JP5797784B2 - グラフェンの製造 - Google Patents

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Description

本発明は、グラフェンの製造、及び関連するグラファイト・ナノ板状構造物の製造のための方法に関する。
グラフェンは、原子として厚く、ハニカム構造内でsp2炭素から構成される二次元シートである。該グラフェンは、全ての他のグラファイト炭素同素体からすれば、構成ブロックとみなすことができる。グラファイト(3−D)は、お互いの上面に幾つかの層を積み上げることにより製造される。このとき、層間のスペースは、約3.4Åであり、カーボンナノチューブ(1−D)は、グラフェン・チューブである。
単層グラフェンは、これまで測定されてきた材料の中で最も高い強度を持つ物の1つであり、引っ張り強度が約130GPaであり、弾性率が約1TPaである。グラフェンの理論的な表面積は、約2630m2/gであり、層はガス不透過性である。熱伝導性及び電気伝導性も非常に高い(それぞれ、5000W/mK、最大6000S/cm)。
グラフェンについては、潜在的に数多くの応用があり、以下のものが含まれるがこれらに限定されない:
(a)ポリマーの機械的耐性、電気的耐性、耐熱性、バリア耐性、及び耐火性のための添加剤;
(b)幾つかの用途(例えば、燃料セル、スーパー・キャパシタ、及びリチウムイオン電池)に向けての電極の表面積構成成分;
(c)酸化インジウムスズに代わる導電性、透明性コーティング;並びに
(d)電子工学的構成部品。
Geim教授のグループによるグラフェンの単離の後、2004年に、グラフェンが初めて報告された。以来、グラフェン研究は急速に進んだ。多くの「グラフェン」文献は、真の単層グラフェンに関するものではなく、むしろ、密接に関連した以下2つの構造物であった:
(i)「数層グラフェン」(典型的には、2〜10層のグラフェン層の厚さ。グラフェンのユニークな特性は、単層に更なる層が追加されるにつれて失われる。そして、10層になると、前記物質は、バルク・グラファイトになるとうい効果がある);及び
(ii)グラフェン酸化物(GO)(1つのグラフェン層であるが、該層は、該層を製造するために用いられる剥離プロセスにおいて、かなり酸化され、通常は、30at%の酸素量である。この物質は、機械的特性に劣り、電気導電性に乏しく、親水性である(従って、水バリア特性に乏しい))。
グラフェンの製造には、種々の方法がある[Ruoff 2009]。Novoselovらは、接着性テープを用いて個々の層を単離することにより、グラファイトを機械的に剥離して、グラフェンのフレークを初めて生成した[Novoselov 2004]。続いて示されたのは、適切な溶媒(例えばNMP(N−メチル・ピロリドン))中にあるときは、超音波エネルギーを用いて層を分離することにより、グラファイトを剥離片とすることもできることであった[Coleman 2008 & 2009]。
Wangらは、イオン性の液体も、超音波による剥離に適した溶媒であることを示した。このケースでは、彼らは、イオン性の液体(例えば1−ブチル−3−メチル−イミダゾリウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド([Bmim][Tf2N]))にグラファイト粉末を混合した。その後、彼らは、5〜10分サイクルでトータル60分間、前記混合物を超音波チップによる処理(tip ultrasonication)にかけた。得られた混合物をその後遠心分離した[Wang 2010]。イオン性の液体は、超音波処理によって生成されたグラフェンを安定化させるために用いられる。
インターカレートする化合物は、気相に金属を導入し、その後これらの金属のイオンを反応させることによって生成することができる。そして、インターカレートする化合物の層は、適切な溶媒(例えば、NMP)中で攪拌することによって分離することができる[Valles 2008]。また、インターカレートによるアプローチを行って、グラフェン酸化物の層間で静電気的に誘引力のあるテトラブチルアンモニウム・カチオンによって、グラフェン酸化凝集物を分離した[Ang 2009]。こうした技術は、テトラブチルアンモニウム・カチオンを誘引する電荷であって、グラフェン酸化物中に存在する電荷に依存している。
また、グラフェンは、化学的蒸着によって生成することもできる。例えば、メタンを銅上に蒸着させることができる[Bae 2010]。あるいは、炭化ケイ素を分解して、グラフェン・フィルムを生成することができる。
また、グラフェンを剥離するために電気化学的なアプローチをとることもできる。Liuら[Liu 2008]は、IL(Ionic Luquid)機能化した一種の(kind of IL−functionalized)グラフェン・ナノシートを形成するために、イオン性液体−水の混合物電解質を用いたグラファイトの剥離について報告している。前記報告中のスキーム1では、アノードの剥離によって物質が生成されるが、著者らによる議論のなかでは、カチオンの役割について述べている。続いて、Luは、経路についてさらに詳細に研究を行い、製造プロセスにかかわる可能性のある機構について議論した[Lu 2009]。彼らの論文では、以下のようなことを述べている:「Liuが提唱した機構によれば、正に帯電したイミダゾリウムイオンは、カソードで還元され、イミダゾリウムのフリーラジカルを形成し、グラフェン平面の結合部に挿入することができる。根本的なレベルとして、Liuが提唱したラジカル−挿入機構については、疑わしい側面が幾つか存在している(特に、ILを水と1:1の割合で混合し、そして、15Vの稼働電圧を与えた場合)」。Luらは、グラフェン ナノシート製造が専らアノードで行われ、その原因は、水種(water species)と、イオン性液体(例えば、BF4 -)からの分解したアニオンとの相互作用であることを示した。
共に継続している国際出願(公開番号WO 2011/162727)では、グラファイトのリチウムイオン剥離を用いたグラフェン形成について開示しており、前記剥離は、層間に溶媒を挿入し超音波処理を行うことによってなされている。この業績については、関連する論文[Wang 2011]でも議論されている。
国際公開第2011/162727号
グラフェンの製造に関する更なる方法、特に、制御された数の層及びフレーク・サイズを有するグラフェン・シートを製造する方法が望まれている。有利な点として、こうした方法は、大規模スケールでのグラフェンの製造を可能にする。
本発明の説明
本発明者らは、正電荷のアルキルアンモニウムイオン(カチオン)を負電荷のグラファイト電極に電気化学的に挿入することによって剥離を起こし、該剥離によってグラフェン、及び関連するグラファイト・ナノ板状構造物を製造するための方法を思いついた。理論によって拘束されることを意図するものではないが、酸化的攻撃によりグラフェン酸化物が形成される可能性があるところ、カチオンを用いることによって陰極を剥離させて、前記可能性を減らしていると考えられる。
本出願では、用語「グラフェン」は、理想的には1〜10のグラフェン層からなる物質について記述するために用いられる。そして、好ましくは、前記生成物の前述の数の層の分布が制御されている。また、本発明の方法は、厚さ100nm未満の、好ましくは厚さ10nm未満の、更に好ましくは厚さ1nm未満のグラファイト・ナノ板状構造物を製造するために用いることもできる。要求される形態に依存して、生成されるグラフェン・フレークのサイズは、ナノメートルからミリメートルにわたって変化してもよい。
本発明の幾つかの態様において、生成される物質は、最大10層を有するグラフェンである。生成されるグラフェンは、1、2、3、4、5、6、7、8、9、又は10の層を有してもよい。生成される物質は、実質的にグラフェン酸化物を有さないことが好ましい。「実質的に有さない」とは、グラフェン酸化物が、10重量%未満、好ましくは5重量%未満、更に好ましくは1重量%未満であることを意味する。
本発明の他の態様では、生成される物質は、最大10層を有するグラフェンを少なくとも10重量%、好ましくは最大10層を有するグラフェンを少なくとも25重量%、そして、更に好ましくは最大10層を有するグラフェンを少なくとも50重量%含むことができる。
電気化学的な反応の下で、グラファイト・カソード(負の電圧)にカチオンをインターカレートすることは周知であり、例えば、リチウムイオン電池の基礎となっている。また、インターカレートするイオンが多すぎると、陰極が分解されてしまうことも知られている。また、カチオンのサイズは重要な効果を持つ。例えば、SimonetとLundが1977年に報告しているが、テトラアルキルアンモニウム・カチオンの存在下でグラファイト陰極の電気化学的な振る舞いについて研究したところ、非常に大きなカチオンの存在下ででは、カソードが分解することを報告した[Simonet 1977]。
正しい条件の下では、分解した陰極からのフラグメントは、ナノスケール形態の炭素となることができる。Kinlochらは、アルカリ金属イオンをグラファイト・カソードにインターカレートすることによってカーボンナノチューブを製造することについて報告している[Kinloch 2003]。これらのナノチューブは、溶融アルカリハロゲン化物電解質を高温(600℃以上)で用いて製造した。カーボンナノチューブのほか、グラファイト板状物、炭素ナノ粒子、及びアモルファス構造物も観察された。しかし、グラフェンについての報告はなかった。
本発明は以下の方法を提供する。すなわち、
グラフェン及びグラファイトのナノ板状構造物を製造するための方法であって、
該構造物の厚さは、電気化学セル中で100nm未満であり、
前記セルは以下を含み:
(a)グラファイト製である陰極;
(b)グラファイト製又は他の物質であってもよい陽極;及び
(c)溶媒中でイオンを構成する電解質であって、カチオンがアルキルアンモニウムイオンである該電解質;
前記方法は、前記セルに電流を流すステップを含む該方法。
TBAカチオンの電気化学的な挿入時のHOPG電極の膨張及び剥離を表す。 図1にあるようにTBAがインターカレートされた電極の走査電子顕微鏡図を表す。 サイクリックボルタンメトリーの下でTBAカチオンを電気化学的な挿入したときのHOPG電極の膨張及び剥離を表す。 TBA及びTMAそれぞれの電気化学的なインターカレーションの後で、陰極及び電解質を超音波処理して生成される物質の光学顕微鏡図である。 TBAを用いて生成された図4の物質のRamanスペクトルを表す。 TMAを用いて生成された図4の物質のRamanスペクトルを表す。 TMAを用いて生成された図4の物質のRamanスペクトルを表す。 TMAを用いて生成された図4の物質のRamanスペクトルを表す。 実施例5の膜を使用することによって、グラファイト・フレークをグラファイト電極に電気的に接触した状態を維持するために使用される実験上の設定を表す。 実施例5での膜結合フレークに接触させるために使用されるグラファイト・ロッドのピッティング(pitting)及び断片化を表す。 実施例5で生成されたサンプルに関する典型的なRamanスペクトルを表す。 実施例6aで生成される物質のRamanスペクトルを表す。 実施例6bで生成される物質のRamanスペクトルを表す。 実施例6cで生成される物質のRamanスペクトルを表す。 実施例6dで生成される物質のRamanスペクトルを表す。 実施例7の方法を行った後のグラファイト・ロッドを表す。
陰極は、二電極のなかで最も負の電圧を維持する電極である。また、基準電極を用いてもよい。
陰極
陰極は、層状のグラファイト化合物を含むことができ、ここで、カチオンをインターカレートすることができる。好ましい物質は、高配向熱分解黒鉛(HOPG)、天然及び合成グラファイトを含む。電極は、単一のグラファイトの結晶フレークであってもよいし、多くのフレークがまとまった(held together)形態であってもよい。後者の場合には、導電性表面上に結晶を配置することができ、物理的に互いにプレスすることができ、又は結合剤(例えば、熱分解性ポリマー(例えば、押し出しグラファイト・ロッド)を用いて互いにまとめることができる。グラファイト・フレークの横方向の寸法の最小値は、好ましくは少なくとも1nm、更に好ましくは少なくとも100nm、そして、最も好ましくは、少なくとも1ミクロンである。グラファイト・フレークの横方向の寸法の最大値は、好ましくは10cm以下、更に好ましくは1mm以下、及び最も好ましくは、100ミクロン以下である。一実施形態において、フレークの配向は、[002]方向が電極表面と平行となるようにし、インターカレーションのためにギャラリーを露出するようにする。
陰極は部分的に剥離されたグラフェン酸化物を含むことができる。
陰極物質は、該陰極物質の電気化学的な剥離を向上させるために、使用前に処理を行ってもよい。一実施形態において、電極は、気相からのガス膨張又はインターカレーションなどの他の方法を用いて事前に部分的に剥離された物質からできている。例えば、幾つかの企業(例えば、XG Sciences and Angstrom)から市販されている物質を、電極物質として用いることができる。
幾つかの実施形態において、陰極は膜で覆われていてもよい。理論によって拘束されることを意図するものではないが、膜を使用することにより、任意の剥離した物質が陰極に電気的に接触することを保持することを補助することができ、カチオンが更にインターカレーションすることを可能にする。幾つかの実施形態において、膜の孔径は、10nm〜500nmで変化してもよい。適切な膜として、セルロース透析膜(例えば、Spectra Por(登録商標)7、25nmポア)、及びポリカーボネート膜(例えば、450nmポア)が含まれる。
幾つかの実施形態において、陰極は、電極が大きな分解片に分解されるという問題を回避するために、レードルデザイン(ladle design)であってもよい。他の実施形態では、グラファイト陰極は、液体−液体界面で保持されてもよい。該実施形態では、陰極は、液体金属(例えば水銀又はガリウム)であってもよく、該金属上にグラファイト・フレークを配置してもよい。これにより、所望の物質に剥離したときに、グラファイト物質が接触した状態を継続することが可能となる。
陽極
陽極は、アニオンのためのカウンター電極を提供することを除けば、グラフェンを製造する役割を担っているわけではないので、当業者に知られた任意の適切な物質から構成されてもよい。好ましくは、陽極は不活性物質(例えば、金、白金又は炭素)から構成される。
陽極での反応でガスが発生する場合には、ガス状の泡が陽極を湿らせたり、及び/又は陰極でのプロセスを損なうのを防ぐ目的で、電極の表面積は出来る限り大きくする。また、正極及び/又は基準電極は、電解質又はいずれかの電極で望ましくない反応が起こることを防ぐため、膜又はモレキュラーシーブ中に配置することができる。
電解質
電解質は溶媒中でイオンを含むことができ、ここでカチオンはアルキルアンモニウムイオンである。
好ましいのはテトラアルキル・アンモニウム・カチオンであり、以下の物が含まれる:
テトラブチル・アンモニウム (TBA,(C494+)、
テトラエチル アンモニウム (TEA,(C254+)、及び
テトラメチル・アンモニウム (TMA,(CH34+)。
アルキル鎖は、最大100炭素原子、更に好ましくは最大20炭素原子、そして、最も好ましくは最大5炭素原子の長さであってもよい。アルキル鎖は、単一の炭素原子のみを含んでもよい。しかし、少なくとも2つの炭素原子を含むことが好ましい。アルキル鎖はすべて同一であってもよく、異なってもよい。更に、異なるカチオンの混合物を用いてもよい。
また、ジアルキルアンモニウム・カチオン及びトリアルキルアンモニウム・カチオンを本発明で用いることができ、以下の物を含むことができる:
トリブチル・アンモニウム ((C493NH+),
トリエチル・アンモニウム ((C253NH+),
トリメチル・アンモニウム ((CH33NH+),
ジブチル・アンモニウム ((C492NH2 +),
ジエチル・アンモニウム ((C252NH2 +)及び、
ジメチル・アンモニウム ((CH32NH2 +)。
また、アルキル鎖は、最大で100炭素原子、更に好ましくは最大で20炭素原子、そして、最も好ましくは最大5炭素原子を含む長さであってもよい。アルキル鎖は単一の炭素原子のみを含む物であってもよい。しかし、少なくとも2つの炭素原子を含むことが好ましい。アルキル鎖は全て同一であってもよく、異なってもよい。
更に、異なるカチオンの混合物を用いることができ、ジアルキルアンモニウム・カチオン、トリアルキルアンモニウム・カチオン及びテトラアルキル・アンモニウム・カチオンの混合物が含まれる。
対イオンは、比較的親油性のイオン(例えば、テトラフルオロホウ酸(BF4 -)、過塩素酸(ClO4 -)又はヘキサフルオロリン酸(PF6 -))であってもよい。他の可溶性無機イオンを用いることもでき、例えばテトラフェニルホウ酸が挙げられる。
使用可能な溶媒には以下の物が含まれる:NMP、DMSO(ジメチルスルホオキシド)、DMF(N,N’−ジメチルホルムアミド)及びそれらの混合物。一実施形態において、用いられる溶媒は、グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物に対して親和性がある。その結果電極で生成される物質は、溶媒が取り去る。別の実施形態では、溶媒は、グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物に対して親和性がない。その結果、生成される物質は、電気化学セルの底部に落下し、生成されたグラフェンを容易に収集することが可能となる。
幾つかの実施形態において、アルキル・アンモニウム・カチオンの濃度は、最小で、1mM、0.1M、0.2M、又は0.5Mであってもよい。そして、濃度は、最大で2M、1.5M、又は1Mであってもよい。
セルの電圧及び電流密度
セルの稼働電圧は、少なくとも還元的インターカレーション用の標準電圧であろう。反応速度を上げるため、そして、陰極でのグラファイトのギャラリーにカチオンを送るために過電圧を使用してもよい。当業者に知られた適切な基準電圧に対して1mV〜10Vの過電圧を用いることが好ましく、1mV〜5Vを用いることが更に好ましい。セルでは、2つの端子のみで、基準電極がない状態で、更に大きい電圧を電極間に与えてもよい。しかし、電極での過電圧として作用するよりは、著しい量の電圧降下がセルの抵抗を介して発生するであろう。これらの場合、与える電圧は、最大で20V又は30Vであってもよい。
電極間で与える電圧は、周期的なものでも良く、スイープであってもよい。一実施形態において、両方の電極がグラファイト製であり、電圧がスイープである。その結果電極は、正極から負極へと変わり、逆もまた然りである。該実施形態において、カチオン性剥離は、電圧のサイクルの間での電極の極性に依存して両方の電極で発生するであろう。
陰極での電流密度は、電極の表面積と使用される過電圧との組み合わせによって制御されるであろう。
稼働温度
セルは、所望の物質の製造を可能にする温度で稼働させる。
セルは、少なくとも10℃、好ましくは少なくとも20℃の温度で稼働させることができる。最大のセル稼働温度は100℃であってもよく、更に好ましくは90℃、80℃、70℃又は50℃であってもよい。幾つかの実施形態において、セルは少なくとも30、40、又は50℃の温度で稼働させてもよい。最大セル稼働温度は120℃であってもよい。最適稼働温度は、溶媒の性質によって変わるであろう。本発明では、セルを稼働させる最大温度として、電解質の沸点であってもよい。
カチオンの回収
一実施形態において、剥離のために使用されるカチオンは、剥離後回収される。カチオンは、以下の手段で回収することができる:剥離された物質を洗浄及び/又は加熱;カチオンを電気化学的に還元;剥離された物質を超音波エネルギー処理;界面活性剤による剥離された物質の置換;又はこれらの組み合わせ。
更なる方法のステップ
一実施形態において、重合プロセス及びグラフェン層間の膨張を通したグラファイトの剥離を促進するため、有機イオンを第二段階で添加することができる。適切な有機イオンは、重合のためのモノマーであって、電子誘引基(例えばニトリル基、カルボキシル基、フェニル基、及びビニル基)を有するモノマーを含む。
本発明の方法によって生成される厚さ100nm未満のグラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物は、複数の分離技術によって電解質から分離することができ、該技術としては以下のものがふくまれる:
(a)フィルタリング;
(b)遠心力を利用して、前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を沈殿させること;及び
(c)2つの非混和性溶媒の界面で、前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を収集すること。
電気化学的に剥離されたグラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物は、剥離後更に処理を行ってもよい。例えば、フレークサイズ及びグラフェン層の数を減らすために、前記物質は、超音波エネルギー及び当業者に知られた他の技術を用いて更に剥離してもよい。
陰極でのグラファイトは、前記陰極でのグラファイトが剥離する前に、該グラファイトを電気化学的に官能化(例えば、硝酸中での酸化又はフッ化水素酸を用いたフッ素化)させることができる。これらの場合、陰極は、官能化の間に陽極となるであろう。ある状況では、電圧を反転させて、電気化学的な剥離ステップと官能化ステップをサイクルさせることができる。
Raman分光法グラフェンの分析
文献でかなり確立されているが、Raman分光法は、Gピーク(約1580cm-1)及び2Dピーク(約2700cm-1)の形、強度、及び位置を通して、フレークの有する層の数を測定するために使用することができる(幾つかの文献では、2DピークをG’ピークと呼んでいる)。前記ピークの正確な位置は、使用される励起波長及びサンプル中でのドーピングレベルに依存する[Ferrari 2006]。一般的に、単層グラフェンは、単一成分に合致することができる2Dピークを含んでおり、Gピークと強度が同程度か、又はそれよりも強い。633nmの励起レーザーを用いて測定したときには、このG’ピークは、約2637cm-1に存在する。層の数が増加するにつれ、Gピークに対するG’ピークの相対強度が減少する。また、G’ピークは広がり、その波数における位置が増加する[Hao 2010]。例えば、2つの層に関する2Dピークは、4つの成分によって十分に表される。重要なこととして、層の数が増加すると、スペクトルの対称性が低くなり、2つの成分を有する単一のピーク状態に近づき、該2つの成分とは、メインピークと、低い波数側にある強度のより低いショルダーである。
シリコン酸化物ウェハ上に付着したフレークを測定するために633nmのレーザーを用いると、G’ピークは、以下の位置を中心とすることが予想される:1−層、2−層、3−層、多層及びグラファイトそれぞれについて、約2637、約2663、約2665、約2675及び約2688cm-1
全てのRaman分光法は633nmの励起レーザーを用いて行った。
実施例1
HOPG片(図1A)を逆作用ピンセット(self−closing tweezers)で保持し、NMP−0.1MのTBA電解質(アニオン: BF4 -)に室温で沈めた。HOPGは陰極として用いた。そして、白金線は陽極として用いた。白金に対して−4.50Vの電圧を与えた。第二の白金線を基準電極として使用した。15分後、インターカレーションが原因である電極の膨張が、図1Bにあるように、目視できるようになった。図1Cは、30分後の膨張を表している。走査型電子顕微鏡で、電極が膨張したことを確認した(図2に示す)。
実施例2
HOPG片を逆作用ピンセットで保持し、サイクリックボルタンメトリーにかけた。(NMP−TBA電解質、NMP−0.1MのTBA電解質(アニオン: BF4 -)を白金線基準電極、及びカウンター電極とともに室温で用いた。)HOPGを陰極として使用し、白金線を陽極として使用した。陰極に与えた電圧は、白金に対して−0.10V〜−4.50Vでスイープして、そして再び戻した。得られたボルタモグラムにより、カチオンのインターカレーション/デインターカレーションに関連した明らかな電流応答が示された。このサイクルは室温で連続的に繰り返される。20時間後、HOPGの体積が約9倍に膨張したのが観察された。図3は、サイクリックボルタンメトリーの前(A)、及びサイクリックボルタンメトリーの後(B)でのHOPGのエッジを表す。
実施例3
HOPGの電気化学的な剥離に対するイオンサイズの効果について検証した。2つのセルを実施例1に記載の通りセットアップした。違いとしては、1つのセルにおいて、TBAカチオンをTMA(テトラメチル・アンモニウム)カチオンに置き換えただけであった。6時間後、陰極及び電解質を、超音波槽で超音波処理した。その後分散した物質をバイアルに移し、安定するまで放置した(図4(TBA左側;TMA右側)に示す通り)。TBAを電解質として使用したときには、ナノ物質の分散が起こった。一方で、TMAを電解質として用いた時には、生成される物質は、主にバイアルの底部に沈殿することが分かった。
図5aは、TBAを電解質として使用したときに、得られた物質のRamanスペクトルを表す。これらのスペクトル、数層のグラフェンのフレークからの典型的なスペクトルである。図5bは、TMAを電解質として使用したときに得られた様々な物質に関する3つのRamanスペクトルを表している。これらのスペクトルはグラファイト様フレーク及びグラフェンの数層のフレークに典型的なスペクトルである。
実施例4
HOPGの電気化学的な剥離に対するイオンサイズ、稼働温度、及び音波処理の効果を検証した。
HOPG片(典型的なおおよその寸法:5×5×2mm、0.01g)を逆作用ピンセットで保持し、10mLのNMP−0.1MのTBA電解質(アニオン:BF4 -)に25℃で沈めた。HOPGを陰極として使用し、白金メッシュを陽極として使用した。白金メッシュに対して−5.00Vの電圧を与えた。白金線を基準電極として使用した。電圧は、6000sの間(約1.5時間)与えた。その後、HOPG電極を除去し、電解質中で、所定時間(最大6時間、最小で2分間)超音波処理した。
上記手順は50℃、80℃及び120℃で繰り返した。
具体的には、HOPG片(典型的なおおよその寸法:5×5×2mm、0.01g)を逆作用ピンセットで保持し、10mLのNMP−0.1MのTBA電解質(アニオン:BF 4 - )に50℃、80℃又は120℃で沈めた。HOPGを陰極として使用し、白金メッシュを陽極として使用した。白金メッシュに対して−5.00Vの電圧を与えた。白金線を基準電極として使用した。電圧は、6000sの間(約1.5時間)与えた。その後、HOPG電極を除去し、電解質中で、所定時間(最大6時間、最小で2分間)超音波処理した。
超音波サンプルは、その後、13,500rpmで30分間遠心した。そして、1mLの分注の上澄みをデカンテーションし、あらかじめ重量を測定したアルミナ直径13mm膜(孔径0.01μm)を用いてろ過した。
膜はアセトンで洗浄し、空気乾燥させ、再度秤量した。グラファイトの残渣のRaman分析を、直接アルミナ膜に対して、633nmレーザー(10%power)を用いて行った。Raman分析の結果を以下に要約する:
カラーポストインターカレーション(colour post intercalation)において電解質の外見が黄色になるとともに、溶媒の軽度の着色化がしばしば見られた。このカラーは、インターカレーション電圧及び時間が上昇するとともに強くなり、結果として120℃でダークブラウンに変化した。基準電極、稼動電極、及びカウンター電極用に白金電極を用いた対照実験によれば、こうした色彩変化は、電解質の分解が原因であることが示唆された。
上記手順に関しては更なるバリエーションとして、以下の工程を含めた:更に低い負の電圧を使用すること(−3.5V〜−5.0Vの範囲の電圧が剥離に効果的であることがわかった)、及びいくつかの電圧波形を使用すること(例えば、−1.0〜−5.0Vの電圧を直線的にサイクルさせること)。グラファイト酸化のリスクがあるため正の電圧は避けた。
他のテトラアルキルアンモニウム・カチオン(具体的には、テトラメチルアンモニウム、TMA、及びテトラエチルアンモニウム、TEA)も剥離検証のために使用した。
実施例5
膜内部に保持した市販のグラファイト・フレーク(Alfa Aesar 325 mesh(登録商標)、<44 ミクロン)を陰極として使用した。膜は、5mm直径のグラファイト・ロッドにO−リングを用いてクランプした。使用した膜は以下のとおりである:
(a)セルロース透析膜(Spectra Por(登録商標) 7、25nmポア);及び
(b)ポリカーボネート膜(より大きなポア、450nm)。
前記アプローチに関する写真を図6aに示す。
膜陰極は、NMP−0.1MのTEA電解質(アニオン: BF4 -)に25℃で沈めた。白金メッシュを陽極として使用した。白金メッシュに対する電圧を−5.00Vで与えた。白金線を基準電極として使用した。前記電圧を2時間与えた。
これらの実験の間、カソード・グラファイト・ロッドの浸食やピット(pit)が見られた(図6b)。また、膜内のグラファイト粉末が分解した。これらの現象は、図6bにおけるケース1及び2で明らかに見て取れる。膜内の粉末のRaman分析を行ったところ、続いて行われる剥離ステップの補助なしで、サンプルは、グラファイトを数層のグラフェンに剥離していた。また、続いて超音波処理ステップ(3又は7時間)を施すと、サンプルは更に薄い層に剥離することはなかった。得られたRamanスペクトルを図6cに示す(A−超音波処理なし;B−3時間超音波処理;C−7時間超音波処理)。.
実施例6
TMAをカチオンとして室温で使用して、更なる実験を行った。
(a)2つのグラファイト・ロッドを電極として使用した。基準電極は使用しなかった。電解質は1.09gTMAクロリドを含む20mlのDMSOであった。定電圧20Vを10分間セルに与えた。得られた物質のRamanスペクトルを図7aに示した。
(b)グラファイト・ロッド・カソード及び白金メッシュ・アノードを電極として使用した。グラファイト・ロッドを透析膜(Spectrum社、Spectra Por(登録商標) 7、25nmポア)でカバーし、電気分解生成物がカソードと物理的に接触した状態を維持させた。電解質は、1.09gTMAクロリドを含有する20mlのDMSOであった。定電圧30Vを30分間与えた。得られた物質のRamanスペクトルを図7bに示す。
(c)アノードがグラファイト・ロッドとなっており、与えた電圧は20Vであった点をのぞいて、上記(b)と非常に酷似した実験とした。得られた物質のRamanスペクトルを図7cに示す。当該実験では、(b)よりも更に2Dピークがシフトしていた。
(d)カソードをグラファイト・フレークとし、該フレークは4mm直径のステンレススチール・ロッド上にコーティングし、透析膜でカバーした点をのぞいて、上記(b)と非常に酷似した実験とした。20Vの電圧を30分間与えた。得られた物質のRamanスペクトルを図7dに示す。2Dピークが2258cm-1であり、該ピークの半値幅は51cm-1である。
上記すべての実験において、Ramanスペクトルは、数層のグラフェン(又は更に薄いグラフェン)が形成された証拠を提示している。
実施例7
グラファイト・ロッド(グレードEC4及びEC5、Tokai Carbon Europe)のインターカレーションを行った。該実施例では、カチオンとしてTMA、TEA及びTBAを使用した。これらのカチオンの対イオンをテトラフルオロホウ酸とした。溶媒はNMPとした。そして、前記カチオン濃度は0.1Mであり、稼働温度は25℃とした。白金メッシュを陽極として使用し、白金線を基準電極として使用した。白金線に対する電圧−5.00Vを与えた。グラファイト・ロッドに泡がすぐに形成された。電極は数百秒後に剥離し始めた。剥離速度は徐々に始まり、そして、定常速度に到達するポイントである約1000秒までは、該速度の上昇が見られた。電解質は時間の経過とともに茶色へと変化した。
図8は、得られたグラファイト・ロッド(A:TMA;B:TBA;C:TEA)を示す。インカーカレーション後の電極上に形成された粗いテクスチャは、容易に擦り落として、クリーンで平滑な表面を露出することができた。
参考文献
以下の文献を全て参照により本明細書に組み込む。
[Novoselov 2004] Electric field effect in atomically thin carbon films, K.S. Novoselov et al., Science, 2004, 5296, pp 666−669.

[Ruoff 2009] Chemical methods for the production of graphenes, S. Park and R.S. Ruoff, Nature Nanotechnology, 2009, DOI:10.1038/nnano.2009.58

[Bae 2010] Roll−to−roll production of 30−inch graphene films for transparent electrodes, S. Bae et al. Nature Nanotechnology, 2010, DOI: 10.1038/NNANO.2010.132

[Ang 2009] High−Throughput Synthesis of Graphene by Intercalation−Exfoliation of Graphite
Oxide and Study of Ionic Screening in Graphene Transistor, P.K. Ang et al., ACS Nano, 2009, 3(11), pp. 3587−3594

[Wang 2010] Direct exfoliation of natural graphite into micrometre size few layers
graphene sheets using ionic liquids, X. Wang et al., Chem. Commun., 2010, 46, pp. 4487−4489

[Liu 2008] N. Liu et al, One−Step Ionic−Liquid−Assisted Electrochemical Synthesis of Ionic−Liquid−Functionalized Graphene Sheets Directly from Graphite. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, pp. 1518−1525

[Lu 2009] One−Pot Synthesis of Fluorescent Carbon Nanoribbons, Nanoparticles, and Graphene by the Exfoliation of Graphite in Ionic Liquids, ACS Nano, 2009, 3(8) pp. 2367−2375

[Simonet 1977] J. Simonet and N. Lund, Electrochemical Behavious of Graphite Cathodes in the Presence of Tetralkylammonium Cations, J. Electroanal. Chem., 1977, 75, pp. 719−730

[Kinloch, 2003] I.A. Kinloch et al, E lectrolytic, TEM and Raman studies on the production of carbon nanotubes in molten NaCl, Carbon, 2003, 41, pp. 1127−1141

[Coleman 2008 & 2009] Y. Hernandez, et al, Nat. Nanotechnol., 2008, 3, 563; M. Lotya, et al, J. Am. Chem. Soc., 2009, 131, 3611.

[Valles 2008] Valles, C. et al. Solutions of negatively charged graphene sheets and ribbons. J. Am. Chem. Soc. 130, 15802−15804 (2008).

[Ferrari 2006] Ferrari, A.C. et al. Raman Spectrum of Graphene and Graphene Layers. Phys Rev Lett, 97 (2006), 187401

[Hao 2010] Hao, Y et al., Probing Layer Number and Stacking Order of Few−Layer Graphene by Raman Spectroscopy, Small, 2010, 6(2), 195−200

[Wang 2011] Wang, J., et al., High−yield synthesis of few−layer graphene flakes through electrochemical expanstion of graphite in propylene carbonate electrolyte, JACS, 2011, 133, 8888−8891

Claims (14)

  1. グラフェン及びグラファイトのナノ板状構造物を製造するための方法であって、
    該構造物の厚さは、電気化学セル中で100nm未満であり、
    前記セルは以下を含み:
    (a)グラファイトを含む陰極;
    (b)グラファイト又は他の物質を含んでもよい陽極;及び
    (c)溶媒中でイオンとなる電解質であって、カチオンがアルキルアンモニウムイオンである該電解質;
    前記方法は、前記セルに電流を流すステップを含む該方法。
  2. 請求項1に記載の方法であって、前記陰極が層状のグラファイト化合物を含み、該グラファイト化合物にカチオンがインターカレートすることができる該方法。
  3. 請求項1又は2に記載の方法であって、前記陰極が以下から選択される該方法:高配向熱分解黒鉛(HOPG)、天然グラファイト、及び合成グラファイト。
  4. 請求項1〜3いずれか1項に記載の方法であって、前記カチオンがテトラアルキル・アンモニウムである該方法。
  5. 請求項4に記載の方法であって、前記カチオンが以下から選択される該方法:テトラブチル・アンモニウム、テトラエチル・アンモニウム、及びテトラメチル・アンモニウム。
  6. 請求項1〜3いずれか1項に記載の方法であって、前記カチオンがトリアルキル・アンモニウムである該方法。
  7. 請求項6に記載の方法であって、前記カチオンが以下から選択される該方法:トリブチル・アンモニウム、トリエチル・アンモニウム、及びトリメチル・アンモニウム。
  8. 請求項1〜3いずれか1項に記載の方法であって、前記カチオンがジアルキル・アンモニウムである該方法。
  9. 請求項6に記載の方法であって、前記カチオンが以下から選択される該方法:ジブチル・アンモニウム、ジエチル・アンモニウム及びジメチル・アンモニウム。
  10. 請求項1〜9いずれか1項に記載の方法であって、アニオンが以下から選択される該方法:テトラフルオロホウ酸、過塩素酸、及びヘキサフルオロリン酸。
  11. 請求項1〜10いずれか1項に記載の方法であって、20℃〜100℃の温度で行う該方法。
  12. 請求項1〜11いずれか1項に記載の方法であって、厚さ100nm未満の前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を、以下から選択される少なくとも1つの技術によって、前記電解質から分離する該方法:
    (a)フィルタリング;
    (b)遠心力を利用して、前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を沈殿させること;及び
    (c)2つの非混和性溶媒の界面で、前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を収集すること。
  13. 請求項1〜12いずれか1項に記載の方法であって、電気化学的に剥離された前記グラフェン又はグラファイトのナノ板状構造物を、超音波エネルギーを用いて、更に処理する該方法。
  14. 請求項1〜13いずれか1項に記載の方法であって、前記陰極でのグラファイトが剥離する前に、硝酸中での酸化又はフッ化水素酸を用いたフッ素化によって、該グラファイトを電気化学的に官能化させる該方法。
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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011162727A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 National University Of Singapore Methods of forming graphene by graphite exfoliation
GB201104096D0 (en) 2011-03-10 2011-04-27 Univ Manchester Production of graphene
WO2013059708A2 (en) 2011-10-21 2013-04-25 University Of Utah Research Foundation Homogeneous multiple band gap devices
BR112013028162B1 (pt) 2011-12-14 2020-10-27 National University Of Singapore processo para formar minerais em camadas hexagonais expandidos e derivados utilizando carregamento eletroquímico e composição de matéria para tal
GB201204279D0 (en) 2012-03-09 2012-04-25 Univ Manchester Production of graphene
TWI441947B (zh) * 2012-07-20 2014-06-21 Academia Sinica 電化學石墨烯及包含其之電極複合材料與鋰電池
WO2014065241A1 (ja) * 2012-10-24 2014-05-01 独立行政法人物質・材料研究機構 グラフェン超薄片とその作製装置、作製方法、及びキャパシターとその作製方法
EP3805186A1 (en) * 2012-12-04 2021-04-14 Drexel University Polymer composite comprising free-standing two-dimensional nanocrystals
US8580658B1 (en) 2012-12-21 2013-11-12 Solan, LLC Methods for fabricating graphene device topography and devices formed therefrom
TWI488804B (zh) * 2013-02-05 2015-06-21 Univ Nat Chiao Tung 石墨氧化物製備方法
US8664642B1 (en) 2013-03-15 2014-03-04 Solan, LLC Nonplanar graphite-based devices having multiple bandgaps
CN103253659B (zh) * 2013-05-23 2015-09-23 渤海大学 一种超声波剥离石墨制备石墨烯的方法
CN105377755A (zh) * 2013-07-12 2016-03-02 丹麦科技大学 转移石墨烯的电化学方法
WO2015004283A1 (de) * 2013-07-12 2015-01-15 Eckart Gmbh Graphen-haltige suspension, verfahren zu deren herstellung, graphenplättchen und verwendung
GB2516919B (en) * 2013-08-06 2019-06-26 Univ Manchester Production of graphene and graphane
GB2520496B (en) 2013-11-20 2020-05-27 Univ Manchester Production of graphene oxide
EP2878709A1 (en) * 2013-11-28 2015-06-03 Basf Se Preparation of two dimensional carbon materials by electrochemical exfoliation
KR101563585B1 (ko) * 2014-03-31 2015-10-28 한국과학기술연구원 자발공정을 이용하는 그래핀의 제조방법
EP2933229A1 (en) * 2014-04-17 2015-10-21 Basf Se Electrochemical capacitor devices using two-dimensional carbon material for high frequency AC line filtering
TWI547438B (zh) * 2014-05-15 2016-09-01 國立臺東大學 非氧化石墨烯之製造方法
US20150368436A1 (en) * 2014-06-18 2015-12-24 Gordon Chiu High Carbon Grade Graphite Block And A Method To Make It
CN104264178B (zh) * 2014-09-17 2016-11-30 中国科学院青海盐湖研究所 一种电催化氧化制备氧化石墨烯的方法
CN104264179B (zh) * 2014-09-17 2016-06-22 中国科学院山西煤炭化学研究所 一种由石墨原矿电解法制备石墨烯的方法
US10835873B2 (en) 2014-11-19 2020-11-17 Monash University Graphene oxide membranes and methods related thereto
KR101653181B1 (ko) 2014-12-08 2016-09-01 기초과학연구원 그래핀의 제조 방법
KR102384945B1 (ko) 2015-01-02 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
GB201501342D0 (en) * 2015-01-27 2015-03-11 Univ Lancaster Improvements relating to the authentication of physical entities
GB201505304D0 (en) * 2015-03-27 2015-05-13 Univ Manchester Production of functionalised graphene
GB201517784D0 (en) 2015-10-08 2015-11-25 Univ Manchester Production of graphene
SG11201805086XA (en) * 2015-12-14 2018-07-30 Gordon Chiu A high carbon grade graphite block and a method to make it
JP6784458B2 (ja) * 2015-12-14 2020-11-11 バオシャン アイアン アンド スティール カンパニー リミテッド グラフェンオキシド及びその製造方法
JP2017111955A (ja) * 2015-12-16 2017-06-22 東芝ホクト電子株式会社 マグネトロン
CN105645390A (zh) * 2015-12-31 2016-06-08 焦云 一种超声与电场协同作用快速剥离石墨烯的装置及利用该装置快速剥离石墨烯的方法
CN105417537A (zh) * 2015-12-31 2016-03-23 焦云 一种超声与电场协同作用快速剥离石墨烯的装置及利用该装置快速剥离石墨烯的方法
DE102016202202B4 (de) 2016-02-12 2017-12-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Expansion von Graphit zu Graphen
US11168404B2 (en) 2016-02-17 2021-11-09 Global Graphene Group, Inc. Electrochemical method of producing single-layer or few-layer graphene sheets
US11247906B2 (en) * 2016-03-09 2022-02-15 Global Graphene Group, Inc. Electrochemical production of graphene sheets directly from graphite mineral
US20190093239A1 (en) * 2016-03-24 2019-03-28 Monash University Shear assisted electrochemical exfoliation of two dimensional materials
US11066303B2 (en) 2016-08-08 2021-07-20 The Texas A&M University System Electrochemically expanded materials and reactor and method for producing the same
CN106367159B (zh) * 2016-08-26 2019-10-18 清华大学 基于电化学插层石墨的固液复合材料及其制备方法和应用
US20180072573A1 (en) * 2016-09-14 2018-03-15 Alpha Metals, Inc. Production of Graphene
GB201615820D0 (en) * 2016-09-16 2016-11-02 Univ Of Manchester The Production of functionalised graphene
DE102017207045A1 (de) * 2017-04-26 2018-10-31 Sixonia Tech Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter- oder Leiter-Materials und dessen Verwendung
US11278862B2 (en) 2017-08-01 2022-03-22 Drexel University Mxene sorbent for removal of small molecules from dialysate
US11470424B2 (en) 2018-06-06 2022-10-11 Drexel University MXene-based voice coils and active acoustic devices
CN109324096A (zh) * 2018-09-27 2019-02-12 台州学院 一种石墨烯增强传感器的制备方法
CN109505022A (zh) * 2018-11-12 2019-03-22 上海今海新材料科技有限公司 一种用于纺丝的石墨烯改性分散液的制备方法
WO2020129427A1 (ja) * 2018-12-19 2020-06-25 株式会社カネカ グラファイトの薄板状構造物の製造方法、並びに、薄片化グラファイトおよびその製造方法
KR102224720B1 (ko) * 2019-05-16 2021-03-08 주식회사 케이비엘러먼트 그래핀 제조 장치 및 그래핀 제조 방법
CN110357087A (zh) * 2019-08-14 2019-10-22 中国科学院兰州化学物理研究所 一种基于高浓度无机盐水溶液剥离制备氧化石墨烯的方法
CN112777585B (zh) * 2019-11-01 2022-10-04 清华大学 二维复合材料、制备方法及其应用
KR20210059387A (ko) * 2019-11-15 2021-05-25 주식회사 엘지화학 그래핀 나노시트의 제조방법
CN111005034B (zh) * 2019-12-02 2021-09-07 苏州大学 一种3d打印高强度石墨烯-酸化碳纳米管电极的方法、石墨烯-酸化碳纳米管电极及其应用
US11821095B2 (en) * 2020-03-10 2023-11-21 Exxon Mobil Technology and Engineering Company Compression reactors and methods for electrochemical exfoliation
WO2022066103A1 (en) * 2020-09-24 2022-03-31 National University Of Singapore Highly conductive graphene inks for 3d printing
CN114032561A (zh) * 2021-11-05 2022-02-11 安庆师范大学 一种石墨烯和在离子液体中电解乙醇制备石墨烯的方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB217115A (en) 1923-10-03 1924-06-12 Friedrich Emil Krauss Improvements in or relating to portable fire extinguishers
GB1109143A (en) 1964-04-24 1968-04-10 United Aircraft Corp Electrochemical interconversion of carbon dioxide and oxygen and an electrolytic cell therefor
US4486286A (en) 1982-09-28 1984-12-04 Nerken Research Corp. Method of depositing a carbon film on a substrate and products obtained thereby
US4608133A (en) 1985-06-10 1986-08-26 Texaco Inc. Means and method for the electrochemical reduction of carbon dioxide to provide a product
US5824832A (en) 1996-07-22 1998-10-20 Akzo Nobel Nv Linear alxylbenzene formation using low temperature ionic liquid
EP2248645A1 (en) 1999-04-07 2010-11-10 GrafTech International Holdings Inc. Flexible graphite article and method of manufacture
GB9919807D0 (en) 1999-08-21 1999-10-27 Aea Technology Plc Anode for rechargeable lithium cell
JP2001089887A (ja) 1999-09-22 2001-04-03 Iwasaki Electric Co Ltd ダイヤモンド薄膜を用いた電解反応用電極及びそれを用いた二酸化炭素の還元方法
US7071258B1 (en) 2002-10-21 2006-07-04 Nanotek Instruments, Inc. Nano-scaled graphene plates
JP3721402B2 (ja) 2002-10-23 2005-11-30 独立行政法人産業技術総合研究所 二酸化炭素の電解還元用電極材料
DE10256963B4 (de) * 2002-12-05 2006-10-19 Hilti Ag Verfahren zur Steuerung der Expansionseigenschaften von thermisch expandierbaren Schwefelsäure-Graphitpartikeln und deren Verwendung
JP4554260B2 (ja) * 2004-04-14 2010-09-29 サカイオーベックス株式会社 膨張化炭素繊維、その製造法およびそれを含む電界放出素子ならびに電界放出ディスプレイ
AU2006302741A1 (en) 2005-10-19 2007-04-26 Osmose New Zealand Wood impregnation
EP1984541A2 (en) 2006-02-15 2008-10-29 Akzo Nobel N.V. Method to electrodeposit metals using ionic liquids
WO2008019154A2 (en) 2006-08-05 2008-02-14 Reveo, Inc. Methods of and systems for forming carbon based materials
US7623340B1 (en) * 2006-08-07 2009-11-24 Nanotek Instruments, Inc. Nano-scaled graphene plate nanocomposites for supercapacitor electrodes
US7892514B2 (en) 2007-02-22 2011-02-22 Nanotek Instruments, Inc. Method of producing nano-scaled graphene and inorganic platelets and their nanocomposites
US8524067B2 (en) * 2007-07-27 2013-09-03 Nanotek Instruments, Inc. Electrochemical method of producing nano-scaled graphene platelets
US8497225B2 (en) * 2007-08-27 2013-07-30 Nanotek Instruments, Inc. Method of producing graphite-carbon composite electrodes for supercapacitors
US7993780B2 (en) 2007-10-05 2011-08-09 Nanotek Instruments, Inc. Process for producing carbon anode compositions for lithium ion batteries
US7790285B2 (en) * 2007-12-17 2010-09-07 Nanotek Instruments, Inc. Nano-scaled graphene platelets with a high length-to-width aspect ratio
US8883114B2 (en) * 2007-12-26 2014-11-11 Nanotek Instruments, Inc. Production of ultra-thin nano-scaled graphene platelets from meso-carbon micro-beads
WO2010001125A2 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Ucl Business Plc Method for separating nanomaterials
JP2011032156A (ja) * 2009-07-06 2011-02-17 Kaneka Corp グラフェンまたは薄膜グラファイトの製造方法
GB0912972D0 (en) 2009-07-24 2009-09-02 Univ Exeter Electromechanical methods
JPWO2011111791A1 (ja) 2010-03-11 2013-06-27 国立大学法人北海道大学 カーボンナノチューブの製造方法
WO2011162727A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 National University Of Singapore Methods of forming graphene by graphite exfoliation
GB201104096D0 (en) 2011-03-10 2011-04-27 Univ Manchester Production of graphene
TWI522314B (zh) 2011-12-23 2016-02-21 中央研究院 規模化量產製造石墨烯及石墨烯氧化物之設備及其方法
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