JP5740637B2 - セラミックス接合体及びその製造方法 - Google Patents
セラミックス接合体及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5740637B2 JP5740637B2 JP2010288674A JP2010288674A JP5740637B2 JP 5740637 B2 JP5740637 B2 JP 5740637B2 JP 2010288674 A JP2010288674 A JP 2010288674A JP 2010288674 A JP2010288674 A JP 2010288674A JP 5740637 B2 JP5740637 B2 JP 5740637B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic sintered
- sintered body
- ceramic
- conductor
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 180
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 104
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 30
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 28
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 22
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 16
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
β=100−α ・・・(2)
酸化アルミニウムをセラミックス焼結体として用いた接合体について説明する。
原料となる所定純度の酸化アルミニウム粉末に、IPA及び有機バインダと可塑剤を添加混合し、スプレードライをすることで酸化アルミニウム顆粒を得た。この顆粒をCIP成形し、所定の焼成温度で6時間の常圧焼成することで、相対密度99%以上、φ300×10mmの円板形状の酸化アルミニウム焼結体を得た。このようにして得た第1の焼結体及び第2の焼結体に研削、ラッピング加工を施して、板厚1mm、板厚のばらつきが5μm以下、接合面の表面粗さRzが平均粒径の1/2以下となるようにした。焼結体の平均粒径は、焼結体の一部を切り出し、切断面のSEM観察を行って、線インターセプト法により求めた。
導体としては、Mo箔を用いた。厚さ0.05mm、空隙幅2mmの導体を第1の焼結体に載せた。導体面積は、接合面の70%とした。
第2の焼結体で導体を挟み込み、ホットプレス冶具にセットした。プレス圧力は12.5MPa、加熱温度は1400℃とした。加熱は、第1の焼結体の焼成温度よりも低温で行った。
接合部の気密性をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定し、リーク量が1×10−7Pa・m3/s以下であれば「○」、それを超えるものは「×」とした。また、接合後の焼結体の粒成長率を切断面のSEM観察により測定し算出した。
実施例1について、内部に埋め込まれた導体を基準位置として第1のセラミックス焼結体の厚みを0.3mmまで薄化加工を行った。その後、総厚みが1mm以下になるように第2のセラミックス焼結体の薄化加工を実施した。その結果、狙いの厚み±10%の公差で製作できた。
窒化アルミニウムをセラミックス焼結体として用いた接合について説明する。
窒化アルミニウム粉末97質量%、酸化イットリウム粉末3質量%からなる混合粉末にIPA及び有機バインダと可塑剤を添加混合し、スプレードライをすることで、窒化アルミニウム顆粒を得た。この顆粒をCIP成形し、所定の焼成温度で6時間の常圧焼成することで、相対密度99%以上、φ300×10mmの円板形状の窒化アルミニウム焼結体を得た。このようにして得た第1及び第2の焼結体に研削、ラッピング加工を施して、板厚2mm、板厚のばらつきが3μm以下、接合面の表面粗さRzが平均粒径の1/2以下となるようにした。焼結体の平均粒径は、焼結体の一部を切り出し、切断面のSEM観察を行って、線インターセプト法により求めた。
導体としては、Moメッシュを用いた。線径0.1mm、#100、開口率47%である。
第2の焼結体で導体を挟み込み、ホットプレス冶具にセットした。プレス圧力は2.5MPa、加熱温度は1700℃とした。加熱は、第1及び第2の焼結体の焼成温度よりも低温で行って接合体を得た。
接合体に内蔵された導体の平面度を渦電流式膜厚計により測定したところ25μmであった。また、接合部の気密度をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定したところ1×10−9Pa・m3/sであり、気密性は良好であった。また、接合後の焼結体の粒成長率を切断面のSEM観察により測定し算出したところ、接合前の平均粒径4.2μmに対し、接合後の平均粒径は、4.8μmであり、粒成長率は約14%であった。接合体の総厚さは4mmであり、高精度に導体が内蔵された薄型の窒化珪素セラミックス部材が得られた。なお、渦電流式膜厚計による測定では、任意10箇所について第1の焼結体の厚さを測定し、その最大と最小との差を以って導体の平面度とした。
得られた接合体について、内部に埋め込まれた導体を基準位置として第1のセラミックス焼結体の厚みを0.15mmまで薄化加工を行った。その後、総厚みが1mm以下になるように第2のセラミックス焼結体の薄化加工を実施した。その結果、狙いの厚み±10%の公差で製作できた。
窒化珪素をセラミックス焼結体として用いた接合について説明する。
窒化珪素粉末94質量%、酸化イットリウム粉末3質量%、水酸化マグネシウム粉末を酸化マグネシウム換算で3質量%を混合した混合粉末にIPA及び有機バインダと可塑剤を添加混合し、スプレードライをすることで、窒化珪素顆粒を得た。この顆粒をCIP成形し、所定の焼成温度で6時間の常圧焼成することで、相対密度99%以上、φ300×10mmの円板形状の窒化珪素焼結体を得た。このようにして得た第1及び第2の焼結体に研削、ラッピング加工を施して、板厚3mm、板厚のばらつきが1μm以下、接合面の表面粗さRzが平均粒径の1/2以下となるようにした。焼結体の平均粒径は、焼結体の一部を切り出し、切断面のSEM観察を行って、線インターセプト法により求めた。
導体としては、タングステン薄膜を用いた。厚さ0.01mm、空隙幅1mmの導体を第1の焼結体にスパッタリングにより製膜した。導体面積は、接合面の80%とした。
第2の焼結体で導体を挟み込み、ホットプレス冶具にセットした。プレス圧力は0.1MPa、加熱は1750℃とした。
接合体に内蔵された導体の平面度を渦電流式膜厚計により測定したところ20μmであった。また、接合部の気密度をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定したところ1×10−9Pa・m3/sであり、気密性は良好であった。また、接合後の焼結体の粒成長率を切断面のSEM観察により測定し算出したところ、接合前の平均粒径5.0μmに対し、接合後の平均粒径は、7.1μmであり、粒成長率は42%であった。接合体の総厚さは6mmであり、高精度に導体が内蔵された薄型の窒化珪素セラミックス部材が得られた。なお、渦電流式膜厚計による測定では、任意10箇所について第1の焼結体の厚さを測定し、その最大と最小との差を以って導体の平面度とした。
得られた接合体について、内部に埋め込まれた導体を基準位置として第1のセラミックス焼結体の厚みを0.3mmまで薄化加工を行った。その後、総厚みが1mm以下になるように第2のセラミックス焼結体の薄化加工を実施した。その結果、狙いの厚み±10%の公差で製作できた。
純度99.99%の酸化アルミニウムをセラミックス焼結体として用いた接合体について説明する。
原料となる純度99.99%の酸化アルミニウム粉末に、分散剤、バインダ、イオン交換水を添加混合してスラリーを得た。このスラリーを鋳型に注入して真空吸引する鋳込み成形により、成形体を得た。そして、この成形体を所定の焼成温度で2時間の大気常圧焼成することで、相対密度99%以上、φ300×5mmの円板形状の酸化アルミニウム焼結体を得た。
導体として、第2の焼結体のラッピング加工面側に、スクリーン印刷によりMoペーストで厚さ95μm、導体間2mm幅の電極パターンを形成した。Moペーストは、Mo粉末にバインダと可塑剤を加え、混合して作製した。
第2の焼結体で導体を挟み込み、ホットプレス冶具にセットした。プレス圧力は9.8MPa、加熱温度は1400℃とした。
得られたアルミナセラミックス接合体10について、縦方向に接合体を切断加工し、さらに切断加工面に研削、ラッピング加工を行った。そして、電極間の接合界面を、FE−SEMを用いて観察を行った。これによって得られた観察写真により、接合界面14の残気孔の状況を確認した。
Claims (5)
- 相対密度99%以上の第1及び第2のセラミックス焼結体、並びに厚さが0.15mm以下であり、当該厚さの20〜200倍の幅の空隙を有する導体を用意する工程と、
前記第1及び第2のセラミックス焼結体の間に前記導体を挟み込み、前記第1のセラミックス焼結体と前記第2のセラミックス焼結体とが離れた状態からホットプレスすることにより、少なくとも一方の前記セラミックス焼結体がクリープして、前記空隙が埋まり、他方の前記セラミックス焼結体と接合する工程と、を含み、
前記第1及び第2のセラミックス焼結体は互いに共通する成分を主成分とし、少なくとも一方の前記セラミックス焼結体の平均粒径は7μm以下であることを特徴とするセラミックス接合体の製造方法。 - 前記第1のセラミックス焼結体及び前記第2のセラミックス焼結体の接合面の表面粗さをRa0.1μm以下として、接合された前記第1のセラミックス焼結体と前記第2のセラミックス焼結体との接合界面における残気孔率が40%以下となることを特徴とする請求項1記載のセラミックス接合体の製造方法。
- 互いに共通する成分を主成分とし、少なくとも一方の平均粒径が7μm以下である第1のセラミックス焼結体と第2のセラミックス焼結体とが接合材を介さずに接合されたセラミックス接合体であって、
前記第1及び第2のセラミックス焼結体の間には、厚さが0.15mm以下であり、当該厚さの20〜200倍の幅の空隙を有する導体が挟み込まれており、
前記第1のセラミックス焼結体と前記第2のセラミックス焼結体とが離れた状態からホットプレスして、少なくとも一方の前記セラミックス焼結体がクリープして前記空隙が埋まることにより、他方の前記セラミックス焼結体と接合されたことを特徴とするセラミックス接合体。 - 前記導体は、発熱抵抗体、静電電極またはRF電極であることを特徴とする請求項3記載のセラミックス接合体。
- 接合面の表面粗さがRa0.1μm以下である前記第1のセラミックス焼結体と前記第2のセラミックス焼結体とが接合され、前記第1のセラミックス焼結体と前記第2のセラミックス焼結体との接合界面における残気孔率が40%以下であり、前記導体を電極とする請求項3または4記載のセラミックス接合体からなることを特徴とする静電チャック。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010288674A JP5740637B2 (ja) | 2009-12-25 | 2010-12-24 | セラミックス接合体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009294901 | 2009-12-25 | ||
JP2009294901 | 2009-12-25 | ||
JP2010288674A JP5740637B2 (ja) | 2009-12-25 | 2010-12-24 | セラミックス接合体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011148687A JP2011148687A (ja) | 2011-08-04 |
JP5740637B2 true JP5740637B2 (ja) | 2015-06-24 |
Family
ID=44536061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010288674A Active JP5740637B2 (ja) | 2009-12-25 | 2010-12-24 | セラミックス接合体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5740637B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5841329B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2016-01-13 | 株式会社日本セラテック | セラミックス接合体の製造方法 |
JP6066644B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2017-01-25 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックス接合体の製造方法 |
EP3041039B1 (en) * | 2013-08-26 | 2022-01-05 | KYOCERA Corporation | Sample-retainer |
KR101993110B1 (ko) * | 2019-02-28 | 2019-06-25 | 김성환 | 가압접합에 의한 고순도 정전척 제조방법 및 그 정전척 |
JP6904442B1 (ja) * | 2020-01-31 | 2021-07-14 | 住友大阪セメント株式会社 | セラミックス接合体、静電チャック装置 |
WO2022085307A1 (ja) * | 2020-10-21 | 2022-04-28 | 住友大阪セメント株式会社 | セラミックス接合体、静電チャック装置、セラミックス接合体の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3070121B2 (ja) * | 1991-03-22 | 2000-07-24 | スズキ株式会社 | Al2 O3 /TiC複合材料の接合方法 |
JP3338593B2 (ja) * | 1995-09-19 | 2002-10-28 | 日本碍子株式会社 | 半導体処理装置およびその製造方法 |
JP2002176096A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-06-21 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体処理装置用セラミックス部材の製造方法 |
JP2005022966A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法 |
JP4926632B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-05-09 | 東洋炭素株式会社 | タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造及びタンタル−炭素複合体 |
JP5841329B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2016-01-13 | 株式会社日本セラテック | セラミックス接合体の製造方法 |
-
2010
- 2010-12-24 JP JP2010288674A patent/JP5740637B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011148687A (ja) | 2011-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5841329B2 (ja) | セラミックス接合体の製造方法 | |
JP4476701B2 (ja) | 電極内蔵焼結体の製造方法 | |
JP5740637B2 (ja) | セラミックス接合体及びその製造方法 | |
JP5441020B1 (ja) | 静電チャック | |
JP4482472B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
KR20080025012A (ko) | 정전 척 및 그 제조 방법 | |
JP2006128603A (ja) | セラミックス部材及びその製造方法 | |
KR20010076378A (ko) | 반도체 제조 장치용 웨이퍼 지지체와 그 제조 방법 및반도체 제조 장치 | |
KR20050067085A (ko) | 정전 척과 그 제조 방법 및 알루미나 소결 부재와 그 제조방법 | |
KR20070066890A (ko) | 정전척 | |
WO2021190207A1 (zh) | 一种多层复合陶瓷盘及其制造方法 | |
JP3966201B2 (ja) | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置 | |
JP2000143349A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体およびそれを用いた静電チャック | |
KR20220036865A (ko) | 복합 소결체, 반도체 제조 장치 부재 및 복합 소결체의 제조 방법 | |
JP3899379B2 (ja) | 静電チャックおよびその製造方法 | |
JP3991887B2 (ja) | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置 | |
JP4111013B2 (ja) | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置 | |
JP2002173378A (ja) | 半導体処理装置用セラミックス部材の製造方法 | |
JP2006319344A (ja) | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置 | |
JP2005191581A (ja) | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置 | |
JP2002176096A (ja) | 半導体処理装置用セラミックス部材の製造方法 | |
JPH11100271A (ja) | セラミック抵抗体およびそれを用いた静電チャック | |
JP3994888B2 (ja) | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置 | |
JP2022048078A (ja) | 複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法 | |
JP3832476B2 (ja) | ウエハプローバ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131003 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150317 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150326 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5740637 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |