JP5767359B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/3105—After-treatment
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Description
造に関するが、それに限られない。
は、半導体プロセス技術を利用して半導体ウェハ上に製造することができる。一般に、太
陽電池は、シリコン基板内にP型及びN型拡散領域を形成することによって製造すること
ができる。太陽電池に太陽照射光が当てられると、電子及び正孔が拡散領域に移動し、そ
れにより、拡散領域間の電圧差が生成する。背面接合型太陽電池(backside junction so
lar cell)では、拡散領域及びそれに結合する金属コンタクトフィンガー(接触部、cont
act fingers)の両方が、太陽電池の背面にある。コンタクトフィンガーによって、外部
電気回路が太陽電池に結合され且つ太陽電池によって給電される。
続形成を含むバックエンドプロセスで用いるためのインクジェット印刷ステップが開発さ
れている。より具体的には、それを通して金属コンタクトフィンガーを拡散領域に電気的
に接続することができるコンタクトホールを画定するコンタクトマスクを、インクジェッ
ト印刷によって形成することができる。しかし、このコンタクトマスクは、典型的には、
太陽電池ウェハの他の特徴的構造との臨界的な整合(厳密な整合、critical alignment)
を必要とする。このような整合は、バックエンドプロセスにおける他のステップのプロセ
スパラメータを制限してしまう。
刷によって形成されたドットを含んでいてよい。このドットは、誘電層(例えばポリイミ
ド)間にある開口内に形成することができる。重ねられたドットの交差部によって(ドッ
トの重ね合わせによって)、コンタクト領域を画定するギャップを形成することができる
。ギャップの間隔は、ドットを供給するノズルの整列によって決定することができる。ド
ットをコンタクトマスクとして使用して、下層の誘電層をエッチングし、その下層の誘電
層を貫通するコンタクト領域を形成することができる。金属コンタクトフィンガーをウェ
ハ上に形成することができ、これにより、対応する拡散領域へのコンタクト領域を通して
の電気的な接続が形成される。
を読むことによって当業者に明らかとなろう。
。
造及び方法の例を示している。しかし、1つ以上の特定の詳細がなくても本発明が実施可
能であるということは当業者により認識されるであろう。他の例では、本発明の局面が不
明確になることを回避するために、周知の詳細は図示しないか又は説明していない。
的に示す。図1の例では、インクジェットプリンタは、プリントヘッド110及び複数の
ノズル112を含む。ノズル112は、行と列の形態で配置され、アレイを形成していて
よい。半導体プロセスにおけるインクジェットプリンタの使用は、一般によく知られてい
る。簡単に説明すると、材料をノズル112を通してウェハ114へと流出させる。ウェ
ハ114上でプリントヘッド110を1回以上通過(パス)させることによって、ウェハ
114上に印刷されたパターンが得られる。以下の態様では、このパターンは、太陽電池
において金属コンタクト領域を形成するためのマスクとすることができる。
する1つの手法を概略的に示す。図2の例では、コンタクトマスク200は、アパーチャ
210を画定する複数のドット201を有する。例示を簡単にするために、図2では、ド
ット201の全てには参照符号を付与していない。アパーチャ210は、それを貫通して
金属コンタクトが形成される領域を画定するものであり、ドット201がないことによっ
て形成される。つまり、アパーチャ210は、アパーチャ210のエリアにドットが設け
られないようにドット201を印刷することによって形成される。比較的高いドットパー
インチ(DPI)を有し、ドット直径が約100μm、連続するドット201の中心間の
距離202が約31.75μmとなるインクジェットプリンタを使用することによって、
アパーチャ210は、約30μmの直径を有するコンタクト領域を画定することができる
。このマスク200は、大抵の太陽電池の応用で満足いくものであるが、アパーチャ21
0の、ウェハ114の他の特徴的構造に対する整列を制限するウィンドウを加工すること
は比較的難しい。このことは、アパーチャ210がより小さく形成されている場合に特に
当てはまる。
図示する断面図を示す。図3のプロセスは、太陽電池金属コンタクトフィンガーを形成す
るためのコンタクトマスクの形成に関する。説明を簡単にするために、本発明を理解する
上で必要のないプロセスの詳細は省略した。
2の形態の基板を有している。拡散領域303及び302は、ウェハ301又はその上に
重ねられた層に形成することができる。図3の例では、拡散領域303はP型拡散領域を
含み、拡散領域302はN型拡散領域を含む。本発明の態様による任意の所与の太陽電池
ウェハには、いくつかの拡散領域303及び302がある。図3Aの太陽電池は、拡散領
域303及び302が、前面304とは反対の側の背面にある背面接合型太陽電池である
。前面304は、通常の運転時には太陽の方を向く。
圧化学蒸着(APCVD)によって約1000〜6000Åの厚みに形成された二酸化シ
リコンを含む。層304は、拡散領域と、その上に重ねられた導電層、例えば続いて形成
される金属コンタクトフィンガーとの間の電気的絶縁をもたらす。
性の金属コンタクトフィンガーが別の極性の拡散領域に対して電気的に短絡することが防
止される。図3の例では、層305は、N型拡散領域302(つまりN型金属コンタクト
フィンガー)に電気的に接続されている金属コンタクトフィンガーがP型拡散領域303
に対して電気的に短絡することを防止する。一態様では、誘電層305は、5ミクロンの
厚みにスクリーン印刷されたポリイミドを含む。誘電層305は、他の堆積技術を使用し
て形成することもできる。
。費用の低減は、太陽電池用途では特に重要である。一態様では、層305間の開口は約
200μmである。
。認識されるように、ドット306という名称は、ノズルを通る吐出材料によって形成さ
れていることを示すために付けられている。つまり、ドット306は必ずしも円形でなく
てよい。ドット306は、ギャップ321がドット306間に形成されるように、ウェハ
301上にインクジェット印刷することができる。以下の説明でより明確となるが、ギャ
ップ321はコンタクト領域を画定し、このコンタクト領域を通して、金属コンタクトフ
ィンガーを、対応する拡散領域に電気的に接続することができる。ドット306は、ウェ
ハ301上でのプリントヘッドの1回のパスで形成することができ、それにより、層30
5間の開口に形成されたギャップ321が得られる。図4のコンタクトマスク400を形
成するドット306は、ホットメルト樹脂を含んでいてよい。
図示する上面図を示す。図4の例では、コンタクトマスク400は、ギャップ321が形
成されるようにインクジェット印刷された複数の重ねられたドット306を含む。ギャッ
プ321は、ドット306が印刷されていないエリアである。図4に示すように、各ギャ
ップ321は、複数の(例えば4つの)重ねられたドット306の交差部によって形成さ
れていてよい。有利には、ギャップ321のサイズ及び位置は、ドット306を供給する
ノズルの物理的な整列によって規定し、決定することができる。例えば、ドット306の
中心間の寸法401は、インクジェットノズルのピッチによって規定することができる。
したがって、ギャップ間の間隔も、ドットを供給するノズルの物理的な整列によって決定
される。
。ドット306間の間隔の精度が、ノズルの物理的な整列によって決定されるので、比較
的低いDPIのインクジェットプリンタを、複数のギャップ321を画定するために使用
することができる。例えば、+/−5μmで約100μmのドット直径である場合、ドッ
トの中心間の距離401は75μmの長さを有し、各ギャップ321は約6μmの直径を
有し得る。好ましくは、各ギャップのサイズは、ギャップが層305中のピンホールと整
列する範囲、ひいては確率ができるだけ小さくなるように形成される。同様の理由で、ギ
ャップ321は、好ましくは、層305間の開口内にのみ形成されている。
るという意味で、「整合不要(alignment free)」でもある。その理由は、ギャップ32
1が層305間の特定の位置で形成される必要がないからであり、つまり、ギャップ32
1が層305間に形成されてさえいればよい。また、コンタクトマスク400を印刷する
ために、インクジェットプリンタは、図2のコンタクトマスク200のように複雑なパタ
ーンを作る必要はなく、ウェハ301上を単に通過させるだけでよい。コンタクトマスク
400は、比較的真っ直ぐな経路に沿って1回又は複数回のパスで印刷することができる
。一態様では、コンタクトマスク400は、一方向で1回のパスでインクジェット印刷さ
れる。
11を形成するために、コンタクトマスク400が利用される。一態様では、コンタクト
領域311は、エッチングマスクとしてコンタクトマスク400を使用し且つ層305を
あまり顕著にエッチングをしないエッチャントによって層304をエッチングすることに
よって形成される。例えば、二酸化シリコンを含む層304及びポリイミドを含む層30
5の場合は、コンタクト領域311は、エッチャントとしてフッ化水素酸を使用する緩衝
酸化物エッチング(BOE)プロセスで、層304の露出した部分(つまりギャップ32
1の直下の部分)を湿式エッチングすることによって形成することができる。層305は
、そのようなエッチングプロセスにおいて、エッチ停止層として働く。図3Cに、BOE
プロセス及びそれに続くコンタクトマスク400の除去後の図3Bのサンプルを示す。ホ
ットメルト樹脂を含むコンタクトマスク400は、水酸化カリウム(KOH)を使用する
マスクストリッププロセスで除去することができる。
数のコンタクト領域311が得られた。コンタクト領域311は、コンタクト領域311
を画定するのに使用される対応ギャップ321のサイズが小さいため、比較的小さい。よ
って、対応する拡散領域との電気的な接続を金属コンタクトフィンガーが貫通して形成す
ることができる複数の比較的小さいコンタクト領域311が得られる。コンタクト領域3
11のサイズが比較的小さい(例えば、同じサイズのギャップ321に対し6μm)こと
によって、比較的小さな金属コンタクトフィンガーの利用が可能となり、そしてそれによ
り、有利には、より高い効率が得られる。
貫通して形成されている。一態様では、金属コンタクトフィンガー312及び313は材
料の積層体を含む。その材料は、1000オングストロームの厚みのアルミニウム層を含
み、そのアルミニウム層は500オングストロームのチタン−タングステン層上に形成さ
れていて、そのチタン−タングステン層は300ミクロンの厚みの銅層上に形成され、そ
の銅層は6ミクロンの厚みのスズ層上に形成されている。本発明の利点を損なうことがな
ければ、別の金属及び金属構造も使用することができる。本発明の態様による任意の所与
の太陽電池ウェハでは、いくつかの金属コンタクトフィンガー312及び313が設けら
れている。図3Dの例では、金属コンタクトフィンガー312は、コンタクト領域311
を通ってP型拡散領域303に電気的に接続されており、P型の金属コンタクトフィンガ
ーである。同様に、金属コンタクトフィンガー313は、コンタクト領域311を通って
N型拡散領域302に電気的に接続されており、N型金属コンタクトフィンガーである。
外部電気回路を金属コンタクトフィンガーに接続させ、これにより、太陽電池から電力を
受け取ることができる。
ができる。ウェハ上での2つ以上のパスを実施し、例えば特定のギャップ321を覆うこ
ともできる。図5の例では、プリントヘッドの第1のパスが、図4に示すようにコンタク
トマスク400を形成し、プリントヘッドの第2のパスが、ギャップ321が(ドット3
06Aの下で)覆われるようにドット306Aを形成する。
様を示したが、これらの態様が例示を目的としており、限定のためのものでないことを理
解されたい。本開示を読むことで、多数の追加的な態様が当業者に明らかとなろう。
Claims (9)
- 太陽電池へと加工されるウェハ上に第1の誘電層を形成し、
前記第1の誘電層上に複数の第2の誘電層を形成し、
前記複数の第2の誘電層間の少なくとも複数の開口に、複数のドットをインクジェット印刷し、前記複数のドットの交差部によって形成された複数のギャップをプリントヘッドによる1方向の1回のパスで形成し、該ギャップのサイズが、少なくとも(i)前記複数のドットを供給する複数のインクジェットプリンタノズルの整列と、(ii)前記複数のドットのサイズと、(iii)いずれのノズルを使用したか、によって決定され、
前記複数のドットをマスクとして使用して、前記第1の誘電層を貫通する複数のコンタクト領域を形成する、太陽電池の製造方法。 - 前記複数の第2の誘電層が、前記ウェハ上にスクリーン印刷されたポリイミドを含む、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記ウェハから前記複数のドットを除去し、
前記第1の誘電層の上に複数の金属コンタクトフィンガーを形成し、前記複数のコンタクト領域を通して、前記第1の誘電層の下に設けられている複数の拡散領域との複数の電気的な接続を形成すること、をさらに含む、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記複数の金属コンタクトフィンガーの少なくともいくつかが、前記複数のコンタクト領域の少なくともいくつかを通って、対応する複数のN型拡散領域との複数の電気的な接続を生成するために形成された複数のN型金属コンタクトフィンガーと、前記複数のコンタクト領域の少なくともいくつかを通って、対応する複数のP型拡散領域との複数の電気的な接続を生成するために形成された複数のP型金属コンタクトフィンガーとを含み、
前記複数のP型拡散領域及び前記複数のN型拡散領域が、前記ウェハの、通常の運転時に太陽の方を向くウェハの前面とは反対側の背面に形成されている、請求項3に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記複数の第2の誘電層上に、前記複数のN型金属コンタクトフィンガーが形成され、前記複数のP型金属コンタクトフィンガーが形成されていない、請求項4に記載の太陽電池の製造方法。
- 少なくとも別のパスで、前記ウェハ上でプリントヘッドを通過させ、前記複数のギャップのうち1つのギャップを覆う別のドットを印刷することをさらに含む、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 互いに隣接する複数の拡散領域を有する太陽電池ウェハ上に第1の誘電層を形成し、
前記第1の誘電層上であって、一対の隣接する前記複数の拡散領域の境界の上に複数の第2の誘電層を形成し、
前記複数の第2の誘電層のうち少なくとも2つの誘電層の間の開口に、複数のドットを印刷し、前記複数のドットが、複数のギャップを形成するコンタクトマスクを形成し、前記複数のギャップのそれぞれが、プリントヘッドによる1方向の1回のパスで前記複数のドットにおいて重ねられた複数のドットの交差部によって画定され、
前記第1の誘電層の、前記複数のギャップを通って露出している複数の部分をエッチングし、複数のコンタクト領域を形成して、前記太陽電池の前記複数の拡散領域を露出させることを含む、太陽電池の製造方法。 - 前記複数のドットを前記ウェハから除去し、
前記複数のコンタクト領域内に複数の金属コンタクトフィンガーを形成し、複数の拡散領域のうち対応するものに電気的に接続することをさらに含む、請求項7に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記第1の誘電層が二酸化シリコンを含む、請求項7に記載の太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/807,567 US7838062B2 (en) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | Array of small contacts for solar cell fabrication |
US11/807,567 | 2007-05-29 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010510284A Division JP5791896B2 (ja) | 2007-05-29 | 2008-05-12 | 太陽電池製造のための小さなコンタクトのアレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014168076A JP2014168076A (ja) | 2014-09-11 |
JP5767359B2 true JP5767359B2 (ja) | 2015-08-19 |
Family
ID=40088567
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010510284A Expired - Fee Related JP5791896B2 (ja) | 2007-05-29 | 2008-05-12 | 太陽電池製造のための小さなコンタクトのアレイ |
JP2014080282A Expired - Fee Related JP5767359B2 (ja) | 2007-05-29 | 2014-04-09 | 太陽電池の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010510284A Expired - Fee Related JP5791896B2 (ja) | 2007-05-29 | 2008-05-12 | 太陽電池製造のための小さなコンタクトのアレイ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7838062B2 (ja) |
EP (1) | EP2153466B1 (ja) |
JP (2) | JP5791896B2 (ja) |
KR (1) | KR101384498B1 (ja) |
CN (1) | CN101681902B (ja) |
AU (1) | AU2008260627B2 (ja) |
WO (1) | WO2008150344A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2654089A3 (en) * | 2007-02-16 | 2015-08-12 | Nanogram Corporation | Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes |
US7838062B2 (en) * | 2007-05-29 | 2010-11-23 | Sunpower Corporation | Array of small contacts for solar cell fabrication |
US20100294349A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Uma Srinivasan | Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes |
US8211731B2 (en) | 2010-06-07 | 2012-07-03 | Sunpower Corporation | Ablation of film stacks in solar cell fabrication processes |
US8263899B2 (en) | 2010-07-01 | 2012-09-11 | Sunpower Corporation | High throughput solar cell ablation system |
US8912083B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-12-16 | Nanogram Corporation | Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes |
US8586403B2 (en) * | 2011-02-15 | 2013-11-19 | Sunpower Corporation | Process and structures for fabrication of solar cells with laser ablation steps to form contact holes |
US8692111B2 (en) | 2011-08-23 | 2014-04-08 | Sunpower Corporation | High throughput laser ablation processes and structures for forming contact holes in solar cells |
US8822262B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-09-02 | Sunpower Corporation | Fabricating solar cells with silicon nanoparticles |
US8513045B1 (en) | 2012-01-31 | 2013-08-20 | Sunpower Corporation | Laser system with multiple laser pulses for fabrication of solar cells |
FR2995451B1 (fr) * | 2012-09-11 | 2014-10-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de metallisation d'une cellule photovoltaique et cellule photovoltaique ainsi obtenue |
US9577134B2 (en) * | 2013-12-09 | 2017-02-21 | Sunpower Corporation | Solar cell emitter region fabrication using self-aligned implant and cap |
US9337369B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-05-10 | Sunpower Corporation | Solar cells with tunnel dielectrics |
US9911874B2 (en) * | 2014-05-30 | 2018-03-06 | Sunpower Corporation | Alignment free solar cell metallization |
US9559219B1 (en) * | 2014-06-23 | 2017-01-31 | Sandia Corporation | Fast process flow, on-wafer interconnection and singulation for MEPV |
US10840394B2 (en) | 2015-09-25 | 2020-11-17 | Total Marketing Services | Conductive strip based mask for metallization of semiconductor devices |
USD822890S1 (en) | 2016-09-07 | 2018-07-10 | Felxtronics Ap, Llc | Lighting apparatus |
US10775030B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-09-15 | Flex Ltd. | Light fixture device including rotatable light modules |
USD833061S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-11-06 | Flex Ltd. | Lighting module locking endcap |
USD846793S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-23 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD877964S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-03-10 | Flex Ltd. | Lighting module |
USD832494S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module heatsink |
USD862777S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-10-08 | Flex Ltd. | Lighting module wide distribution lens |
USD872319S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-01-07 | Flex Ltd. | Lighting module LED light board |
USD832495S1 (en) | 2017-08-18 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD862778S1 (en) | 2017-08-22 | 2019-10-08 | Flex Ltd | Lighting module lens |
USD888323S1 (en) | 2017-09-07 | 2020-06-23 | Flex Ltd | Lighting module wire guard |
JP6875252B2 (ja) | 2017-10-26 | 2021-05-19 | 信越化学工業株式会社 | ポリイミドペーストの乾燥方法及び高光電変換効率太陽電池の製造方法 |
DE102021106232A1 (de) * | 2021-03-15 | 2022-09-15 | Airbus Operations Gmbh | Lackierverfahren mit gedruckter Maske sowie Druckvorrichtung |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4234352A (en) | 1978-07-26 | 1980-11-18 | Electric Power Research Institute, Inc. | Thermophotovoltaic converter and cell for use therein |
YU121680A (en) | 1979-05-08 | 1983-04-30 | Saint Gobain Vitrage | Method of manufacturing solar photocell panels |
US4429657A (en) * | 1979-12-13 | 1984-02-07 | Additive Technology Corporation | Method, materials and apparatus for manufacturing printed circuits |
US4387116A (en) | 1981-12-28 | 1983-06-07 | Exxon Research And Engineering Co. | Conditioner for adherence of nickel to a tin oxide surface |
US4478879A (en) | 1983-02-10 | 1984-10-23 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Screen printed interdigitated back contact solar cell |
US4838952A (en) | 1988-04-29 | 1989-06-13 | Spectrolab, Inc. | Controlled reflectance solar cell |
US4927770A (en) | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia | Method of fabricating back surface point contact solar cells |
US5217539A (en) | 1991-09-05 | 1993-06-08 | The Boeing Company | III-V solar cells and doping processes |
US5053083A (en) | 1989-05-08 | 1991-10-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Bilevel contact solar cells |
US5164019A (en) | 1991-07-31 | 1992-11-17 | Sunpower Corporation | Monolithic series-connected solar cells having improved cell isolation and method of making same |
US5185042A (en) | 1991-08-01 | 1993-02-09 | Trw Inc. | Generic solar cell array using a printed circuit substrate |
US5369291A (en) | 1993-03-29 | 1994-11-29 | Sunpower Corporation | Voltage controlled thyristor |
US5360990A (en) | 1993-03-29 | 1994-11-01 | Sunpower Corporation | P/N junction device having porous emitter |
US5468652A (en) | 1993-07-14 | 1995-11-21 | Sandia Corporation | Method of making a back contacted solar cell |
EP0645444A3 (en) * | 1993-09-27 | 1995-05-24 | Texaco Development Corp | Lubricant with overbased detergents made from linear alkyl aromatics. |
EP0840381A3 (en) | 1996-10-31 | 1999-08-04 | Sony Corporation | Thin-film semiconductor device and its manufacturing method and apparatus and thin-film semiconductor solar cell module and its manufacturing method |
JP3639703B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2005-04-20 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録装置およびインクジェット記録方法 |
US5972732A (en) | 1997-12-19 | 1999-10-26 | Sandia Corporation | Method of monolithic module assembly |
US6278054B1 (en) | 1998-05-28 | 2001-08-21 | Tecstar Power Systems, Inc. | Solar cell having an integral monolithically grown bypass diode |
US6274402B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-08-14 | Sunpower Corporation | Method of fabricating a silicon solar cell |
US6387726B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-05-14 | Sunpower Corporation | Method of fabricating a silicon solar cell |
US6337283B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-01-08 | Sunpower Corporation | Method of fabricating a silicon solar cell |
US6423568B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-07-23 | Sunpower Corporation | Method of fabricating a silicon solar cell |
US6313395B1 (en) | 2000-04-24 | 2001-11-06 | Sunpower Corporation | Interconnect structure for solar cells and method of making same |
JP3968554B2 (ja) * | 2000-05-01 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US6333457B1 (en) | 2000-08-29 | 2001-12-25 | Sunpower Corporation | Edge passivated silicon solar/photo cell and method of manufacture |
GB2367788A (en) | 2000-10-16 | 2002-04-17 | Seiko Epson Corp | Etching using an ink jet print head |
JP4137415B2 (ja) | 2000-11-21 | 2008-08-20 | シャープ株式会社 | 太陽電池セルの交換方法 |
DE10139441C1 (de) | 2001-08-10 | 2002-10-10 | Astrium Gmbh | Verfahren zur Reparatur eines Solar-Panels |
JP2003298078A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Ebara Corp | 光起電力素子 |
US6872321B2 (en) * | 2002-09-25 | 2005-03-29 | Lsi Logic Corporation | Direct positive image photo-resist transfer of substrate design |
JP2004134499A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法およびその製造装置 |
JP2004209887A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Seiko Epson Corp | 液体吐出装置、液体吐出方法、プログラム及びコンピュータシステム |
WO2004070823A1 (ja) | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の作製方法 |
US7388147B2 (en) | 2003-04-10 | 2008-06-17 | Sunpower Corporation | Metal contact structure for solar cell and method of manufacture |
JP4344270B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6998288B1 (en) | 2003-10-03 | 2006-02-14 | Sunpower Corporation | Use of doped silicon dioxide in the fabrication of solar cells |
JP2006073617A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Sharp Corp | 太陽電池およびその製造方法 |
JP4605361B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-01-05 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 箔及びその製造方法 |
JP2006156542A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | インクジェット方式を使用したレジストパターンの形成方法、弾性表面波素子片の製造方法および弾性表面波デバイス |
JP5000119B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2012-08-15 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 色素増感型太陽電池素子 |
US7554031B2 (en) * | 2005-03-03 | 2009-06-30 | Sunpower Corporation | Preventing harmful polarization of solar cells |
JP4656996B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2011-03-23 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
JP2007125855A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Sony Corp | 画像形成方法 |
US20070295399A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-12-27 | Bp Corporation North America Inc. | Back-Contact Photovoltaic Cells |
US7838062B2 (en) * | 2007-05-29 | 2010-11-23 | Sunpower Corporation | Array of small contacts for solar cell fabrication |
US8274402B1 (en) | 2008-01-24 | 2012-09-25 | LDARtools, Inc. | Data collection process for optical leak detection |
-
2007
- 2007-05-29 US US11/807,567 patent/US7838062B2/en active Active
-
2008
- 2008-05-12 CN CN2008800161241A patent/CN101681902B/zh active Active
- 2008-05-12 JP JP2010510284A patent/JP5791896B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-12 KR KR1020097024837A patent/KR101384498B1/ko active IP Right Grant
- 2008-05-12 EP EP08754346.8A patent/EP2153466B1/en not_active Not-in-force
- 2008-05-12 AU AU2008260627A patent/AU2008260627B2/en active Active
- 2008-05-12 WO PCT/US2008/006017 patent/WO2008150344A1/en active Application Filing
-
2010
- 2010-11-18 US US12/949,523 patent/US8883247B2/en active Active
-
2014
- 2014-04-09 JP JP2014080282A patent/JP5767359B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101681902A (zh) | 2010-03-24 |
EP2153466B1 (en) | 2015-10-21 |
JP2014168076A (ja) | 2014-09-11 |
KR20100017457A (ko) | 2010-02-16 |
AU2008260627A1 (en) | 2008-12-11 |
JP5791896B2 (ja) | 2015-10-07 |
WO2008150344A1 (en) | 2008-12-11 |
US20080299297A1 (en) | 2008-12-04 |
EP2153466A4 (en) | 2014-04-09 |
AU2008260627B2 (en) | 2013-08-15 |
EP2153466A1 (en) | 2010-02-17 |
US7838062B2 (en) | 2010-11-23 |
JP2010528487A (ja) | 2010-08-19 |
KR101384498B1 (ko) | 2014-04-14 |
US20110061731A1 (en) | 2011-03-17 |
US8883247B2 (en) | 2014-11-11 |
CN101681902B (zh) | 2012-07-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20141216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150519 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5767359 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |