CN105297140A - 硅片及退火处理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
实施例 | 氧浓度 (atoms/cm3) | 氮浓度 (atoms/cm3) | 电场强度 (KV/cm) | 电场强度的方向 | BMD (atoms/cm3) | 无瑕疵层深度(μm) | 翘曲 增量 (um) | 滑移 位错 (cm) | 滑移总面积(cm2) |
1 | 4×1017 | 5×1014 | 0.5 | 恒定 | >5×108 | 7 | 3 | 5 | 8 |
2 | 6×1017 | 2×1014 | 0.5 | 恒定 | >1×109 | 5 | 4 | 3 | 6 |
3 | 4.8×1017 | 2×1015 | 0.5 | 恒定 | >1×109 | 9 | 3 | 3 | 5 |
4 | 4×1017 | 5×1014 | 3 | 恒定 | >8×108 | 8 | 3 | 3 | 8 |
5 | 6×1017 | 2×1014 | 3 | 恒定 | >1×109 | 8 | 4 | 2 | 6 |
6 | 4.8×1017 | 2×1015 | 3 | 恒定 | >1×109 | 11 | 3 | 3 | 5 |
7 | 4×1017 | 5×1014 | 0.5 | 逆向转变 | >5×108 | 7 | 3 | 5 | 8 |
8 | 6×1017 | 2×1014 | 0.5 | 逆向转变 | >1×109 | 5 | 4 | 3 | 6 |
比较例 | 氧浓度 (atoms/cm3) | 氮浓度 (atoms/cm3) | 电场强度(KV/cm) | 电场强度的方向 | BMD (atoms/cm3) | 空穴型缺陷的无瑕疵层深度(μm) | 翘曲增量(um) | 滑移位错(cm) | 滑移总面积(cm2) |
1 | 2×1017 | 1×1014 | 0.5 | 不变 | <1×108 | 1 | 4 | 6 | 12 |
2 | 2×1018 | 5×1016 | 0.5 | 不变 | >7×109 | 0 | 7 | 3 | 9 |
3 | 2×1017 | 5×1016 | 0.5 | 不变 | <1×108 | 4 | 3 | 8 | 20 |
4 | 2×1018 | 1×1014 | 0.5 | 不变 | >7×109 | 0 | 8 | 4 | 10 |
5 | 2×1017 | 1×1014 | 3 | 不变 | <1×108 | 1 | 4 | 6 | 12 |
6 | 2×1018 | 5×1016 | 3 | 不变 | >7×109 | 0 | 7 | 3 | 9 |
7 | 2×1017 | 5×1016 | 3 | 不变 | >1×109 | 4 | 3 | 4 | 7 |
8 | 2×1018 | 1×1014 | 3 | 不变 | >7×109 | 0 | 8 | 4 | 10 |
9 | 2×1017 | 1×1014 | 0.5 | 逆向转变 | <1×108 | 1 | 4 | 6 | 12 |
10 | 2×1018 | 5×1016 | 0.5 | 逆向转变 | >7×109 | 0 | 7 | 3 | 9 |
11 | 2×1017 | 5×1016 | 0.5 | 逆向转变 | <1×108 | 4 | 3 | 8 | 20 |
12 | 2×1018 | 1×1014 | 0.5 | 逆向转变 | >7×109 | 0 | 8 | 4 | 10 |
13 | 2×1017 | 1×1014 | 3 | 逆向转变 | <1×108 | 1 | 4 | 6 | 12 |
14 | 2×1018 | 5×1016 | 3 | 逆向转变 | >7×109 | 0 | 7 | 3 | 9 |
15 | 2×1017 | 5×1016 | 3 | 逆向转变 | >1×109 | 4 | 3 | 4 | 7 |
16 | 2×1018 | 1×1014 | 3 | 逆向转变 | >7×109 | 0 | 8 | 4 | 10 |
17 | 4.8×1017 | 2×1015 | 8 | 不变 | >5×109 | 1 | 8 | 3 | 8 |
18 | 4.8×1017 | 2×1015 | 8 | 逆向转变 | >5×109 | 1 | 8 | 3 | 8 |
19 | 4.8×1017 | 2×1015 | 0.1 | 不变 | >1×109 | 4 | 2 | 3 | 8 |
20 | 4.8×1017 | 2×1015 | 0.1 | 逆向转变 | >1×109 | 4 | 2 | 3 | 8 |
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Inventor after: Li Qinlin Inventor after: Liu Pufeng Inventor after: Song Hongwei Inventor after: Chen Meng Inventor before: Li Qinlin Inventor before: Yamada Koji Inventor before: Liu Pufeng Inventor before: Song Hongwei Inventor before: Chen Meng |
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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Application publication date: 20160203 Assignee: CHONGQING ADVANCED SILICON TECHNOLOGY CO.,LTD. Assignor: Shanghai Chaosi Semiconductor Co.,Ltd. Contract record no.: X2023310000121 Denomination of invention: Silicon wafers and annealing treatment methods Granted publication date: 20191025 License type: Common License Record date: 20230701 |
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