JP5818384B2 - 電解コンデンサとその製造方法 - Google Patents
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Description
れている。
、単なるパッケージの一例に過ぎず、本発明の適用範囲はより広範であり、この特定のパッケージに限定されるものではない。
法を用いて外部環境からシールされる。
12…サブストレート
14…カソード
16…電解質領域
18…アノード
30…第1のリード
32…第2のリード
Claims (19)
- 金属ケースと、
前記金属ケース内に配置された多孔質ペレットアノードと、
前記金属ケース内に配置された電解質と、
前記金属ケースの内表面に配置されたカソード素子と、
前記多孔質ペレットアノードに接続された第1のリード電極と、
前記カソード素子に電気的に接続された第2のリード電極と、を備え、
前記カソード素子は、電気泳動電着法によって堆積させたタンタルパウダー単一の均一な層のみからなり、前記電解質によって前記アノードと電気的に接続していること
を特徴とする電解コンデンサ。 - 前記カソード素子の厚みは、3ミル(76.2μm)〜20ミル(508μm)であることを特徴とする請求項1に記載の電解コンデンサ。
- 前記カソード素子は、0.01[S/cm]を超える電気伝導率を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電解コンデンサ。
- 前記カソード素子及び前記アノードは前記電解質によって分離されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電解コンデンサ。
- 第1の面と対向する第2の面とを有するサブストレートと、
電気泳動電着法によって堆積させたタンタルパウダー単一の均一な層のみからなるカソード素子と、
前記カソード素子に近接して配置されたアノードと、
前記アノードと前記カソード素子との間に配置された電解質と、
を備えることを特徴とする電解コンデンサ。 - 電気泳動電着法によって堆積させた単一金属からなる均一な層から形成され、前記第2の面に配置された第2のカソード素子を更に備えることを特徴とする請求項5記載の電解コンデンサ。
- 前記サブストレートは、金属製のプリフォームド容器であることを特徴とする請求項5又は6に記載の電解コンデンサ。
- 金属ケースと、
前記金属ケースに電気泳動電着法によって堆積させたカソード素子と、を備え、
前記カソード素子はタンタルパウダー単一の均一な層のみからなり、当該カソード素子の厚みは20ミル(508μm)未満であることを特徴とする電解コンデンサ。 - 前記カソード素子は、0.01[S/cm]を超える電気伝導率を有することを特徴とする請求項8に記載の電解コンデンサ。
- 金属ケースを供給する工程と、
電気泳動電着法により堆積させた、導電性及び選択された厚みを有するタンタルパウダー単一の均一な層のみからなるカソード素子を前記金属ケースに配置する工程と、
前記金属ケース内に多孔質ペレットアノードと電解質とを配置し、この電解質によって前記アノードと前記カソード素子とを電気的に接続する工程と、
を有することを特徴とする電解コンデンサの製造方法。 - 前記カソード素子の厚みは、3ミル(76.2μm)〜20ミル(508μm)であることを特徴とする請求項10に記載の電解コンデンサの製造方法。
- 前記カソード素子は0.01[S/cm]を超える電気伝導率を有することを特徴とする請求項10又は11に記載の電解コンデンサの製造方法。
- 第1の面と第2の面とを有する金属のサブストレートと、
前記サブストレートの一方の面上に配置された第1の多孔質ペレットアノードと、
前記サブストレートの他方の面上に配置された第2の多孔質ペレットアノードと、
前記サブストレートの第1の面と前記第1の多孔質ペレットアノードとの間に配置された電解質と、
前記サブストレートの第1の面及び第2の面に配置されたカソード素子と、を備え、
前記カソード素子は、電気泳動電着法によって堆積させたタンタルパウダー単一の均一な層のみによって形成され、前記サブストレートの第1及び第2の面上において前記電解質と接触し、
前記カソード素子は0.01[S/cm]を超える電気伝導率を有することを特徴とする電解コンデンサ。 - 前記カソード素子の厚みは、3ミル(76.2μm)〜20ミル(508μm)であることを特徴とする請求項13に記載の電解コンデンサ。
- 第1の面と第2の面とを有する金属のサブストレートを供給する工程と、
前記金属のサブストレートの各面にカソード素子を形成する工程であって、タンタルパウダー単一の均一な層のみを電気泳動電着法によって前記金属のサブストレートに堆積することによって前記カソード素子を形成する工程と、
前記サブストレートの第1の面に近接するように第1の多孔質ペレットアノードを配置し、前記サブストレートの第2の面に近接するように第2の多孔質ペレットアノードを配置する工程と、
前記サブストレートの各面に電解質を供給して、前記カソード素子と前記アノードとを当該電解質により分離する工程と、を備え、
前記カソード素子は、前記サブストレートの第1及び第2の面上において電解質と接触するように形成され、前記カソード素子は0.01[S/cm]を超える電気伝導率を有することを特徴とする電解コンデンサの製造方法。 - 前記カソード素子の厚みは、3ミル(76.2μm)〜20ミル(508μm)であることを特徴とする請求項15に記載の電解コンデンサの製造方法。
- 第1の面と対向する第2の面とを有し、コンデンサの金属ケースであるサブストレートと、
前記金属ケースの第1の面に電気泳動電着法によって堆積させた一定の厚みのタンタルパウダー単一の均一な層のみによって形成され、0.01[S/cm]を超える電気伝導率を有する第1のカソード素子と、
前記第2の面に電気泳動電着法によって堆積させたタンタルパウダー単一の均一な層のみによって形成され、0.01[S/cm]を超える電気伝導率を有する第2のカソード素子と、
各カソード素子に近接して配置されたアノードと、
各アノードと各カソード素子の間に配置された電解質と、
を備えることを特徴とする電解コンデンサ。 - 前記サブストレートは、金属製のプリフォームド容器であることを特徴とする請求項17に記載の電解コンデンサ。
- 対向する第1と第2の面を有するサブストレートと、
前記サブストレートの第1の面に配置された第1のカソード素子と、
前記サブストレートの第2の面に配置された第2のカソード素子と、
前記第1のカソード素子に近接して配置されたアノードと、
前記アノードと前記第1のカソード素子の間に配置された電解質とを有し、
前記第1及び第2のカソード素子は、それぞれ、電気泳動電着法によって堆積させた一定の厚みを持つタンタルパウダー単一の均一な層のみから形成され、前記カソード素子は、0.01[S/cm]を超える電気伝導率を有することを特徴とする電解コンデンサ。
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