JP5797784B2 - グラフェンの製造 - Google Patents
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Description
(a)ポリマーの機械的耐性、電気的耐性、耐熱性、バリア耐性、及び耐火性のための添加剤;
(b)幾つかの用途(例えば、燃料セル、スーパー・キャパシタ、及びリチウムイオン電池)に向けての電極の表面積構成成分;
(c)酸化インジウムスズに代わる導電性、透明性コーティング;並びに
(d)電子工学的構成部品。
(i)「数層グラフェン」(典型的には、2〜10層のグラフェン層の厚さ。グラフェンのユニークな特性は、単層に更なる層が追加されるにつれて失われる。そして、10層になると、前記物質は、バルク・グラファイトになるとうい効果がある);及び
(ii)グラフェン酸化物(GO)(1つのグラフェン層であるが、該層は、該層を製造するために用いられる剥離プロセスにおいて、かなり酸化され、通常は、30at%の酸素量である。この物質は、機械的特性に劣り、電気導電性に乏しく、親水性である(従って、水バリア特性に乏しい))。
本発明者らは、正電荷のアルキルアンモニウムイオン(カチオン)を負電荷のグラファイト電極に電気化学的に挿入することによって剥離を起こし、該剥離によってグラフェン、及び関連するグラファイト・ナノ板状構造物を製造するための方法を思いついた。理論によって拘束されることを意図するものではないが、酸化的攻撃によりグラフェン酸化物が形成される可能性があるところ、カチオンを用いることによって陰極を剥離させて、前記可能性を減らしていると考えられる。
グラフェン及びグラファイトのナノ板状構造物を製造するための方法であって、
該構造物の厚さは、電気化学セル中で100nm未満であり、
前記セルは以下を含み:
(a)グラファイト製である陰極;
(b)グラファイト製又は他の物質であってもよい陽極;及び
(c)溶媒中でイオンを構成する電解質であって、カチオンがアルキルアンモニウムイオンである該電解質;
前記方法は、前記セルに電流を流すステップを含む該方法。
陰極は、層状のグラファイト化合物を含むことができ、ここで、カチオンをインターカレートすることができる。好ましい物質は、高配向熱分解黒鉛(HOPG)、天然及び合成グラファイトを含む。電極は、単一のグラファイトの結晶フレークであってもよいし、多くのフレークがまとまった(held together)形態であってもよい。後者の場合には、導電性表面上に結晶を配置することができ、物理的に互いにプレスすることができ、又は結合剤(例えば、熱分解性ポリマー(例えば、押し出しグラファイト・ロッド)を用いて互いにまとめることができる。グラファイト・フレークの横方向の寸法の最小値は、好ましくは少なくとも1nm、更に好ましくは少なくとも100nm、そして、最も好ましくは、少なくとも1ミクロンである。グラファイト・フレークの横方向の寸法の最大値は、好ましくは10cm以下、更に好ましくは1mm以下、及び最も好ましくは、100ミクロン以下である。一実施形態において、フレークの配向は、[002]方向が電極表面と平行となるようにし、インターカレーションのためにギャラリーを露出するようにする。
陽極は、アニオンのためのカウンター電極を提供することを除けば、グラフェンを製造する役割を担っているわけではないので、当業者に知られた任意の適切な物質から構成されてもよい。好ましくは、陽極は不活性物質(例えば、金、白金又は炭素)から構成される。
電解質は溶媒中でイオンを含むことができ、ここでカチオンはアルキルアンモニウムイオンである。
テトラブチル・アンモニウム (TBA,(C4H9)4N+)、
テトラエチル アンモニウム (TEA,(C2H5)4N+)、及び
テトラメチル・アンモニウム (TMA,(CH3)4N+)。
アルキル鎖は、最大100炭素原子、更に好ましくは最大20炭素原子、そして、最も好ましくは最大5炭素原子の長さであってもよい。アルキル鎖は、単一の炭素原子のみを含んでもよい。しかし、少なくとも2つの炭素原子を含むことが好ましい。アルキル鎖はすべて同一であってもよく、異なってもよい。更に、異なるカチオンの混合物を用いてもよい。
トリブチル・アンモニウム ((C4H9)3NH+),
トリエチル・アンモニウム ((C2H5)3NH+),
トリメチル・アンモニウム ((CH3)3NH+),
ジブチル・アンモニウム ((C4H9)2NH2 +),
ジエチル・アンモニウム ((C2H5)2NH2 +)及び、
ジメチル・アンモニウム ((CH3)2NH2 +)。
また、アルキル鎖は、最大で100炭素原子、更に好ましくは最大で20炭素原子、そして、最も好ましくは最大5炭素原子を含む長さであってもよい。アルキル鎖は単一の炭素原子のみを含む物であってもよい。しかし、少なくとも2つの炭素原子を含むことが好ましい。アルキル鎖は全て同一であってもよく、異なってもよい。
セルの稼働電圧は、少なくとも還元的インターカレーション用の標準電圧であろう。反応速度を上げるため、そして、陰極でのグラファイトのギャラリーにカチオンを送るために過電圧を使用してもよい。当業者に知られた適切な基準電圧に対して1mV〜10Vの過電圧を用いることが好ましく、1mV〜5Vを用いることが更に好ましい。セルでは、2つの端子のみで、基準電極がない状態で、更に大きい電圧を電極間に与えてもよい。しかし、電極での過電圧として作用するよりは、著しい量の電圧降下がセルの抵抗を介して発生するであろう。これらの場合、与える電圧は、最大で20V又は30Vであってもよい。
セルは、所望の物質の製造を可能にする温度で稼働させる。
一実施形態において、剥離のために使用されるカチオンは、剥離後回収される。カチオンは、以下の手段で回収することができる:剥離された物質を洗浄及び/又は加熱;カチオンを電気化学的に還元;剥離された物質を超音波エネルギー処理;界面活性剤による剥離された物質の置換;又はこれらの組み合わせ。
一実施形態において、重合プロセス及びグラフェン層間の膨張を通したグラファイトの剥離を促進するため、有機イオンを第二段階で添加することができる。適切な有機イオンは、重合のためのモノマーであって、電子誘引基(例えばニトリル基、カルボキシル基、フェニル基、及びビニル基)を有するモノマーを含む。
(a)フィルタリング;
(b)遠心力を利用して、前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を沈殿させること;及び
(c)2つの非混和性溶媒の界面で、前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を収集すること。
文献でかなり確立されているが、Raman分光法は、Gピーク(約1580cm-1)及び2Dピーク(約2700cm-1)の形、強度、及び位置を通して、フレークの有する層の数を測定するために使用することができる(幾つかの文献では、2DピークをG’ピークと呼んでいる)。前記ピークの正確な位置は、使用される励起波長及びサンプル中でのドーピングレベルに依存する[Ferrari 2006]。一般的に、単層グラフェンは、単一成分に合致することができる2Dピークを含んでおり、Gピークと強度が同程度か、又はそれよりも強い。633nmの励起レーザーを用いて測定したときには、このG’ピークは、約2637cm-1に存在する。層の数が増加するにつれ、Gピークに対するG’ピークの相対強度が減少する。また、G’ピークは広がり、その波数における位置が増加する[Hao 2010]。例えば、2つの層に関する2Dピークは、4つの成分によって十分に表される。重要なこととして、層の数が増加すると、スペクトルの対称性が低くなり、2つの成分を有する単一のピーク状態に近づき、該2つの成分とは、メインピークと、低い波数側にある強度のより低いショルダーである。
HOPG片(図1A)を逆作用ピンセット(self−closing tweezers)で保持し、NMP−0.1MのTBA電解質(アニオン: BF4 -)に室温で沈めた。HOPGは陰極として用いた。そして、白金線は陽極として用いた。白金に対して−4.50Vの電圧を与えた。第二の白金線を基準電極として使用した。15分後、インターカレーションが原因である電極の膨張が、図1Bにあるように、目視できるようになった。図1Cは、30分後の膨張を表している。走査型電子顕微鏡で、電極が膨張したことを確認した(図2に示す)。
HOPG片を逆作用ピンセットで保持し、サイクリックボルタンメトリーにかけた。(NMP−TBA電解質、NMP−0.1MのTBA電解質(アニオン: BF4 -)を白金線基準電極、及びカウンター電極とともに室温で用いた。)HOPGを陰極として使用し、白金線を陽極として使用した。陰極に与えた電圧は、白金に対して−0.10V〜−4.50Vでスイープして、そして再び戻した。得られたボルタモグラムにより、カチオンのインターカレーション/デインターカレーションに関連した明らかな電流応答が示された。このサイクルは室温で連続的に繰り返される。20時間後、HOPGの体積が約9倍に膨張したのが観察された。図3は、サイクリックボルタンメトリーの前(A)、及びサイクリックボルタンメトリーの後(B)でのHOPGのエッジを表す。
HOPGの電気化学的な剥離に対するイオンサイズの効果について検証した。2つのセルを実施例1に記載の通りセットアップした。違いとしては、1つのセルにおいて、TBAカチオンをTMA(テトラメチル・アンモニウム)カチオンに置き換えただけであった。6時間後、陰極及び電解質を、超音波槽で超音波処理した。その後分散した物質をバイアルに移し、安定するまで放置した(図4(TBA左側;TMA右側)に示す通り)。TBAを電解質として使用したときには、ナノ物質の分散が起こった。一方で、TMAを電解質として用いた時には、生成される物質は、主にバイアルの底部に沈殿することが分かった。
HOPGの電気化学的な剥離に対するイオンサイズ、稼働温度、及び音波処理の効果を検証した。
具体的には、HOPG片(典型的なおおよその寸法:5×5×2mm、0.01g)を逆作用ピンセットで保持し、10mLのNMP−0.1MのTBA電解質(アニオン:BF 4 - )に50℃、80℃又は120℃で沈めた。HOPGを陰極として使用し、白金メッシュを陽極として使用した。白金メッシュに対して−5.00Vの電圧を与えた。白金線を基準電極として使用した。電圧は、6000sの間(約1.5時間)与えた。その後、HOPG電極を除去し、電解質中で、所定時間(最大6時間、最小で2分間)超音波処理した。
膜内部に保持した市販のグラファイト・フレーク(Alfa Aesar 325 mesh(登録商標)、<44 ミクロン)を陰極として使用した。膜は、5mm直径のグラファイト・ロッドにO−リングを用いてクランプした。使用した膜は以下のとおりである:
(a)セルロース透析膜(Spectra Por(登録商標) 7、25nmポア);及び
(b)ポリカーボネート膜(より大きなポア、450nm)。
TMAをカチオンとして室温で使用して、更なる実験を行った。
グラファイト・ロッド(グレードEC4及びEC5、Tokai Carbon Europe)のインターカレーションを行った。該実施例では、カチオンとしてTMA、TEA及びTBAを使用した。これらのカチオンの対イオンをテトラフルオロホウ酸とした。溶媒はNMPとした。そして、前記カチオン濃度は0.1Mであり、稼働温度は25℃とした。白金メッシュを陽極として使用し、白金線を基準電極として使用した。白金線に対する電圧−5.00Vを与えた。グラファイト・ロッドに泡がすぐに形成された。電極は数百秒後に剥離し始めた。剥離速度は徐々に始まり、そして、定常速度に到達するポイントである約1000秒までは、該速度の上昇が見られた。電解質は時間の経過とともに茶色へと変化した。
以下の文献を全て参照により本明細書に組み込む。
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Claims (14)
- グラフェン及びグラファイトのナノ板状構造物を製造するための方法であって、
該構造物の厚さは、電気化学セル中で100nm未満であり、
前記セルは以下を含み:
(a)グラファイトを含む陰極;
(b)グラファイト又は他の物質を含んでもよい陽極;及び
(c)溶媒中でイオンとなる電解質であって、カチオンがアルキルアンモニウムイオンである該電解質;
前記方法は、前記セルに電流を流すステップを含む該方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記陰極が層状のグラファイト化合物を含み、該グラファイト化合物にカチオンがインターカレートすることができる該方法。
- 請求項1又は2に記載の方法であって、前記陰極が以下から選択される該方法:高配向熱分解黒鉛(HOPG)、天然グラファイト、及び合成グラファイト。
- 請求項1〜3いずれか1項に記載の方法であって、前記カチオンがテトラアルキル・アンモニウムである該方法。
- 請求項4に記載の方法であって、前記カチオンが以下から選択される該方法:テトラブチル・アンモニウム、テトラエチル・アンモニウム、及びテトラメチル・アンモニウム。
- 請求項1〜3いずれか1項に記載の方法であって、前記カチオンがトリアルキル・アンモニウムである該方法。
- 請求項6に記載の方法であって、前記カチオンが以下から選択される該方法:トリブチル・アンモニウム、トリエチル・アンモニウム、及びトリメチル・アンモニウム。
- 請求項1〜3いずれか1項に記載の方法であって、前記カチオンがジアルキル・アンモニウムである該方法。
- 請求項6に記載の方法であって、前記カチオンが以下から選択される該方法:ジブチル・アンモニウム、ジエチル・アンモニウム及びジメチル・アンモニウム。
- 請求項1〜9いずれか1項に記載の方法であって、アニオンが以下から選択される該方法:テトラフルオロホウ酸、過塩素酸、及びヘキサフルオロリン酸。
- 請求項1〜10いずれか1項に記載の方法であって、20℃〜100℃の温度で行う該方法。
- 請求項1〜11いずれか1項に記載の方法であって、厚さ100nm未満の前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を、以下から選択される少なくとも1つの技術によって、前記電解質から分離する該方法:
(a)フィルタリング;
(b)遠心力を利用して、前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を沈殿させること;及び
(c)2つの非混和性溶媒の界面で、前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を収集すること。 - 請求項1〜12いずれか1項に記載の方法であって、電気化学的に剥離された前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を、超音波エネルギーを用いて、更に処理する該方法。
- 請求項1〜13いずれか1項に記載の方法であって、前記陰極でのグラファイトが剥離する前に、硝酸中での酸化又はフッ化水素酸を用いたフッ素化によって、該グラファイトを電気化学的に官能化させる該方法。
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