JPH10291857A - 高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体 - Google Patents
高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体Info
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- JPH10291857A JPH10291857A JP9104965A JP10496597A JPH10291857A JP H10291857 A JPH10291857 A JP H10291857A JP 9104965 A JP9104965 A JP 9104965A JP 10496597 A JP10496597 A JP 10496597A JP H10291857 A JPH10291857 A JP H10291857A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １０7Ω−cm以上の電気比抵抗を有する高電
気比抵抗ＳｉＣ焼結体を提供する。 【解決手段】 ６Ｈ型ＳｉＣ結晶の格子定数がｃ軸で１
５．１０Å以上及び嵩密度が３．１０g/cm3以上である
高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体。
気比抵抗ＳｉＣ焼結体を提供する。 【解決手段】 ６Ｈ型ＳｉＣ結晶の格子定数がｃ軸で１
５．１０Å以上及び嵩密度が３．１０g/cm3以上である
高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
液晶デバイス製造装置などにおける静電チャック、チャ
ンバー部品、静電気除去端子等に用いられているセラミ
ックス部品やメカニカルシール、軸受等の摺動部品に適
した高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体に関する。
液晶デバイス製造装置などにおける静電チャック、チャ
ンバー部品、静電気除去端子等に用いられているセラミ
ックス部品やメカニカルシール、軸受等の摺動部品に適
した高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣは従来から耐熱、耐酸化性が良好
で、電気比抵抗も低いため、発熱体として使用されてき
た。このようなＳｉＣは反応焼結法又は再結晶法と呼ば
れる方法で製造されており、嵩密度が２．５g/cm3以下
と低く、多孔質で強度の低いものであった。
で、電気比抵抗も低いため、発熱体として使用されてき
た。このようなＳｉＣは反応焼結法又は再結晶法と呼ば
れる方法で製造されており、嵩密度が２．５g/cm3以下
と低く、多孔質で強度の低いものであった。
【０００３】これに対し平均粒径が１μｍ以下のＳｉＣ
微粉を用い、焼結助剤として炭素及び硼素化合物を添加
してバインダーを加えて成形し、これを不活性雰囲気中
で焼成して高密度（３．０g/cm3以上）で、かつ高強度
のＳｉＣ焼結体を製造する方法が提案されている。この
ような方法で得られるＳｉＣ焼結体は、電気比抵抗が数
Ω−cm以上であることが知られている。
微粉を用い、焼結助剤として炭素及び硼素化合物を添加
してバインダーを加えて成形し、これを不活性雰囲気中
で焼成して高密度（３．０g/cm3以上）で、かつ高強度
のＳｉＣ焼結体を製造する方法が提案されている。この
ような方法で得られるＳｉＣ焼結体は、電気比抵抗が数
Ω−cm以上であることが知られている。
【０００４】電気比抵抗を下げる方法としては、特開昭
５６−１２０５７３号公報、特開昭５７−９０９０号公
報、特開昭５９−１１１９７９号公報等に示されるよう
に、ＳｉＣにドーピングする方法が提案されている。こ
のうち特開昭５６−１２０５７３号公報によれば、Ｓｉ
Ｃ焼結体は、アルゴン雰囲気焼成では電気比抵抗は１０
5Ω−cmであるが、アルゴン雰囲気焼成で相対密度の９
３％まで焼結した後、２００気圧の窒素雰囲気で再焼結
することにより４×１０-3Ω−cmまで電気比抵抗が下が
ることが示されている。他にも特開昭５７−２７９７５
号公報に示されるように、焼結助剤に導電性の添加物、
例えばＴｉＢ2を用いて電気比抵抗を下げる方法があ
る。
５６−１２０５７３号公報、特開昭５７−９０９０号公
報、特開昭５９−１１１９７９号公報等に示されるよう
に、ＳｉＣにドーピングする方法が提案されている。こ
のうち特開昭５６−１２０５７３号公報によれば、Ｓｉ
Ｃ焼結体は、アルゴン雰囲気焼成では電気比抵抗は１０
5Ω−cmであるが、アルゴン雰囲気焼成で相対密度の９
３％まで焼結した後、２００気圧の窒素雰囲気で再焼結
することにより４×１０-3Ω−cmまで電気比抵抗が下が
ることが示されている。他にも特開昭５７−２７９７５
号公報に示されるように、焼結助剤に導電性の添加物、
例えばＴｉＢ2を用いて電気比抵抗を下げる方法があ
る。
【０００５】一方、電気比抵抗を高くする方法として
は、特開昭６２−１５３１６７号公報に示されるよう
に、ＳｉＣ中の窒素成分を２００ppm以下に制限するこ
とで電気比抵抗を１０4Ω−cm以上にするか又は特開昭
６２−１６７２５３号公報に示されるように、焼結助剤
として炭素、硼素化合物及びアルミニウムを添加し、さ
らに窒素成分を３００ppm以下に制限することで電気比
抵抗を１０5Ω−cm以上にする方法が提案されている。
他にも特開昭５７−１６６３６５号公報などに示される
ように、焼結助剤にＢｅやＢｅＯを使用し、ホットプレ
スして電気比抵抗を上げる方法がある。
は、特開昭６２−１５３１６７号公報に示されるよう
に、ＳｉＣ中の窒素成分を２００ppm以下に制限するこ
とで電気比抵抗を１０4Ω−cm以上にするか又は特開昭
６２−１６７２５３号公報に示されるように、焼結助剤
として炭素、硼素化合物及びアルミニウムを添加し、さ
らに窒素成分を３００ppm以下に制限することで電気比
抵抗を１０5Ω−cm以上にする方法が提案されている。
他にも特開昭５７−１６６３６５号公報などに示される
ように、焼結助剤にＢｅやＢｅＯを使用し、ホットプレ
スして電気比抵抗を上げる方法がある。
【０００６】従来の技術は上記に示すように、再焼結す
る際窒素成分の含有量を増加することで１０5Ω−cmか
ら４×１０-3Ω−cmまで電気比抵抗を下げることができ
るが、逆に電気比抵抗を１０7Ω−cm以上に上げる良い
方法がないのが現状である。窒素成分の含有量を減らし
たり、焼結助剤としての炭素及び硼素化合物の他にアル
ミニウムを添加しても高々１．６×１０6Ω−cmまでが
限度でこれ以上電気比抵抗を上げることはできない。ま
た焼結助剤にＢｅやＢｅＯを使用することは毒性の問題
があり、さらにホットプレスでは半導体製造装置のチャ
ンバー部品のような複雑な形状の製品を製造することが
極めて困難な問題もある。
る際窒素成分の含有量を増加することで１０5Ω−cmか
ら４×１０-3Ω−cmまで電気比抵抗を下げることができ
るが、逆に電気比抵抗を１０7Ω−cm以上に上げる良い
方法がないのが現状である。窒素成分の含有量を減らし
たり、焼結助剤としての炭素及び硼素化合物の他にアル
ミニウムを添加しても高々１．６×１０6Ω−cmまでが
限度でこれ以上電気比抵抗を上げることはできない。ま
た焼結助剤にＢｅやＢｅＯを使用することは毒性の問題
があり、さらにホットプレスでは半導体製造装置のチャ
ンバー部品のような複雑な形状の製品を製造することが
極めて困難な問題もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、１０7Ω−c
m以上の電気比抵抗を有する高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体
を提供するものである。
m以上の電気比抵抗を有する高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体
を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は６Ｈ型ＳｉＣ結
晶の格子定数がｃ軸で１５．１０Å以上及び嵩密度が
３．１０g/cm3以上である高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体に
関する。
晶の格子定数がｃ軸で１５．１０Å以上及び嵩密度が
３．１０g/cm3以上である高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体に
関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体（以下
ＳｉＣ焼結体とする）を得るためのＳｉＣ原料粉として
は、α型、β型のいずれでもよいが、価格が安く、焼成
時の結晶構造変化の少ないα型のＳｉＣ原料粉を用いる
ことが好ましい。また純度は高純度の原料粉を用いれば
高抵抗化し易いので好ましいが、本発明においては通常
用いられているＧＣグレードの焼結用ＳｉＣ原料粉であ
っても差し支えない。
ＳｉＣ焼結体とする）を得るためのＳｉＣ原料粉として
は、α型、β型のいずれでもよいが、価格が安く、焼成
時の結晶構造変化の少ないα型のＳｉＣ原料粉を用いる
ことが好ましい。また純度は高純度の原料粉を用いれば
高抵抗化し易いので好ましいが、本発明においては通常
用いられているＧＣグレードの焼結用ＳｉＣ原料粉であ
っても差し支えない。
【００１０】ＳｉＣの結晶構造については、４Ｈ、６
Ｈ、１５Ｒ、２１Ｒ等があるが、このうち６Ｈが一番安
定で最も多く存在するため本発明においては、６Ｈ型Ｓ
ｉＣ結晶の格子定数をＳｉＣ焼結体の格子定数の代表値
として用いた。また格子定数にはａ軸とｃ軸があるが、
本発明においてはｃ軸を代表値として用いた。なお格子
定数は、ＳｉＣ焼結体を粉末状にし、この粉末状のＳｉ
Ｃ焼結体粉８０重量％に角度補正用に純度が９９．９９
％のＳｉ粉を２０重量％添加してＸ線回折法により、回
折角２θが７５．５度付近の面指数（００１２）のピー
クから次式により求めた。
Ｈ、１５Ｒ、２１Ｒ等があるが、このうち６Ｈが一番安
定で最も多く存在するため本発明においては、６Ｈ型Ｓ
ｉＣ結晶の格子定数をＳｉＣ焼結体の格子定数の代表値
として用いた。また格子定数にはａ軸とｃ軸があるが、
本発明においてはｃ軸を代表値として用いた。なお格子
定数は、ＳｉＣ焼結体を粉末状にし、この粉末状のＳｉ
Ｃ焼結体粉８０重量％に角度補正用に純度が９９．９９
％のＳｉ粉を２０重量％添加してＸ線回折法により、回
折角２θが７５．５度付近の面指数（００１２）のピー
クから次式により求めた。
【００１１】
【数１】 ただし、ｄは面間隔、ｈ、ｋ、ｌは面指数及びａ、ｃは
格子定数である。
格子定数である。
【００１２】嵩密度は、アルキメデス法で測定し、また
電気比抵抗は、ＪＩＳ Ｃ ２１４１の電気絶縁用セラ
ミック材料試験方法の体積抵抗率の測定法に準じて測定
した。
電気比抵抗は、ＪＩＳ Ｃ ２１４１の電気絶縁用セラ
ミック材料試験方法の体積抵抗率の測定法に準じて測定
した。
【００１３】本発明になるＳｉＣ焼結体は、６Ｈ型Ｓｉ
Ｃ結晶の格子定数がｃ軸で１５．１０Å以上、好ましく
は１５．１０４Å以上で、嵩密度が３．１０g/cm3以
上、好ましくは３．１３g/cm3以上とされ、このように
することによりＳｉＣ焼結体の電気比抵抗を１０7Ω−
ｃｍ以上にすることができる。なお格子定数がｃ軸で１
５．１０Å未満又は嵩密度が３．１０g/cm3未満である
と、例えばＳｉＣ焼結体を静電チャックに用いる場合、
被吸着物（シリコンウエハ）に形成されたＬＳＩが破壊
するという欠点が生じる。
Ｃ結晶の格子定数がｃ軸で１５．１０Å以上、好ましく
は１５．１０４Å以上で、嵩密度が３．１０g/cm3以
上、好ましくは３．１３g/cm3以上とされ、このように
することによりＳｉＣ焼結体の電気比抵抗を１０7Ω−
ｃｍ以上にすることができる。なお格子定数がｃ軸で１
５．１０Å未満又は嵩密度が３．１０g/cm3未満である
と、例えばＳｉＣ焼結体を静電チャックに用いる場合、
被吸着物（シリコンウエハ）に形成されたＬＳＩが破壊
するという欠点が生じる。
【００１４】格子定数がｃ軸で１５．１０Å以上である
と電気比抵抗が大きくなる理由については定かでない
が、ＳｉＣ結晶のＳｉをＢで置換すると格子定数の変化
に影響を及ぼし、電気比抵抗の変化として現れるものと
推定される。
と電気比抵抗が大きくなる理由については定かでない
が、ＳｉＣ結晶のＳｉをＢで置換すると格子定数の変化
に影響を及ぼし、電気比抵抗の変化として現れるものと
推定される。
【００１５】また本発明になるＳｉＣ焼結体は、例えば
ＳｉＣ原料粉に熱硬化性樹脂（焼成後炭素となる）又は
カーボンブラックと炭化硼素又は硼素を用い、それにバ
インダー、離型剤、水等を加えて混合し、造粒して成
形、その後格子定数がｃ軸で１５．１０Å以上及び嵩密
度が３．１０g/cm3以上になる温度で焼成することによ
り得られる。
ＳｉＣ原料粉に熱硬化性樹脂（焼成後炭素となる）又は
カーボンブラックと炭化硼素又は硼素を用い、それにバ
インダー、離型剤、水等を加えて混合し、造粒して成
形、その後格子定数がｃ軸で１５．１０Å以上及び嵩密
度が３．１０g/cm3以上になる温度で焼成することによ
り得られる。
【００１６】上記のバインダーとしては、ポリビニルア
ルコール、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロ
ース、ポリエチレングリコール等が用いられ、その添加
量はＳｉＣ原料粉、熱硬化性樹脂又はカーボンブラック
及び炭化硼素又は硼素１００重量部に対して固形分で
０．５〜３重量部添加することが好ましく、０．７〜２
重量部添加することがより好ましい。また離型剤として
は、ステアリン酸、ポリエチレングリコール、ワックス
等が用いられ、その添加量はＳｉＣ原料粉、熱硬化性樹
脂又はカーボンブラック及び炭化硼素又は硼素１００重
量部に対して固形分で０．５〜３重量部添加することが
好ましく、０．７〜２重量部添加することがより好まし
い。水は純水を用いることが好ましい。その添加量につ
いては特に制限はない。
ルコール、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロ
ース、ポリエチレングリコール等が用いられ、その添加
量はＳｉＣ原料粉、熱硬化性樹脂又はカーボンブラック
及び炭化硼素又は硼素１００重量部に対して固形分で
０．５〜３重量部添加することが好ましく、０．７〜２
重量部添加することがより好ましい。また離型剤として
は、ステアリン酸、ポリエチレングリコール、ワックス
等が用いられ、その添加量はＳｉＣ原料粉、熱硬化性樹
脂又はカーボンブラック及び炭化硼素又は硼素１００重
量部に対して固形分で０．５〜３重量部添加することが
好ましく、０．７〜２重量部添加することがより好まし
い。水は純水を用いることが好ましい。その添加量につ
いては特に制限はない。
【００１７】熱硬化性樹脂としては特に制限はないが、
炭化率の高いフェノール樹脂、フラン樹脂、タールピッ
チ等の有機化合物から生成するものを用いることが好ま
しく、熱硬化性樹脂又はカーボンブラックの含有量はＳ
ｉＣ焼結体中に０．５〜５重量％含有することが好まし
く、１〜４重量％含有することがより好ましい。また硼
素化合物は炭化硼素を用いることが好ましく、炭化硼素
又は硼素の含有量はＳｉＣ焼結体中に０．１５〜３重量
％含有することが好ましく０．３〜２重量％含有するこ
とがより好ましい。上記に示す割合で含有すれば、Ｓｉ
Ｃ焼結体が焼結し易いので好ましい。熱硬化性樹脂とカ
ーボンブラックは焼結することにより最終的には炭素に
変化する。
炭化率の高いフェノール樹脂、フラン樹脂、タールピッ
チ等の有機化合物から生成するものを用いることが好ま
しく、熱硬化性樹脂又はカーボンブラックの含有量はＳ
ｉＣ焼結体中に０．５〜５重量％含有することが好まし
く、１〜４重量％含有することがより好ましい。また硼
素化合物は炭化硼素を用いることが好ましく、炭化硼素
又は硼素の含有量はＳｉＣ焼結体中に０．１５〜３重量
％含有することが好ましく０．３〜２重量％含有するこ
とがより好ましい。上記に示す割合で含有すれば、Ｓｉ
Ｃ焼結体が焼結し易いので好ましい。熱硬化性樹脂とカ
ーボンブラックは焼結することにより最終的には炭素に
変化する。
【００１８】焼成雰囲気は、非酸化雰囲気中で焼成する
ことが好ましく、特にアルゴンガス雰囲気中で焼成する
ことが好ましい。また焼成温度は、上記に示すように格
子定数及び嵩密度との関係並びにＳｉＣ原料粉、熱硬化
性樹脂又はカーボンブラック及び炭化硼素又は硼素の配
合割合などにより適宜選定されるが１９５０〜２３００
℃の温度で焼成すれば、ほぼ本発明の目的を達成するこ
とができる。
ことが好ましく、特にアルゴンガス雰囲気中で焼成する
ことが好ましい。また焼成温度は、上記に示すように格
子定数及び嵩密度との関係並びにＳｉＣ原料粉、熱硬化
性樹脂又はカーボンブラック及び炭化硼素又は硼素の配
合割合などにより適宜選定されるが１９５０〜２３００
℃の温度で焼成すれば、ほぼ本発明の目的を達成するこ
とができる。
【００１９】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。 実施例１、４、７、比較例１、４ ＳｉＣ原料粉として表１に示す３種類（Ａ、Ｂ、Ｃ）の
α型ＳｉＣ原料粉９７重量部、フェノール樹脂〔昭和高
分子(株)製、商品名ＢＲＬ−２１９（不揮発分７０重量
％）〕を固形分で２重量部及び平均粒径が１．５μｍの
炭化硼素を１重量部配合し、これらの成分１００重量部
に対してポリビニルアルコール〔クレラ(株)製、商品名
クラレポバール２０５（不揮発分１０重量％）〕を固形
分で１重量部、ステアリン酸〔中京油脂(株)製、商品名
セロゾール９２０（不揮発分１８重量％）〕を固形分で
１重量部及び純水を１００重量部加えて合成樹脂製のボ
ールミルで混合した後、スプレードライヤーで造粒し、
成形粉を得た。
α型ＳｉＣ原料粉９７重量部、フェノール樹脂〔昭和高
分子(株)製、商品名ＢＲＬ−２１９（不揮発分７０重量
％）〕を固形分で２重量部及び平均粒径が１．５μｍの
炭化硼素を１重量部配合し、これらの成分１００重量部
に対してポリビニルアルコール〔クレラ(株)製、商品名
クラレポバール２０５（不揮発分１０重量％）〕を固形
分で１重量部、ステアリン酸〔中京油脂(株)製、商品名
セロゾール９２０（不揮発分１８重量％）〕を固形分で
１重量部及び純水を１００重量部加えて合成樹脂製のボ
ールミルで混合した後、スプレードライヤーで造粒し、
成形粉を得た。
【００２０】この後、成形粉を金型内に充填し、９８MP
aの圧力を加えて外径が７０mm及び厚さが２．５mmの円
盤を成形し、アルゴンガスを１リットル／分の条件で流
しながら、焼成温度が表２に示す温度で１時間保持して
ＳｉＣ焼結体を得た。
aの圧力を加えて外径が７０mm及び厚さが２．５mmの円
盤を成形し、アルゴンガスを１リットル／分の条件で流
しながら、焼成温度が表２に示す温度で１時間保持して
ＳｉＣ焼結体を得た。
【００２１】実施例２、５、８、比較例２、５、７、９ 実施例１で用いたα型ＳｉＣ原料粉９５重量部、フェノ
ール樹脂を固形分で４重量部及び平均粒径が１．５μｍ
の炭化硼素を１重量部配合し、以下実施例１と同様の工
程を経てＳｉＣ焼結体を得た。
ール樹脂を固形分で４重量部及び平均粒径が１．５μｍ
の炭化硼素を１重量部配合し、以下実施例１と同様の工
程を経てＳｉＣ焼結体を得た。
【００２２】実施例３、６、９、比較例３、６、８ 実施例１で用いたα型ＳｉＣ原料粉９３重量部、フェノ
ール樹脂を固形分で６重量部及び平均粒径が１．５μｍ
の炭化硼素を１重量部配合し、以下実施例１と同様の工
程を経てＳｉＣ焼結体を得た。
ール樹脂を固形分で６重量部及び平均粒径が１．５μｍ
の炭化硼素を１重量部配合し、以下実施例１と同様の工
程を経てＳｉＣ焼結体を得た。
【００２３】次に上記で得られた円盤状のＳｉＣ焼結体
の両面に銀ペーストを５０μｍの厚さに印刷し、それを
焼き付けて電極を形成し、厚さ方向に５０V/cmの直流電
圧を印加してＪＩＳ Ｃ ２１４１の電気絶縁用セラミ
ック材料試験方法の体積抵抗率の測定法に準じて電気比
抵抗を測定した。また嵩密度は、アルキメデス法で測定
した。
の両面に銀ペーストを５０μｍの厚さに印刷し、それを
焼き付けて電極を形成し、厚さ方向に５０V/cmの直流電
圧を印加してＪＩＳ Ｃ ２１４１の電気絶縁用セラミ
ック材料試験方法の体積抵抗率の測定法に準じて電気比
抵抗を測定した。また嵩密度は、アルキメデス法で測定
した。
【００２４】一方、格子定数は、円盤状のＳｉＣ焼結体
を平均粒径が１０μｍ以下に粉砕し、この粉砕粉８０重
量％に純度が９９．９９％のＳｉ粉を２０重量％添加し
てＸ線回折法により、回折角２θが７５．５度付近の面
指数（００１２）のピークから前述の式により求めた。
これらの結果をまとめて表２に示す。
を平均粒径が１０μｍ以下に粉砕し、この粉砕粉８０重
量％に純度が９９．９９％のＳｉ粉を２０重量％添加し
てＸ線回折法により、回折角２θが７５．５度付近の面
指数（００１２）のピークから前述の式により求めた。
これらの結果をまとめて表２に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】表２に示されるように、格子定数が１５．
１０Å以上及び嵩密度が３．１０g/cm3以上の実施例の
ＳｉＣ焼結体の電気比抵抗は、１０7Ω−cmと高抵抗で
あることが明らかである。これに対し格子定数が１５．
１０Å未満又は嵩密度が３．１０g/cm3未満の比較例の
ＳｉＣ焼結体の電気比抵抗は、１０5〜１０6Ω−cmと低
い値であった。また、図１に嵩密度が３．１０g/cm3以
上のＳｉＣ焼結体の格子定数と電気比抵抗の関係を示す
が、図１においても格子定数が１５．１０Å以上のＳｉ
Ｃ焼結体は電気比抵抗が１０7Ω−cm以上であることが
明らかである。
１０Å以上及び嵩密度が３．１０g/cm3以上の実施例の
ＳｉＣ焼結体の電気比抵抗は、１０7Ω−cmと高抵抗で
あることが明らかである。これに対し格子定数が１５．
１０Å未満又は嵩密度が３．１０g/cm3未満の比較例の
ＳｉＣ焼結体の電気比抵抗は、１０5〜１０6Ω−cmと低
い値であった。また、図１に嵩密度が３．１０g/cm3以
上のＳｉＣ焼結体の格子定数と電気比抵抗の関係を示す
が、図１においても格子定数が１５．１０Å以上のＳｉ
Ｃ焼結体は電気比抵抗が１０7Ω−cm以上であることが
明らかである。
【００２８】
【発明の効果】本発明におけるＳｉＣ焼結体は、１０7
Ω−cm以上の電気比抵抗を有し、半導体製造装置、液晶
デバイス製造装置などにおける静電チャック、チャンバ
ー部品、静電気除去端子等に用いられている、セラミッ
ク部品やメカニカルシール、軸受等の摺動部品に好適で
ある。
Ω−cm以上の電気比抵抗を有し、半導体製造装置、液晶
デバイス製造装置などにおける静電チャック、チャンバ
ー部品、静電気除去端子等に用いられている、セラミッ
ク部品やメカニカルシール、軸受等の摺動部品に好適で
ある。
【図１】嵩密度が３．１０g/cm3以上のＳｉＣ焼結体の
格子定数と電気比抵抗の関係を示すグラフである。
格子定数と電気比抵抗の関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩井 明仁 茨城県ひたちなか市大字足崎字西原1380番 地１ 日立化成工業株式会社山崎工場内
Claims (1)
- 【請求項１】 ６Ｈ型ＳｉＣ結晶の格子定数がｃ軸で１
５．１０Å以上及び嵩密度が３．１０g/cm3以上である
高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104965A JPH10291857A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104965A JPH10291857A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10291857A true JPH10291857A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14394825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9104965A Pending JPH10291857A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 高電気比抵抗ＳｉＣ焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10291857A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN105294108A (zh) * | 2015-12-03 | 2016-02-03 | 中国兵器科学研究院宁波分院 | 低成本常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法 |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP9104965A patent/JPH10291857A/ja active Pending
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