JP5757439B2 - センサにおける温度補償方法、該温度補償方法の演算プログラム、演算処理装置、及び、センサ - Google Patents
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Description
Kirchhoffの円板理論に基づいて、半径方向(r軸方向)と円周方向(θ)の歪みεrr、εθθと変位κr、κθとの関係を示す以下の式(1)〜(4)を用いて、以下の式(5),(6)に示す、前記第1〜前記第3区域の積層方向(Z軸方向)に関して参照面(z=0)における歪みε0 rr、ε0 θθを求める演算工程(2)と、
以下、図1〜図6を参照しながら、本発明の第1実施形態に係るセンサにおける温度補償方法について説明する。
図1(a),(b)に示すように、静電容量型センサにおける温度補償方法の演算結果が適用される静電容量型センサ(センサ)100は、基板1と、絶縁体層2と、第1の電極部3と、第2の電極部(導電部)4と、ダイアフラム部5と、温度補償リング(温度補償部材)6と、密閉空間7と、を備えているものである。
次に、静電容量型センサ100の動作について説明する。静電容量型センサ100のダイアフラム部5に対して気圧による圧力が印加された場合、ダイアフラム部5は、該圧力に応じて変形する。該変形によって生じた、ダイアフラム部5と第1の電極部3及び第2の電極部4との間の静電容量変化を検出し、圧力の測定を行う。
次に、図2を参照しながら、ダイアフラム部5の変形量の一般的な補償原理について説明する。なお、図2(a)〜(c)中の距離gは、ダイアフラム部5において第2の電極部4が形成されている側の面と、該面と対向する凹部1aの対向面との間の距離を示しているものである。
次に、図3〜図6を参照しながら、静電容量型センサにおける温度補償方法の各演算工程について説明する。なお、各演算工程の目的は、温度によるダイアフラム部5の変形を計算することである。温度によって、密閉空間7内の圧力も変わるので、ダイアフラム部5の変形は、温度と圧力の関係に基づいて計算される。
次に、図7〜図10を用いて、本発明の第2実施形態に係るセンサにおける温度補償方法について説明する。なお、第1実施形態に係る温度補償方法の演算結果が適用される静電容量型センサ100の部位1〜7と、本実施形態に係る温度補償方法の演算結果が適用される静電容量型センサ200の部位21〜27(図示していない部位がある)とは、順に同様のものであるので、説明を省略することがある。
図7に示すように、静電容量型センサ(センサ)200は、上記静電容量型センサ100と同様の基板21と、絶縁体層22と、第1の電極部23と、第2の電極部(導電部)24と、ダイアフラム部25と、温度補償リング(温度補償部材)26と、密閉空間27とに加えて、第1のバリアメタル層28を備えているものである。
次に、静電容量型センサ200の動作について説明する。静電容量型センサ200のダイアフラム部25に対して気圧による圧力が印加された場合、ダイアフラム部25は、該圧力に応じて変形する。該変形によって生じた、ダイアフラム部25と第1の電極部23及び第2の電極部24との間の静電容量変化を検出し、圧力の測定を行う。
次に、図8〜図10を参照しながら、静電容量型センサにおける温度補償方法の各演算工程について説明する。本実施形態では、第1実施形態に係る温度補償方法の各演算工程S1〜S17と同様の工程S201〜S217が順に行われる。
次に、図11〜図14を用いて、本発明の第3実施形態に係るセンサにおける温度補償方法について説明する。なお、第1実施形態に係る温度補償方法の演算結果が適用される静電容量型センサ100の部位1〜7と、本実施形態に係る温度補償方法の演算結果が適用される静電容量型センサ300の部位31〜37(図示していない部位がある)とは、順に同様のものであるので、説明を省略することがある。
図11に示すように、静電容量型センサ(センサ)300は、上記静電容量型センサ100と同様の基板31と、絶縁体層32と、第1の電極部33と、第2の電極部34と、ダイアフラム部35と、温度補償リング(温度補償部材)36と、密閉空間37とに加えて、封止リング部(導電部)38を備えているものである。
次に、静電容量型センサ300の動作について説明する。静電容量型センサ300のダイアフラム部35に対して気圧による圧力が印加された場合、ダイアフラム部35は、該圧力に応じて変形する。該変形によって生じた、ダイアフラム部35と第1の電極部33及び第2の電極部34との間の静電容量変化を検出し、圧力の測定を行う。
次に、図12〜図14を参照しながら、静電容量型センサにおける温度補償方法の各演算工程について説明する。なお、第1実施形態に係る温度補償方法の各演算工程S2〜S17と、本実施形態に係る温度補償方法の各演算工程S302〜S317とは、順に同様のものであるので、ここでは、演算工程S301についてのみ詳細な説明を行う。
次に、図15〜図18を用いて、本発明の第4実施形態に係るセンサにおける温度補償方法について説明する。なお、第1実施形態に係る温度補償方法の演算結果が適用される静電容量型センサ100の部位1〜7と、本実施形態に係る温度補償方法の演算結果が適用される静電容量型センサ400の部位41〜47(図示していない部位がある)とは、順に同様のものであるので、説明を省略することがある。
図15に示すように、静電容量型センサ(センサ)400は、上記静電容量型センサ100と同様の基板41と、絶縁体層42と、第1の電極部43と、第2の電極部44と、ダイアフラム部45と、温度補償リング(温度補償部材)46と、密閉空間47とに加えて、封止リング部48及び第2のバリアメタル層49を備えているものである。
次に、静電容量型センサ400の動作について説明する。静電容量型センサ400のダイアフラム部45に対して気圧による圧力が印加された場合、ダイアフラム部45は、該圧力に応じて変形する。該変形によって生じた、ダイアフラム部45と第1の電極部43及び第2の電極部44との間の静電容量変化を検出し、圧力の測定を行う。
次に、図16〜図18を参照しながら、静電容量型センサにおける温度補償方法の各演算工程について説明する。なお、第1実施形態に係る補償方法の各演算工程S2〜S17と、本実施形態に係る補償方法の各演算工程S402〜S417とは、順に同様のものであるので、ここでは、演算工程S401についてのみ詳細な説明を行う。
次に、図19〜図22を用いて、本発明の第5実施形態に係るセンサにおける温度補償方法の演算プログラム、及び、該演算プログラムを演算処理する演算処理装置について説明する。
図19に示すように、パーソナルコンピュータ(演算処理装置)500は、画像を表示するディスプレイ51、コマンドや数値等を入力するキーボード52、及び、制御装置53を備えているものである。
CD−ROM57がドライブ装置56に装着された後、キーボード52を介して入力される指示に応答して、CD−ROM57に保存されたプログラム(本実施形態に係る演算プログラム)がハードディスク55にダウンロードされる。
次に、図20〜図22を参照しながら、本実施形態に係る演算処理装置の各演算工程について説明する。図20〜図22に示す各演算工程は、CPU54 が、ハードディスク55に格納されたプログラムを実行することによって実現される。なお、本実施形態では、第1実施形態に係る温度補償方法の各演算工程S1〜S17と同様の工程S501〜S517が順に行われる。
100、200、300、400、600、700、800 静電容量型センサ(センサ)
1a、21a、31a、41a、61a 凹部
2、22、32、42、62、72、82、92 絶縁体層
2a、2b、22a、32a、42a、62a 貫通部
3、23、33、43、63、73、83、93 第1の電極部
4、24、34、44、64、74、84、94 第2の電極部
5、25、35、45、65、75、85、95 ダイアフラム部
6、26、36、46、66、76 温度補償リング(温度補償部材)
7、27、37、47、67、77、87、97 密閉空間
28、28a、28b、60、60a、60b 第1のバリアメタル層
38、48、68、78 封止リング部
49、49a、49b、69、69a、69b、79a 第2のバリアメタル層
51 ディスプレイ
52 キーボード
53 制御装置
54 CPU
55 ハードディスク
56 ドライブ装置
57 CD−ROM
86、96 温度補償部材
98 ピエゾ素子
500 パーソナルコンピュータ(演算処理装置)
900 ピエゾ抵抗型物理量センサ(センサ)
Claims (10)
- 一方の面に第1の電極部が形成されている基板と、前記基板の一方の面に絶縁体層を介して形成された導電部と、前記導電部において前記絶縁体層が形成されている面と反対側の面に形成され、圧力に応じて変形するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部において前記導電部が形成されている面と反対側の面に形成された温度補償部材とを備え、内部に密閉空間を有し、前記導電部の内周面と、前記ダイアフラム部において前記導電部が形成されている側の面と、が前記密閉空間の一部を形成し、前記ダイアフラム部と、前記第1の電極部及び前記導電部との間の静電容量変化を検出するセンサにおいて、前記温度補償部材によって前記密閉空間内に封止されている気体の熱膨張に起因した前記ダイアフラム部の変形を補償するセンサにおける温度補償方法。
- 前記センサにおいては、
前記基板と、内径が2R2、外径が2R3であるリング状の前記導電部と、前記導電部において前記絶縁体層が形成されている面と反対側の面に形成され、圧力に応じて変形する円板状に形成され、外径が2R3である前記ダイアフラム部と、を備え、前記温度補償部材は、内径が2R1、外径が2R3であるリング状の温度補償リングであり、前記導電部の内周面と、前記ダイアフラム部において前記導電部が形成されている側の面と、が前記密閉空間の一部を形成している静電容量型センサとして構成されており、
Timoshenkoの対称円板理論に基づいて、前記導電部、前記ダイアフラム部、及び、前記温度補償リングの各中心軸を一致させた状態で構成された複合円板を、前記ダイアフラム部の前記中心軸を基準として、半径が0からR1までの部分で構成された第1区域と、前記ダイアフラム部及び前記温度補償リングの前記中心軸を基準として、半径がR1からR2までの部分で構成された第2区域と、前記導電部、前記ダイアフラム部、及び、前記温度補償リングの前記中心軸を基準として、半径がR2からR3までの部分で構成された第3区域に分解する演算工程(1)と、
Kirchhoffの円板理論に基づいて、半径方向(r軸方向)と円周方向(θ)の歪みεrr、εθθと変位κr、κθとの関係を示す以下の式(1)〜(4)を用いて、以下の式(5),(6)に示す、前記第1〜前記第3区域の積層方向(Z軸方向)に関して参照面(z=0)における歪みε0 rr、ε0 θθを求める演算工程(2)と、
- 前記導電部が、
前記ダイアフラム部の変形に応じて、前記第1の電極部と共に前記ダイアフラム部との間の静電容量変化を検出するための第2の電極部であることを特徴とする請求項1又は2に記載のセンサにおける温度補償方法。 - 前記センサが、
少なくとも白金を含むとともに、前記第2の電極部と前記絶縁体層との間に形成され、内周面が前記密閉空間の一部を形成するバリアメタル層を備えていることを特徴とする請求項3に記載のセンサにおける温度補償方法。 - 前記導電部が、
前記ダイアフラム部において前記温度補償リングが形成されている側の面と反対側の面に形成された封止リング部であり、
前記センサが、
前記封止リング部と前記絶縁体層との間に形成され、前記ダイアフラム部の変形に応じて、前記第1の電極部と共に前記ダイアフラム部との間の静電容量変化を検出するためのリング状の第2の電極部を備えていることを特徴とする請求項2に記載のセンサにおける温度補償方法。 - 前記センサにおいて、
前記第2の電極部と前記封止リング部との接合が、金−金接合によるものであることを特徴とする請求項5に記載のセンサにおける温度補償方法。 - 前記センサが、
少なくとも白金を含むとともに、前記ダイアフラム部において前記温度補償リングが形成されている側の面と反対側の面に形成されたリング状のバリアメタル層と、
前記バリアメタル層と前記絶縁体層との間に形成され、前記ダイアフラム部の変形に応じて、前記第1の電極部と共に前記ダイアフラム部との間の静電容量変化を検出するためのリング状の第2の電極部とを備え、
前記導電部が、
前記バリアメタル層が単層である場合には、該バリアメタル層であり、
前記バリアメタル層が複数層である場合には、該バリアメタル層のうち、前記ダイアフラム部に最も近い層であることを特徴とする請求項2に記載のセンサにおける温度補償方法。 - 一方の面に第1の電極部が形成されている基板と、前記基板の一方の面に絶縁体層を介して形成された導電部と、前記導電部において前記絶縁体層が形成されている面と反対側の面に形成され、圧力に応じて変形するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部において前記導電部が形成されている面と反対側の面に形成された温度補償部材とを備え、内部に密閉空間を有し、前記導電部の内周面と、前記ダイアフラム部において前記導電部が形成されている側の面と、が前記密閉空間の一部を形成し、前記ダイアフラム部と、前記第1の電極部及び前記導電部との間の静電容量変化を検出するセンサにおいて、前記温度補償部材によって前記密閉空間内に封止されている気体の熱膨張に起因した前記ダイアフラム部の変形を補償するセンサにおける温度補償方法を演算処理するための演算プログラム。
- 請求項8に記載の演算プログラムを演算処理することを特徴とする演算処理装置。
- 一方の面に第1の電極部が形成されている基板と、前記基板の一方の面に絶縁体層を介して形成された導電部と、前記導電部において前記絶縁体層が形成されている面と反対側の面に形成され、圧力に応じて変形するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部において前記導電部が形成されている面と反対側の面に形成された温度補償部材とを備え、内部に密閉空間を有し、前記導電部の内周面と、前記ダイアフラム部において前記導電部が形成されている側の面と、が前記密閉空間の一部を形成し、前記ダイアフラム部と、前記第1の電極部及び前記導電部との間の静電容量変化を検出するセンサであって、前記温度補償部材によって前記密閉空間内に封止されている気体の熱膨張に起因した前記ダイアフラム部の変形が補償されることを特徴とするセンサ。
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