チン・マリエツタ・コ−ポレ−シヨン 窒化物の合成
CN1044355C (zh) * 1994-03-21 1999-07-28 中国科学院大连化学物理研究所 纳米尺寸氮化镁的合成方法
JP2002293545A (ja) * 2001-01-24 2002-10-09 Nichia Chem Ind Ltd リチウム複合金属窒化物の製造方法
FR2841893B1 (fr) 2002-07-02 2004-08-27 Francois Lacoste Procede de synthese de nitrure de calcium
JP2005008952A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Mitsubishi Materials Corp Fe−Co系軟磁性合金粒の粒界に金属窒化物が介在する組織を有する金属窒化物介在Fe−Co系軟磁性焼結合金の製造方法
CN101397129A (zh) * 2007-09-24 2009-04-01 辽宁师范大学 一种纳米尺寸氮化镱粉末及制备方法
CN101613092A (zh) * 2008-06-27 2009-12-30 辽宁师范大学 一种纳米尺寸氮化钐粉末及制备方法
CN101618865A (zh) * 2008-07-02 2010-01-06 辽宁师范大学 一种纳米尺寸氮化镧粉末及制备方法
JP2011052099A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物蛍光体の製造方法
JP5590406B2 (ja) * 2011-02-03 2014-09-17 Dic株式会社 水性ウレタン樹脂組成物、コーティング剤、鋼板表面処理剤ならびに硬化物及び積層物

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