JP5814233B2 - 除草剤用薬害軽減剤、薬害が軽減された除草剤組成物及び作物の薬害軽減方法 - Google Patents
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Description
(ここで、RはC1〜C4アルキル基又はヒドロキシシクロヘキシル基を表わし、
Xはカルボキシル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、C1〜C4アルコキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基を表わす。)
で示される化合物又はその塩を主成分とすることを特徴とする除草剤用薬害軽減剤。
(B)スルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ(チオ)安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれる1又は2以上の除草活性化合物、
を含有することを特徴とする薬害が軽減された除草剤組成物。
(B)スルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ(チオ)安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれた1又は2以上の除草活性化合物を、
同時に施用するか或いは近接施用することを特徴とする、該除草活性化合物による作物の薬害軽減方法。
Rがメチル基でXがカルボキシル基である4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸、Rがメチル基でXがヒドロキシル基である4−tert−ブチルシクロヘキサノール、Rがメチル基でXがカルバモイル基である4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、Rがメチル基でXがジメチルカルバモイル基である4−tert−ブチル−N,N−ジメチルシクロヘキサンカルボキサミド、Rがメチル基でXがメトキシカルボニル基である4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸メチル、Rがメチル基でXがベンジルオキシカルボニル基である4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸ベンジル、Rが4−ヒドロキシシクロヘキシル基でXがカルボキキシル基である4−〔1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)−1−メチルエチル〕シクロヘキサンカルボン酸、Rが4−ヒドロキシシクロヘキシル基でXがヒドロキキシル基である2,2’−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパンの中から選ばれる。尚、本発明の除草剤用薬害軽減剤は、1又は2以上の一般式(I)で表される化合物それ自体でも、後述する農薬用担体を併用してもよい。
一般式(I)の1種である、次の一般式(Ia)で表される化合物は、下記に例示する反応式からなる方法により製造することができる。
(式中、R及びX1は前記した通りであり、Qはハロゲン原子、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、ピリジル基、イミダゾリルオキシ基、ハロアルキルカルボニルオキシ基、ハロアルコキシカルボニルオキシ基又はベンゾイルオキシ基等の脱離基を表す。)
即ち、一般式(II)で表される化合物は、一般式(III)で表される化合物とハロゲン化剤、酸無水物、酸ハロゲン化物又は脱水縮合剤とを、溶媒中又は無溶媒中で反応させることによって製造することができる。
一般式(II)で表される化合物と、C1〜C4アルコール、ベンジルアルコール、アンモニア又はジメチルアミンとを溶媒中、塩基の存在下又は非存在下で反応させることにより、一般式(Ia)の化合物を製造することができる。
(式中、Rは前記した通りであり、Mはアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム、イソプロピルアンモニウム、トリメチルスルホニウム、トリエタノールアンモニウム又はジメチルジステアリルアンモニウムを表す。)
(A)成分:上記一般式(I)で表される化合物を主成分とする除草剤用薬害軽減剤
(B)成分:1又は2以上の特定の除草活性化合物
を含有することを特徴とするものである。
de)、アセトクロ−ル(acetochlor)、アラクロール(alachlor)、ブタクロール(butachlor)、ブテナクロール(butenachlor)、ジエタチル(diethatyl−ethyl)、ジメタクロール(dimethachlor)、ジメテナミド(dimethenamid)、ジメテナミド・P(dimethenamid−P)、メタザクロール(metazachlor)、メトラクロール(metolachlor)、ペトキサミド(pethoxamid)、プレチラクロール(pretilachlor)、プロパクロール(propachlor)、プロピソクロール(propisochlor)、S−メトラクロール(S−metolachlor)、テニルクロール(thenylchlor)、フルフェナセット(flufenacet)、メフェナセット(mefenacet)、フェントラザミド(fentrazamide)、フェノキサスルホン(fenoxasulfone)、ピロキサスルホン(pyroxasulfone)、イソキサベン(isoxaben)、ジクロベニル(dichlobenil)、クロルチアミド(chlorthiamid)、フルポキサム(flupoxame)、ジノテルブ(dinoterb)、DNOC(アミン又はナトリウム等の塩を含む)、ベンフレセート(benfuresate)、エトフメセート(ethofumesate)、ダラポン(dalapon)、フルプロパネート(flupropanate)、TCA(ナトリウム、カルシウム又はアンモニア等の塩を含む)、ベンスリド(bensulide)、ブチレート(butylate)、シクロエート(cycloate)、ジメピペレート(dimepiperate)、EPTC、エスプロカルブ(esprocarb)、モリネート(molinate)、オルベンカルブ(orbencarb)、ペブレート(pebulate)、プロスルホカルブ(prosulfocarb)、チオベンカルブ(thiobencarb)、チオカルバジル(tiocarbazil)、トリアレート(tri−allate)、バーナレート(vernolate)、クロランベン(chloramben)、2,3,6−TBA、ジカンバ(dicamba)(アミン、ジエチルアミン、イソプロピルアミン、ジグリコールアミン、ナトリウム又はリチウム等の塩を含む)、2,4,5−T、2,4−D(アミン、ジエチルアミン、トリエタノールアミン、イソプロピルアミン、ナトリウム又はリチウム等の塩を含む)、2,4−DB、クロメプロップ(clomeprop)、ジクロルプロップ(dichlorprop)、ジクロルプロップ−P(dichlorprop−P)、MCPA、MCPA・チオエチル(MCPA−thioethyl)、MCPB(ナトリウム塩、エチルエステル等を含む)、メコプロップ(mecoprop)(ナトリウム、カリウム、イソプロピルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミン等の塩を含む)、メコプロップ−P・カリウム塩(mecoprop−P)、クロピラリド(clopyralid)、フルロキシピル(fluroxypyr)、ピクロラム(picloram)、トリクロピル(triclopyr)、トリクロピル−ブトティル(triclopyr−butotyl)、キンクロラック(quinclorac)、キンメラック(quinmerac)、ナプタラム(naptalam)(ナトリウム等との塩を含む)、ジフルフェンゾピル(diflufenzopyr)、フラムプロップ・M(flamprop−M)(メチル、エチル、イソプロピルエステルを含む)、フラムプロップ(flamprop)(メチル、エチル、イソプロピルエステルを含む)、クロルフルレノール(chlorflurenol−methyl)、シンメチリン(cinmethylin)、クミルロン(cumyluron)、ダイムロン(daimuron)、メチルダイムロン(methyldymuron)、ジフェンゾコート(difenzoquat)、エトベンザニド(etobenzanid)、ホサミン(fosamine)、ピリブチカルブ(pyributicarb)、オキサジクロメホン(oxaziclomefone)、アクロレイン(acrolein)、AE−F−150944(コード番号)、アミノシクロピラクロル(aminocyclopyrachlor)、シアナミド(cyanamide)、ヘプタマロキシログルカン(heptamaloxyloglucan)、インダジフラム(indaziflam)、トリアジフラム(triaziflam)、キノクラミン(quinoclamine)、エンドタール二ナトリウム塩(endothal−disodium)、フェニソファム(phenisopham)、BDPT(BDPT)、BAU−9403(コード番号)、SYN−523(コード番号)、SYP−249(コード番号)、JS−913(コード番号)、IR−6396(コード番号)、メチオゾリン(metiozolin)、トリアファモン(Triafamone)、HW−02(コード番号)、BCS−AA10579(コード番号)、フルフェンピル・エチル(flufenpyr−ethyl)、プロフルアゾール(profluazol)、ピラクロニル(pyraclonil)、SYP−298(コード番号)、SYP−300(コード番号)、ベフルブタミド(beflubutamid)、フルリドン(fluridone)、フルロクロリドン(flurochloridone)、フルルタモン(flurtamone)、アニロホス(anilofos)、ブロモブチド(bromobutide)、カフェンストロール(cafenstrole)、インダノファン(indanofan)、ピペロホス(piperophos)、イプフェンカルバゾン(ipfencarbazone)、ベナゾリン(benazolin)等の化合物が挙げられる。
例えばベンスルフロンメチル、ピラゾスルフロンエチル、ハロスルフロンメチル、アジムスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、フルセトスルフロン、イマゾスルフロン、エトキシスルフロン又はプロピリスルフロン等のスルホニル尿素系化合物;
例えばペノキススラム等のスルホンアミド系化合物;
例えばブタクロール、プレチラクロール又はテニルクロール等のクロロアセトアニリド系化合物;
例えばチオベンカルブ、エスプロカルブ又はモリネート等のチオカルバマート系化合物;
例えばピリミノバックメチル、ピリフタリド、ビスピリバックナトリウム又はピリベンゾキシム等のピリミジニルオキシ(チオ)安息香酸系化合物;
例えばフェントラザミド等のテトラゾリノン系化合物;
例えばカフェンストロール又はイプフェンカルバゾン等のトリアゾール系化合物;
例えばピラゾレート、ピラゾキシフェン、ピラクロニル又はベンゾフェナップ等のピラゾール系化合物;
例えばベンゾビシクロン、メソトリオン又はテフリルトリオン等のシクロヘキサンジオン系化合物;
例えば2,4−D、MCPA、MCPB又はクロメプロップ等のフェノキシカルボン酸系化合物;
例えばオキサジクロメホン等のオキサジノン系化合物;
例えばピリミスルファン等のジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物;
例えばフェノキサスルホン又はピロキサスルホン等のイソオキサゾリン系化合物等;
又はそれらの塩類;
が挙げられる。
スルホニル尿素系化合物では、1〜200g、好ましくは5〜100g、
スルホンアミド系化合物では、5〜50g、好ましくは10〜30g、
クロロアセトアニリド系化合物では、50〜3000g、好ましくは100〜2000g、
チオカルバマート系化合物では、500〜5000g、好ましくは1000〜4000g、
ピリミジニルオキシ(チオ)安息香酸系化合物では、5〜500g、好ましくは10〜200g、
テトラゾリノン系化合物では、50〜1000g、好ましくは100〜500g、
トリアゾール系化合物では、50〜1000g、好ましくは100〜500g、
ピラゾール系化合物では、100〜5000g、好ましくは500〜3000g、
シクロヘキサンジオン系化合物では、5〜1000g、好ましくは10〜500g、
フェノキシカルボン酸系化合物では、50〜2000g、好ましくは100〜1000g、
オキサジノン系化合物では、5〜200g、好ましくは10〜100g、
ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物では、5〜200g、好ましくは10〜100g、
イソオキサゾリン系化合物では50〜1000g、好ましくは100〜500g、
の範囲で選ばれる。
(1)全原料の混合品に適当量の水を加えて混練後、一定の大きさの穴を開けたスクリーンから押し出し造粒し乾燥する方法。
(2)薬害軽減剤、除草活性化合物及び界面活性剤を有機溶剤に溶解又は懸濁し、担体に吸着させる方法。
(3)全原料の混合品を、適当な粉砕機で混合粉砕する方法。
水耕試験
ムラシゲ・スクーグ培地用塩類(和光純薬株式会社製)の25%水溶液に、各種の薬害軽減剤、即ち(A)成分を10ppmの濃度になるように添加し、更に所定量の除草活性成分、即ち(B)成分を添加した。該溶液50mLを三角フラスコに分取し、各種の液体培地を調製した。又、同様にして、ムラシゲ・スクーグ培地用塩類25%水溶液のみを50mL入れた液体培地(以下「無処理培地」と称する)を調製した。育苗用培土で2葉期まで生育させたイネ(金南風)を、根部を1cmの長さを残して切断した。根部を切断したイネを上記の培地に浸漬し、グロースチャンバー内で25℃、明期:16時間、暗期:8時間の条件で生育させた。7日後に根部の長さを測定した。その測定値の平均値(n=3)をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率(無処理区比)を求めた。結果を表1に示す。
(A)成分を添加しなかったこと以外は実施例と同様にして調製した液体培地により、あらかじめ1cmの長さに根部を切断したイネを生育させ、7日後に根部の長さを測定した。その測定値の平均値(n=3)をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率(無処理区比)を求めた。結果を表1に示す。
水耕試験
ムラシゲ・スクーグ培地用塩類(和光純薬株式会社製)の25%水溶液に、各種の薬害軽減剤、即ち(A)成分を2.5ppmの濃度になるように添加し、更に所定量の除草活性成分、即ち(B)成分を添加した。該溶液50mLを三角フラスコに分取し、各種の液体培地を調製した。又、同様にして、ムラシゲ・スクーグ培地用塩類25%水溶液のみを50mL入れた液体培地(以下「無処理培地」と称する)を調製した。育苗用培土で2葉期まで生育させたイネ(金南風)を、根部を1cmの長さを残して切断した。根部を切断したイネを上記の培地に浸漬し、グロースチャンバー内で25℃、明期:16時間、暗期:8時間の条件で生育させた。14日後に草丈の長さを測定した。その測定値の平均値(n=3)をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率(無処理区比)を求めた。結果を表2に示す。
(A)成分を添加しなかったこと以外は実施例と同様にして調製した液体培地により、あらかじめ1cmの長さに根部を切断したイネを生育させ、14日後に草丈の長さを測定した。その測定値の平均値(n=3)をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率(無処理区比)を求めた。結果を表2に示す。
ポット試験
フェノキサスルホン2部、ピリミスルファン0.5部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム70.5部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、フェノキサスルホン及びピリミスルファンを含有する粒剤を得た。育苗用培土で2葉期まで生育させたイネ(金南風)を、根部を1cmの長さを残して切断した。根部を切断したイネを、土壌を充填した面積1/5000aのワグネルポットに、茎葉基部の深度が1cmとなるように移植した。イネを移植したワグネルポットに注水し、水面から土壌表面までの深さが4cmとなるように管理した。イネの移植から3日後に、前記の除草剤化合物、即ち(B)成分を含有する粒剤を20mg処理し、更に所定量の各種の薬害軽減剤、即ち(A)成分を水面に処理した後、温室内でイネを生育させた。粒剤の処理から12日後、20日後及び30日後にイネの生育状況を達観調査し、薬害の発現程度を0〜100の指数で評価し(0=無処理区と同等の生育状況;100=完全枯死)、その指数の平均値(n=3)を求めた。結果を表3に示す。
(A)成分を処理しなかったこと以外は実施例と同様にして、イネを移植したワグネルポットに粒剤を処理し、イネを生育させた。粒剤の処理から12日後、20日後及び30日後にイネの生育状況を達観調査し、薬害の発現程度を0〜100の指数で評価し(0=無処理区と同等の生育状況;100=完全枯死)、その指数の平均値(n=3)を求めた。結果を表3に示す。
4−tert−ブチルシクロヘキサノール2部、フェノキサスルホン2部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム69部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサノール及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸5部、フェノキサスルホン2部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム66部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。
2,2’−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン10部、フェノキサスルホン2部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム61部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、2,2’−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸10部、フェノキサスルホン10部、フュームドシリカ(ホワイトカーボン)5部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩10部及びクレー65部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有する水和剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸2部、フェノキサスルホン4部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水78.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有するフロアブル剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸8部、フェノキサスルホン8部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素46部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3〜20mmに整粒した後、品温60℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサノール5部、フェノキサスルホン2部、ベンスルフロンメチル1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム65部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサノール、フェノキサスルホン及びベンスルフロンメチルを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサノール10部、ピリミスルファン1部、アルファー化でんぷん3部、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム1部及びクレー85部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温60℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサノール及びピリミスルファンを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸5部、ピリミスルファン2部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水77.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びピリミスルファンを含有するフロアブル剤を得た。
2,2’−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン2部、ピリミスルファン3部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素57部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3〜20mmに整粒した後、品温60℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、2,2’−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン及びピリミスルファンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸10部、ピリミノバックメチル1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム62部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びピリミノバックメチルを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサノール10部、ピリミノバックメチル2部、ベンスルフロンメチル3部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素47部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3〜20mmに整粒した後、品温60℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサノール、ピリミノバックメチル及びベンスルフロンメチルを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。
2,2’−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン5部、チオベンカルブ5部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、フュームドシリカ(ホワイトカーボン)5部、珪藻土10部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム48部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温50℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、2,2’−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン及びチオベンカルブを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸10部、フェントラザミド3部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム60部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェントラザミドを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸10部、オキサジクロメホン1部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水73.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びオキサジクロメホンを含有するフロアブル剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸5部、カフェンストロール2部、ベンゾビシクロン4部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水73.7部を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸、カフェンストロール及びベンゾビシクロンを含有するフロアブル剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサノール5部、ブタクロール5部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、フュームドシリカ(ホワイトカーボン)5部、珪藻土10部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム48部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温50℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサノール及びブタクロールを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸20部、ペノキススラム1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム52部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びペノキススラムを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸3部、オキサジクロメホン1部、クロメプロップ3部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水77.7部を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸、オキサジクロメホン及びクロメプロップを含有するフロアブル剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸4部、ベンゾフェナップ8部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム61部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びベンゾフェナップを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、フェノキサスルホン2部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム66部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、フェノキサスルホン10部、フュームドシリカ(ホワイトカーボン)5部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩10部及びクレー65部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有する水和剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド2部、フェノキサスルホン4部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水78.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有するフロアブル剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド8部、フェノキサスルホン8部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素46部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3〜20mmに整粒した後、品温60℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、フェノキサスルホン2部、ベンスルフロンメチル1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム65部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、フェノキサスルホン及びベンスルフロンメチルを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、ピリミスルファン1部、アルファー化でんぷん3部、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム1部及びクレー85部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温60℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミスルファンを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、ピリミスルファン2部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水77.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミスルファンを含有するフロアブル剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド2部、ピリミスルファン3部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素57部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3〜20mmに整粒した後、品温60℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミスルファンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、ピリミノバックメチル1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム62部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミノバックメチルを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、ピリミノバックメチル2部、ベンスルフロンメチル3部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素47部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3〜20mmに整粒した後、品温60℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、ピリミノバックメチル及びベンスルフロンメチルを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、チオベンカルブ5部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、フュームドシリカ(ホワイトカーボン)5部、珪藻土10部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム48部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温50℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びチオベンカルブを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、フェントラザミド3部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム60部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェントラザミドを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、オキサジクロメホン1部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水73.7部を湿式粉砕機により用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びオキサジクロメホンを含有するフロアブル剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、カフェンストロール2部、ベンゾビシクロン4部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水73.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、カフェンストロール及びベンゾビシクロンを含有するフロアブル剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、ブタクロール5部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、フュームドシリカ(ホワイトカーボン)5部、珪藻土10部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム48部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温50℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びブタクロールを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド20部、ペノキススラム1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム52部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びペノキススラムを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド3部、オキサジクロメホン1部、クロメプロップ3部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水77.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、オキサジクロメホン及びクロメプロップを含有するフロアブル剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド4部、ベンゾフェナップ8部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム61部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びベンゾフェナップを含有する粒剤を得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸10部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩2部、珪藻土30部及びクレー58部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸を含有する水和剤を得た。別に、フェノキサスルホン2部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム61部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70℃で流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、フェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。この水和剤と粒剤を水田雑草へ同時に施用した。
前記実施例79で製造したフェノキサスルホンを含有する粒剤を水田雑草へ施用し、3日後、前記実施例79で製造した4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸を含有する水和剤を水田雑草へ施用した。
前記実施例79で製造した4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸を含有する水和剤を水田雑草へ施用し、7日後、前記実施例79で製造したフェノキサスルホンを含有する粒剤を水田雑草へ施用した。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩2部、珪藻土30部及びクレー58部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボンキサミドを含有する水和剤を得た。別に、ピリミスルファン2部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水82.7部を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、ピリミスルファンを含有するフロアブル剤を得た。この水和剤とフロアブルを水田雑草へ同時に施用した。
前記実施例82で製造したピリミスルファンを含有するフロアブルを水田雑草へ施用し、5日後、前記実施例82で製造した4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミドを含有する水和剤を水田雑草へ施用した。
前記実施例82で製造した4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミドを含有する水和剤を水田雑草へ施用し、5日後、前記実施例82で製造したピリミスルファンを含有するフロアブルを水田雑草へ施用した。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸メチルの製造
氷冷下メタノール160mLに塩化アセチル1.8g(22.7mmol)を加え、10分間攪拌した後、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸5.36g(29.1mmol)を加え、室温で18時間攪拌した。反応溶液を水に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出し、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下留去し、得られた残渣を、酢酸エチル:ヘキサン=1:20の混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、4−t−ブチルシクロヘキサンカルボン酸メチル5.59gを無色液体として得た。
屈折率(20℃)1.452(cis体:trans体=3.4:1)
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸ベンジルの製造
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸4.0g(21.7mmol)をN,N−ジメチルホルムアミド25mLに溶解し、炭酸カリウム6.0g(43.5mmol)、ベンジルブロミド4.8g(28.1mmol)を加え、室温で20時間攪拌した。反応溶液を水に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧下留去し、得られた残渣を、酢酸エチル:ヘキサン=1:20の混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸ベンジル5.65gを無色液体として得た。
屈折率(20℃)1.503(cis体:trans体=3:1)
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミドの製造
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸10.0g(54.3mmol)を塩化メチレン50mLに溶解し、触媒量のN,N−ジメチルホルムアミドを加え、氷冷下で塩化オキサリル20.7g(163mmol)を滴下し、室温で3時間攪拌した。減圧下溶媒を留去し、過剰量の30%アンモニア水に氷冷下で滴下し、室温で10分間攪拌した。この溶液を塩化メチレン30mLで4度抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し、得られた残渣を、酢酸エチル:ヘキサン=4:1の混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボキサミド6.4gを無色結晶として得た。
融点151〜153℃ (cis体:trans体=4:1)
4−tert−ブチル−N,N−ジメチルシクロヘキサンカルボキサミドの製造
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸1.0g(5.4mmol)を塩化メチレン10mLに溶解し、触媒量のN,N−ジメチルホルムアミド、塩化オキサリル2.1g(16.5mmol)を加え、加熱還流した。3時間後、氷冷下で過剰量の40%ジメチルアミン水溶液に加え、室温で5分間攪拌した。この溶液に0.5Mクエン酸水溶液100mLを加え、塩化メチレン20mLで4度抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し、得られた残渣を、酢酸エチル:ヘキサン=1:2〜1:1のグラジエント混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、4−tert−ブチル−N,N−ジメチルシクロヘキサンカルボキサミドのcis体0.89g及びtrans体0.23gを無色結晶として得た。
融点44〜46℃(cis体),81〜82℃(trans体)
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸カルシウム塩の製造
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸5.0g(27.2mmol)に蒸留水20mLを加え、33%水酸化ナトリウム水溶液4.0gを滴下し、室温で3時間撹拌した。反応溶液に、50%塩化カルシウム2水和物水溶液3.5gを滴下し、さらに蒸留水90mLを加え、室温で30分間攪拌した。得られた沈殿物をろ過し、重量変化がなくなるまで減圧乾燥して、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸カルシウム塩6.0gを無色結晶として得た。
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸トリエタノールアミン塩の製造
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸3.0g(16.3mmol)をテトラヒドロフラン50mLに溶解し、トリエタノールアミン2.4g(16.3mmol)を加え、室温で12時間攪拌した。減圧下溶媒を留去し、ヘキサン30mLを加えた。得られた結晶をろ過し、ジイソプロピルエーテルで洗浄し、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸トリエタノールアミン塩2.8gを無色結晶として得た。
融点69〜72℃(cis体:trans体=2.4:1)
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸ジメチルジステアリルアンモニウム塩の製造
4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸1.5g(8.14mmol)をテトラヒドロフラン90mLに溶解し、10%水酸化ナトリウム水溶液3.6mLを加え、80℃で30分攪拌した。反応液を室温まで冷却し、塩化ジメチルジステアリルアンモニウム4.77g(8.14mmol)を加え、80℃で2時間攪拌した後、室温で12時間攪拌した。減圧下溶媒を留去し、得られた残渣を水10mL、ジエチルエーテル20mLで洗浄し、4−tert−ブチルシクロヘキサンカルボン酸ジメチルジステアリルアンモニウム塩を1.4g得た。
屈折率(20℃)1.471(cis体:trans体=2.2:1)
Claims (23)
- 一般式(I)で示される化合物におけるXが、Rを含む基の4位に結合する請求項1に記載の除草剤用薬害軽減剤。
- 一般式(I)で示される化合物におけるRがメチル基であり、Xがカルボキシル基又はヒドロキシル基である請求項2に記載の除草剤用薬害軽減剤。
- 一般式(I)で示される化合物におけるRがメチル基であり、Xがカルバモイル基又はジメチルカルバモイル基である請求項2に記載の除草剤用薬害軽減剤。
- 一般式(I)で示される化合物におけるRがメチル基であり、Xがメトキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基である請求項2に記載の除草剤用薬害軽減剤。
- 一般式(I)で示される化合物におけるRが4−ヒドロキシシクロヘキシル基であり、Xがカルボキシル基又はヒドロキシル基である請求項2に記載の除草剤用薬害軽減剤。
- 一般式(I)で示される化合物の塩が、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、イソプロピルアンモニウム塩、トリメチルスルホニウム塩、トリエタノールアミンとの塩若しくはジメチルジステアリルアンモニウム塩から選ばれる化合物である請求項1乃至6のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤。
- 一般式(I)で示される化合物の塩が、カルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩であると共に、Xがカルボキシル基である請求項7に記載の除草剤用薬害軽減剤。
- (A)請求項1〜8のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、
(B)スルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ(チオ)安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれる1又は2以上の除草活性化合物、
を含有することを特徴とする薬害が軽減された除草剤組成物。 - スルホニル尿素系化合物が、ベンスルフロンメチル、ピラゾスルフロンエチル、ハロスルフロンメチル、アジムスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、フルセトスルフロン、イマゾスルフロン、エトキシスルフロン又はプロピリスルフロンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- スルホンアミド系化合物がペノキススラムである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- クロロアセトアニリド系化合物がブタクロール、プレチラクロール又はテニルクロールである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- チオカルバマート系化合物がチオベンカルブ、エスプロカルブ又はモリネートである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- ピリミジニルオキシ(チオ)安息香酸系化合物がピリミノバックメチル、ピリフタリド、ビスピリバックナトリウム又はピリベンゾキシムである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- テトラゾリノン系化合物がフェントラザミドである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- トリアゾール系化合物がカフェンストロール又はイプフェンカルバゾンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- ピラゾール系化合物がピラゾレート、ピラゾキシフェン、ピラクロニル又はベンゾフェナップである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- シクロヘキサンジオン系化合物がベンゾビシクロン、メソトリオン又はテフリルトリオンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- フェノキシカルボン酸系化合物が2,4−D、MCPA、MCPB又はクロメプロップである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- オキサジノン系化合物がオキサジクロメホンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物がピリミスルファンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- イソオキサゾリン系化合物がフェノキサスルホン又はピロキサスルホンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。
- (A)請求項1〜8のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、
(B)スルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシ(チオ)安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれた1又は2以上の除草活性化合物を、
同時に施用するか或いは近接施用することを特徴とする、該除草活性化合物による作物の薬害軽減方法。
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