JP2022166443A - 窒化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
窒化アルミニウムは、熱伝導率が150W/m・K以上と高いが、機械的強度が低いため、クラックが生じやすく使いづらい。
窒化ケイ素は、熱伝導率が窒化アルミニウムほどではないが50W/m・K以上はあるうえ、機械的強度が高いため、クラックが生じにくく薄型化ができる等の利点を有する。そのため、近年、窒化ケイ素焼結体の開発及び採用が進んでいる。
[2]半導体検出器を備えたX線回折装置を使用して得られたX線回折パターンにおいて粒界相に由来するピークが検出されないことが好ましい。
[3]前記焼結工程において、焼成用の閉鎖状態の筐体内に、製造する窒化ケイ素焼結体とは別体の予め焼結した板状の窒化ケイ素焼結体を配置することが好ましい。
[4]前記焼結助剤として少なくともMgO又はMgSiN2を含有し、SrOを含有しないことが好ましい。
[5]前記焼結工程により、製造する窒化ケイ素焼結体が相対密度98%以上に緻密化することが好ましい。
1930≦焼成温度(℃)+焼成時間(hr)×50≦2200とすることにより、焼結が実現されるとともに、焼結中のSiO2の揮発が抑制されて、粒界相の結晶化が抑制される。焼結助剤で形成される粒界相をアモルファス構造とすることにより、焼結後の冷却時に、体積収縮が小さくなるとともに、焼結助剤がより低温まで液相として存在して窒化ケイ素結晶粒間の狭い部分まで行き渡るため、窒化ケイ素焼結体中のボイドが少なくなり、窒化ケイ素焼結体の内部応力が減少して反りが小さくなる。また、ボイド形状の凹凸が小さくなる。
また、焼結工程において、焼成用の閉鎖状態の筐体内に、製造する窒化ケイ素焼結体とは別体の予め焼結した板状の窒化ケイ素焼結体(以下「ダミー窒化ケイ素焼結体」という。)を配置すると、焼成時にダミー窒化ケイ素焼結体のSiO2が揮発することにより、製造する窒化ケイ素焼結体のSiO2の揮発が抑制されるので、これによっても結晶化が抑制され、また、焼結密度の低下が防止される。ダミー窒化ケイ素焼結体は、製造する窒化ケイ素焼結体と、同一組成である必要はないが、同一助剤系であることが好ましい。
また、焼結助剤としてアルカリ土類金属を添加することにより、液相の融点を下げる効果がある。しかしながら、アルカリ土類金属であってもSrOは、MgO又はMgSiN2よりも揮発しにくいことから焼成後に残存してしまい、熱伝導を阻害する要因になってしまうため、少なくともMgO又はMgSiN2を含有し、SrOを含有しないことにより、高熱伝導率の窒化ケイ素焼結体を得ることができる。
また、窒化ケイ素焼結体が相対密度98%以上に緻密化することにより、曲げ強度が高くなり、絶縁破壊電圧も高くなる。
窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素と、焼結助剤で形成される粒界相とからなり、前記粒界相がアモルファス構造であることが好ましい。
前記粒界相は、少なくともMgO又はMgSiN2を含有し、SrOを含有しないことが好ましい。
前記粒界相は、少なくともMg、稀土類元素(RE)、Siを含むアモルファス構造であることが好ましい。
半導体検出器を備えたX線回折装置を使用して得られたX線回折パターンにおいて回折角2θが28°~32°の範囲に存在する粒界相における結晶化合物のピークのうち、最も大きい積分強度が、窒化ケイ素(101)面の積分強度に対して5%以下であるものを、アモルファス構造と定義する。
窒化ケイ素焼結体の表面を50μm以上研磨した研磨面の任意の少なくとも一つの64μm×48μmのエリアにおいて、ボイドの平面投影面積率が1.0%以下であることが好ましい。
窒化ケイ素焼結体の熱伝導率が80W/m・K以上であることが好ましい。
窒化ケイ素焼結体の表面を50μm以上研磨した研磨面の任意の少なくとも一つの64μm×48μmのエリアにおいて、ボイドの輪郭線内の面積をボイドの包絡線内の面積で除して算出される凹凸度が0.9以上であるボイドの個数が、ボイドの全個数の10%以上を占めていることが好ましい。
窒化ケイ素焼結体の表面を50μm以上研磨した研磨面の任意の少なくとも一つの64μm×48μmのエリアにおいて、ボイドの輪郭線内の面積をボイドの包絡線内の面積で除して算出される凹凸度が0.8以上であるボイドの個数が、ボイドの全個数の30%以上を占めていることが好ましい。
前記エリアにおいて、ボイドの平面投影面積率が1.0%以下であることが好ましい。
また、ボイドの平面投影面積率が1.0%以下であることにより、窒化ケイ素焼結体の反りが小さくなる。
板状の窒化ケイ素焼結体を120℃で1時間以上保持してから25℃の平坦な試料台に載せて1分経過する以前に測定した、窒化ケイ素焼結体の上面の最高点の試料台からの高さと最低点の試料台からの高さとの差の、窒化ケイ素焼結体の最大横断長さに対する割合として算出される反りが0.2%以下であることが好ましい。
ここで、窒化ケイ素焼結体の最大横断長さとは、窒化ケイ素焼結体の板面をその縁の1点から別の1点へ横断する線分のうち最大の線分長さをいい、例えば板面が長方形の場合は対角線長さ、板面が円形の場合は直径長さである。
厚さ100μmの板状の窒化ケイ素焼結体に交流電圧を印加したときの絶縁破壊電圧が5kV以上であることが好ましい。
なお、「厚さ100μm」は、絶縁破壊電圧の測定条件として規定するだけであり、窒化ケイ素焼結体製品の厚さを規定するものでない。すなわち、窒化ケイ素焼結体製品はどのような厚さでもよく、それを厚さ100μmに加工して測定した絶縁破壊電圧が5kV以上であれば好ましい。
窒化ケイ素焼結体の用途としては、特に限定されないが、次の用途を例示できる。
図5(a)に示すような、半導体モジュール、LEDパッケージ、ペルチェモジュール、プリンタ、複合機、半導体レーザー、光通信、高周波などで使用される回路基板。
図5(b)に示すような汎用の放熱部材。
図5(c)に示すようなパワー半導体モジュール用放熱部材(ヒートシンク)。
図5(d)に示すような絶縁板。
図5(e)に示すような接合ウエハ用の絶縁板。
図5(f)に示すような柔軟性を有する樹脂等に埋設した放熱部材。
図示しないが、ジャイロトロンやクライストロンなどに用いられる高周波窓。
主原料である窒化ケイ素(Si3N4 )として、イミド熱分解法、もしくは、直接窒化法によって製造された、平均粒子径(D50)が約1.0μmの窒化ケイ素粉末を各例に用いた。
(i)材料の混合工程
各例について、窒化ケイ素粉末に対して表1~3に示す質量%の焼結助剤粉末を配合した(窒化ケイ素粉末と焼結助剤粉末との計が100質量%)。この配合粉末100重量部に対して、界面活性型分散剤を0.3重量部と、トルエンとエタノールの混合溶媒を約50重量部添加して、樹脂製容器と窒化ケイ素玉石を用いたボールミルによって粉砕混合を行った。
次いで、作製した各例のスラリーから、ドクターブレード法によって板状のグリーンシートを得た。ドクターブレード成形装置内での最終乾燥温度は90℃とした。得られたグリーンシートを、金型プレス加工により長方形180mm×250mmへ型抜きした。
実施例1~21については、BN製の底板にグリーンシート積層体を配置し、その上にBN製のセッターを置き、セッターの上に載荷体としてタングステン製ブロックを置き、載荷体の上に上述した板状のダミー窒化ケイ素焼結体を配置した。
次いで、前記底板にBN製の側板及び天板を設置して、閉鎖状態の筐体を組み立てた。こうしてグリーンシート等を内包した筐体を焼成炉に入れ、焼成炉内を0.9MPaの窒素雰囲気とした。筐体は、完全な密閉ではなく、窒素が流入しうる程度の閉鎖状態なので、筐体内も0.9MPaの窒素雰囲気となる。
実施例1~21では、焼成温度を1830~1920℃の範囲とし、次の式1を満たすように比較的短時間、焼結した。
1930≦焼成温度(℃)+焼成時間(hr)×50≦2200・・・(式1)
比較例8では、焼成温度を1800℃とし、式1の下限を下回るように短時間、焼結した。
各例の窒化ケイ素焼結体の特性として、相対密度、3点曲げ強度、熱伝導率、X線回折法による粒界相の同定、ボイド、反り、絶縁破壊電圧を測定した(表1~3に示す)。
窒化ケイ素焼結体の相対密度は、測定密度/理論密度である。測定密度は、純水に窒化ケイ素焼結体を沈めるアルキメデス法により測定した。理論密度は、原料粉末の密度として、Si3N4=3.18g/cm3、MgO=3.60g/cm3、MgSiN2=3.07g/cm3、Y2O3=5.01g/cm3、La2O3=6.51g/cm3、Nd2O3=7.24g/cm3、Sm2O3=7.60g/cm3、Dy2O3=7.81g/cm3などの値を使用し、原料粉末の混合比から算出した。
3点曲げ強度は、窒化ケイ素焼結体をサイズ40mm×20mm×0.32mmの試験片に加工し、株式会社島津製作所製の万能試験機:型式「AG-IS」を使用して、クロスヘッドスピード0.5mm/分、支点間距離30mmで、室温(23±2℃)にて測定した。
比較例5,8は相対密度が98%未満であり、十分に緻密化できていないために、3点曲げ強度が600MPa未満となり、高強度の窒化ケイ素焼結体を得ることができなかった。
熱伝導率は、窒化ケイ素焼結体をサイズ10mm×10mm×0.32mmの試験片に加工し、表面処理(Ag膜蒸着+カーボン黒化処理)した後、NETZSCH社製の熱伝導性計測器:型式「LFA 467 HyperFlash」を使用して測定した。
窒化ケイ素焼結体をサイズ10mm×10mm×0.32mmの試験片に加工し、株式会社リガク製のX線回折装置:型式「Ultima IV」(封入式管球のターゲットはCu、Niフィルター使用、検出器は1次元半導体方式)を使用して、Cu-Kα線を用いた粉末X線回折法により、試験片平面のX線回折パターンを得た。
得られたX線回折パターンにおいて、α-Si3N4の(101)面の積分強度(以下「I窒化ケイ素」という。)と、回折角2θが28°~32°の範囲にある粒界相のSi-Y-N-O化合物のピークのうちの最大ピークの積分強度(以下「I粒界相」という。)とを、次の手順で算出し、積分強度比(I粒界相/I窒化ケイ素)を求めた。
(1) バックグラウンド除去、Kα2除去及び平滑化の前処理を行い、ピークサーチを行う。
(2) ピークプロファイルを測定データから差し引くことでバックグラウンドのプロファイルを計算し、計算で算出したデータをBスプライン関数でフィッティングする。
(3) ピーク形状は分割擬ヴォイト関数で表し、積分強度を算出する。
実施例2~19も実施例1と同様であった。
実施例20,21では焼結助剤で形成される粒界相に由来するピークが検出されたが、表1のとおり、積分強度比は2.4%、3.8%であった。このように、粒界相に結晶相は存在するがその積分強度比が5%以下と僅かであるものを、アモルファス構造と定義する。
比較例2~7も比較例1と(積分強度比は異なるものの)基本的に同様であった。
比較例8では焼結助剤で形成される粒界相に由来するピークが検出されず、表1のとおり、積分強度比は0であった。これは、粒界結晶相が存在せず、粒界相が実質的にアモルファス構造であることを示している。但し、比較例8は、後述するように、相対密度が低く、凹凸度0.8以上のボイドが少ない。
窒化ケイ素焼結体を、次のように表面処理した。
窒化ケイ素焼結体を8mm×8mm×0.32mmの試験片に加工し、日化精工株式会社製のアルコワックス「5402SL」を使用して、φ40のアルミ製試料台へ固定した。
試料台をアイエムティー株式会社製の試料回転機:型式「SP―L1」へセットし、同社製の卓上研磨機:型式「IM-P2」を使用して、#80、#600、#1200の順にダイヤモンド研磨パッド(同社製)を用いて窒化ケイ素焼結体を表面研磨(研磨荷重:15N、研磨盤回転数:150rpm、試料回転数:150rpm)し、平坦度の調整を行った。ダイヤモンド研磨パッドにおける最終研磨量は、約50μmとなるように調整した。その後、粒度が15μm、6μm、1μmのダイヤモンドスラリー(同社製)を用いて、それぞれのダイヤモンドスラリーで5分間の表面研磨(研磨荷重:15N、研磨盤回転数:150rpm、試料回転数:150rpm)を行った。
さらに、仕上げ用研磨剤として粒度が0.05μmのアルミナスラリー(Buehler社製)を使用して20分間研磨を行うことで、鏡面仕上げとした。
鏡面仕上げ後、メイワフォーシス株式会社製のプラズマエッチング装置:型式「SEDE-PHL」を使用して、4分間のCF4ガス中でのプラズマエッチングを行い、微構造観察面を調整した。
その後、観察試料表面に導電処理を施す目的で、株式会社日立ハイテク製のイオンスパッタ:型式「E-1010」を使用してAu膜を形成した。スパッタ時間は120秒とし、操作マニュアルによると、形成されるAu膜の厚さは約15~20nmである。
ここで、凹凸度は、図3に示すようにボイドの輪郭線と包絡線に基づき、次の式2により算出されるものである。凹凸度が1に近いほど凹凸が少なく、1より小さいほど凹凸が多い。
凹凸度=ボイドの輪郭線内の面積/ボイドの包絡線内の面積・・・(式2)
比較例1~8は、凹凸度が0.9以上のボイドが10%未満であり、凹凸度が0.8以上のボイドが30%未満であった。
平面投影面積率=(ボイドの平面投影面積の合計/エリアの面積)×100 …(式3)
実施例1~21と比較例3は、平面投影面積率が1.0%以下であった。
比較例1,2,4~8は、平面投影面積率が1.0%を越えていた。
図4に示すように、各例について3枚の窒化ケイ素焼結体(139.6mm×190.5mm×0.32mm、対角線長さ236mm)を、120℃、相対湿度1%rhに調整した加熱炉に入れて同温度で1時間保持した後、加熱炉から取り出してからGFMesstechnik社製の光学式3次元測定器:型式「MikroCAD」が装備する平坦な天然石の試料台(25℃)に載せて1分経過する以前に、同測定器により窒化ケイ素焼結体の最高点の試料台からの高さと最低点の試料台からの高さとの差(μm)を測定し、該差の3枚の平均値を算出し、該平均値の、窒化ケイ素焼結体の板面の最大横断長さ(本例では対角線長さ)に対する割合(%)を反りの値とした。
比較例1~7は、反り(平均値)が0.2%を越えていた。
また、加熱炉から取り出してから25℃の平坦な試料台に載せて測定するまでの経過時間を20秒後、40秒後と変えて、その他は上記と同様に反りを測定したが、1分経過後の測定結果に対して±3%以内であったことから、1分以内であれば、加熱炉から取り出してからの経過時間による有意差は見られなかった。なお、±3%以内とは、反り0.2%の窒化ケイ素焼結体に対して0.194%~0.206%の間の変動を意味しており、有意差はないといえる。
窒化ケイ素焼結体を20mm×20mmの個片に切り出し、両面研磨によって厚さ100μmにすることで測定試料とした。なお、株式会社キーエンス製のレーザー顕微鏡:型式「VKX―150」を使用して研磨試料表面の200μm×200μm範囲(対物レンズの倍率は50倍)における面粗さ(Sa)を測定した結果、Sa=0.48~0.52μmの範囲であった。測定電極としてφ10.4mmの導電性銅箔粘着テープを試料両面に貼り付け、菊水電子工業株式会社の耐電圧試験器:型式「TOS5101」を使用して、フッ素系不活性液体(スリーエムジャパン株式会社製、フロリナート FC-43)中で交流電圧(正弦波)を印加した。交流電圧の昇圧速度は500V/sとして、3つのサンプルの測定における平均の絶縁破壊電圧を測定した。
比較例1~7は、絶縁破壊電圧が5kV未満であった。
[2]前記焼結工程において、焼成用の閉鎖状態の筐体内に、製造する窒化ケイ素焼結体とは別体の予め焼結した板状の窒化ケイ素焼結体を配置することが好ましい。
[3]前記焼結助剤として少なくともMgO又はMgSiN2を含有し、SrOを含有しないことが好ましい。
[4]前記焼結工程により、製造する窒化ケイ素焼結体が相対密度98%以上に緻密化することが好ましい。
窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素と、焼結助剤で形成される粒界相とからなり、前記粒界相がアモルファス構造であることが好ましい。
前記粒界相は、少なくともMgO又はMgSiN2を含有し、SrOを含有しないことが好ましい。
前記粒界相は、少なくともMg、稀土類元素(RE)、Siを含むアモルファス構造であることが好ましい。
半導体検出器を備えたX線回折装置を使用して得られたX線回折パターンにおいて回折角2θが28°~32°の範囲に存在する粒界相における結晶化合物のピークのうち、最も大きい積分強度が、窒化ケイ素(101)面の積分強度に対して5%以下であるものを、アモルファス構造ということはできるが、前記のとおり、本発明においては前記型式のX線回折装置を使用して粉末X線回折法により得られたX線回折パターンにおいて、粒界相に由来するピークが検出されないものを、アモルファス構造と定義する。
窒化ケイ素焼結体の表面を50μm以上研磨した研磨面の任意の少なくとも一つの64μm×48μmのエリアにおいて、ボイドの平面投影面積率が1.0%以下であることが好ましい。
窒化ケイ素焼結体の熱伝導率が80W/m・K以上であることが好ましい。
実施例2~19も実施例1と同様であった。
実施例20,21では焼結助剤で形成される粒界相に由来するピークが検出されたが、表1のとおり、積分強度比は2.4%、3.8%であった。このように、粒界相に結晶相は存在するがその積分強度比が5%以下と僅かであるものは、本発明における前記アモルファス構造の定義からは外れるから、実施例20,21は参考例である。
Claims (5)
- 窒化ケイ素粉末と焼結助剤との混合物を焼結する焼結工程は、1930≦焼成温度(℃)+焼成時間(hr)×50≦2200とし、焼結助剤で形成される粒界相をアモルファス構造とする窒化ケイ素焼結体の製造方法。
- 半導体検出器を備えたX線回折装置を使用して得られたX線回折パターンにおいて粒界相に由来するピークが検出されない請求項1に記載の窒化ケイ素焼結体の製造方法。
- 前記焼結工程において、焼成用の閉鎖状態の筐体内に、製造する窒化ケイ素焼結体とは別体の予め焼結した板状の窒化ケイ素焼結体を配置する請求項1又は2に記載の窒化ケイ素の製造方法。
- 前記焼結助剤として少なくともMgO又はMgSiN2を含有し、SrOを含有しない請求項1~3のいずれか一項に記載の窒化ケイ素焼結体の製造方法。
- 前記焼結工程により、製造する窒化ケイ素焼結体が相対密度98%以上に緻密化する請求項1~4のいずれか一項に記載の窒化ケイ素の製造方法。
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