JP5756526B2 - アクチュエータ及びその製造方法 - Google Patents

アクチュエータ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5756526B2
JP5756526B2 JP2013545211A JP2013545211A JP5756526B2 JP 5756526 B2 JP5756526 B2 JP 5756526B2 JP 2013545211 A JP2013545211 A JP 2013545211A JP 2013545211 A JP2013545211 A JP 2013545211A JP 5756526 B2 JP5756526 B2 JP 5756526B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
actuator
sensor
layers
laminate
length
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013545211A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014504018A (ja
Inventor
ガブル,ラインハルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Publication of JP2014504018A publication Critical patent/JP2014504018A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5756526B2 publication Critical patent/JP5756526B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/05Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H10N30/053Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/101Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical and mechanical input and output, e.g. having combined actuator and sensor parts
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
  • Fuel-Injection Apparatus (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Description

本発明は、アクチュエータ及びその製造方法に関する。
アクチュエータは駆動装置とも呼ばれ、例えば燃料噴射システムに使用される。そのようなアクチュエータは長さの変化が可能な領域に圧電要素を備えており、この圧電要素は印加された電圧に応じて伸張又は短縮する。燃料噴射システムで使用されているような多層アクチュエータ又は圧電多層アクチュエータでは、圧電要素が積層化されて配置されていることにより、例えば作動温度がこの構成品の寿命に影響を与えるという面がある。いくつかの要素では、それにもかかわらず温度が監視されない。
構成品の寿命を制限する作動範囲、又は起こり得る損傷の開始を検出するため、構成品の温度は例えばセンサで監視することが望ましい。
温度監視のために、アクチュエータには熱的に結合された温度センサが使用される。この独立した、一体化されていないセンサはさらに取付けスペースを必要とする。センサはさらに、構成品の内部温度を把握するには適していない。使用されている材料の熱抵抗及び特殊な設計によって、測定された温度はアクチュエータの内部温度と大幅に異なっている。
温度検出のさらなる手段には、アクチュエータの小信号静電容量値から温度情報を取得することが含まれる。しかしこの方法は精度に限界がある。さらに測定値は、使用される圧電セラミック(PZT)材料の焦電性特性によって変化する。その上温度検知のこの種の方法のために必要な直線性の小信号測定は、アクチュエータの大信号と組み合わせることが煩雑であり、それによってさらに電子機器のためのコストが発生する。
本発明の課題は、前述の観点から改善されたアクチュエータを提供することである。
本課題は、請求項1の特徴を備えたアクチュエータにより解決される。このアクチュエータは、温度検出可能なセンサ層を含んでいる。
このアクチュエータは圧電要素が層状に配置されたアクチュエータである。この要素の伸長性と短縮性によって長さの変化を可能としている。このアクチュエータは好ましくは、1つ又は複数のレイヤがセンサ層である複数の層又はレイヤを備えた多層アクチュエータである。他のレイヤは圧電活性のある層として伸張又は短縮性を備えることができ、その制御のために用いられるか又はただ安定化目的のみを有している。センサ層を備えたこのセンサは、例えば熱抵抗性センサとして形成されてよく、このセンサでは温度検出は温度に依存した抵抗変化を使って行なわれる。このセンサは多層アクチュエータのマルチレイヤ構造に一体化されている。有利にはこのセンサレイヤ又はセンサ層は、圧電要素が配置されている元々のアクチュエータ領域からは独立した制御装置を持っている。
このような構成品は、アクチュエータのセラミック温度を補足的に検知することを可能にする。ハイブリッド解決法、すなわちアクチュエータに連結されたセンサ要素とは異なり、アクチュエータ内に一体化されたセンサ層はほとんど又はほとんどまったく追加的なスペースを必要としない。このセンサ層によって生じる追加費用はわずかである。なぜなら温度センサは、主として標準圧電プロセスの範囲で製造可能だからである。
温度センサの使用により、危険な作動状態を早期に検知し得ることによって構成品の信頼性が高まる。
本発明のその他の有利な実施形態は、従属請求項に開示される。
このアクチュエータは交互に層状に配置されている複数の内部電極と圧電要素を備えた、長さの変化が可能な領域を含み、これらを使用してアクチュエータの伸張又は短縮が可能になる。内部電極と電気的に接続されている外部電極により、構成品に伸張又は短縮を制御する制御電圧を印加することを可能にする。
さらに、センサ層と回路をつなぐためのセンサ電極が備えられ、このセンサ電極を介して温度依存値を読み出すことができる。検出を改善するために、又はリダンダンシーとして、別のセンサ面が備えられ得る。
一実施例では、センサ層が構造化され、及び抵抗回路を含み、その温度依存の抵抗変化が検出される。この抵抗回路は2つのセラミック層の間に配置され得る。
これは一実施例では圧電要素と同じ材料から製造される。別法の一実施例では、これは圧電要素とは異なった材料から製造される。
抵抗回路は有利には金属製である。これは例えば正確な温度検出を可能にするパラジウム及び/又はプラチナを含む。一実施例では、抵抗回路は蛇行形状に形成され、その結果抵抗回路は長く伸び、明確な抵抗値を持っている。
アクチュエータの製造方法は、例えばシート上へのセンサ構造の印刷を含む。センサ構造は構造化されたセンサ層であり、このセンサ層は抵抗回路を含み得る。別の工程では、上にセンサ構造が印刷されたシート、及び長さの変化が可能な領域を形成するための別のシートが重ねられて積層体にされ、プレスされる。続いてこの積層体が焼結される。センサ構造の製造を除き、従来型の多層アクチュエータと比べて追加の工程は不要である。なぜなら積層によってセンサシートは製造プロセスに統合されるからである。
アクチュエータの実施例の模式的横断面図である。 アクチュエータ内の温度センサの平面図である。
図1は、温度センサ2を内蔵したアクチュエータ1、すなわち駆動装置の実施例の模式的横断面図である。
アクチュエータ1は、複数の圧電要素3と複数の内部電極4を備えた多層アクチュエータである。アクチュエータ1は、交互に配置されている圧電要素3と内部電極4を備えた領域5を含み、その結果これらは積層形状に積層化されている。その際第一の極性の内部電極4と、第二の極性の内部電極4が積層に沿って交互に替わる。第一の極性の内部電極4は、例えばそれがアクチュエータ積層体8の外側に案内されることで、第一の外部電極6と電気的に接続されており、その際外部電極6はこの外側に配設される。第二の極性の内部電極4は、例えばそれがアクチュエータ積層体8の別の外側に案内されることで、第二の外部電極7と電気的に接続されており、その際外部電極7はこの外側に配設される。外部電極6、7には制御電圧が印加可能である。
圧電要素3と内部電極4は、多層アクチュエータ1の層を形成している。圧電要素3は圧電性のセラミックから形成され、内部電極4に制御電圧が印加されるとその軸方向の拡張が変化する。外部電極6、7と電気的に接続されている圧電要素3と内部電極4を備えたアクチュエータ1の領域5は、アクチュエータ1の軸方向9に長さの変化が可能である。
アクチュエータ1は、1つ又は複数のさらなる層を含み、これらの層はセンサ層又はセンサ面10となっており、センサ電極11を介して電気的な接続をとれる。図1に示されたようにセンサ電極11の少なくとも1つが、有利には両方が、電気的に外部電極6、7から分離されていなければならない。図1に示されたように1つのセンサ層10又は複数のセンサ層10は、アクチュエータの長さの変化が可能な領域5の縁に配置され得る。別法として1つ又は複数のセンサ層10はその2つの側に長さの変化が可能な領域5が備えられているように配置され得る。又は言い換えれば、センサ2はアクチュエータ積層体8の中央に配置されている。一実施例では、複数のセンサ層10が備えられ、これらセンサ層は、例えば縁に、及びアクチュエータ積層体8の中心に、アクチュエータの長さの変化が可能な領域5と互いに分離されて配置され得る。一実施例では、複数のセンサ層10が備えられ、これらセンサ層は隣接して配置されている。
図2はその構造化されたセンサ層10を備えたセンサ2の平面図である。センサ2は、熱電センサ2となっており、所与の抵抗値を備えた抵抗回路12及びセンサ電極11を含み、この抵抗値は温度に依存して変化する。センサ電極11は、外へ案内された、センサ層10の接触領域14にはんだ付けされる。抵抗回路12の長さは有利には接触領域14の間の直線的な距離を超える。この効果は例えば抵抗回路12の蛇行形状の構造によって達成される。蛇行形状の抵抗回路12は、センサ電極11間で複数の方向に変化しながら伸びる。
抵抗回路12の幅がその伸びに沿って変化する、例えば先に行くほど細くなることもまた考え得る。
一実施例では、抵抗回路12は、圧電セラミック(PZT)から成る2つのセラミック層13の間に埋め込まれる。好ましくは抵抗回路12は例えばパラジウム及び/又はプラチナのような、共焼結可能な金属から形成される。センサ2の評価は、一実施例では、温度範囲−100℃〜200℃で行なわれる。この典型的な温度範囲では、金属製抵抗回路12の抵抗変化は広範囲にわたって直線的に温度に依存する。
別の一実施例では、センサ層10は2つのセラミック層13の間にあり、このセラミックは圧電要素3のために使用されるものと区別される。これはしかし製造に関して、圧電要素3に使用されるセラミックに対して適合性がある、すなわちこのセラミックはアクチュエータ1製造時に圧電要素3用のセラミックと同様に加工でき、その結果例えば製造時に材料間に応力は生じない。
このアクチュエータ1は、センサ機能のために備えられた面又はシートの上に金属製のセンサ構造10が配設されることによって製造可能である。これは例えばシルクスクリーン印刷を使用して実施し得る。長さの変化が可能な領域5のための内部電極4を形成する金属製の層及び同じくシートとして存在し得る圧電セラミックは、センサ2のための構造化されたシートと重ねられて積層体が形成され、圧電レイヤとセンサレイヤから成る積層体がプレスされる。後の長さの変化が可能な又は圧電活性のある領域5及びセンサ2を備えた積層体は、1つの工程で焼結される。一体化された製造により、積み重ねの前にわずかな別の作業手順がセンサ層形成のために必要である。
また、実施例の特徴を組み合わせることも可能である。
1 アクチュエータ
2 センサ
3 圧電要素
4 内部電極
5 長さの変化が可能な領域
6 外部電極
7 外部電極
8 積層体
9 軸方向
10 センサ層
11 センサ電極
12 抵抗回路
13 セラミック層
14 接触領域

Claims (10)

  1. 温度依存の抵抗変化を検出する抵抗回路(12)を含み、温度を検出可能なセンサ層(10)と、
    複数の交互に層状に配置されている内部電極(4)及び圧電要素(3)を備え長さの変化が可能な領域(5)と、を備えた積層体(8)を有するアクチュエータ(1)であって、
    前記抵抗回路(12)が2つのセラミック層(13)の間に配置されており、
    前記セラミック層(13)が前記圧電要素(3)と同じ材料から製造され、又はそれとは異なるが、製造に関して、前記圧電要素(3)に使用されるセラミックに対して適合性がある材料から製造され、前記積層体(8)が一つの工程で焼結されて一体化され、
    前記センサ層(10)と回路をつなぐためのセンサ電極(11)を前記アクチュエータ(1)がさらに含み、
    前記センサ電極(11)が、前記内部電極(4)と電気的に接続されている外部電極(6,7)と電気的に絶縁してあるアクチュエータ(1)。
  2. 前記内部電極(4)と電気的に接続されている外部電極(6、7)を含む、請求項1に記載のアクチュエータ(1)。
  3. 複数の前記センサ層(10)を備えた、請求項1または2に記載のアクチュエータ(1)。
  4. 前記センサ層(10)は、前記長さの変化が可能な領域(5)の端に配置されている請求項1からのいずれか一項に記載のアクチュエータ(1)。
  5. 温度依存の抵抗変化を検出する抵抗回路(12)を含み、温度を検出可能なセンサ層(10)と、
    複数の交互に層状に配置されている内部電極(4)及び圧電要素(3)を備え長さの変化が可能な領域(5)と、を備えた積層体(8)を有するアクチュエータ(1)であって、
    前記抵抗回路(12)が2つのセラミック層(13)の間に配置されており、
    前記セラミック層(13)が前記圧電要素(3)と同じ材料から製造され、又はそれとは異なるが、製造に関して、前記圧電要素(3)に使用されるセラミックに対して適合性がある材料から製造され、前記積層体(8)が一つの工程で焼結されて一体化され、
    複数の前記センサ層(10)が備えられ、これらセンサ層(10)は、前記長さの変化が可能な領域(5)の端と、前記積層体(8)の中心に、前記長さの変化が可能な領域(5)と互いに絶縁されて配置されているアクチュエータ(1)。
  6. 前記センサ層(10)は、前記積層体(8)の外部に案内された一対の接触領域(14)を有し、それぞれの前記接触領域(14)には、センサ電極(11)が接続され、
    一対の前記接触領域(14)の間に、前記抵抗回路(12)が接続され、
    前記抵抗回路(12)の長さは一対の前記接触領域14の間の直線的な距離を超える請求項1からのいずれか一項に記載のアクチュエータ(1)。
  7. 前記抵抗回路(12)がパラジウム及び/又はプラチナを含む、請求項1からのいずれか一項に記載のアクチュエータ(1)。
  8. 前記抵抗回路(12)が蛇行形状に形成されている、請求項1からのいずれか一項に記載のアクチュエータ(1)。
  9. 請求項1からのいずれか一項に記載のアクチュエータ(1)の製造方法であって、
    センサ構造の印刷工程を含む製造方法。
  10. 積層体の形成及び前記積層体のプレスのために、前記センサ構造が印刷されたシートと、長さの変化が可能な領域(5)を形成するための他のシートとの積層工程を含む、請求項に記載の製造方法。
JP2013545211A 2010-12-23 2011-12-15 アクチュエータ及びその製造方法 Expired - Fee Related JP5756526B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010055934.2A DE102010055934B4 (de) 2010-12-23 2010-12-23 Aktuator und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010055934.2 2010-12-23
PCT/EP2011/072960 WO2012084694A1 (de) 2010-12-23 2011-12-15 Aktuator und verfahren zu dessen herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014504018A JP2014504018A (ja) 2014-02-13
JP5756526B2 true JP5756526B2 (ja) 2015-07-29

Family

ID=45470519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013545211A Expired - Fee Related JP5756526B2 (ja) 2010-12-23 2011-12-15 アクチュエータ及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9252351B2 (ja)
JP (1) JP5756526B2 (ja)
DE (1) DE102010055934B4 (ja)
WO (1) WO2012084694A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6459028B2 (ja) * 2014-09-03 2019-01-30 ローム株式会社 圧電素子およびそれを備えたインクジェットヘッド
DE102015117203A1 (de) 2015-10-08 2017-04-13 Epcos Ag Drucksensor
DE102015226143A1 (de) * 2015-12-21 2017-06-22 Robert Bosch Gmbh Vielschichtaktor
FR3074361B1 (fr) * 2017-11-27 2019-10-18 Continental Automotive France Rondelle piezoelectrique pour capteur accelerometre avec chemin resistif sur son contour externe
CN109724716B (zh) * 2018-12-29 2020-09-29 广东爱晟电子科技有限公司 多层薄膜型高灵敏性热敏感温芯片及其制作方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529677A (ja) 1991-07-23 1993-02-05 Toyota Motor Corp 圧電積層体の駆動制御方法
JP2586371B2 (ja) 1992-12-22 1997-02-26 日本電気株式会社 圧電アクチュエータ
EP0638909A1 (en) 1993-08-13 1995-02-15 GITEM Technical and Production Complex of SEPO JSCo Temperature-sensitive resistor and its production process
US5436494A (en) * 1994-01-12 1995-07-25 Texas Instruments Incorporated Temperature sensor calibration wafer structure and method of fabrication
DE19540194C1 (de) 1995-10-30 1997-02-20 Heraeus Sensor Gmbh Widerstandsthermometer aus einem Metall der Platingruppe
JPH09321359A (ja) 1996-05-31 1997-12-12 Kyocera Corp 積層型圧電アクチュエータ
JPH10144503A (ja) 1996-11-08 1998-05-29 Tdk Corp 抵抗型温度センサ及びその製造方法
JPH10275707A (ja) 1997-03-28 1998-10-13 Kyocera Corp 温度センサー
DE19715488C1 (de) 1997-04-14 1998-06-25 Siemens Ag Piezoaktor mit neuer Kontaktierung und Herstellverfahren
DE10023556A1 (de) 2000-05-15 2001-11-29 Festo Ag & Co Piezo-Biegewandler sowie Verwendung desselben
DE10147666B4 (de) 2001-09-27 2011-03-10 Robert Bosch Gmbh Piezoelement und Verfahren zur Herstellung eines Piezoelements
DE20211328U1 (de) * 2002-07-26 2002-10-17 Guenther Gmbh & Co Temperaturfühler und Heizvorrichtung für Heißkanalsysteme
JP4048967B2 (ja) 2003-02-10 2008-02-20 株式会社デンソー 圧電アクチュエータおよび内燃機関の燃料噴射装置
JP2005150548A (ja) 2003-11-18 2005-06-09 Kyocera Corp 積層型圧電素子およびこれを用いた噴射装置
DE10349309A1 (de) 2003-10-23 2005-05-25 Siemens Ag Aktor mit einem Temperatursensor und Herstellungsverfahren für einen solchen Aktor
DE102006019942B4 (de) * 2006-04-28 2016-01-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Kraftmessvorrichtung zur Messung der Kraft bei Festkörperaktoren, Verfahren zur Messung einer Kraft sowie Verwendung der Kraftmessvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
DE102010055934A1 (de) 2012-06-28
JP2014504018A (ja) 2014-02-13
WO2012084694A1 (de) 2012-06-28
US20140009034A1 (en) 2014-01-09
US9252351B2 (en) 2016-02-02
DE102010055934B4 (de) 2018-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5756526B2 (ja) アクチュエータ及びその製造方法
JP5819631B2 (ja) 経時温度変化の変換を行うトランスデューサ、このトランスデューサを組み込んである電子チップ、およびこの電子チップの製造方法
CN104769403B (zh) 温度探测器以及用于制造温度探测器的方法
JP5709808B2 (ja) 粒子状物質検出素子の製造方法、並びに、粒子状物質検出センサ
CN101750123A (zh) 热式流体流量传感器及其制造方法
US11187666B2 (en) Method for manufacturing a relative humidity sensor and relative humidity sensor
US10009026B2 (en) Touch-sensitive sensor and method for producing such a sensor
WO2021000866A1 (zh) 一种cmos-mems湿度传感器
US20160169753A1 (en) Press detecting sensor
JP2016080566A (ja) 粒子状物質検出センサ
US7624639B2 (en) Acceleration sensor
JP4106378B2 (ja) 圧電アクチュエータ
JP5079723B2 (ja) 湿度センサ
JP6978611B2 (ja) 圧力及び温度測定用のセンサ素子
KR20180102050A (ko) 압력 측정을 위한 센서 및 방법
US20060027259A1 (en) Infrared sensor
WO2016014131A1 (en) Robust piezoelectric fluid moving devices and methods
JP4957414B2 (ja) 容量式半導体加速度センサ
JP7186685B2 (ja) 圧力センサ
JP2013113692A (ja) 赤外線センサ
JP7040722B2 (ja) Mems素子
CN113906527B (zh) 器件和器件的应用
JP2021019051A (ja) 圧電アクチュエータおよびその製造方法
JP3020130B2 (ja) 圧力測定機能を有する複合材料
JP2005322890A (ja) 圧電/電歪膜型素子

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140814

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140819

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150410

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150512

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150529

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5756526

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees