JP5807020B2 - X線発生器 - Google Patents
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Description
基台及び側壁を有し、前記側壁が前記基台を囲んでおり、前記基台及び前記側壁が凹溝を規定する容器と、等間隔に並べて前記凹溝内の基台上に安置された直径0.1mm〜3mmの複数の金属ストリップとを含む陰極であって、前記金属ストリップはそれぞれ炭素膜層を有し、前記炭素膜層は多重壁(multiple-walls)状である陰極と、
陽極ターゲットと、
順に前記陰極及び前記陽極ターゲットが配置されており、前記陽極ターゲットが前記金属ストリップに向けられているガラス容器であって、前記ガラス容器を真空に吸引するためのバルブと、X線を出射するためのウィンドウとを有するガラス容器と、
を含むX線電子ビーム発生器であって、
前記金属ストリップから成長した炭素膜層が多重壁(multiple-walls)状を呈することにより、前記X線電子ビーム発生器は、前記陽極ターゲットと陰極の間にゲート電極が存在しない条件において、0.3V/μm以下の開始電界で1mA/cm 2 の電流密度を発生させることができる特性を有する。
基台及び側壁を有し、前記側壁が前記基台を囲んでおり、前記基台及び前記側壁が深さ5mm〜10mmの凹溝を規定する容器と、等間隔に並べて前記凹溝内の基台上に安置された直径0.1mm〜3mmの複数の金属ストリップとを含む陰極であって、前記金属ストリップはそれぞれ炭素膜層を有する陰極と、
陽極ターゲットと、
順に前記陰極及び前記陽極ターゲットが配置されており、前記陽極ターゲットは前記金属ストリップに向けられているガラス容器であって、前記ガラス容器を真空に吸引するためのバルブと、X線を出射するためのウィンドウとを有するガラス容器と、
を含むX線電子ビーム発生器であって、
前記金属ストリップから成長した炭素膜層が多重壁状を呈し、前記炭素膜層が内層及び放射層を含むことにより、前記X線電子ビーム発生器が0.7cm〜6cmの距離を有する場合に、前記X線電子ビーム発生器の動作電圧が12keV〜13keVであり、陽極ターゲットと陰極の間にゲート電極が存在しない条件において、0.3V/μm以下の開始電界で1mA/cm 2 の電流密度を発生させることができる特性を有する。
3 X線電子ビーム発生器
10 金属線
11 陰極
13 集光素子
15 陽極ターゲット
17 ガラス容器
19 外部金属ユニット
21 陰極
31 陰極
41 集光蓋
51 集光蓋
110 凹溝
111 容器
113 側壁
115 基台
117 金属ユニット
117a 薄い灰色部分
117b 濃い灰色部分
118 金属線
211 容器
213 側壁
215 基台
310 上端面
311 容器
312 内側
313 側壁
314 切り口
W 幅
d 深さ
Claims (5)
- 基台及び側壁を有し、前記側壁が前記基台を囲んでおり、前記基台及び前記側壁が凹溝を規定する容器と、等間隔に並べて前記凹溝内の基台上に安置された直径0.1mm〜3mmの複数の金属ストリップとを含む陰極であって、前記金属ストリップはそれぞれ炭素膜層を有し、前記炭素膜層は多重壁状である陰極と、
陽極ターゲットと、
順に前記陰極及び前記陽極ターゲットが配置されており、前記陽極ターゲットが前記金属ストリップに向けられているガラス容器であって、前記ガラス容器を真空に吸引するためのバルブと、X線を出射するためのウィンドウとを有するガラス容器と、
を含むX線発生器であって、
前記金属ストリップから成長した炭素膜層が多重壁状を呈することにより、前記X線発生器は、前記陽極ターゲットと陰極の間にゲート電極が存在しない条件において、0.3V/μm以下の開始電界で1mA/cm2の電流密度を発生させることができる特性を有する、
X線発生器。 - 前記容器の上端面及び前記側壁の内側箇所に切り口が形成されており、前記切り口は電子ビームを集光するために用いられる請求項1に記載のX線発生器。
- 前記金属ストリップの材質は、ニッケル、タングステン及びコバルトのいずれか一つである請求項1に記載のX線発生器。
- 基台及び側壁を有し、前記側壁が前記基台を囲んでおり、前記基台及び前記側壁が深さ5mm〜10mmの凹溝を規定する容器と、等間隔に並べて前記凹溝内の基台上に安置された直径0.1mm〜3mmの複数の金属ストリップとを含む陰極であって、前記金属ストリップはそれぞれ炭素膜層を有する陰極と、
陽極ターゲットと、
順に前記陰極及び前記陽極ターゲットが配置されており、前記陽極ターゲットは前記金属ストリップに向けられているガラス容器であって、前記ガラス容器を真空に吸引するためのバルブと、X線を出射するためのウィンドウとを有するガラス容器と、
を含むX線発生器であって、
前記金属ストリップから成長した炭素膜層が多重壁状を呈し、前記炭素膜層が内層及び放射層を含むことにより、前記X線発生器において前記炭素膜層と前記陽極ターゲットとの間の距離が0.7cm〜6cmの距離を有する場合に、前記X線発生器の動作電圧が12keV〜13keVであり、陽極ターゲットと陰極の間にゲート電極が存在しない条件において、0.3V/μm以下の開始電界で1mA/cm2の電流密度を発生させることができる特性を有する、
X線発生器。 - 前記容器の上端面及び前記側壁の内側箇所に切り口が形成されており、前記切り口は電子ビームを集光するために用いられる請求項4に記載のX線発生器。
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