JP5782981B2 - 水素吸収磁気冷凍材料の製造方法 - Google Patents
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Description
また、上記製造方法では磁気冷凍材料に対して水素が高い均一性で吸収されるので、品質(キュリー温度)のばらつきを小さくすることができる。
なお上述した効果が得られる理由は明らかではないが、一度水素吸収の処理を行うことで磁気冷凍材料内の水素拡散の障壁が小さくなり、その結果従来の水素吸収反応プロセスよりも水素を吸収しやすくなるためであると考えられる。
<水素を吸収させた磁気冷凍材料の製造>
[実施例1]
本実施例では、磁気冷凍材料として、NaZn13結晶構造を主相とするLa(FeSi)13系材料を用いた。この磁気冷凍材料は、水素を吸収させることでキュリー温度が変化し、磁気冷凍材料の動作温度(磁気熱量効果を示す温度)が変化する。当該磁気冷凍材料に、以下の工程によって水素を吸収させた。
(1.1)第1熱処理工程
まず、上記磁気冷凍材料を反応室に入れて300℃、大気圧水素雰囲気下で1時間熱処理した。この処理により、磁気冷凍材料に水素を吸収させた。
続いて反応室内を真空とし、300℃、真空雰囲気下で1時間熱処理した。真空度は5×10-1Paとした。1時間経過後、徐々に温度を低下させ、磁気冷凍材料の熱処理温度を続く本アニール処理の温度である280℃まで下げた。この処理により磁気冷凍材料から水素を脱離させた。
次に、磁気冷凍材料の熱処理温度を280℃としたまま、反応室内を真空雰囲気から大気圧水素雰囲気に変更し、1時間熱処理した。その後、徐々に温度を低下させ、室温(20℃)まで雰囲気温度を下げた。この処理により、再度水素を磁気冷凍材料に吸収させた。
[実施例2]
本アニール処理における熱処理温度を270℃とした点以外は実施例1と同様の工程により水素吸収磁気冷凍材料を製造した。
本アニール処理における熱処理温度を250℃とした点以外は実施例1と同様の工程により水素吸収磁気冷凍材料を製造した。
本アニール処理における熱処理温度を240℃とした点以外は実施例1と同様の工程により水素吸収磁気冷凍材料を製造した。
前アニール処理の第1熱処理工程および第2熱処理工程における熱処理温度を280℃とし、第3熱処理工程(本アニール処理)における熱処理温度を260℃とした点以外は実施例1と同様の工程により水素吸収磁気冷凍材料を製造した。
前アニール処理の第1熱処理工程および第2熱処理工程における熱処理温度を270℃とし、第3熱処理工程(本アニール処理)における熱処理温度を250℃とした点以外は実施例1と同様の工程により水素吸収磁気冷凍材料を製造した。
本実施例では、実施例1と同様の磁気冷凍材料に水素を吸収させた。
本実施例における磁気冷凍材料の熱処理温度(アニール処理温度)と熱処理時間(アニール処理時間)との関係を表す図を図2に示す。
(1.1)第1熱処理工程
まず、実施例1と同様に、磁気冷凍材料を反応室内で300℃、大気圧水素雰囲気下で1時間加熱した。
続いて反応室内を真空とし、300℃、真空雰囲気下で1時間熱処理した。真空度は5×10-1Paとした。1時間経過後、徐々に温度を低下させ、室温(20℃)まで雰囲気温度を下げた。この処理により、水素を吸収させた磁気冷凍材料から水素を脱離させた。
次に、磁気冷凍材料を280℃、大気圧水素雰囲気下で1時間熱処理した。その後、徐々に温度を低下させ、室温(20℃)まで雰囲気温度を下げた。この処理により、再度水素を磁気冷凍材料に吸収させた。
[実施例8]
本アニール処理における熱処理温度を270℃とした点以外は実施例7と同様の工程により水素吸収磁気冷凍材料を製造した。
本アニール処理における熱処理温度を250℃とした点以外は実施例7と同様の工程により水素吸収磁気冷凍材料を製造した。
本アニール処理における熱処理温度を240℃とした点以外は実施例7と同様の工程により水素吸収磁気冷凍材料を製造した。
本実施例では、実施例1の第2熱処理工程のような真空雰囲気下での水素脱離の工程を行わずに、さらに水素を吸収させた。本実施例における磁気冷凍材料の熱処理温度(アニール処理温度)と熱処理時間(アニール処理時間)との関係を表す図を図3に示す。
本実施例ではまず、実施例1と同様に、磁気冷凍材料を反応室内で300℃、大気圧水素雰囲気下で1時間加熱した。
次に、磁気冷凍材料を228℃、大気圧水素雰囲気下で0.1時間熱処理をした。その後、徐々に温度を低下させ室温(20℃)まで雰囲気温度を下げた。この処理により、所定の熱処理温度で吸収させる水素を磁気冷凍材料に固定させた。
[実施例12]
本アニール処理における熱処理温度を280℃とした点以外は実施例11と同様の工程により水素吸収磁気冷凍材料を製造した。
本アニール処理における熱処理温度を267℃とした点以外は実施例11と同様の工程により水素吸収磁気冷凍材料を製造した。
実施例1〜4で製造した水素吸収磁気冷凍材料のキュリー温度を測定した。参考例として、実施例1の前アニール処理と同様の処理のみを行った磁気冷凍材料のキュリー温度を測定した。また比較例として、従来法(一定温度で一度アニール処理を行う方法、図7参照)で水素吸収を行った磁気冷凍材料のキュリー温度を測定した。比較例は、300℃、280℃、270℃、250℃、240℃で熱処理を行った。
なお、別途試験を行い、以下のような結果を得た。
第2熱処理工程も同様に、270〜300℃の範囲で良好な結果を得ることができた。
La(FeSi)13系材料に対して、第1熱処理工程において第3熱処理工程よりも高い温度で水素吸収を行うことで、キュリー温度が高い磁気冷凍材料の製造が可能となる。また第2熱処理工程では真空中で熱処理を行うことで、水素の脱離を促進させることができるため、水素の脱離に必要なエネルギーと時間を抑制できる。
また、第2熱処理工程では、所定の熱処理温度で磁気冷凍材料を所定時間(1時間)熱処理した後、さらに、温度を徐々に低下させながら熱処理することで、所定の温度で順次水素が吸収されていくため、短い時間で水素の吸収が行える、という効果を奏することができる。
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明は、上記実施例に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態をとり得ることはいうまでもない。
また、第3熱処理工程(本アニール処理)の前に、前アニール処理(第1熱処理工程および第2熱処理工程)を複数回繰り返し行ってもよい。これにより、水素がより吸収されやすくなり、水素吸収の均一性を高めることができるようになる。
また磁気冷凍材料として、実施例とは異なる材質の磁性体を用いてもよい。その場合には、キュリー温度が適切な温度となるように熱処理温度などの処理条件を適宜調整するとよい。
Claims (5)
- NaZn 13 結晶構造を主相とするLa(FeSi) 13 系材料である磁気冷凍材料を、水素雰囲気下にて第1の温度で熱処理して水素を吸収させる第1熱処理工程と、
前記第1熱処理工程の後、前記磁気冷凍材料を減圧雰囲気下または不活性ガス雰囲気下にて熱処理して水素を脱離させる第2熱処理工程と、
前記第2熱処理工程の後、前記磁気冷凍材料を水素雰囲気下にて前記第1の温度よりも低い第2の温度で熱処理して水素を吸収させる第3熱処理工程と、を有し、
前記第1の温度は、270〜300℃の範囲において設定される温度である
ことを特徴とする水素吸収磁気冷凍材料の製造方法。 - 前記第2熱処理工程における熱処理は、270〜300℃で行う
ことを特徴とする請求項1に記載の水素吸収磁気冷凍材料の製造方法。 - 前記第2熱処理工程は、10Pa以下の真空中で行う
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の水素吸収磁気冷凍材料の製造方法。 - 前記第2熱処理工程は、所定の温度で前記磁気冷凍材料を所定時間熱処理した後、さらに、温度を徐々に低下させながら熱処理する工程である
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の水素吸収磁気冷凍材料の製造方法。 - 前記第1熱処理工程および前記第2熱処理工程を複数回繰り返した後に前記第3熱処理工程を行う
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の水素吸収磁気冷凍材料の製造方法。
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