JP3476153B2 - 導電性炭化珪素質セラミック材 - Google Patents
導電性炭化珪素質セラミック材Info
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- JP3476153B2 JP3476153B2 JP22073393A JP22073393A JP3476153B2 JP 3476153 B2 JP3476153 B2 JP 3476153B2 JP 22073393 A JP22073393 A JP 22073393A JP 22073393 A JP22073393 A JP 22073393A JP 3476153 B2 JP3476153 B2 JP 3476153B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気比抵抗の温度依存
性が極めて小さく、優れた導電性能を発揮する導電性炭
化珪素質セラミック材に関する。
性が極めて小さく、優れた導電性能を発揮する導電性炭
化珪素質セラミック材に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化珪素は、耐熱性、熱伝導性、化学的
安定性に優れるうえ、ＳｉＣ結晶にある種の不純物を置
換固溶することによりＮ型またはＰ型半導体となる特異
な物性を備える炭化物系のセラミック材である。このた
め、従来から例えば発熱体、点火材、電極材、抵抗材な
どの導電性部材として有用されている。
安定性に優れるうえ、ＳｉＣ結晶にある種の不純物を置
換固溶することによりＮ型またはＰ型半導体となる特異
な物性を備える炭化物系のセラミック材である。このた
め、従来から例えば発熱体、点火材、電極材、抵抗材な
どの導電性部材として有用されている。
【０００３】また、炭化珪素の導電性能を一層高めて材
質改善を図る試みもなされており、例えば特公昭６１−
５６１８７号公報には炭化珪素に硼素および炭素を添加
し、真空または不活性雰囲気中で一次焼結し、ついで加
圧窒素雰囲気中で理論密度８０％以上、比抵抗１．０Ω
cm以下の炭化珪素発熱体に再結晶化する二次焼成を施す
方法が開示され、特公昭６３−２８８７１号公報ではリ
ン酸アルミニウムを固溶させた放電加工が可能なＰ型炭
化珪素焼結体が提案されている。
質改善を図る試みもなされており、例えば特公昭６１−
５６１８７号公報には炭化珪素に硼素および炭素を添加
し、真空または不活性雰囲気中で一次焼結し、ついで加
圧窒素雰囲気中で理論密度８０％以上、比抵抗１．０Ω
cm以下の炭化珪素発熱体に再結晶化する二次焼成を施す
方法が開示され、特公昭６３−２８８７１号公報ではリ
ン酸アルミニウムを固溶させた放電加工が可能なＰ型炭
化珪素焼結体が提案されている。
【０００４】しかしながら、炭化珪素には４００〜１０
００℃付近から低温側における電気抵抗の温度変化が大
きな負特性を示す固有の性質がある。この抵抗温度特性
は、特に低温域での抵抗制御に対する困難性を増し、例
えば発熱体として使用する場合には電流急増による熱暴
走を招く危険性がある。したがって、前記の負特性は炭
化珪素材料の応用分野を広げる上で大きな障害となって
いる。
００℃付近から低温側における電気抵抗の温度変化が大
きな負特性を示す固有の性質がある。この抵抗温度特性
は、特に低温域での抵抗制御に対する困難性を増し、例
えば発熱体として使用する場合には電流急増による熱暴
走を招く危険性がある。したがって、前記の負特性は炭
化珪素材料の応用分野を広げる上で大きな障害となって
いる。
【０００５】このため、導電性の改善と併せて抵抗の負
特性を減少させる手段として、例えば炭化珪素焼結体を
ケイ石、炭素、窒化珪素を含む混合粉末で包み再焼成す
る炭化珪素発熱体の製造方法（特公昭51−45339 号公
報) 、炭化珪素に炭化ジルコニウムや硼化ジルコニウム
を添加して焼結した抵抗温度係数が正の直線形ヒータ材
（特開昭58−209084号公報) 等が提案されているが、抵
抗温度特性に対する十分な効果は得られていない。
特性を減少させる手段として、例えば炭化珪素焼結体を
ケイ石、炭素、窒化珪素を含む混合粉末で包み再焼成す
る炭化珪素発熱体の製造方法（特公昭51−45339 号公
報) 、炭化珪素に炭化ジルコニウムや硼化ジルコニウム
を添加して焼結した抵抗温度係数が正の直線形ヒータ材
（特開昭58−209084号公報) 等が提案されているが、抵
抗温度特性に対する十分な効果は得られていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本来、炭化珪素は結晶
多形の材料であり、立方晶系の３Ｃ、六方晶系に属する
２Ｈ、４Ｈ、６Ｈおよび菱面体晶系の１５Ｒなどの混在
する結晶形態を呈している。これら多形の安定性は固溶
する不純物の種類に敏感で、例えばアルミニウムは４Ｈ
を、硼素は６Ｈや１５Ｒを安定化し易く、窒素やリンは
３Ｃの安定化に有効であることが知られている。
多形の材料であり、立方晶系の３Ｃ、六方晶系に属する
２Ｈ、４Ｈ、６Ｈおよび菱面体晶系の１５Ｒなどの混在
する結晶形態を呈している。これら多形の安定性は固溶
する不純物の種類に敏感で、例えばアルミニウムは４Ｈ
を、硼素は６Ｈや１５Ｒを安定化し易く、窒素やリンは
３Ｃの安定化に有効であることが知られている。
【０００７】本発明者らは、従来技術では注目されてい
なかった炭化珪素の結晶多形と抵抗温度特性との相関性
について研究を重ねたところ、６Ｈ型結晶の含有率が一
定比率以下で、低温度域における抵抗温度係数が一定値
以下に位置する窒素固溶型の炭化珪素は、優れた導電性
能を示すうえに６Ｈ型以外の結晶相を経由する電気伝導
が支配的となって低温側における抵抗の負特性を効果的
に減少し得ることを確認した。
なかった炭化珪素の結晶多形と抵抗温度特性との相関性
について研究を重ねたところ、６Ｈ型結晶の含有率が一
定比率以下で、低温度域における抵抗温度係数が一定値
以下に位置する窒素固溶型の炭化珪素は、優れた導電性
能を示すうえに６Ｈ型以外の結晶相を経由する電気伝導
が支配的となって低温側における抵抗の負特性を効果的
に減少し得ることを確認した。
【０００８】本発明は前記の知見に基づいて開発された
もので、その目的は、電気抵抗の温度依存性が少ない安
定かつ優れた導電性能を有する導電性炭化珪素質セラミ
ック材を提供することにある。
もので、その目的は、電気抵抗の温度依存性が少ない安
定かつ優れた導電性能を有する導電性炭化珪素質セラミ
ック材を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による導電性炭化珪素セラミック材は、６Ｈ
型結晶を主体とする炭化珪素粉末と３Ｃ型結晶を主体と
する炭化珪素粉末を、３Ｃ型結晶を主体とする炭化珪素
粉末が２０〜１００重量％となるよう配合し、加圧、成
形後、窒素雰囲気中で１５００〜２４００℃の温度で焼
成する再結晶法により製造され、または６Ｈ型結晶を主
体とする炭化珪素粉末に２０重量％以上の炭素材を配合
し、加圧、成形後、窒素雰囲気中で１５００〜２４００
℃の温度で反応焼結することにより製造される窒素を固
溶したＮ型半導体であって、全結晶形に占める６Ｈ型の
比率が９０％以下の炭化珪素を主体とし、かつ下記
（１）式の抵抗温度係数（Ａ）の絶対値が０．２％／℃
以下の材質からなることを特徴とする。 但し、Ｒ1 は室温の抵抗値、Ｒ2 は５００℃の抵抗値、
Ｔ1 は室温を示す。
めの本発明による導電性炭化珪素セラミック材は、６Ｈ
型結晶を主体とする炭化珪素粉末と３Ｃ型結晶を主体と
する炭化珪素粉末を、３Ｃ型結晶を主体とする炭化珪素
粉末が２０〜１００重量％となるよう配合し、加圧、成
形後、窒素雰囲気中で１５００〜２４００℃の温度で焼
成する再結晶法により製造され、または６Ｈ型結晶を主
体とする炭化珪素粉末に２０重量％以上の炭素材を配合
し、加圧、成形後、窒素雰囲気中で１５００〜２４００
℃の温度で反応焼結することにより製造される窒素を固
溶したＮ型半導体であって、全結晶形に占める６Ｈ型の
比率が９０％以下の炭化珪素を主体とし、かつ下記
（１）式の抵抗温度係数（Ａ）の絶対値が０．２％／℃
以下の材質からなることを特徴とする。 但し、Ｒ1 は室温の抵抗値、Ｒ2 は５００℃の抵抗値、
Ｔ1 は室温を示す。
【００１０】炭化珪素は化合物半導体であるが、そのバ
ンドギャップは２〜３ｅＶと非常に広いため抵抗を通電
発熱可能なレベルまで下げるには、ある種の元素を固溶
させてドナーまたはアクセプター準位を形成させる必要
がある。炭化珪素の抵抗温度特性は固溶させるドナーま
たはアクセプター準位に依存し、ドナー準位と伝導帯ま
たはアクセプター準位と価電子帯とのエネルギーギャッ
プが大きいほど比抵抗の温度変化は大きくなる。炭化珪
素に固溶可能な元素としては硼素、窒素、アルミニウ
ム、リンなどが挙げられるが、中でも窒素固溶により形
成されたドナー準位が最も伝導帯とのエネルギーギャッ
プが小さい。本発明の導電性炭化珪素質セラミック材を
構成する窒素を固溶したＮ型半導体の性状は、抵抗の温
度依存性を減少させるための前提条件となる。
ンドギャップは２〜３ｅＶと非常に広いため抵抗を通電
発熱可能なレベルまで下げるには、ある種の元素を固溶
させてドナーまたはアクセプター準位を形成させる必要
がある。炭化珪素の抵抗温度特性は固溶させるドナーま
たはアクセプター準位に依存し、ドナー準位と伝導帯ま
たはアクセプター準位と価電子帯とのエネルギーギャッ
プが大きいほど比抵抗の温度変化は大きくなる。炭化珪
素に固溶可能な元素としては硼素、窒素、アルミニウ
ム、リンなどが挙げられるが、中でも窒素固溶により形
成されたドナー準位が最も伝導帯とのエネルギーギャッ
プが小さい。本発明の導電性炭化珪素質セラミック材を
構成する窒素を固溶したＮ型半導体の性状は、抵抗の温
度依存性を減少させるための前提条件となる。
【００１１】窒素を固溶したＮ型半導体は、０．０３か
ら０．１ｅＶ程度のドナー準位を示すが、その準位は炭
化珪素を構成する結晶形に依存する度合が少なくない。
すなわち、結晶多形毎のドナー準位は、３Ｃ、４Ｈおよ
び１５Ｒ型は０．０３〜０．０５ｅＶ程度の値であるの
に対し、６Ｈ型は０．０６６〜０．１ｅＶと相対的に高
い値をとる〔H.Kang and R.B.Hilborn Jr.Silicon Carb
ide-1973,Univ.of Sou-th Carolina,P.493, G.A.Lomaki
na,Silicon Carbide-1973.Univ.of South Caro-lina,P.
520, G.A.Lomakina and Yu.A.Vodakov,Sov.Phys.solid
state,15(1)83(1973), L.S.Aivazova,S.N.Gorin,V.G.Si
dyakin,and I.M.Shvarts,Sov.Phys.Semi-cond.,11(9)10
69(1977)〕。本発明の導電性炭化珪素セラミック材は、
全結晶形に占める６Ｈ型の比率が９０％以下の炭化珪素
を主体に構成されているため、相対的に低いドナー準位
を与えて６Ｈ型結晶相を経由する電気伝導の度合を抑制
する作用を営み、抵抗の温度依存性を低減化すると共に
導電性能を向上させるために有効機能する。しかし、６
Ｈ型結晶比率の最適上限には焼結方法によって若干の相
違があり、対象となる炭化珪素セラミック材が反応焼結
法によるときには９０％以下が好適であるが、昇華再結
晶法による場合には８０％以下であることが特に望まし
い。いずれの場合も、６Ｈ型結晶の含有比率が９０％を
越える結晶組成になると６Ｈ結晶相を経由する電気伝導
が支配的となり、前記のような抵抗温度特性を改善する
機能は生じない。
ら０．１ｅＶ程度のドナー準位を示すが、その準位は炭
化珪素を構成する結晶形に依存する度合が少なくない。
すなわち、結晶多形毎のドナー準位は、３Ｃ、４Ｈおよ
び１５Ｒ型は０．０３〜０．０５ｅＶ程度の値であるの
に対し、６Ｈ型は０．０６６〜０．１ｅＶと相対的に高
い値をとる〔H.Kang and R.B.Hilborn Jr.Silicon Carb
ide-1973,Univ.of Sou-th Carolina,P.493, G.A.Lomaki
na,Silicon Carbide-1973.Univ.of South Caro-lina,P.
520, G.A.Lomakina and Yu.A.Vodakov,Sov.Phys.solid
state,15(1)83(1973), L.S.Aivazova,S.N.Gorin,V.G.Si
dyakin,and I.M.Shvarts,Sov.Phys.Semi-cond.,11(9)10
69(1977)〕。本発明の導電性炭化珪素セラミック材は、
全結晶形に占める６Ｈ型の比率が９０％以下の炭化珪素
を主体に構成されているため、相対的に低いドナー準位
を与えて６Ｈ型結晶相を経由する電気伝導の度合を抑制
する作用を営み、抵抗の温度依存性を低減化すると共に
導電性能を向上させるために有効機能する。しかし、６
Ｈ型結晶比率の最適上限には焼結方法によって若干の相
違があり、対象となる炭化珪素セラミック材が反応焼結
法によるときには９０％以下が好適であるが、昇華再結
晶法による場合には８０％以下であることが特に望まし
い。いずれの場合も、６Ｈ型結晶の含有比率が９０％を
越える結晶組成になると６Ｈ結晶相を経由する電気伝導
が支配的となり、前記のような抵抗温度特性を改善する
機能は生じない。
【００１２】(1)式で算出される抵抗温度係数（Ａ）
は、上記した結晶組成の要件と関連して抵抗温度特性の
改善に寄与する要因であり、室温から５００℃までの抵
抗温度係数値が絶対値として０．２％／℃以下の材質で
ある場合に低温域における抵抗の温度依存性を効果的に
小さくすることが可能となる。
は、上記した結晶組成の要件と関連して抵抗温度特性の
改善に寄与する要因であり、室温から５００℃までの抵
抗温度係数値が絶対値として０．２％／℃以下の材質で
ある場合に低温域における抵抗の温度依存性を効果的に
小さくすることが可能となる。
【００１３】本発明に係る導電性炭化珪素質セラミック
材は、３Ｃ型結晶系を主成分とする炭化珪素粉末に必要
に応じて硼素、炭素などの焼結助剤を添加混合し、混合
粉末を成形したのち窒素雰囲気中で加熱焼結処理する方
法によって製造することができる。原料炭化珪素は３Ｃ
型結晶を主成分とするが、焼結時の設定条件に応じて３
Ｃ−６Ｈ結晶間の転移が生じるため、この現象を配慮し
て原料系組成を設定する必要がある。また、焼結時に３
Ｃ結晶主体の炭化珪素が反応生成されるような成分環境
を与える場合には６Ｈ結晶主体の炭化珪素原料を用いて
も焼結体の６Ｈ結晶を相対的に９０％以下に抑える結晶
組成を形成することもできる。焼結の方法としては、昇
華再結晶法、反応焼結法のいずれの方法であってもよ
い。昇華再結晶法、反応焼結法における焼結温度は、１
５００〜２４００℃の範囲に設定する。
材は、３Ｃ型結晶系を主成分とする炭化珪素粉末に必要
に応じて硼素、炭素などの焼結助剤を添加混合し、混合
粉末を成形したのち窒素雰囲気中で加熱焼結処理する方
法によって製造することができる。原料炭化珪素は３Ｃ
型結晶を主成分とするが、焼結時の設定条件に応じて３
Ｃ−６Ｈ結晶間の転移が生じるため、この現象を配慮し
て原料系組成を設定する必要がある。また、焼結時に３
Ｃ結晶主体の炭化珪素が反応生成されるような成分環境
を与える場合には６Ｈ結晶主体の炭化珪素原料を用いて
も焼結体の６Ｈ結晶を相対的に９０％以下に抑える結晶
組成を形成することもできる。焼結の方法としては、昇
華再結晶法、反応焼結法のいずれの方法であってもよ
い。昇華再結晶法、反応焼結法における焼結温度は、１
５００〜２４００℃の範囲に設定する。
【００１４】
【作用】本発明の導電性炭化珪素質セラミック材によれ
ば、窒素による置換固溶したＮ型半導体の性状が伝導帯
とのエネルギーギャップを最小にするドナー準位を形成
し、抵抗の温度変化幅を縮小させる前提的な機能を果た
す。これに加えて全結晶形に占める６Ｈ型の比率が９０
％以下で、かつ室温から５００℃までの抵抗温度係数
（Ａ）の絶対値が０．２％／℃以下の炭化珪素材質が、
通電時において６Ｈ型以外の結晶相を経由する電気伝導
ルートを支配的とし、この作用が前記した前提的機能に
相乗して低温域での抵抗の温度依存性を効果的に低減化
すると共に、安定かつ優れた導電性能を付与する結果を
発現する。
ば、窒素による置換固溶したＮ型半導体の性状が伝導帯
とのエネルギーギャップを最小にするドナー準位を形成
し、抵抗の温度変化幅を縮小させる前提的な機能を果た
す。これに加えて全結晶形に占める６Ｈ型の比率が９０
％以下で、かつ室温から５００℃までの抵抗温度係数
（Ａ）の絶対値が０．２％／℃以下の炭化珪素材質が、
通電時において６Ｈ型以外の結晶相を経由する電気伝導
ルートを支配的とし、この作用が前記した前提的機能に
相乗して低温域での抵抗の温度依存性を効果的に低減化
すると共に、安定かつ優れた導電性能を付与する結果を
発現する。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比しなが
ら詳細に説明する。なお、各例において炭化珪素焼結体
の結晶多形の定量は粉末試料のＸ線回折法〔窯業協会
誌、87(11)、576-582(1979) 〕でおこない、抵抗値の測
定は４端子法によった。
ら詳細に説明する。なお、各例において炭化珪素焼結体
の結晶多形の定量は粉末試料のＸ線回折法〔窯業協会
誌、87(11)、576-582(1979) 〕でおこない、抵抗値の測
定は４端子法によった。
【００１６】実施例１〜４、比較例１
平均粒子径０．５μm の６Ｈ型結晶を主体とする炭化珪
素粉末（Ａ粉末）と平均粒子径０．５μm の３Ｃ型結晶
を主体とする炭化珪素粉末（Ｂ粉末）を配合比率を変え
て均一に混合し、この混合物を１５ＭＰａの圧力で一軸
加圧後、更に３００ＭＰａの加圧下にラバープレス成形
した。ついで、成形体を窒素雰囲気に保持された加熱炉
中で２０００℃の温度で３時間加熱処理して窒素固溶Ｎ
型半導体性状の炭化珪素質焼結体を得た。得られた炭化
珪素質セラミック材の焼結体特性および常温比抵抗値
を、原料粉末配合比率と対比させて表１に示した。
素粉末（Ａ粉末）と平均粒子径０．５μm の３Ｃ型結晶
を主体とする炭化珪素粉末（Ｂ粉末）を配合比率を変え
て均一に混合し、この混合物を１５ＭＰａの圧力で一軸
加圧後、更に３００ＭＰａの加圧下にラバープレス成形
した。ついで、成形体を窒素雰囲気に保持された加熱炉
中で２０００℃の温度で３時間加熱処理して窒素固溶Ｎ
型半導体性状の炭化珪素質焼結体を得た。得られた炭化
珪素質セラミック材の焼結体特性および常温比抵抗値
を、原料粉末配合比率と対比させて表１に示した。
【００１７】
【表１】
【００１８】本発明の特性要件を満たす実施例１〜４の
炭化珪素セラミック材は、いずれも常温抵抗値が低く、
常温から１５００℃の温度範囲において変動の少ない一
定の抵抗値を示した。これに対し、抵抗温度係数が０．
２％を上廻る比較例１の焼結体は導電性能および抵抗温
度特性ともに劣るものであった。
炭化珪素セラミック材は、いずれも常温抵抗値が低く、
常温から１５００℃の温度範囲において変動の少ない一
定の抵抗値を示した。これに対し、抵抗温度係数が０．
２％を上廻る比較例１の焼結体は導電性能および抵抗温
度特性ともに劣るものであった。
【００１９】実施例５〜６、比較例２
平均粒径１０μm の６Ｈ型結晶を主成分とする炭化珪素
粉末（Ｃ粉末）に平均粒径０．０５μm のカーボンブラ
ックを配合し、この混合物を１５ＭＰａで一軸加圧した
のち、１００ＭＰａの加圧力でラバープレス成形した。
ついで、成形体をシリコン塊中に包埋した状態で窒素雰
囲気中２２００℃の温度で３時間反応焼結したのち、真
空中２０００℃に加熱して残留するＳｉ成分を除去し
た。得られた炭化珪素質焼結体の特性をＣ粉末とカーボ
ンブラックの配合比率と対比して表２に示した。
粉末（Ｃ粉末）に平均粒径０．０５μm のカーボンブラ
ックを配合し、この混合物を１５ＭＰａで一軸加圧した
のち、１００ＭＰａの加圧力でラバープレス成形した。
ついで、成形体をシリコン塊中に包埋した状態で窒素雰
囲気中２２００℃の温度で３時間反応焼結したのち、真
空中２０００℃に加熱して残留するＳｉ成分を除去し
た。得られた炭化珪素質焼結体の特性をＣ粉末とカーボ
ンブラックの配合比率と対比して表２に示した。
【００２０】
【表２】
【００２１】上例ではカーボンブラック配合量が多いほ
ど３Ｃ結晶主体の炭化珪素が反応生成する比率が増大
し、抵抗温度特性の改善効果が認められた。これは反応
焼結によって生成した３Ｃ型結晶が粒界付近に多く介在
し、全体としては比較的６Ｈ型結晶の比率が多いにも拘
らず３Ｃ型結晶相の連結した導電経路ができ易い構造が
形成されたことに起因する特有の効果であると推測され
る。
ど３Ｃ結晶主体の炭化珪素が反応生成する比率が増大
し、抵抗温度特性の改善効果が認められた。これは反応
焼結によって生成した３Ｃ型結晶が粒界付近に多く介在
し、全体としては比較的６Ｈ型結晶の比率が多いにも拘
らず３Ｃ型結晶相の連結した導電経路ができ易い構造が
形成されたことに起因する特有の効果であると推測され
る。
【００２２】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば窒素固溶
したＮ型半導体であって、全結晶形に占める６Ｈ型の比
率が９０％以下で、かつ常温から５００℃までの抵抗温
度特性（Ａ）の絶対値が０．２％以下の材質を備える炭
化珪素質により構成され、電気抵抗の温度依存性が極め
て小さく、優れた導電性能を備える導電性炭化珪素質セ
ラミック材を提供することができる。したがって、導電
性用途の応用範囲を大幅に拡大することができ、あらゆ
る分野において安定した高性能を発揮するセラミック材
料として有用性が極めて高い。
したＮ型半導体であって、全結晶形に占める６Ｈ型の比
率が９０％以下で、かつ常温から５００℃までの抵抗温
度特性（Ａ）の絶対値が０．２％以下の材質を備える炭
化珪素質により構成され、電気抵抗の温度依存性が極め
て小さく、優れた導電性能を備える導電性炭化珪素質セ
ラミック材を提供することができる。したがって、導電
性用途の応用範囲を大幅に拡大することができ、あらゆ
る分野において安定した高性能を発揮するセラミック材
料として有用性が極めて高い。
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フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭56−120573（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−167177（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−315056（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/565
Claims (2)
- 【請求項１】 ６Ｈ型結晶を主体とする炭化珪素粉末と
３Ｃ型結晶を主体とする炭化珪素粉末を、３Ｃ型結晶を
主体とする炭化珪素粉末が２０〜１００重量％となるよ
う配合し、加圧、成形後、窒素雰囲気中で１５００〜２
４００℃の温度で焼成する再結晶法により製造される窒
素を固溶したＮ型半導体であって、全結晶形に占める６
Ｈ型の比率が９０％以下の炭化珪素を主体とし、かつ下
記（１）式の抵抗温度係数（Ａ）の絶対値が０．２％／
℃以下の材質からなる導電性炭化珪素セラミック材。 但し、Ｒ1 は室温の抵抗値、Ｒ2 は５００℃の抵抗値、
Ｔ1 は室温を示す。 - 【請求項２】 ６Ｈ型結晶を主体とする炭化珪素粉末に
２０重量％以上の炭素材を配合し、加圧、成形後、窒素
雰囲気中で１５００〜２４００℃の温度で反応焼結する
ことにより製造される窒素を固溶したＮ型半導体であっ
て、全結晶形に占める６Ｈ型の比率が９０％以下の炭化
珪素を主体とし、かつ下記（１）式の抵抗温度係数
（Ａ）の絶対値が０．２％／℃以下の材質からなる導電
性炭化珪素セラミック材。 但し、Ｒ1 は室温の抵抗値、Ｒ2 は５００℃の抵抗値、
Ｔ1 は室温を示す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22073393A JP3476153B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 導電性炭化珪素質セラミック材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22073393A JP3476153B2 (ja) | 1993-08-12 | 1993-08-12 | 導電性炭化珪素質セラミック材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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