JP5780847B2 - 放射線検出装置および放射線分析装置 - Google Patents
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放射線を検出する半導体検出素子と、
前記半導体検出素子を冷却するペルチエ素子と、
前記半導体検出素子の温度を監視する第1温度監視部と、
前記ペルチエ素子の温度を監視する第2温度監視部と、
前記半導体検出素子が設定温度に維持されるように前記ペルチエ素子を制御する制御部と、を含み、
前記第1温度監視部は、前記半導体検出素子の温度を測定して検出素子温度情報を取得し、
前記第2温度監視部は、前記ペルチエ素子の温度を測定して冷却素子温度情報を取得し、
前記制御部は、
前記設定温度を第1温度に設定し、前記検出素子温度情報に基づいて前記半導体検出素子が前記第1温度に維持されるように前記ペルチエ素子を制御する第1温度維持処理と、
前記冷却素子温度情報に基づいて、前記ペルチエ素子の温度が第1閾値よりも高いか否かを判定する第1閾値判定処理と、
前記第1温度維持処理の実行中に、前記第1閾値判定処理において前記ペルチエ素子の温度を前記第1閾値よりも高いと判定した場合、前記設定温度を前記第1温度から前記第1温度よりも高い第2温度に変更し、前記検出素子温度情報に基づいて前記半導体検出素子が前記第2温度に維持されるように前記ペルチエ素子を制御する第2温度維持処理と、を行い、
前記ペルチエ素子は、
前記半導体検出素子を冷却する吸熱部と、
前記吸熱部から伝達された熱を放出する放熱部と、
を有し、
前記第2温度監視部は、前記放熱部の温度を測定して前記冷却素子温度情報を取得し、
前記制御部は、
前記冷却素子温度情報に基づいて、前記放熱部の温度が第2閾値よりも低いか否かを判定する第2閾値判定処理と、
前記第2温度維持処理の実行中に、前記第2閾値判定処理において前記放熱部の温度を前記第2閾値よりも低いと判定した場合、前記設定温度を前記第2温度から前記第1温度に変更し、前記検出素子温度情報に基づいて前記半導体検出素子が前記第1温度に維持されるように前記ペルチエ素子を制御する第1温度復帰処理と、
を行い、
前記第2閾値は、前記第1閾値よりも低い。
さらに、前記ペルチエ素子で発生した熱を放出する放熱器を含み、
前記第2温度監視部は、前記放熱器の温度を測定することによって前記放熱部の温度を間接的に測定してもよい。
前記制御部は、前記設定温度を前記第2温度に設定した場合、警告信号を出力してもよい。
本発明に係る放射線検出装置を含む。
1.1. 放射線検出装置の構成
まず、第1実施形態に係る放射線検出装置の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る放射線検出装置100を示す機能ブロック図である。図2は、本実施形態に係る放射線検出装置100を模式的に示す概略説明図である。なお、図2では、半導体検出素子10、冷却素子20、放熱器60の断面の概略が示されている。
次に、本実施形態に係る放射線検出装置の動作について、図面を参照しながら説明する。図3は、本実施形態に係る放射線検出装置の動作の一例を示すフローチャートである。以下、図1および図2に示す放射線検出装置100および図3に示すフローチャートを参照しながら説明する。なお、ここでは、放射線検出装置100の半導体検出素子10に対する温度制御方法について説明する。
2.1. 放射線検出装置の構成
次に、第2実施形態に係る放射線検出装置の構成について図面を参照しながら説明する。図4は、本実施形態に係る放射線検出装置200を示す機能ブロック図である。図5は、本実施形態に係る放射線検出装置200を模式的に示す概略説明図である。なお、図5では、半導体検出素子10、冷却素子20、放熱器60の断面の概略が示されている。以下、放射線検出装置200において、第1実施形態に係る放射線検出装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
次に、第2実施形態に係る放射線検出装置の動作について、図面を参照しながら説明する。図6は、第2実施形態に係る放射線検出装置の動作の一例を示すフローチャートである。以下、図4および図5に示す放射線検出装置200および図6に示すフローチャートを参照しながら説明する。なお、上述した第1実施形態に係る放射線検出装置100の動作と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
次に、第3実施形態に係る放射線分析装置について図面を参照しながら説明する。図7は、第3実施形態に係る放射線分析装置300の構成を示すブロック図である。第3実施形態に係る放射線分析装置300は、本願発明に係る放射線検出装置を含む。ここでは、本願発明に係る放射線検出装置として、放射線検出装置100を用いた例について説明する。
10 半導体検出素子、20 冷却素子、22 吸熱部、24 放熱部、
30 第1温度監視部、40 第2温度監視部、50 制御部、60 放熱部、
62 ヒートパイプ、64 ペルチエ素子、66 放熱板、
100,200 放射線検出装置、X線管用光圧電源、320 X線管、
330 パルスプロセッサ、340 ADC、350 データメモリー、
360 コンピューター
Claims (4)
- 放射線を検出する半導体検出素子と、
前記半導体検出素子を冷却するペルチエ素子と、
前記半導体検出素子の温度を監視する第1温度監視部と、
前記ペルチエ素子の温度を監視する第2温度監視部と、
前記半導体検出素子が設定温度に維持されるように前記ペルチエ素子を制御する制御部と、を含み、
前記第1温度監視部は、前記半導体検出素子の温度を測定して検出素子温度情報を取得し、
前記第2温度監視部は、前記ペルチエ素子の温度を測定して冷却素子温度情報を取得し、
前記制御部は、
前記設定温度を第1温度に設定し、前記検出素子温度情報に基づいて前記半導体検出素子が前記第1温度に維持されるように前記ペルチエ素子を制御する第1温度維持処理と、
前記冷却素子温度情報に基づいて、前記ペルチエ素子の温度が第1閾値よりも高いか否かを判定する第1閾値判定処理と、
前記第1温度維持処理の実行中に、前記第1閾値判定処理において前記ペルチエ素子の温度を前記第1閾値よりも高いと判定した場合、前記設定温度を前記第1温度から前記第1温度よりも高い第2温度に変更し、前記検出素子温度情報に基づいて前記半導体検出素子が前記第2温度に維持されるように前記ペルチエ素子を制御する第2温度維持処理と、を行い、
前記ペルチエ素子は、
前記半導体検出素子を冷却する吸熱部と、
前記吸熱部から伝達された熱を放出する放熱部と、
を有し、
前記第2温度監視部は、前記放熱部の温度を測定して前記冷却素子温度情報を取得し、
前記制御部は、
前記冷却素子温度情報に基づいて、前記放熱部の温度が第2閾値よりも低いか否かを判定する第2閾値判定処理と、
前記第2温度維持処理の実行中に、前記第2閾値判定処理において前記放熱部の温度を前記第2閾値よりも低いと判定した場合、前記設定温度を前記第2温度から前記第1温度に変更し、前記検出素子温度情報に基づいて前記半導体検出素子が前記第1温度に維持されるように前記ペルチエ素子を制御する第1温度復帰処理と、
を行い、
前記第2閾値は、前記第1閾値よりも低い、放射線検出装置。 - 請求項1において、
さらに、前記ペルチエ素子で発生した熱を放出する放熱器を含み、
前記第2温度監視部は、前記放熱器の温度を測定することによって前記放熱部の温度を間接的に測定する、放射線検出装置。 - 請求項1または2において、
前記制御部は、前記設定温度を前記第2温度に設定した場合、警告信号を出力する、放射線検出装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の放射線検出装置を含む、放射線分析装置。
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JP2011133162A JP5780847B2 (ja) | 2011-06-15 | 2011-06-15 | 放射線検出装置および放射線分析装置 |
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ID=47671632
Family Applications (1)
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JP2011133162A Active JP5780847B2 (ja) | 2011-06-15 | 2011-06-15 | 放射線検出装置および放射線分析装置 |
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JPS5814617Y2 (ja) * | 1979-12-20 | 1983-03-23 | 横河電機株式会社 | 小型冷却器の冷却温度制御回路 |
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