JP5748198B2 - 積層デバイスの製造方法及び積層デバイス - Google Patents
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Description
4 ストリート(分割予定ライン)
6 半導体デバイス
10 半導体デバイスチップ
12 半導体デバイス
14 封止樹脂
16,16A,16B 積層ウエーハ
20 半導体デバイスチップ
22,24 ダム
48 レジスト
50 スルーホール
54 貫通電極
58 切削ブレード
60 積層デバイス
Claims (3)
- 複数の半導体デバイスが積層された積層デバイスの製造方法であって、
表面に設定された交差する複数の分割予定ラインで区画される各領域に第1半導体デバイスが形成された半導体デバイスウエーハを準備する半導体デバイスウエーハ準備ステップと、
表面に第2半導体デバイスが形成された複数の半導体デバイスチップの裏面側を該半導体デバイスウエーハの該各第1半導体デバイスに対応させて該複数の半導体デバイスチップを該半導体デバイスウエーハの該表面に接着して、積層ウエーハを形成する積層ウエーハ形成ステップと、
該積層ウエーハ形成ステップを実施した後、該積層ウエーハの該複数の半導体デバイスチップを封止材で封止する封止ステップと、
該封止ステップを実施した後、該封止材で封止された該積層ウエーハの該半導体デバイスチップの該第2半導体デバイスと該半導体デバイスウエーハの該第1半導体デバイスとを接続する貫通電極を形成する貫通電極形成ステップと、
該貫通電極形成ステップを実施した後、該積層ウエーハを該分割予定ラインに沿って個々の積層デバイスへと分割する分割ステップと、
を具備したことを特徴とする積層デバイスの製造方法。 - 該封止ステップを実施した後、該封止材を研削して平坦化する平坦化ステップを更に具備した請求項1記載の積層デバイスの製造方法。
- 該封止ステップでは、該封止材となる封止樹脂と同一材料で、該半導体デバイスウエーハの外周縁に該半導体デバイスチップを囲繞する環状ダムを形成した後、該半導体デバイスウエーハ上に該封止樹脂を供給する請求項1又は請求項2に記載の積層デバイスの製造方法。
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