JP2013519195A5 - X線電子ビーム発生器 - Google Patents
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Description
本発明は、X線電子ビーム発生器(x-ray generation device)に関する。
Zhou氏等が開示する技術では、先ず、強酸でカーボンナノチューブを浄化し、カーボンナノチューブを0.5μmより短くし、単壁(single-wall)を呈する形式にする必要がある。その後、該カーボンナノチューブを基板上に沈積する。その利点は、カーボンナノチューブが接着剤で該基板上に固定する必要がないことにある。10 mA/cm2の電流密度を発生する為、Zhou氏等が開示する技術では、2.4 V/μm〜5 V/μmの開始電界を必要とする。より高い電流密度(例えば、100 mA/cm2)を得ようとする時、電界は、4 V/μm〜7 V/μmまで増大させる必要がある。
Zhou氏等は、その電界放射陰極(陰極中にカーボンナノチューブを利用)が必要とする開始電界は、現有の電界放射陰極(それは、50 V/μm〜100 V/μmの開始電界を必要とし、MO又はシリコンの尖端を有する)が必要とする開始電界より遥かに低いと述べている。グラファイト粉末材質を利用した電界放射陰極は、10 V/μm〜20 V/μmの開始電界を必要とし、これは、Zhou氏等の技術に及ばない。ナノミクロンの金剛石の電界放射陰極では、開始電界を3-5V/μmまで低減しているが、その電流密度が30 mA/cm2より高い時は、不安定である。
上記のように、開始電界が比較的低いX線電子ビーム発生器及びその陰極が期待されている。カーボンナノチューブは、より良好な性能及び効率を達成することができるが、Zhou氏等が提供する技術は、非常に複雑である。従って、依然として、X線電子ビーム発生器及びその陰極を製造することに用いる、より簡単な方法が必要とされている。
本発明の目的は、X線電子ビーム発生器を提供することであり、該X線電子ビーム発生器は、
基台及び側壁を有し、前記側壁が前記基台を囲んでおり、前記基台及び前記側壁が凹溝を規定する容器と、等間隔に並べて前記凹溝内の基台上に安置された直径0.1mm〜3mmの複数の金属ストリップとを含む陰極であって、前記金属ストリップはそれぞれ炭素膜層を有し、前記炭素膜層は多重壁(multiple-walls)状である陰極と、
陽極ターゲットと、
順に前記陰極及び前記陽極ターゲットが配置されており、前記陽極ターゲットが前記金属ストリップに向けられているガラス容器であって、前記ガラス容器を真空に吸引するためのバルブと、X線を出射するためのウィンドウとを有するガラス容器と、
を含むX線電子ビーム発生器であって、
前記金属ストリップから成長した炭素膜層が多重壁(multiple-walls)状を呈することにより、前記X線電子ビーム発生器は、前記陽極ターゲットと陰極の間にゲート電極が存在しない条件において、0.3V/μm以下の開始電界で1mA/cm 2 の電流密度を発生させることができる特性を有する。
基台及び側壁を有し、前記側壁が前記基台を囲んでおり、前記基台及び前記側壁が凹溝を規定する容器と、等間隔に並べて前記凹溝内の基台上に安置された直径0.1mm〜3mmの複数の金属ストリップとを含む陰極であって、前記金属ストリップはそれぞれ炭素膜層を有し、前記炭素膜層は多重壁(multiple-walls)状である陰極と、
陽極ターゲットと、
順に前記陰極及び前記陽極ターゲットが配置されており、前記陽極ターゲットが前記金属ストリップに向けられているガラス容器であって、前記ガラス容器を真空に吸引するためのバルブと、X線を出射するためのウィンドウとを有するガラス容器と、
を含むX線電子ビーム発生器であって、
前記金属ストリップから成長した炭素膜層が多重壁(multiple-walls)状を呈することにより、前記X線電子ビーム発生器は、前記陽極ターゲットと陰極の間にゲート電極が存在しない条件において、0.3V/μm以下の開始電界で1mA/cm 2 の電流密度を発生させることができる特性を有する。
本発明の更にもう1つの目的は、X線電子ビーム発生器を提供することであり、該X線電子ビーム発生器は、
基台及び側壁を有し、前記側壁が前記基台を囲んでおり、前記基台及び前記側壁が深さ5mm〜10mmの凹溝を規定する容器と、等間隔に並べて前記凹溝内の基台上に安置された直径0.1mm〜3mmの複数の金属ストリップとを含む陰極であって、前記金属ストリップはそれぞれ炭素膜層を有する陰極と、
陽極ターゲットと、
順に前記陰極及び前記陽極ターゲットが配置されており、前記陽極ターゲットは前記金属ストリップに向けられているガラス容器であって、前記ガラス容器を真空に吸引するためのバルブと、X線を出射するためのウィンドウとを有するガラス容器と、
を含むX線電子ビーム発生器であって、
前記金属ストリップから成長した炭素膜層が多重壁状を呈し、前記炭素膜層が内層及び放射層を含むことにより、前記X線電子ビーム発生器が0.7cm〜6cmの距離を有する場合に、前記X線電子ビーム発生器の動作電圧が12keV〜13keVであり、陽極ターゲットと陰極の間にゲート電極が存在しない条件において、0.3V/μm以下の開始電界で1mA/cm 2 の電流密度を発生させることができる特性を有する。
基台及び側壁を有し、前記側壁が前記基台を囲んでおり、前記基台及び前記側壁が深さ5mm〜10mmの凹溝を規定する容器と、等間隔に並べて前記凹溝内の基台上に安置された直径0.1mm〜3mmの複数の金属ストリップとを含む陰極であって、前記金属ストリップはそれぞれ炭素膜層を有する陰極と、
陽極ターゲットと、
順に前記陰極及び前記陽極ターゲットが配置されており、前記陽極ターゲットは前記金属ストリップに向けられているガラス容器であって、前記ガラス容器を真空に吸引するためのバルブと、X線を出射するためのウィンドウとを有するガラス容器と、
を含むX線電子ビーム発生器であって、
前記金属ストリップから成長した炭素膜層が多重壁状を呈し、前記炭素膜層が内層及び放射層を含むことにより、前記X線電子ビーム発生器が0.7cm〜6cmの距離を有する場合に、前記X線電子ビーム発生器の動作電圧が12keV〜13keVであり、陽極ターゲットと陰極の間にゲート電極が存在しない条件において、0.3V/μm以下の開始電界で1mA/cm 2 の電流密度を発生させることができる特性を有する。
各該金属ユニットを化学気相成長法により炭素膜層に成長させることにより、本発明のX線電子ビーム発生器及びその陰極の開始電界及び動作電圧は、従来技術より優れている。特に、炭素膜層が直接、該等金属ユニット上に成長され、多重壁の形式になる時、本発明のX線電子ビーム発生器及びその陰極は、良好な性能を有することができる。
図1Dは、X線電子ビーム発生器1の開始電界及び電流密度を例示する図である。X線電子ビーム発生器1の開始電界が0.1 V/μm〜0.3 V/μmの間に介する時、各該金属ユニット117の電流密度が1 mA/cm2である。従来技術のX線電子ビーム発生器が少なくとも2 V/μmの開始電界を必要とするので、本発明のX線電子ビーム発生器の開始電界は、従来技術よりも優れている。X線電子ビーム発生器1に印加する電界が該開始電界より高い時、電子ビーム放射体は、X線を発生することができる。該X線が集光素子13を経て集光後、陽極ターゲット15により反射される。
各該金属ユニットが化学気相成長法により炭素膜層に成長される場合、X線電子ビーム発生器1の開始電界及び動作電圧が従来技術より優れている。特に、該炭素膜層が直接、金属ユニット117上に成長し、且つ多重壁の形式である時、X線電子ビーム発生器1は、より優れた性能を具えることができる。
上記のように、本発明のX線電子ビーム発生器及びその陰極の開始電界及び動作電圧は、現有技術より優れている。該より優れた性能は、電子ビーム放射体の各該金属ユニットが化学気相成長法により炭素膜層に成長されることによるものである。特に、該炭素膜層が該金属ユニット上に直接成長し、且つ多重壁の形式である時、本発明のX線電子ビーム発生器及びその陰極は、より優れた性能を有することができる。
Claims (5)
- 基台及び側壁を有し、前記側壁が前記基台を囲んでおり、前記基台及び前記側壁が凹溝を規定する容器と、等間隔に並べて前記凹溝内の基台上に安置された直径0.1mm〜3mmの複数の金属ストリップとを含む陰極であって、前記金属ストリップはそれぞれ炭素膜層を有し、前記炭素膜層は多重壁(multiple-walls)状である陰極と、
陽極ターゲットと、
順に前記陰極及び前記陽極ターゲットが配置されており、前記陽極ターゲットが前記金属ストリップに向けられているガラス容器であって、前記ガラス容器を真空に吸引するためのバルブと、X線を出射するためのウィンドウとを有するガラス容器と、
を含むX線電子ビーム発生器であって、
前記金属ストリップから成長した炭素膜層が多重壁(multiple-walls)状を呈することにより、前記X線電子ビーム発生器は、前記陽極ターゲットと陰極の間にゲート電極が存在しない条件において、0.3V/μm以下の開始電界で1mA/cm 2 の電流密度を発生させることができる特性を有する、
X線電子ビーム発生器。 - 前記容器の上端面及び前記側壁の内側箇所に切り口が形成されており、前記切り口はX線を集光するために用いられる請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。
- 前記金属ストリップの材質は、ニッケル、タングステン及びコバルトのいずれか一つである請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。
- 基台及び側壁を有し、前記側壁が前記基台を囲んでおり、前記基台及び前記側壁が深さ5mm〜10mmの凹溝を規定する容器と、等間隔に並べて前記凹溝内の基台上に安置された直径0.1mm〜3mmの複数の金属ストリップとを含む陰極であって、前記金属ストリップはそれぞれ炭素膜層を有する陰極と、
陽極ターゲットと、
順に前記陰極及び前記陽極ターゲットが配置されており、前記陽極ターゲットは前記金属ストリップに向けられているガラス容器であって、前記ガラス容器を真空に吸引するためのバルブと、X線を出射するためのウィンドウとを有するガラス容器と、
を含むX線電子ビーム発生器であって、
前記金属ストリップから成長した炭素膜層が多重壁状を呈し、前記炭素膜層が内層及び放射層を含むことにより、前記X線電子ビーム発生器が0.7cm〜6cmの距離を有する場合に、前記X線電子ビーム発生器の動作電圧が12keV〜13keVであり、陽極ターゲットと陰極の間にゲート電極が存在しない条件において、0.3V/μm以下の開始電界で1mA/cm 2 の電流密度を発生させることができる特性を有する、
X線電子ビーム発生器。 - 前記容器の上端面及び前記側壁の内側箇所に切り口が形成されており、前記切り口はX線を集光するために用いられる請求項4に記載のX線電子ビーム発生器。
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JPS60254538A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Toshiba Corp | X線管装置 |
JPS6224543A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Toshiba Corp | X線管装置 |
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US6239549B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-05-29 | Burle Technologies, Inc. | Electron multiplier electron source and ionization source using it |
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JP2003518252A (ja) * | 1999-12-20 | 2003-06-03 | エフ イー アイ エレクトロン オプティクス ビー ヴィ | 軟x線のx線源を有するx線顕微鏡 |
US20030002627A1 (en) * | 2000-09-28 | 2003-01-02 | Oxford Instruments, Inc. | Cold emitter x-ray tube incorporating a nanostructured carbon film electron emitter |
US6553096B1 (en) * | 2000-10-06 | 2003-04-22 | The University Of North Carolina Chapel Hill | X-ray generating mechanism using electron field emission cathode |
DE10342239B4 (de) * | 2003-09-11 | 2018-06-07 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Extrem-Ultraviolettstrahlung oder weicher Röntgenstrahlung |
US7236568B2 (en) * | 2004-03-23 | 2007-06-26 | Twx, Llc | Miniature x-ray source with improved output stability and voltage standoff |
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WO2006085993A2 (en) * | 2004-07-16 | 2006-08-17 | The Trustees Of Boston College | Device and method for achieving enhanced field emission utilizing nanostructures grown on a conductive substrate |
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