JPWO2009125510A1 - 加速度センサ - Google Patents
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 154
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 303
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 44
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 24
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 18
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
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- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
- B81B7/0048—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the MEMS die and the substrate
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/5719—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0888—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values for indicating angular acceleration
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/14—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of gyroscopes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/18—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
- G01P3/02—Devices characterised by the use of mechanical means
- G01P3/16—Devices characterised by the use of mechanical means by using centrifugal forces of solid masses
- G01P3/22—Devices characterised by the use of mechanical means by using centrifugal forces of solid masses transferred to the indicator by electric or magnetic means
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0242—Gyroscopes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0831—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type having the pivot axis between the longitudinal ends of the mass, e.g. see-saw configuration
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
する場合には、加速度センサの出力も時間とともに変動することとなる。
第5のユニット、60 第6のユニット、70 第7のユニット、80 第8のユニット、91〜98 アンカー、101 PSG膜、102 ポリシリコン膜。
(実施の形態1)
最初に、本実施の形態の加速度センサの主要な構成について説明する。
図3は、本発明の実施の形態1における加速度センサに対して基板の膜厚方向に沿って上方向に加速度が加えられた際の様子を概略的に示す断面図である。なお、図3の断面位置は図2と同一である。また図3においては図を見易くするためにアンカー91、92は図示されていない。
図13は、本発明の実施の形態2における加速度センサの構成を概略的に示す上面図である。
うに基板1上に絶縁膜3を介して形成されている。また、複数の第4検出電極44は、第4検出フレーム24の基板1に対する角度を検出できるように、第4検出フレーム24と対向する第4検出電極44aおよび44bを有している。この第4検出電極44a、44bは、第4検出フレーム24のそれぞれと対向するように基板1上に絶縁膜3を介して形成されている。
図14は、本発明の実施の形態2における加速度センサに対して基板の膜厚方向に沿って上方向に加速度が加えられた際の様子を概略的に示す断面図である。なお、図14の断面位置は図13のXIV−XIV線に沿う概略的な断面図である。また図14においては図を見易くするためにアンカー91、92は図示されていない。
図19は、本発明の実施の形態3における加速度センサの構成を概略的に示す上面図である。
図20は、本発明の実施の形態4における加速度センサの構成を概略的に示す上面図である。
図21は、本発明の実施の形態5における加速度センサの構成を概略的に示す上面図である。
Claims (7)
- 基板(1)と、
前記基板(1)に支持された第1ねじれ軸(T1)の周りにねじれる第1ねじれ梁(11)と、
前記第1ねじれ軸(T1)を中心に回転可能なように、前記第1ねじれ梁(11)を介して前記基板(1)に支持された第1検出フレーム(21)と、
前記基板(1)に支持された第2ねじれ軸(T2)の周りにねじれる第2ねじれ梁(12)と、
前記第2ねじれ軸(T2)を中心に回転可能なように、前記第2ねじれ梁(12)を介して前記基板(1)に支持された第2検出フレーム(22)と、
前記第1および第2検出フレーム(21、22)のそれぞれと対向するように前記基板(1)上に形成され、かつ前記基板(1)に対する前記第1および第2検出フレーム(21、22)の角度を静電容量により検出するための第1および第2検出電極(41、41a、41b、42、42a、42b)と、
前記第1ねじれ軸(T1)と交差する方向に沿って前記第1検出フレーム(21)の一方端部側に前記第1ねじれ軸(T1)を移動した第1の軸(L1)上において前記第1検出フレーム(21)と接続された第1リンク梁(31)と、
前記第1ねじれ軸(T1)の移動の方向と同じ方向に前記第2ねじれ軸(T2)を移動した第2の軸(L2)上において前記第2検出フレーム(22)と接続された第2リンク梁(32)と、
前記第1および第2リンク梁(31、32)のそれぞれにより前記第1および第2検出フレーム(21、22)の各々に連結されることで、前記基板(1)上で前記基板(1)の厚み方向に変位可能に支持された慣性質量体(2)とを備えた、加速度センサ。 - 前記第1ねじれ軸(T1)と前記第1リンク梁(31)との間のオフセット(e1)と、前記第2ねじれ軸(T2)と前記第2リンク梁(32)との間のオフセット(e2)とが等しい、請求の範囲第1項に記載の加速度センサ。
- 前記第1ねじれ軸(T1)と前記第2ねじれ軸(T2)とが互いに平行である、請求の範囲第1項に記載の加速度センサ。
- 前記第1および第2検出フレーム(21、22)と、前記第1および第2ねじれ梁(11、12)と、前記第1および第2リンク梁(31、32)とは、前記第1および第2ねじれ軸(T1、T2)に平行な軸に対して対称になるように配置された、請求の範囲第1項に記載の加速度センサ。
- 前記第1および第2検出フレーム(21、22)と、前記第1および第2ねじれ梁(11、12)と、前記第1および第2リンク梁(31、32)とは、前記第1および第2ねじれ軸(T1、T2)と交差する軸に対して対称になるように配置された、請求の範囲第4項に記載の加速度センサ。
- 前記第1および第2検出フレーム(21、22)と、前記第1および第2ねじれ梁(11、12)と、前記第1および第2リンク梁(31、32)を90度回転させた検出フレーム(25〜28)と、ねじれ梁(15〜18)と、リンク梁(35〜38)とをさらに備えた、請求の範囲第5項に記載の加速度センサ。
- 前記基板(1)に支持された第3ねじれ軸(T3)の周りにねじれる第3ねじれ梁(13)と、
前記第3ねじれ軸(T3)を中心に回転可能なように、前記第3ねじれ梁(13)を介して前記基板(1)に支持された第3検出フレーム(23)と、
前記基板(1)に支持された第4ねじれ軸(T4)の周りにねじれる第4ねじれ梁(14)と、
前記第4ねじれ軸(T4)を中心に回転可能なように、前記第4ねじれ梁(14)を介して前記基板(1)に支持された第4検出フレーム(24)と、
前記第3および第4検出フレーム(23、24)のそれぞれと対向するように前記基板(1)上に形成され、かつ前記基板(1)に対する前記第3および第4検出フレーム(23、24)の角度を静電容量により検出するための第3および第4検出電極(43、43a、43b、44、44a、44b)と、
前記第3ねじれ軸(T3)と交差する方向に沿って前記第3検出フレーム(23)の一方端部側に前記第3ねじれ軸(T3)を移動した第3の軸(L3)上において前記第3検出フレーム(23)と接続された第3リンク梁(33)と、
前記第3ねじれ軸(T3)の移動の方向と同じ方向に前記第4ねじれ軸(T4)を移動した第4の軸(L4)上において前記第4検出フレーム(24)と接続された第4リンク梁(34)とをさらに備え、
前記第3および第4ねじれ軸(T3、T4)から前記第3および第4の軸(L3、L4)への移動方向は、前記第1および第2ねじれ軸(T1、T2)から前記第1および第2の軸(L1、L2)への移動の方向と反対方向である、請求の範囲第1項に記載の加速度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010507115A JP5148688B2 (ja) | 2008-04-11 | 2008-10-28 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008103406 | 2008-04-11 | ||
JP2008103406 | 2008-04-11 | ||
JP2010507115A JP5148688B2 (ja) | 2008-04-11 | 2008-10-28 | 加速度センサ |
PCT/JP2008/069522 WO2009125510A1 (ja) | 2008-04-11 | 2008-10-28 | 加速度センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009125510A1 true JPWO2009125510A1 (ja) | 2011-07-28 |
JP5148688B2 JP5148688B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=41161650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010507115A Expired - Fee Related JP5148688B2 (ja) | 2008-04-11 | 2008-10-28 | 加速度センサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8368387B2 (ja) |
JP (1) | JP5148688B2 (ja) |
CN (1) | CN101999081B (ja) |
DE (1) | DE112008003808B4 (ja) |
WO (1) | WO2009125510A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8026714B2 (en) * | 2008-03-06 | 2011-09-27 | Symphony Acoustics, Inc. | Accelerometer with enhanced DC stability |
CN102216789A (zh) * | 2008-11-13 | 2011-10-12 | 三菱电机株式会社 | 加速度传感器 |
JP5527015B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2014-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 素子構造体、慣性センサー、電子機器 |
JP2014041007A (ja) * | 2010-12-20 | 2014-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
WO2013105591A1 (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-18 | アルプス電気株式会社 | 物理量センサ |
JP5747836B2 (ja) * | 2012-02-15 | 2015-07-15 | 三菱電機株式会社 | 加速度センサと加速度センサの自己診断方法 |
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JP2020030067A (ja) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、センサーデバイス、電子機器、および移動体 |
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JP2020118609A (ja) * | 2019-01-25 | 2020-08-06 | セイコーエプソン株式会社 | 慣性センサー、電子機器および移動体 |
JP2022006389A (ja) * | 2020-06-24 | 2022-01-13 | セイコーエプソン株式会社 | 慣性センサー、電子機器、及び移動体 |
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JP3941694B2 (ja) * | 2001-11-19 | 2007-07-04 | 三菱電機株式会社 | 加速度センサ |
FI116543B (fi) * | 2004-12-31 | 2005-12-15 | Vti Technologies Oy | Värähtelevä mikromekaaninen kulmanopeusanturi |
GB2437311A (en) | 2006-04-07 | 2007-10-24 | Mologic Ltd | A protease detection product |
JP5125327B2 (ja) | 2006-11-09 | 2013-01-23 | 三菱電機株式会社 | 加速度センサ |
US7624638B2 (en) * | 2006-11-09 | 2009-12-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Electrostatic capacitance type acceleration sensor |
-
2008
- 2008-10-28 JP JP2010507115A patent/JP5148688B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-28 DE DE112008003808T patent/DE112008003808B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-28 CN CN2008801285966A patent/CN101999081B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-28 WO PCT/JP2008/069522 patent/WO2009125510A1/ja active Application Filing
- 2008-10-28 US US12/920,682 patent/US8368387B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112008003808T5 (de) | 2011-03-03 |
JP5148688B2 (ja) | 2013-02-20 |
US8368387B2 (en) | 2013-02-05 |
US20110031959A1 (en) | 2011-02-10 |
WO2009125510A1 (ja) | 2009-10-15 |
CN101999081B (zh) | 2013-01-02 |
DE112008003808B4 (de) | 2012-12-13 |
CN101999081A (zh) | 2011-03-30 |
WO2009125510A9 (ja) | 2010-09-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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