JP5763561B2 - 酸化物粉末およびスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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上記粉砕粉末は、酸素の体積比率が25%以上の気体中で、800℃以上1100℃以下の温度範囲で加熱される。
上記粉砕粉末は、酸素の体積比率が25%以上の気体中で、800℃以上1100℃以下の温度範囲で加熱される。
上記酸化物粉末は、1350℃より高く、1450℃以下である温度範囲で焼結させられる。
[実験例]
11 ヒータ
12 ガス導入管
13 ガス排出管
3 匣鉢
Claims (6)
- In、Ga、Alのうち少なくとも1つの元素と、Znと、を含む酸化物焼結体を粉砕して粉砕粉末を作製し、
前記粉砕粉末を、酸素の体積比率が25%以上の気体中で、800℃以上1100℃以下の温度範囲で加熱する、
酸化物粉末の製造方法。 - 請求項1に記載の酸化物粉末の製造方法であって、
前記酸化物焼結体は、InGaZnOxで表される組成を有する、
酸化物粉末の製造方法。 - 請求項1または2に記載の酸化物粉末の製造方法であって、
前記酸化物焼結体は、使用済みのスパッタリングターゲットである、
酸化物粉末の製造方法。 - In、Ga、Alのうち少なくとも1つの元素と、Znと、を含む酸化物焼結体を粉砕して粉砕粉末を作製し、
前記粉砕粉末を、酸素の体積比率が25%以上の気体中で、800℃以上1100℃以下の範囲で加熱して酸化物粉末を作製し、
前記酸化物粉末を、1350℃より高く、1450℃以下である温度範囲で焼結させる、
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項4に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記酸化物焼結体は、InGaZnOxで表される組成を有する、
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項4または5に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記酸化物焼結体は、使用済みのスパッタリングターゲットである、
スパッタリングターゲットの製造方法。
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