JP5751917B2 - 炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材 - Google Patents
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3は、熱伝導の担体であるフォノンの動きがほとんど制約されないため、副相3が複数の主相2にまたがって存在する柱状の相あるいは針状の相であるよりも熱伝導性や耐熱衝撃性とも高くなり、高い放熱性を求められる用途には好適である。
ることをいい、炭化珪素質焼結体の相対密度は、JIS R 1634−1998に準拠して炭化珪素質焼結体の見掛密度を求め、この見掛密度を炭化珪素質焼結体の理論密度で除すことにより求めればよい。そして、炭化珪素質焼結体の理論密度については、まず、炭化珪素質焼結体を構成する成分のそれぞれの含有量をICP(Inductively Coupled Plasma)発光分光分析法または発光X線分析法により求める。具体的なICP発光分光分析法による含有量の求め方は、前処理として炭化珪素質焼結体の一部を超硬乳鉢にて粉砕した試料にホウ酸および炭酸ナトリウムを加えて融解する。そして、放冷した後に塩酸溶液にて溶解し、溶解液をフラスコに移して水で標線まで薄めて定容とし、検量線用溶液とともにICP発光分光分析装置で測定することにより、炭化珪素質焼結体を構成する成分の金属元素の各含有量を求めることができる。
T.D=1/(0.01×(a/3.21+b/4.50+c/2.26))・・・(1)
例えば、炭化珪素質焼結体を構成する成分の含有量が、炭化珪素、チタンおよびグラファイトがそれぞれ90質量%、0.01質量%、9.99質量%であるときには、式(1)を用いて計算すると、炭化珪素質焼結体の理論密度(T.D)は、3.08g/cm3となり、JIS
R 1634−1998に準拠して炭化珪素質焼結体の見掛密度を、この理論密度(T.D)3.08g/cm3で除すことにより相対密度を求めることができる。
以下(但し、0μmを除く)であり、チタンの含有量が140質量ppm以下(但し、0p
pmを除く。)であることが重要である。炭化珪素の平均結晶粒径が4.8μm以下(但し
、0μmを除く)であり、チタンの含有量が140質量ppm以下(但し、0ppmを除く
。)であることから、単位体積当たりにおける粒界の体積を増加させることにより、粒界を横切る電気は流れにくくなり、電気の流れを促進するチタンの含有量を制限していることにより、粒界に沿って移動する電気を流れにくくすることができるので、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。なお、炭化珪素の平均結晶粒径が4.8μm
を超える、またはチタンの含有量が140質量ppmを超えると体積抵抗率の大きな炭化珪
素質焼結体とすることができない。
、研磨された面をエッチングする。そして、このエッチングされた面を500倍の倍率で光
学顕微鏡を用いて観察し、平均的に観察される面を本実施形態における観察面とする。なお、平均的に観察される面とは、観察した際に他の領域では観察されないような大きさの粒子が存在する領域を除くものである。この観察面の大きさは、例えば、横方向の長さが0.22mm、縦方向の長さが0.16mmで、面積は0.035mm2である。
線上に存在する炭化珪素の結晶の個数をこれら直線の合計長さで除すことで炭化珪素の平均結晶粒径を求めることができる。なお、チタンの含有量については、上述したICP発光分光分析法または発光X線分析法により求めることができる。
106×e−0.0024a×b−6.8×104≦R≦106×e−0.0024a×b+2.0×105・・・(2)(但し、a,b,Rは、それぞれ炭化珪素の平均結晶粒径(μm)、チタンの含有量(質量ppm)、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率(Ω・m)である。)
式(2)は、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率と、ネイピア数eを炭化珪素の平均結晶粒径とチタンの含有量との積で累乗した値との関係を示すものであり、電気抵抗の高い、すなわち体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とするのに、炭化珪素の平均結晶粒径とチタンの含有量とが大きく寄与していることが裏付けるものである。
い。そして、電極間に1Vの交流電圧を印加したときの体積抵抗率を求めればよい。
このように、電気の流れを促進する金属成分を制限することにより、粒界に沿って移動する電気を流れにくくすることができることから、体積抵抗率のより大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。これら金属成分の各含有量は、ICP発光分光分析法または蛍光X線分析法により求めればよい。
求めればよい。
るので、この炭素の含有量が制限されていることにより、体積抵抗率のより大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。
ことが好ましい。硼素の含有量が制限されていることにより、硼素を含有することによる炭化珪素の結晶の格子欠陥の増加を抑えることができ、格子欠陥を通じて電流が流れることによる電気抵抗の低下を抑えることができるので、体積抵抗率のより大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。
ニウムを含まない非酸化物を主成分とする吸着層12を備えた装置である。このアルミニウムを含まない非酸化物を主成分とする吸着層12を備えることにより、板状体7へのアルミニウムによる汚染を防止することができるとともに、板状体の7の載置面は、表面粗さが小さくなるので、板状体7の脱着で生じる発塵を低減することができる。
下(但し、0ppmを除く。)である炭化珪素質粉末を準備し、水と、必要に応じて分散剤とを、ボールミルまたはビーズミルにより40〜60時間粉砕混合してスラリーとする。ここで、粉砕混合した後の炭化珪素の平均粒径(D50)は、0.4μm以上3μm以下であ
る。次に、炭化硼素粉末および非晶質状の炭素粉末またはフェノール樹脂からなる焼結助剤と、結合剤とを添加して混合した後、噴霧乾燥することで主成分が炭化珪素からなる顆粒を得る。
粉砕混合した後の炭化珪素の平均粒径(D50)を0.4μm以上2.5μm以下とすればよい。
、鉄、コバルト、ニッケル、銅およびバナジウムの含有量がそれぞれ200質量ppm以下
である炭化珪素質粉末を用いればよい。また、炭化珪素の結晶多形のうち3C型および4H型の比率の合計が20%以下である炭化珪素質焼結体を得るには、この比率が合計20%以下である炭化珪素質粉末を用いればよい。また、h−窒化硼素を含み、その含有量が5質量%以上である炭化珪素質焼結体を得るには、h−窒化硼素の含有量が5質量%以上である炭化珪素質粉末を用いればよい。
み方向から加圧、成形して所定形状の成形体を得る。そして、成形体を窒素雰囲気中、温度を450〜650℃、保持時間を2〜10時間として脱脂して、脱脂体を得る。次に、この脱脂体を焼成炉に入れ、不活性ガスの減圧雰囲気中、最高温度を1800〜2200℃、より好適には2100〜2200℃、保持時間を3〜6時間として保持し、焼成することにより本実施形態の炭化珪素質焼結体を得ることができる。なお、不活性ガスについては特に限定されるものではないが、入手や取り扱いが容易であることから、アルゴンガスを用いることが好適である。
とし、触針式の表面粗さ計を用いて測定する場合であれば、例えば、炭化珪素質焼結体の表面に、触針先端半径が2μmの触針を当て、触針の走査速度は0.5mm/秒とすればよ
い。
おける粒界の体積を増加させることにより、粒界を横切る電気は流れにくくなり、電気の流れを促進するチタンの含有量を140ppm以下に制限していることにより、粒界に沿っ
て移動する電気を流れにくくすることができるので、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とすることができる。
然冷却して脱脂し、脱脂体とした。次に、脱脂体をアルゴンガスの減圧雰囲気中、最高温度を2150℃として、4時間保持して焼成することにより、直径および厚さがそれぞれ50mm,3.5mmmの円板からなる炭化珪素質焼結体の試料No.1〜8を得た。
溶液に炭化珪素質焼結体を15〜30秒浸し、研磨された面をエッチングした。そして、このエッチングされた面を500倍の倍率で光学顕微鏡を用いて観察し、平均的に観察される面
を本実施形態における観察面とし、この観察面を撮影した写真もしくは画像を用いて、気孔の存在する位置に重ならないように、1本当たりの長さが100μmの直線を3〜5本引
き、これらの直線上に存在する炭化珪素の結晶の個数をこれら直線の合計長さで除すことで炭化珪素の平均結晶粒径を求めた。また、炭化珪素質焼結体の両主面に、銀からなる電極を形成し、JIS C 2141−1992に準拠して、電極間に1Vの交流電圧を印加したときの体積抵抗率を測定した。結果を表1に示す。
く)であり、チタンの含有量が140質量ppm以下(但し、0ppmを除く。)であるこ
とにより、体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体とできることがわかった。
珪素質粉末の平均粒径は、JIS R 1629−1997に準拠して求めた結果、2.2μmであ
った。
バナジウムの各含有量をICP発光分光分析法によって求めた。なお、チタンの含有量はいずれの試料も50質量ppmであった。さらに、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率を実施例1と同様の方法で測定した。結果を表2に示す。
大きかった。このように、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅およびバナジウムの含有量がそれぞれ200質量ppm以下であることにより、体積抵抗率の大きな炭化
珪素質焼結体とできることがわかった。
R 1629−1997に準拠して求めた結果、2μmであった。
mであった。また、チタンの含有量はいずれの試料も50質量ppmであった。また、結晶多形が3C型および4H型の結晶多形の比率の合計については、X線回折装置を用いてX線回折を行ない、得られたスペクトルをRUSKA METHODにより求めた。また、炭化珪素質
焼結体の体積抵抗率は、実施例1と同様の方法で測定した。結果を表3に示す。
mであった。また、チタンの含有量はいずれの試料も50質量ppmであった。また、炭素分析法により炭化珪素質焼結体中の炭素量を求め、SiやBの炭化物換算に必要とした炭素量を差し引いた値を単独で存在している炭素の含有量とした。また、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率は、実施例1と同様の方法で測定した。結果を表4に示す。
とを添加してボールミルに入れて50時間粉砕混合してスラリーとした。そして、このスラリーに、焼結助剤として炭化硼素粉末および非晶質状の炭素粉末であるカーボンブラックおよびバインダを添加して粉砕混合した後、噴霧乾燥することにより主成分が炭化珪素であって、平均粒径が80μmである顆粒を得た。ここで、粉砕混合後の炭化珪素質粉末の平均粒径は、JIS R 1629−1997に準拠して求めた結果、1.8μmであった。
なお、チタンの含有量はいずれの試料も50質量ppmであった。また、炭化珪素質焼結体の体積抵抗率は、実施例1と同様の方法で測定した。結果を表5に示す。
な炭化珪素質焼結体とできることがわかった。
2:主相
3:副相
4:結晶相
5:静電吸着装置
6:電極
7:板状体
8:静電吸着部材
9:接合層
10:支持部材
11:リード線
12:吸着層
13:プラズマエッチング装置
14:サセプタ
15:クランプリング
16a:上部電極
16b:下部電極
17:高周波電源
Claims (5)
- 炭化珪素を主成分とする主相と、副相である炭化硼素と、チタンを含む結晶相とが存在する緻密質の炭化珪素質焼結体であって、前記炭化珪素の平均結晶粒径が0.6μm以上4.8μm以下であり、前記チタンの含有量が50質量ppm以上140質量ppm以下であり、硼素の含有量が0.3質量%以上0.5質量%以下であり、単独で存在している炭素の含有量が1質量%以上3質量%以下であることを特徴とする炭化珪素質焼結体。
- クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅およびバナジウムの含有量がそれぞれ200質量ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素質焼結体。
- h−窒化硼素を含み、その含有量が5質量%以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の炭化珪素質焼結体。
- 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の炭化珪素質焼結体からなることを特徴とする静電吸着部材。
- 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の炭化珪素質焼結体からなることを特徴とする半導体製造装置用部材。
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