JP2013151390A - 酸化物粉末およびスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
酸化物粉末およびスパッタリングターゲットの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013151390A JP2013151390A JP2012012807A JP2012012807A JP2013151390A JP 2013151390 A JP2013151390 A JP 2013151390A JP 2012012807 A JP2012012807 A JP 2012012807A JP 2012012807 A JP2012012807 A JP 2012012807A JP 2013151390 A JP2013151390 A JP 2013151390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- powder
- electric furnace
- target
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
【解決手段】酸化物粉末の製造方法は、In、Ga、Alのうち少なくとも1つの元素と、Znと、を含む酸化物焼結体を粉砕して得られる粉砕粉末を、酸素の体積比率が25%以上の気体中で、800℃以上1100℃以下の温度範囲で加熱して、前記酸化物焼結体よりも酸素の含有比率を高くする。
【選択図】図1
Description
上記粉砕粉末は、酸素の体積比率が25%以上の気体中で、800℃以上1100℃以下の温度範囲で加熱される。
上記粉砕粉末は、酸素の体積比率が25%以上の気体中で、800℃以上1100℃以下の温度範囲で加熱される。
上記酸化物粉末は、1350℃より高く、1450℃以下である温度範囲で焼結させられる。
[実験例]
11 ヒータ
12 ガス導入管
13 ガス排出管
3 匣鉢
Claims (6)
- In、Ga、Alのうち少なくとも1つの元素と、Znと、を含む酸化物焼結体を粉砕して粉砕粉末を作製し、
前記粉砕粉末を、酸素の体積比率が25%以上の気体中で、800℃以上1100℃以下の温度範囲で加熱する、
酸化物粉末の製造方法。 - 請求項1に記載の酸化物粉末の製造方法であって、
前記酸化物焼結体は、InGaZnOxで表される組成を有する、
酸化物粉末の製造方法。 - 請求項1または2に記載の酸化物粉末の製造方法であって、
前記酸化物焼結体は、使用済みのスパッタリングターゲットである、
酸化物粉末の製造方法。 - In、Ga、Alのうち少なくとも1つの元素と、Znと、を含む酸化物焼結体を粉砕して粉砕粉末を作製し、
前記粉砕粉末を、酸素の体積比率が25%以上の気体中で、800℃以上1100℃以下の範囲で加熱して酸化物粉末を作製し、
前記酸化物粉末を、1350℃より高く、1450℃以下である温度範囲で焼結させる、
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項4に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記酸化物焼結体は、InGaZnOxで表される組成を有する、
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項4または5に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記酸化物焼結体は、使用済みのスパッタリングターゲットである、
スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012012807A JP5763561B2 (ja) | 2012-01-25 | 2012-01-25 | 酸化物粉末およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012012807A JP5763561B2 (ja) | 2012-01-25 | 2012-01-25 | 酸化物粉末およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013151390A true JP2013151390A (ja) | 2013-08-08 |
JP5763561B2 JP5763561B2 (ja) | 2015-08-12 |
Family
ID=49048114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012012807A Active JP5763561B2 (ja) | 2012-01-25 | 2012-01-25 | 酸化物粉末およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5763561B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018040032A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 |
TWI657159B (zh) * | 2018-02-08 | 2019-04-21 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 氧化物濺鍍靶及氧化物濺鍍靶之製造方法 |
WO2019155577A1 (ja) * | 2018-02-08 | 2019-08-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007052743A1 (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2008285760A (ja) * | 2001-08-02 | 2008-11-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット、透明導電膜およびそれらの製造法 |
JP2011035117A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 熱電変換材料 |
JP2011195406A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性酸化物焼結体の製造方法 |
-
2012
- 2012-01-25 JP JP2012012807A patent/JP5763561B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008285760A (ja) * | 2001-08-02 | 2008-11-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット、透明導電膜およびそれらの製造法 |
WO2007052743A1 (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2011035117A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 熱電変換材料 |
JP2011195406A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性酸化物焼結体の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018040032A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 |
TWI657159B (zh) * | 2018-02-08 | 2019-04-21 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 氧化物濺鍍靶及氧化物濺鍍靶之製造方法 |
WO2019155577A1 (ja) * | 2018-02-08 | 2019-08-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5763561B2 (ja) | 2015-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5205696B2 (ja) | 酸化ガリウム系焼結体およびその製造方法 | |
TWI532862B (zh) | A sputtering target, a method for forming an amorphous oxide film using the same, and a method for manufacturing a thin film transistor | |
JP5349587B2 (ja) | 酸化インジウム焼結体、酸化インジウム透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法 | |
JP6125689B1 (ja) | 酸化インジウム−酸化亜鉛系(izo)スパッタリングターゲット | |
JP6291593B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにito透明導電膜の製造方法 | |
CN110342933B (zh) | 一种调控铌酸钠陶瓷居里温度的方法 | |
JP2010070410A (ja) | 酸化物焼結体の製造方法 | |
JP6646686B2 (ja) | 酸化物焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2010202451A (ja) | In−Ga−Zn系複合酸化物焼結体の製造方法 | |
CN106927809A (zh) | 一种高极化强度铁酸铋陶瓷材料及其制备方法 | |
JP5763561B2 (ja) | 酸化物粉末およびスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2014040348A (ja) | Igzo焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット | |
US9828667B2 (en) | Method for making tin oxide thin film | |
JP6159867B1 (ja) | 透明導電膜形成用ターゲット、透明導電膜形成用ターゲットの製造方法及び透明導電膜の製造方法 | |
JP5884001B1 (ja) | 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット | |
JP2011074479A (ja) | 透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット、および透明導電性酸化亜鉛系薄膜 | |
CN108698937B (zh) | Sn-Zn-O系氧化物烧结体及其制造方法 | |
JP2009184876A (ja) | Gzo焼結体およびその製造方法 | |
JP2010202896A (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
CN104039737A (zh) | 氧化锡质耐火物及其制造方法 | |
JP2007138198A (ja) | 蒸着材用酸化マグネシウム焼結体 | |
JP2014043598A (ja) | InZnO系スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6722736B2 (ja) | 焼結体および、スパッタリングターゲット | |
JP6155919B2 (ja) | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
JP6343695B2 (ja) | 酸化インジウム−酸化亜鉛系(izo)スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141008 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150526 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5763561 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |