JP5769264B2 - 静電チャックおよびその修理方法 - Google Patents
静電チャックおよびその修理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5769264B2 JP5769264B2 JP2012547130A JP2012547130A JP5769264B2 JP 5769264 B2 JP5769264 B2 JP 5769264B2 JP 2012547130 A JP2012547130 A JP 2012547130A JP 2012547130 A JP2012547130 A JP 2012547130A JP 5769264 B2 JP5769264 B2 JP 5769264B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal cooling
- plate
- cooling plate
- adhesive
- ceramic plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
- B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Description
本願は、2010年12月29日出願、発明の名称「静電チャックおよびその修理方法」の米国特許出願第12/648,638号の優先権を主張し、本明細書に参照として組み込む。
ら逸脱することなく、形態および詳細に変更を加えうることは理解されるであろう。
[項目1]
金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間後に、低温処理を実行して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間に、低温処理により除去可能な接着剤を塗布する段階と、
前記接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレート、および前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と
を備える方法。
[項目2]
前記低温処理を実行して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階は、前記静電チャックを約200℃未満の温度に加熱する段階を有する項目1に記載の方法。
[項目3]
前記接着剤は、インジウムを含む項目1または2に記載の方法。
[項目4]
前記接着剤は、約200℃未満の温度に加熱することにより除去可能である項目1から3のいずれか1項に記載の方法。
[項目5]
前記金属製冷却プレートは、平面部分と、前記平面部分から延伸し、高さが約0.01インチである複数の突起とを有する項目1から4のいずれか1項に記載の方法。
[項目6]
前記接着剤を塗布する段階は、前記金属製冷却プレートの前記平面部分に、接着剤を前記複数の突起の高さまで塗布する段階を有する項目5に記載の方法。
[項目7]
前記接着部は、前記金属製冷却プレートの縁からはみ出さず、前記金属製冷却プレートの前記縁から引っ込んでいない項目1から6のいずれか1項に記載の方法。
[項目8]
開口部を有する金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを修理する方法であって、
使用期間後に、前記静電チャックを約200℃未満の温度に加熱して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
開口部を有する未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートの前記開口部が前記金属製冷却プレートの前記開口部と位置合わせされるように、前記第2のセラミック製プレートを前記金属製冷却プレートに位置合わせする段階と、
前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間にインジウム接着剤を塗布する段階と、
前記インジウム接着剤を固化して、前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間にインジウム接着部(indium bond)を形成する段階と
を備え、
前記インジウム接着部は、前記金属製冷却プレートからはみ出しておらず、前記第2のセラミック製プレートは、前記インジウム接着部よりも延伸している
方法。
[項目9]
前記インジウム接着剤を塗布する前に、前記金属製冷却プレートの前記開口部を被覆する段階をさらに備える項目8に記載の方法。
[項目10]
前記第2のセラミック製プレートは、接着剤接触面と接着剤非接触面とを有する項目または9に記載の方法。
[項目11]
前記金属製冷却プレートは、平面部分と、前記平面部分から延伸し、高さが約0.01インチである複数の突起とを有する項目8から10のいずれか1項に記載の方法。
[項目12]
前記静電チャックを加熱する前に、前記複数の突起に対して機械加工により適合されているアルミニウムリングを前記金属製冷却プレートから取り外し、前記インジウム接着部を形成した後、前記アルミニウムリングを前記金属製冷却プレートに再び取り付ける段階をさらに備える項目11に記載の方法。
[項目13]
接着剤を塗布する段階は、前記金属製冷却プレートの前記平面部分に、前記複数の突起の高さまで前記接着剤を塗布する段階を有する項目11に記載の方法。
[項目14]
前記第2のセラミック製プレートの前記接着剤接触面に環状のリングを被覆する段階をさらに備え、前記リングは、前記第2のセラミック製プレートの縁から少なくとも約0.1インチの距離延伸している項目10から13のいずれか1項に記載の方法。
[項目15]
金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間の後、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す処理を実行する段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間にエラストマー系接着剤を塗布する段階と、
前記エラストマー系接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレート、および前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と
を備える方法。
[項目16]
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間にエラストマー系接着剤を塗布する段階は、前記金属製冷却プレートに、約2から4ミルの高さまで接着剤を塗布する段階を有する項目15に記載の方法。
[項目17]
前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す処理を実行する段階は、前記第1のセラミック製プレートおよび前記金属製冷却プレートを少なくとも約250℃の温度まで加熱する段階を有する項目15または16に記載の方法。
[項目18]
前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す処理を実行する段階は、前記第1のセラミック製プレートおよび前記金属製冷却プレートを少なくとも約300℃の温度まで加熱する段階を有する項目15から17のいずれか1項に記載の方法。
Claims (22)
- 金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間後に、低温処理を実行して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間に、低温処理により除去可能な、インジウムを含む接着剤を塗布する段階と、
前記接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレート、および前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と
を備え、
前記金属製冷却プレートは平面部分から延伸する複数の突起を有し、
前記接着剤を塗布する段階は、前記金属製冷却プレートの前記平面部分に、前記接着剤を前記複数の突起の高さまで塗布し、
前記低温処理は、前記静電チャックを250℃以下の温度に加熱することを含む方法。 - 前記低温処理を実行して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階は、前記静電チャックを約200℃未満の温度に加熱する段階を有する請求項1に記載の方法。
- 前記突起は、高さが約0.01インチである請求項1または2に記載の方法。
- 金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間の後、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す処理を実行する段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間にエラストマー系接着剤を塗布する段階と、
前記エラストマー系接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレート、および前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と
を備え、
前記金属製冷却プレートは平面部分から延伸する複数の突起を有し、
前記エラストマー系接着剤を塗布する段階は、前記金属製冷却プレートの前記平面部分に、前記エラストマー系接着剤を前記複数の突起の高さまで塗布することを含む
方法。 - 前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間にエラストマー系接着剤を塗布する段階は、前記金属製冷却プレートに、約2から4ミルの高さまで接着剤を塗布する段階を有する請求項4に記載の方法。
- 前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す処理を実行する段階は、前記第1のセラミック製プレートおよび前記金属製冷却プレートを少なくとも約250℃の温度まで加熱する段階を有する請求項4または5に記載の方法。
- 前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す処理を実行する段階は、前記第1のセラミック製プレートおよび前記金属製冷却プレートを少なくとも約300℃の温度まで加熱する段階を有する請求項4から6のいずれか1項に記載の方法。
- 金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間後に前記静電チャックを約200℃未満の温度に加熱して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間に低温処理により取り外しできる接着剤を塗布する段階と、
前記接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレートおよび前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と
を備え、
前記金属製冷却プレートは平面部分から延伸する複数の突起を有し、
前記接着剤を塗布する段階は、前記金属製冷却プレートの前記平面部分に、前記接着剤を前記複数の突起の高さまで塗布することを含み、
前記低温処理は、前記静電チャックを250℃以下の温度に加熱することを含む方法。 - 前記接着部は、前記金属製冷却プレートの縁からはみ出さず、前記金属製冷却プレートの前記縁から引っ込んでいない請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 開口部を有する金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを修理する方法であって、
前記金属製冷却プレート上の複数の突起に対して機械加工により適合されているアルミニウムリングを前記金属製冷却プレートから取り外す段階と、
使用期間後に、前記静電チャックを約200℃未満の温度に加熱して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
開口部を有する未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートの前記開口部が前記金属製冷却プレートの前記開口部と位置合わせされるように、前記第2のセラミック製プレートを前記金属製冷却プレートに位置合わせする段階と、
前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間にインジウム接着剤を塗布する段階と、
前記インジウム接着剤を固化して、前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間にインジウム接着部(indium bond)を形成する段階と、
前記アルミニウムリングを前記金属製冷却プレートに再び取り付ける段階と
を備え、
前記インジウム接着部は、前記金属製冷却プレートからはみ出しておらず、前記第2のセラミック製プレートは、前記インジウム接着部よりも延伸しており、
前記金属製冷却プレートは平面部分から延伸する前記複数の突起を有し、
前記インジウム接着剤を塗布する段階は、前記金属製冷却プレートの前記平面部分に、前記インジウム接着剤を前記複数の突起の高さまで塗布することを含む
方法。 - 前記インジウム接着剤を塗布する前に、前記開口部を保護するために、前記金属製冷却プレートの前記開口部を被覆する段階と、
前記インジウム接着剤が固化した後に、前記被覆を除去する段階と
をさらに備える請求項10に記載の方法。 - 前記第2のセラミック製プレートは、接着剤接触面と接着剤非接触面とを有する請求項1から4、8から11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記金属製冷却プレートは、平面部分と、前記平面部分から延伸し、高さが約0.01インチである複数の突起とを有する請求項8、10から12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2のセラミック製プレートから前記接着剤がはみ出ないようにすべく、前記第2のセラミック製プレートの前記接着剤接触面に環状のリングを被覆する段階と、
前記接着剤が固化した後に、前記被覆されたリングを除去する段階と
をさらに備え、前記リングは、前記第2のセラミック製プレートの縁から少なくとも約0.1インチの距離延伸している請求項12に記載の方法。 - 開口部を有する金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間後に、低温処理を実行して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間に、低温処理により除去可能な、インジウムを含む接着剤を塗布する段階と、
前記接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレート、および前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と、
前記接着剤を塗布する前に、前記開口部を保護するために、前記金属製冷却プレートの前記開口部を被覆する段階と、
前記接着剤が固化した後に、前記被覆を除去する段階と
を備え、
前記低温処理は、前記静電チャックを250℃以下の温度に加熱することを含む方法。 - 開口部を有する金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間の後、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す処理を実行する段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間にエラストマー系接着剤を塗布する段階と、
前記エラストマー系接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレート、および前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と、
前記エラストマー系接着剤を塗布する前に、前記開口部を保護するために、前記金属製冷却プレートの前記開口部を被覆する段階と、
前記エラストマー系接着剤が固化した後に、前記被覆を除去する段階と
を備える方法。 - 開口部を有する金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間後に前記静電チャックを約200℃未満の温度に加熱して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間に低温処理により取り外しできる接着剤を塗布する段階と、
前記接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレートおよび前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と、
前記接着剤を塗布する前に、前記開口部を保護するために、前記金属製冷却プレートの前記開口部を被覆する段階と、
前記接着剤が固化した後に、前記被覆を除去する段階と
を備え、
前記低温処理は、前記静電チャックを250℃以下の温度に加熱することを含む方法。 - 開口部を有する金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを修理する方法であって、
前記金属製冷却プレート上の複数の突起に対して機械加工により適合されているアルミニウムリングを前記金属製冷却プレートから取り外す段階と、
使用期間後に、前記静電チャックを約200℃未満の温度に加熱して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
開口部を有する未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートの前記開口部が前記金属製冷却プレートの前記開口部と位置合わせされるように、前記第2のセラミック製プレートを前記金属製冷却プレートに位置合わせする段階と、
前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間にインジウム接着剤を塗布する段階と、
前記インジウム接着剤を固化して、前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間にインジウム接着部(indium bond)を形成する段階と、
前記アルミニウムリングを前記金属製冷却プレートに再び取り付ける段階と、
前記インジウム接着剤を塗布する前に、前記開口部を保護するために、前記金属製冷却プレートの前記開口部を被覆する段階と、
前記インジウム接着剤が固化した後に、前記被覆を除去する段階と
を備え、
前記インジウム接着部は、前記金属製冷却プレートからはみ出しておらず、前記第2のセラミック製プレートは、前記インジウム接着部よりも延伸している
方法。 - 金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間後に、低温処理を実行して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間に、低温処理により除去可能な、インジウムを含む接着剤を塗布する段階と、
前記接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレート、および前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と、
前記第2のセラミック製プレートから前記接着剤がはみ出ないようにすべく、前記第2のセラミック製プレートの接着剤接触面に環状のリングを被覆する段階と、
前記接着剤が固化した後に、前記被覆されたリングを除去する段階と
を備え、
前記リングは、前記第2のセラミック製プレートの縁から少なくとも約0.1インチの距離延伸しており、
前記低温処理は、前記静電チャックを250℃以下の温度に加熱することを含む方法。 - 金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間の後、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す処理を実行する段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間にエラストマー系接着剤を塗布する段階と、
前記エラストマー系接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレート、および前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と、
前記第2のセラミック製プレートから前記エラストマー系接着剤がはみ出ないようにすべく、前記第2のセラミック製プレートの接着剤接触面に環状のリングを被覆する段階と、
前記エラストマー系接着剤が固化した後に、前記被覆されたリングを除去する段階と
を備え、
前記リングは、前記第2のセラミック製プレートの縁から少なくとも約0.1インチの距離延伸している
方法。 - 金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを長寿命化する方法であって、
使用期間後に前記静電チャックを約200℃未満の温度に加熱して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートと前記金属製冷却プレートとの間に低温処理により取り外しできる接着剤を塗布する段階と、
前記接着剤を固化して、前記金属製冷却プレート、前記第2のセラミック製プレートおよび前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間の接着部(bond)を有する静電チャックを形成する段階と、
前記第2のセラミック製プレートから前記接着剤がはみ出ないようにすべく、前記第2のセラミック製プレートの接着剤接触面に環状のリングを被覆する段階と、
前記接着剤が固化した後に、前記被覆されたリングを除去する段階と
を備え、
前記リングは、前記第2のセラミック製プレートの縁から少なくとも約0.1インチの距離延伸しており、
前記低温処理は、前記静電チャックを250℃以下の温度に加熱することを含む方法。 - 開口部を有する金属製冷却プレート、および当該金属製冷却プレートに取り付けられた第1のセラミック製プレートを備えた静電チャックを修理する方法であって、
前記金属製冷却プレート上の複数の突起に対して機械加工により適合されているアルミニウムリングを前記金属製冷却プレートから取り外す段階と、
使用期間後に、前記静電チャックを約200℃未満の温度に加熱して、前記金属製冷却プレートから前記第1のセラミック製プレートを取り外す段階と、
開口部を有する未使用の第2のセラミック製プレートを提供する段階と、
前記第2のセラミック製プレートの前記開口部が前記金属製冷却プレートの前記開口部と位置合わせされるように、前記第2のセラミック製プレートを前記金属製冷却プレートに位置合わせする段階と、
前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間にインジウム接着剤を塗布する段階と、
前記インジウム接着剤を固化して、前記金属製冷却プレートと前記第2のセラミック製プレートとの間にインジウム接着部(indium bond)を形成する段階と、
前記アルミニウムリングを前記金属製冷却プレートに再び取り付ける段階と、
前記第2のセラミック製プレートから前記インジウム接着剤がはみ出ないようにすべく、前記第2のセラミック製プレートの接着剤接触面に環状のリングを被覆する段階と、
前記インジウム接着剤が固化した後に、前記被覆されたリングを除去する段階と
を備え、
前記リングは、前記第2のセラミック製プレートの縁から少なくとも約0.1インチの距離延伸しており、
前記インジウム接着部は、前記金属製冷却プレートからはみ出しておらず、前記第2のセラミック製プレートは、前記インジウム接着部よりも延伸している
方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/648,638 US8597448B2 (en) | 2009-12-29 | 2009-12-29 | Electrostatic chucks and methods for refurbishing same |
US12/648,638 | 2009-12-29 | ||
PCT/US2010/061348 WO2011090650A2 (en) | 2009-12-29 | 2010-12-20 | Electrostatic chucks and methods for refurbishing same |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013516084A JP2013516084A (ja) | 2013-05-09 |
JP2013516084A5 JP2013516084A5 (ja) | 2014-02-13 |
JP5769264B2 true JP5769264B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=44186004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012547130A Active JP5769264B2 (ja) | 2009-12-29 | 2010-12-20 | 静電チャックおよびその修理方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8597448B2 (ja) |
JP (1) | JP5769264B2 (ja) |
KR (1) | KR101821425B1 (ja) |
CN (1) | CN102696101B (ja) |
SG (2) | SG181503A1 (ja) |
TW (1) | TWI488257B (ja) |
WO (1) | WO2011090650A2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8597448B2 (en) | 2009-12-29 | 2013-12-03 | Novellus Systems, Inc. | Electrostatic chucks and methods for refurbishing same |
US9054148B2 (en) * | 2011-08-26 | 2015-06-09 | Lam Research Corporation | Method for performing hot water seal on electrostatic chuck |
US9685356B2 (en) * | 2012-12-11 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having metal bonded protective layer |
US9999947B2 (en) * | 2015-05-01 | 2018-06-19 | Component Re-Engineering Company, Inc. | Method for repairing heaters and chucks used in semiconductor processing |
KR20170016547A (ko) | 2015-08-03 | 2017-02-14 | 삼성전자주식회사 | 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치 |
US10020218B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
US10147610B1 (en) | 2017-05-30 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | Substrate pedestal module including metallized ceramic tubes for RF and gas delivery |
KR102071674B1 (ko) * | 2017-07-19 | 2020-01-30 | 주식회사 임나노텍 | 레이저 용접을 이용한 반도체 스퍼터링 정전척의 리사이클링 시스템 |
US11488852B2 (en) | 2019-05-31 | 2022-11-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for reducing high voltage arcing in semiconductor process chambers |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3513891A (en) * | 1967-06-16 | 1970-05-26 | Production Machines Inc | Chuck for veneer lathe inner spindle |
US5581874A (en) * | 1994-03-28 | 1996-12-10 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a bonding portion |
JP3485390B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2004-01-13 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
JP4311600B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2009-08-12 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック用接合構造体及びその製造方法 |
JP4003932B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2007-11-07 | 日本碍子株式会社 | セラミックス−金属接合体 |
JP4451098B2 (ja) | 2002-08-22 | 2010-04-14 | 住友大阪セメント株式会社 | サセプタ装置 |
JP4402949B2 (ja) | 2003-12-26 | 2010-01-20 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 双極型静電チャックの再生方法 |
US7697260B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck |
US7208325B2 (en) * | 2005-01-18 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Refreshing wafers having low-k dielectric materials |
JP4425850B2 (ja) * | 2005-11-07 | 2010-03-03 | 日本碍子株式会社 | 基板載置部材の分離方法及び再利用方法 |
US7589950B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck having sealing assembly |
US8124429B2 (en) * | 2006-12-15 | 2012-02-28 | Richard Norman | Reprogrammable circuit board with alignment-insensitive support for multiple component contact types |
US9202736B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-12-01 | Applied Materials, Inc. | Method for refurbishing an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing |
US7558045B1 (en) * | 2008-03-20 | 2009-07-07 | Novellus Systems, Inc. | Electrostatic chuck assembly with capacitive sense feature, and related operating method |
JP2011100889A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 静電チャック、静電チャック製造方法、および静電チャック再生方法 |
US8597448B2 (en) | 2009-12-29 | 2013-12-03 | Novellus Systems, Inc. | Electrostatic chucks and methods for refurbishing same |
-
2009
- 2009-12-29 US US12/648,638 patent/US8597448B2/en active Active
-
2010
- 2010-12-20 CN CN201080059991.0A patent/CN102696101B/zh active Active
- 2010-12-20 WO PCT/US2010/061348 patent/WO2011090650A2/en active Application Filing
- 2010-12-20 SG SG2012040978A patent/SG181503A1/en unknown
- 2010-12-20 JP JP2012547130A patent/JP5769264B2/ja active Active
- 2010-12-20 SG SG10201408733PA patent/SG10201408733PA/en unknown
- 2010-12-20 KR KR1020127015127A patent/KR101821425B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-28 TW TW099146410A patent/TWI488257B/zh active
-
2013
- 2013-10-29 US US14/066,369 patent/US8968503B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI488257B (zh) | 2015-06-11 |
KR20120120165A (ko) | 2012-11-01 |
CN102696101A (zh) | 2012-09-26 |
US20110155299A1 (en) | 2011-06-30 |
JP2013516084A (ja) | 2013-05-09 |
SG181503A1 (en) | 2012-07-30 |
KR101821425B1 (ko) | 2018-01-23 |
US8968503B2 (en) | 2015-03-03 |
US20140124123A1 (en) | 2014-05-08 |
SG10201408733PA (en) | 2015-02-27 |
WO2011090650A3 (en) | 2011-11-10 |
TW201138017A (en) | 2011-11-01 |
WO2011090650A2 (en) | 2011-07-28 |
CN102696101B (zh) | 2016-04-06 |
US8597448B2 (en) | 2013-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5769264B2 (ja) | 静電チャックおよびその修理方法 | |
JP6389181B2 (ja) | 基板を結合する方法 | |
US8454758B2 (en) | Electrostatic chuck cleaning method | |
JP5490119B2 (ja) | プラズマ処理装置のための複合シャワーヘッド電極アセンブリ | |
TWI591754B (zh) | 由靜電夾頭移除受損的環氧樹脂之方法 | |
JP2003060019A (ja) | ウエハステージ | |
CN107735386A (zh) | 用于修复在半导体加工中使用的设备件的方法 | |
JP3186008B2 (ja) | ウエハ保持装置 | |
KR102016376B1 (ko) | 반도체 식각장비의 리퍼비시 테스트용 더미 싱글 링 | |
KR20140124948A (ko) | 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척 | |
KR101758344B1 (ko) | 정전 척 및 리페어 방법 | |
US20050221729A1 (en) | Method of repairing a pedestal surface | |
JP2004111490A (ja) | チャック台および電子デバイスの製造方法 | |
TWI768660B (zh) | 用於靜電吸盤受損的復原方法 | |
Ooi et al. | UPC Fault Reduction via CPEC Backside Surface Roughness Control | |
JPH02258974A (ja) | スパッタリング装置のターゲット及び陰極部 | |
KR100584118B1 (ko) | 반도체 제조설비의 정전척 및 그 제조방법 | |
Ames | Increased Etch Chamber Productivity through the Reduction of Unscheduled Wet Cleans |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131220 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150526 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5769264 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |