JP5757109B2 - 水処理方法及び水処理システム - Google Patents
水処理方法及び水処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5757109B2 JP5757109B2 JP2011051556A JP2011051556A JP5757109B2 JP 5757109 B2 JP5757109 B2 JP 5757109B2 JP 2011051556 A JP2011051556 A JP 2011051556A JP 2011051556 A JP2011051556 A JP 2011051556A JP 5757109 B2 JP5757109 B2 JP 5757109B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- reverse osmosis
- osmosis membrane
- water treatment
- permeated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Landscapes
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
- Physical Water Treatments (AREA)
- Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
Description
シリカ系スケールの発生を防止するために、濃縮水のpHを6以下、かつシリカ濃度を200〜300mgSiO2/Lに保つ方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
そこで、供給水に酸を添加することなく、または酸の添加量を最小限に止めながら、逆浸透膜でのシリカ系及び炭酸カルシウム系スケールの発生を同時に抑制することのできる精製水製造に対する強い技術的要請がある。
また、脱気後の処理水にスケール分散剤を添加することにより、後段の第1の逆浸透膜モジュールで膜分離処理される際における、炭酸カルシウム系スケールの膜面付着を抑制し、高い水回収率(例えば、70%以上)を達成することができる。
また、濃縮水のランゲリア指数を0.3以下、かつシリカ濃度を150mgSiO2/L以下に保って、第1の逆浸透膜モジュールで分離操作するので、濃縮水のシリカ濃度が溶解度を超えたとしても、シリカ系スケールのRO膜へ析出を抑制できる。
したがって、供給水に酸を添加することなく、または酸の添加量を最小限に止めながら、逆浸透膜でのシリカ系及び炭酸カルシウム系スケールの発生を同時に抑制することができる。この結果、精製水の純度を損なうことなく、所期の造水量を確保することができる。
また、本発明に係る水処理システムにおいて、前記第1の逆浸透膜モジュールの透過水を脱イオン処理する、電気脱イオンモジュールを含むこととしてもよい。
また、電気脱イオンモジュールは、脱イオン性能を維持するための所謂再生が不要であるので、取り扱い性に優れ、かつランニングコストが廉価である。
また、本発明に係る水処理システムにおいて、前記第1の逆浸透膜モジュールの透過水を脱イオン処理する、イオン交換樹脂混床塔を含むこととしてもよい。
そして、本発明によれば、第1の逆浸透膜モジュールから送出された透過水中に、塩構成カチオンのみならず、負荷電性のRO膜を透過しやすい塩構成アニオンが残留したとしても、イオン交換樹脂混床塔でこれらの残留イオンを精度よく脱イオン処理して、脱イオン水の純度が十分に高められる。
また、本発明に係る水処理システムにおいて、前記第1の逆浸透膜モジュールの透過水を脱イオン処理する、陽イオン交換樹脂単床塔を含むこととしてもよい。
詳しくは、第1の逆浸透膜モジュールにおけるRO膜のスキン層が負荷電性である場合、当該RO膜で分離操作された透過水は、塩構成アニオンの残留割合が少なく、塩構成カチオンの残留割合が多い。従って、陽イオン交換樹脂単床塔で、残留割合の多い塩構成カチオンを脱イオン処理することにより、精製水中における残留イオンが精度よく除去されて、純度の高い脱イオン水が製造可能となっている。
また、陽イオン交換樹脂単床塔は、イニシャルコストが廉価であるから、脱イオン水の品質を十分に確保しつつも、設備費用を削減できる。
また、本発明に係る水処理システムにおいて、第1の逆浸透膜分離工程の透過水を更に透過水と濃縮水とに分離する、第2の逆浸透膜モジュールを含むこととしてもよい。
また、本発明に係る水処理システムにおいて、前記第2の逆浸透膜モジュールで分離した透過水を脱イオン処理する、電気脱イオンモジュールを含むこととしてもよい。
また、電気脱イオンモジュールは、脱イオン性能を維持するための所謂再生が不要であるので、取り扱い性に優れ、かつランニングコストが廉価である。
また、本発明に係る水処理システムにおいて、前記第2の逆浸透膜モジュールで分離した透過水を脱イオン処理する、イオン交換樹脂混床塔を含むこととしてもよい。
そして、本発明によれば、第2の逆浸透膜モジュールから送出された透過水中に、塩構成カチオンのみならず、負荷電性のRO膜を透過した塩構成アニオンが残留したとしても、イオン交換樹脂混床塔でこれらの残留イオンを精度よく脱イオン処理して、脱イオン水の純度が十分に高められる。
また、本発明に係る水処理システムにおいて、前記第1の逆浸透膜モジュールの透過水を脱イオン処理する、陽イオン交換樹脂単床塔を含むこととしてもよい。
詳しくは、第2の逆浸透膜モジュールにおけるRO膜のスキン層が負荷電性である場合、当該RO膜で分離操作された透過水は、塩構成アニオンの残留割合が少なく、塩構成カチオンの残留割合が多い。従って、陽イオン交換樹脂単床塔で、残留割合の多い塩構成カチオンを脱イオン処理することにより、浄化水中における残留イオンが精度よく除去されて、純度の高い脱イオン水が製造可能となっている。
また、陽イオン交換樹脂単床塔は、イニシャルコストが廉価であるから、脱イオン水の品質を十分に確保しつつも、設備費用を削減できる。
また、本発明に係る水処理システムにおいて、前記スケール分散剤は、ポリカルボン酸及びホスホン酸の混合物からなることとしてもよい。
以下、図1〜図3を参照して、本発明の第1実施形態に係る水処理システム1及び水処理方法について説明する。
図1は、第1実施形態の水処理システム1におけるフローの概略構成を示す図であり、図2及び図3は、第1実施形態の水処理システム1の構成を詳細に説明する図である。
原水としては、例えば、工業用水、水道水、地下水(浅井戸水、深井戸水、湧水又は伏流水等)および地表水(河川水又は湖水等)等の淡水、若しくは工場排水又はこれらの任意の組み合わせによる混合水を処理対象とすることができる。
尚、本明細書でいう「ライン」とは、流路、経路、管路(配管)等の流体の流通が可能なラインの総称である。
pH調整剤添加装置4は、気体分離膜モジュール2から第1の逆浸透膜モジュール3へ向けて流れる処理水W2に、pH調整剤を添加する装置である。このpH調整剤添加装置4は、pH調整剤である所定の酸性薬剤(例えば塩酸や硫酸)を、通水ライン7を流通する処理水W2に添加するように構成されている。
回収率とは、逆浸透膜モジュールへ供給される水(ここでは塩化ナトリウム水溶液)の流量(A)に対する透過水の流量(B)の割合(%)(すなわち、B/A×100)をいう。尚、上記の「回収率15%」とは、あくまでRO膜を規定するための一例(基準)として用いられる値であり、後述する第1の逆浸透膜モジュール3(第1逆浸透膜装置11)を運転する際の「回収率(水回収率)」とは異なる。
水透過係数は、透過水量[m3/s]を膜面積[m2]及び有効圧力[Pa]で除した値であり、逆浸透膜での水の透過性能を示す指標である。すなわち、水透過係数は、単位有効圧力を作用させたときに単位時間に膜の単位面積を透過する水の量を意味する。有効圧力は、JIS K3802−1995「膜用語」で定義され、操作圧力(平均操作圧力)から浸透圧差及び二次側圧力を差し引いた圧力である。
塩除去率は、膜を透過する前後の特定の塩類の濃度(ここでは塩化ナトリウム濃度)から計算される値であり、逆浸透膜での溶質の阻止性能を示す指標である。塩除去率は、逆浸透膜モジュールの入口濃度(C1)および透過水の濃度(C2)から、(1−C2/C1)×100により求められる。
このように、水処理システム1には、加圧ポンプ10と、その下流側の第1の逆浸透膜モジュール3とを含む第1逆浸透膜装置11が設けられている。
上述したように、第1の逆浸透膜モジュール3の回収率は、下記式(1)により求められる。
回収率[%]=透過水流量/(透過水流量+排水流量)×100=透過水流量/(給水流量)×100・・・(1)
本実施形態においては、回収率の式(1)における排水流量は、濃縮水W4の流量に相当する。給水流量は、処理水W2の流量に相当する。給水流量は、透過水流量が一定の場合、回収率から求めることもできる。尚、給水流量は、通水ライン7に流量センサ(不図示)を設けて計測してもよい。
図3に示されるように、ランゲリア指数監視装置30は、水質検出手段としての水質検出装置20と、ランゲリア指数制御部31と、ランゲリア指数記憶部35とを備えている。ランゲリア指数制御部31は、pH調整剤添加装置4と電気的に接続される。
LSI=pH−pHs・・・(2)
ここで、pHは、水の実際のpH値である。また、pHsは、水中に炭酸カルシウムが溶解も析出もしない平衡状態にあるときの理論上のpH値である。
pHs=9.3+A値+B値−C値−D値・・・(3)
ここで、A値は、蒸発残留物濃度により定まる補正値である。蒸発残留物濃度は、電気伝導率と相関があるため、所定の換算式を用いて電気伝導率から蒸発残留物濃度を求めることができる。B値は、水温により定まる補正値である。C値は、カルシウム硬度により定まる補正値である。D値は、総アルカリ度により定まる補正値である。A〜D値は、前述の水質検出装置20の検出値から関係式を用いて、或いは数値テーブルを参照して求めることができる。
具体的には、濃縮水W4のランゲリア指数を0.3以下の範囲に維持しながら第1逆浸透膜装置11により膜分離処理をすることで、濃縮水W4における炭酸カルシウム系スケールの析出を抑制することができ、かつ、シリカ系スケールの析出を抑制することができる。
具体的には、例えば、pH調整剤添加装置4を用いて、第1逆浸透膜装置11に供給される処理水W2に所定の酸性薬剤(pH調整剤)を添加することにより、濃縮水W4のpH値を低くすることができる。
ランゲリア指数記憶部35は、ランゲリア指数に関する所定のパラメータや各種テーブル等を記憶する。ランゲリア指数記憶部35に記憶される情報は、ランゲリア指数制御部31により参照される。
図2に示されるように、シリカ濃度監視装置40は、シリカ濃度センサ26と、シリカ濃度制御部41とを備えている。シリカ濃度制御部41は、濃縮水排水バルブ15と電気的に接続される。
具体的には、回収率調整制御部43は、濃縮水W4のシリカ濃度が150mgSiO2/Lを超えた場合には、濃縮水排水バルブ15の開度を増加し、回収率を減少させるように制御する。逆に、濃縮水W4のシリカ濃度が150mgSiO2/L未満の場合には、シリカ濃度が150mgSiO2/Lを超えない範囲で、回収率を最大限まで増加させるように制御する。
水処理システム1が運転され、ポンプ(図示せず)が起動されると、下記のように水処理が行われ、精製水が製造される。
まず、原水である供給水W1が、通水ライン5を通って気体分離膜モジュール2に供給される。供給水W1には、例えば軟水化装置等による軟水化処理が施されておらず、当該供給水W1は、シリカ(全シリカ)及び硬度成分(カルシウムイオン及びマグネシウムイオン)を夾雑成分として含むものである。供給水W1が、気体分離膜モジュール2を流通することにより、当該供給水W1中の炭酸ガス等の溶存ガスGが脱気処理される。このように、供給水W1から溶存ガスGが脱気された処理水W2は、通水ライン7へ流入する。
まず、通水ライン7を流通する処理水W2に対して、pH調整剤添加装置4により酸性薬剤(例えば、塩酸や硫酸)が添加される。ここで、pH調整剤添加装置4から処理水W2に添加される酸性薬剤の添加量は、ランゲリア指数監視装置30により、濃縮水W4のランゲリア指数が0.3以下になるように制御される。ただし、酸性薬剤の添加量が所定値を超えると、処理水W2中の炭酸水素イオン及び炭酸イオンが炭酸ガス化しやすくなり、第1の逆浸透膜分離工程で製造される透過水W3中に遊離炭酸が残留するようになるので、酸性薬剤の添加量は、濃縮水W4のランゲリア指数が0以上になるように制御されることが好ましい。
尚、処理水W2に酸性薬剤を添加することなく、濃縮水W4のランゲリア指数を0.3以下に制御可能な場合には、このpH調整剤添加工程は削除しても構わない。
また、通水ライン7を流通する処理水W2に対して、分散剤添加装置12によりスケール分散剤(例えば、ポリカルボン酸及びホスホン酸の混合物)が添加される。ここで、分散剤添加装置12から処理水W2に添加されるスケール分散剤の添加量は、前記混合物の33〜37重量%水溶液を、処理水W2に対して1〜5mg/L程度である。
尚、分散剤添加工程は、pH調整剤添加工程よりも前に行うこともできる。
脱気処理工程、pH調整剤添加工程及び分散剤添加工程を経た処理水W2は、通水ライン7から第1逆浸透膜装置11に流通され、精製される。すなわち、第1逆浸透膜装置11は、処理水W2を、第1の逆浸透膜モジュール3で透過水W3と濃縮水W4とに分離する。
第1の逆浸透膜モジュール3では、濃縮水W4のランゲリア指数を0.3以下、かつ、シリカ濃度を150mgSiO2/L以下に保って分離操作する。これにより、溶存塩類等の夾雑成分が除去された精製水である透過水W3を得ることができる。
第1実施形態の水処理システム1においては、透過水W3の流量は、前述した流量制御部により一定に維持されている。すなわち、流量制御部は、通水ライン9に設けられた流量センサからの流量検知信号をフィードバックしながら、インバータにより加圧ポンプ10の回転数を制御し、透過水W3の流量が予め設定された目標値になるように制御している(定流量制御)。
ランゲリア指数が0.3以下、かつ0以上の場合は、pH調整剤制御部34がpH調整剤添加装置4の酸性薬剤の添加量を初期値に維持させたまま、その添加を継続させる。ランゲリア指数が0.3を超える場合は、pH調整剤制御部34がpH調整剤添加装置4の酸性薬剤の添加量を前記初期値よりも増加させる。また、ランゲリア指数が0未満の場合は、pH調整剤制御部34がpH調整剤添加装置4の酸性薬剤の添加を停止させる。
ここで、ランゲリア指数が0.3以下の場合には、濃縮水W4のシリカ濃度が溶解度を超えていても、RO膜の膜面におけるシリカの析出が抑制された状態である。また、ランゲリア指数が0.3以下、かつ0以上の場合は、通常はRO膜面における炭酸カルシウムの析出が促進されやすい状態にあるが、前記分散剤添加工程でのスケール分散剤の添加により、炭酸カルシウムの析出が抑制された状態である。
濃縮水W4のシリカ濃度が150mgSiO2/Lを超える場合には、回収率調整制御部43が濃縮水排水バルブ15の開度を増加させ、回収率を減少させる。また、濃縮水W4のシリカ濃度が150mgSiO2/L未満の場合には、回収率調整制御部43が濃縮水排水バルブ15の開度を減少させ、シリカ濃度が150mgSiO2/Lを超えない範囲で、回収率を最大限まで増加させる。
次に、図4を参照して、本発明の第2実施形態に係る水処理システム51及びこれを用いた水処理方法について説明する。尚、前述の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
尚、図4には特に示されていないが、本実施形態の水処理システム51においても、第1実施形態の水処理システム1と同様に、加圧ポンプ10、ランゲリア指数監視装置30、シリカ濃度監視装置40及び濃縮水排水バルブ15が設けられている(図2を参照)。これら部材の構成及び作用効果については、第1実施形態で説明したものと同様であるので、その説明を省略する。
さらに、第1の逆浸透膜モジュール3の透過水W3を、脱イオン処理してより高純度な精製水である脱イオン水W5とすることができ、精製水の品質が向上する。
また、電気脱イオンモジュール52は、脱イオン性能を維持するための所謂再生が不要であるので、取り扱い性に優れ、かつランニングコストが廉価である。
この場合、脱イオン水W5の品質を十分に確保しつつも、電気脱イオンモジュール52のイニシャルコストを削減可能である。
次に、図5を参照して、本発明の第3実施形態に係る水処理システム55及びこれを用いた水処理方法について説明する。尚、前述の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
さらに、第1の逆浸透膜モジュール3の透過水W3を、脱イオン処理してより高純度な精製水である脱イオン水W5とすることができ、精製水の品質が向上する。
また、陽イオン交換樹脂単床塔56は、イニシャルコストが廉価であるから、この水処理システム55は、脱イオン水W5の品質を十分に確保しつつも、設備費用を削減できる。
次に、図5を参照して、本発明の第4実施形態に係る水処理システム60及びこれを用いた水処理方法について説明する。尚、前述の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
さらに、第1の逆浸透膜モジュール3の透過水W3を、脱イオン処理してより高純度な精製水である脱イオン水W5とすることができ、精製水の品質が向上する。
そして、本実施形態によれば、第1の逆浸透膜モジュール3から送出された透過水W3中に、塩構成カチオンのみならず、負荷電性のRO膜を透過した塩構成アニオンが残留したとしても、イオン交換樹脂混床塔61でこれらの残留イオンを精度よく脱イオン処理して、脱イオン水W5の純度が十分に高められる。
次に、図6及び図7を参照して、本発明の第5実施形態に係る水処理システム65及びこれを用いた水処理方法について説明する。
図6は、第5実施形態の水処理システム65の概略構成を説明する図であり、図7は、第5実施形態の水処理システム65の構成を詳細に説明する図である。尚、前述の実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
また、本実施形態の水処理方法は、第1実施形態で説明した水処理方法の各工程、及び、第1の逆浸透膜分離工程の透過水W3を、更に第2の逆浸透膜モジュール16で透過水W6と濃縮水W7とに分離する第2の逆浸透膜分離工程を含んでいる。
このように、水処理システム65には、加圧ポンプ18と、その下流側の第2の逆浸透膜モジュール16とを含む第2逆浸透膜装置19が設けられている。
本実施形態の水処理システム65は、第1逆浸透膜装置11と第2逆浸透膜装置19とを直列的に2段に設ける構成とすることにより、製造される透過水W6の純度を高めるものである。
第2pH調整剤添加装置17は、第1の逆浸透膜モジュール3から第2の逆浸透膜モジュール26へ向けて送出された透過水W3に、pH調整剤を添加する装置である。この第2pH調整剤添加装置17は、pH調整剤である所定のアルカリ性薬剤(例えば水酸化ナトリウム)を、通水ライン9を流通する透過水W3に添加するように構成されている。
尚、以下の説明においては、前述の第1実施形態で説明したpH調整剤制御部34と区別して、前記pH調整剤制御部36を第2pH調整剤制御部36と呼ぶ。
水処理システム65が運転され、ポンプ(図示せず)が起動されると、下記のように水処理が行われ、精製水が製造される。
尚、以下の説明においては、第1実施形態で説明した前記pH調整剤添加工程(第1pH調整剤添加装置4により処理水W2に酸性薬剤を添加するpH調整剤添加工程)と区別するため、第2pH調整剤添加装置17により透過水W3にアルカリ性薬剤を添加するpH調整剤添加工程を、第2のpH調整剤添加工程と呼ぶ。
第1の逆浸透膜モジュール3から送出され通水ライン9を流通する透過水W3に対して、第2pH調整剤添加装置17によりアルカリ性薬剤(例えば、水酸化ナトリウム)が添加される。ここで、第2pH調整剤添加装置17から透過水W3に添加されるアルカリ性薬剤の添加量は、第2pH値センサ27により検出されるpH値に基づいて、第2pH調整剤制御部36によって調整される。ここでの添加量の調整は、例えばフィードバック制御を利用することができる。
第2のpH調整剤添加工程を経てアルカリ性薬剤が添加された透過水W3は、通水ライン9から第2逆浸透膜装置19に流通され、更に精製される。すなわち、第2逆浸透膜装置19は、透過水W3を、第2の逆浸透膜モジュール16で透過水W6と濃縮水W7とに分離する。これにより、溶存塩類等の夾雑成分が更に除去された精製水である透過水W6を得ることができる。
尚、濃縮水W7は、返送ライン13を通って通水ライン7以外の他の通水ライン(例えば、通水ライン5)に流入して再利用されることとしてもよい。また、濃縮水W7は、返送ライン13を通って水処理システム65の系外へ排水されても構わない。
前記同様の動作としては、ランゲリア指数監視装置30によるランゲリア指数の監視及び制御(第1pH調整剤添加装置4の制御による目標ランゲリア指数(0.3以下)への調整)、並びにシリカ濃度監視装置40によるシリカ濃度の監視及び制御(濃縮水排水バルブ15の制御による目標シリカ濃度(150mgSiO2/L以下)への調整)である。
また、第2pH調整剤制御部36は、第2pH値センサ27から入力されたpH値の情報に基づいて、第2pH調整剤添加装置17を制御し、アルカリ性薬剤の添加量を再調整する。具体的には、透過水W3のpH値が前記所定の範囲に維持されるように、アルカリ性薬剤の添加量を増減させる。
処理水W2は、気体分離膜モジュール2により脱気処理されてはいるものの、第1pH調整剤添加装置4から酸性薬剤が添加されていることにより、該処理水W2中の炭酸水素イオン及び炭酸イオンが溶存炭酸ガスに変化することがある。この場合、溶存炭酸ガスは、第1の逆浸透膜モジュール3で除去されないため、透過水W3の純度が低下する。そこで、透過水W3のpH値を8以上とすることにより、残留している溶存炭酸ガスを炭酸水素イオン及び炭酸イオンに再イオン化する。これにより、第2の逆浸透膜モジュール16において、処理水W2に由来する溶存炭酸ガスをほぼ完全に除去することが可能になり、透過水W6の純度を向上させることができるのである。
さらに、第1の逆浸透膜モジュール3で除去しきれなかった透過水W3中に残存する溶存塩類や溶存炭酸ガス等の夾雑成分を、第2の逆浸透膜モジュール16で精度よく除去するので、より高純度な精製水である透過水W6を製造可能である。
また、このように高純度な精製水を製造しつつも、透過水W3を膜分離処理して製造された濃縮水W7については、第1の逆浸透膜モジュール3の上流側の通水ライン7に戻し再利用しているので、造水コストが削減される。
次に、図8を参照して、本発明の第6実施形態に係る水処理システム70及びこれを用いた水処理方法について説明する。尚、第5実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
さらに、第2の逆浸透膜モジュール16の透過水W6を、脱イオン処理してより高純度な精製水である脱イオン水W8とすることができ、精製水の品質が向上する。
また、電気脱イオンモジュール52は、脱イオン性能を維持するための所謂再生が不要であるので、取り扱い性に優れ、かつランニングコストが廉価である。
この場合、脱イオン水W8の品質を十分に確保しつつも、電気脱イオンモジュール52のイニシャルコストを削減可能である。
次に、図9を参照して、本発明の第7実施形態に係る水処理システム75及びこれを用いた水処理方法について説明する。尚、第6実施形態と同一部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
また、陽イオン交換樹脂単床塔56の構成は、第3実施形態で説明したものと同様であるため、その説明を省略する。
さらに、第2の逆浸透膜モジュール16の透過水W6を、脱イオン処理してより高純度な精製水である脱イオン水W8とすることができ、精製水の品質が向上する。
また、陽イオン交換樹脂単床塔56は、イニシャルコストが廉価であるから、この水処理システム75は、脱イオン水W8の品質を十分に確保しつつも、設備費用を削減できる。
次に、図9を参照して、本発明の第8実施形態に係る水処理システム80及びこれを用いた水処理方法について説明する。
本実施形態の水処理システム80は、図9に示すように、第7実施形態に係る陽イオン交換樹脂単床塔56に代えて、第2の逆浸透膜分離工程の透過水W6を脱イオン処理(脱イオン処理工程)するイオン交換樹脂混床塔61を備えている。その他は、第7実施形態と同様であるため、説明を省略する。
また、イオン交換樹脂混床塔61の構成は、第4実施形態で説明したものと同様であるため、その説明を省略する。
さらに、第2の逆浸透膜モジュール16の透過水W6を、脱イオン処理してより高純度な精製水である脱イオン水W8とすることができ、精製水の品質が向上する。
そして、本実施形態によれば、第2の逆浸透膜モジュール16から送出された透過水W6中に、塩構成カチオンのみならず、負荷電性のRO膜を透過した塩構成アニオンが存在したとしても、イオン交換樹脂混床塔61でこれらの残留イオンを精度よく脱イオン処理して、脱イオン水W8の純度が十分に高められる。
また、温度は、処理水W2の温度を濃縮水W4の温度とみなすことにより、検出値としてもよい。
また、pH値は、処理水W2のpH値と所定の濃縮倍率における濃縮水W4のpH値との関係式を予め実験等により求めておき、この関係式に基づいて換算してもよい。
また、ランゲリア指数記憶部35に、これらの換算式や関係式等を記憶させるように構成してもよい。
また、水質検出装置20は、排水ライン8を流通する濃縮水W4の水質、及び、通水ライン7(又は通水ライン5)を流通する処理水W2(又は供給水W1)の水質の両方を検出するように構成されていてもよい。
実験例1〜3
電気伝導率159mS/m、硬度414mgCaCO3/L、シリカ濃度44mgSiO2/L、総アルカリ度90mgCaCO3/L、及びpH7.6の水質に調整された試験用の供給水を給水タンクに貯留し、この供給水を逆浸透膜エレメント(ウンジン・ケミカル社製:型式名「RE8040−BLF」)1本装填した逆浸透膜モジュールへ加圧ポンプで加圧しながら連続的に供給し、透過水流量1000L/h、回収率75%、温度25℃の条件で運転した。透過水流量は、加圧ポンプの回転数を調節により制御した。尚、逆浸透膜モジュールへの通水はクロスフロー方式とし、透過水流量に対して系内の循環流量が5倍となるように、濃縮水の一部を加圧ポンプの一次側へ循環させた。このような供給水の処理運転中に、濃縮水の一部を定期的にサンプルとして採取し、濃縮水のシリカ濃度が概ね135〜150mgSiO2/L、及び濃縮水の電気伝導率が概ね510〜530mS/mに維持されていることを確認した。
供給水への硫酸添加により濃縮水のランゲリア指数を0.5に制御した点を除き、実験例1〜3と同様の条件で供給水を処理した。
供給水への硫酸添加による濃縮水のランゲリア指数の制御をしなかった点を除き、実験例1〜3と同様の条件で供給水を処理した。
供給水への硫酸添加により濃縮水のランゲリア指数を0.2に制御し、かつ回収率を増加させて濃縮水のシリカ濃度を170mgSiO2/L程度にまで高めた点を除き、実験例1〜3と同様の条件で供給水を処理した。
供給水へのスケール分散剤を添加しなかった点を除き、ランゲリア指数を0.3に制御した実験例3と同様の条件で供給水を処理した。
供給水への硫酸添加によるランゲリア指数の制御、及び、供給水へのスケール分散剤の添加をしなかった点を除き、実験例1〜3と同様の条件で供給水を処理した。
実験例1〜3及び比較実験例1〜5のそれぞれにおいて、水処理運転中の逆浸透膜エレメントに作用する有効圧力の変化を経時的に測定した。そして、有効圧力の測定値、透過水W3流量の設定値、及び逆浸透膜エレメントの有効膜面積から、水透過係数を所定時間経過毎に算出した。初期状態の水透過係数は、逆浸透膜エレメントの個体差により多少のばらつきがあるため、水処理運転の開始から1時間経過時点の数値を初期値とした。また、水処理運転の開始から24時間経過時点での透過水の電気伝導率を測定した。電気伝導率は、透過水の水質を示す指標であり、数値が低いほど透過水にイオン成分(夾雑成分)が少ないこと、すなわち水質が良好なことを表している。結果を表1に示す。表中における濃縮水のランゲリア指数、シリカ濃度及び電気伝導率は、水処理運転中の平均値である。尚、比較実験例5は、120時間経過時点の水透過係数が初期値の15%未満まで低下したため、この時点で水処理運転を中止した。
2 気体分離膜モジュール
3 第1の逆浸透膜モジュール
12 分散剤添加装置
16 第2の逆浸透膜モジュール
52 電気脱イオンモジュール
56 陽イオン交換樹脂単床塔
61 イオン交換樹脂混床塔
W1 供給水
W2 処理水
W3 第1の逆浸透膜分離工程(第1の逆浸透膜モジュール)の透過水
W4 第1の逆浸透膜分離工程(第1の逆浸透膜モジュール)の濃縮水
W6 第2の逆浸透膜分離工程(第2の逆浸透膜モジュール)の透過水
W7 第2の逆浸透膜分離工程(第2の逆浸透膜モジュール)の濃縮水
Claims (18)
- シリカ及び硬度成分を含む供給水を精製するための水処理方法であって、
供給水を気体分離膜モジュールで脱気処理する脱気処理工程と、
脱気処理工程の処理水にスケール分散剤を添加する分散剤添加工程と、
スケール分散剤が添加された処理水を第1の逆浸透膜モジュールで透過水と濃縮水とに分離する第1の逆浸透膜分離工程とを含み、
逆浸透膜分離工程では、濃縮水のランゲリア指数を0.3以下、かつシリカ濃度を150mgSiO2/L以下に保って分離操作する、水処理方法。 - 第1の逆浸透膜分離工程の透過水を、電気脱イオンモジュールで脱イオン処理する脱イオン処理工程を含む、請求項1に記載の水処理方法。
- 第1の逆浸透膜分離工程の透過水を、イオン交換樹脂混床塔で脱イオン処理する脱イオン処理工程を含む、請求項1に記載の水処理方法。
- 第1の逆浸透膜分離工程の透過水を、陽イオン交換樹脂単床塔で脱イオン処理する脱イオン処理工程を含む、請求項1に記載の水処理方法。
- 第1の逆浸透膜分離工程の透過水を、更に第2の逆浸透膜モジュールで透過水と濃縮水とに分離する第2の逆浸透膜分離工程を含む、請求項1に記載の水処理方法。
- 第2の逆浸透膜分離工程の透過水を、電気脱イオンモジュールで脱イオン処理する脱イオン処理工程を含む、請求項5に記載の水処理方法。
- 第2の逆浸透膜分離工程の透過水を、イオン交換樹脂混床塔で脱イオン処理する脱イオン処理工程を含む、請求項5に記載の水処理方法。
- 第2の逆浸透膜分離工程の透過水を、陽イオン交換樹脂単床塔で脱イオン処理する脱イオン処理工程を含む、請求項5に記載の水処理方法。
- スケール分散剤は、ポリカルボン酸及びホスホン酸の混合物からなる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の水処理方法。
- シリカ及び硬度成分を含む供給水を精製するための水処理システムであって、
供給水を脱気処理する気体分離膜モジュールと、
脱気処理した処理水にスケール分散剤を添加する分散剤添加装置と、
スケール分散剤が添加された処理水を透過水と濃縮水とに分離する第1の逆浸透膜モジュールと、を含み、
前記第1の逆浸透膜モジュールにおいて、濃縮水のランゲリア指数を0.3以下、かつシリカ濃度を150mgSiO2/L以下に保って分離操作するように構成されている、水処理システム。 - 前記第1の逆浸透膜モジュールの透過水を脱イオン処理する、電気脱イオンモジュールを含む、請求項10に記載の水処理システム。
- 前記第1の逆浸透膜モジュールの透過水を脱イオン処理する、イオン交換樹脂混床塔を含む、請求項10に記載の水処理システム。
- 前記第1の逆浸透膜モジュールの透過水を脱イオン処理する、陽イオン交換樹脂単床塔を含む、請求項10に記載の水処理システム。
- 第1の逆浸透膜分離工程の透過水を、更に透過水と濃縮水とに分離する第2の逆浸透膜モジュールを含む、請求項10に記載の水処理システム。
- 前記第2の逆浸透膜モジュールで分離した透過水を脱イオン処理する、電気脱イオンモジュールを含む、請求項14に記載の水処理システム。
- 前記第2の逆浸透膜モジュールで分離した透過水を脱イオン処理する、イオン交換樹脂混床塔を含む、請求項14に記載の水処理システム。
- 前記第2の逆浸透膜モジュールで分離した透過水を脱イオン処理する、陽イオン交換樹脂単床塔を含む、請求項14に記載の水処理システム。
- 前記スケール分散剤は、ポリカルボン酸及びホスホン酸の混合物からなる、請求項10〜17のいずれか1項に記載の水処理システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011051556A JP5757109B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 水処理方法及び水処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011051556A JP5757109B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 水処理方法及び水処理システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012187471A JP2012187471A (ja) | 2012-10-04 |
JP5757109B2 true JP5757109B2 (ja) | 2015-07-29 |
Family
ID=47081242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011051556A Ceased JP5757109B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 水処理方法及び水処理システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5757109B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5906926B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2016-04-20 | 富士電機株式会社 | スケール抑制装置、その装置を用いた地熱発電システム及びスケール抑制方法 |
JP6056365B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2017-01-11 | 三浦工業株式会社 | 水処理システム |
CN104291502A (zh) * | 2013-07-17 | 2015-01-21 | 苏州华清水处理技术有限公司 | 一种用集成膜技术处理硝酸铵废水的装置 |
CN103803718A (zh) * | 2013-12-19 | 2014-05-21 | 清华大学 | 抑制水源切换引发供水管网铁释放的磷酸盐缓蚀剂投加法 |
CN104370352B (zh) * | 2014-11-12 | 2016-04-13 | 浙江开创环保科技股份有限公司 | 一种连续浓缩脱盐的电渗析系统与方法 |
JP6582757B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2019-10-02 | 栗田工業株式会社 | 水質測定方法及び装置 |
CN105948373A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-09-21 | 无锡锡能锅炉有限公司 | 一种锅炉水处理方法 |
CN117147274B (zh) * | 2023-10-31 | 2024-01-23 | 成都博瑞科传科技有限公司 | 一种多模式化的水样浓缩系统及其浓缩方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02303593A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Japan Organo Co Ltd | 二段式逆浸透膜装置 |
JP3187629B2 (ja) * | 1993-12-16 | 2001-07-11 | オルガノ株式会社 | 逆浸透膜処理方法 |
JPH09206749A (ja) * | 1996-02-02 | 1997-08-12 | Japan Organo Co Ltd | 造水装置、及び造水方法 |
TW404847B (en) * | 1996-08-12 | 2000-09-11 | Debasish Mukhopadhyay | Method and apparatus for high efficiency reverse osmosis operation |
JP2001205297A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-31 | Japan Organo Co Ltd | 純水製造装置 |
JP3912067B2 (ja) * | 2001-10-22 | 2007-05-09 | 栗田工業株式会社 | 一次純水製造装置 |
JP3941097B2 (ja) * | 2001-12-11 | 2007-07-04 | 栗田工業株式会社 | 循環水系のスケール防止方法 |
JP2004034001A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Kobe Steel Ltd | 水質改善方法 |
US20070119782A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Rawson James Rulon Y | Method and system for controlling corrosivity of purified water |
JP5287908B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2013-09-11 | 三浦工業株式会社 | 水処理装置 |
JP5768959B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2015-08-26 | 三浦工業株式会社 | 水処理装置 |
-
2011
- 2011-03-09 JP JP2011051556A patent/JP5757109B2/ja not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012187471A (ja) | 2012-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5757109B2 (ja) | 水処理方法及び水処理システム | |
JP5359898B2 (ja) | 水処理方法及び水処理システム | |
JP2012192363A (ja) | 水処理方法及び水処理システム | |
JP5433633B2 (ja) | 正浸透膜を用いた海水淡水化システム | |
JP5757110B2 (ja) | 水処理方法及び水処理システム | |
JP2012192374A (ja) | 水処理装置 | |
JP5733351B2 (ja) | ホウ素含有水の処理方法及び装置 | |
JP5768959B2 (ja) | 水処理装置 | |
JP6395844B2 (ja) | 水処理装置の付着物監視装置、水処理装置及びその運転方法、水処理装置の洗浄方法 | |
WO2013094427A1 (ja) | 逆浸透処理装置 | |
JP5961916B2 (ja) | 水処理装置 | |
JP2015042385A (ja) | 淡水化システム | |
KR102459286B1 (ko) | 피처리수 중의 붕소 제거 방법, 붕소 제거 시스템, 초순수 제조 시스템 및 붕소 농도의 측정 방법 | |
JP7102706B2 (ja) | 海水淡水化方法および海水淡水化システム | |
US20180104652A1 (en) | Reverse osmosis membrane cleaning method and reverse osmosis membrane cleaning apparatus | |
JP2012192364A (ja) | 水処理方法及び水処理システム | |
WO2016035175A1 (ja) | 水処理装置及び水処理装置の運転方法 | |
JP5673225B2 (ja) | 水処理方法及び水処理システム | |
JP4351559B2 (ja) | 海水淡水化方法 | |
US20150321928A1 (en) | Fresh water generation method (as amended) | |
WO2021049621A1 (ja) | 濃縮システム | |
JP2019000804A (ja) | 膜分離装置 | |
JP6061446B2 (ja) | 水処理方法及び水処理システム | |
JP2021094519A (ja) | 濃縮システム | |
JP7318755B1 (ja) | 脱塩装置の運転方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140924 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141030 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20141030 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5757109 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RVOP | Cancellation by post-grant opposition |