JP5737924B2 - 撮像装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態による撮像装置の構成例を示すブロック図であり、撮像装置の例としてデジタルスチルカメラの構成例を示す。レンズ101は、被写体からの光学像(被写体像)を、メカシャッタ103を介して固体撮像素子105に結像させるレンズ群である。このレンズ101は、レンズ駆動部102によって駆動制御され、例えば、ズーム、フォーカス、絞り等が調整される。メカシャッタ103は、撮像素子105を所定時間露光した後、遮光する機能を有する。このメカシャッタ103は、シャッタ駆動部104によって駆動制御される。撮像素子105は、レンズ101から入力された光学像を電気信号の画像に変換する。例えばCMOSイメージセンサに代表されるX−Yアドレス型固体撮像素子である。撮像素子105は、被写体を撮像し、被写体像に基づくアナログ信号の画像を生成する。撮像素子105により撮像されたアナログ信号の画像(画像信号)は、AD変換部106に出力される。
1度目は、リセットトランジスタ303をオンし、FD部306を電源電位VDDと同電位にした後に、リセットトランジスタ303をオフした状態で、選択トランジスタ304をオンにして、N信号の読み出しを行う。このとき、暗電流の影響を受けて電圧が変動すると、その変動分が加算されて出力される。その電圧が容量313を介して列アンプ314へ印加され、基準電圧VREF312との差分が容量313、容量315によって決められた増幅率で増幅されて出力される。この出力されたN信号を、信号PTNのハイレベル期間にS/H(N)318に記憶する。
その後、リセットトランジスタ303をオフにした状態で、選択トランジスタ304をオンにして、信号の読み出しを行う。このとき、撮像素子105の画素アレイ部201に入射した光は、フォトダイオード301によって光電変換される。予め決められた蓄積時間を経過すると転送トランジスタ302がオンして、フォトダイオード301の電荷はFD部306へ転送され、転送トランジスタ302はオフになる。そして、選択トランジスタ304がオンすると、FD部306の電圧に応じて増幅用トランジスタ305から、垂直出力線311へ電圧が印加される。また、1度目のN信号読み出しで暗電流による変動があった場合、2度目のS信号読み出しでも同様の変動が発生し、読み出し信号に加算される。その電圧が容量313を介して列アンプ314へ印加され、基準電圧VREF312との差分が容量313、容量315によって決められた増幅率で増幅されて出力される。この出力されたS信号を、信号PTSがハイレベル期間中にS/H(S)319に記憶する。
HOB(n):n行目の遮光画素の信号の平均値
ΣOB(K):K行目までの少なくとも1行以上の平均値の積算値
TH1:第1の閾値
TH2:第2の閾値
OBC1:OBレベルの第1の目標値
OBC2:OBレベルの第2の目標値
(OBC1<OBC2)
の差分が第1の閾値TH1より大きい場合、第1の閾値TH1より大きい変動があったことを、メモリ部109に記憶させる。全体制御演算部111は、メモリ部109に記憶された大きい変動があったことを示す情報を基にして、図6に示すように、TG108にOBレベルの目標値を第1の目標値OBC1から第2の目標値OBC2へ切り換えるよう設定する(ステップS106)。第2の目標値OBC2は、第1の目標値OBC1より大きい。すなわち、OBクランプ回路の目標値が大きくなるように目標値が変更される。次回の撮影時には、TG108からセレクタ405へ設定を行い、セレクタ405はOBレベルの目標値を切り換える。また、画像信号処理回路107の第2の比較部は、算出した平均値HOB(n)と積算値ΣOB(n−1)の差分と、第2の閾値TH2とを比較する(
ステップS107)。画像信号処理回路107の補正部は、比較した結果、上記の差分が第2の閾値TH2より大きかった場合、注目行の画像信号は基準電圧VREFの変動の影響を受けていると判断し、画像信号値の補正を行う(ステップS108)。具体的には、平均値HOB(n)と積算値ΣOB(n−1)の差を用いた次式(1)で表される補正値
を、注目行の有効画素の画像信号値に加算する。ここで、α及びβは定数である。
(補正値)=α×(HOB(n)−ΣOB(n−1))+β (1)
1)から、次の行の変動検出に使用する平均値の積算値ΣOB(n)を算出する。具体的
には、画像信号処理回路107の積算部は、平均値を複数行にわたって積算することにより積算値ΣOB(n)を算出する。そして、上記の検出・補正動作を実施した画像信号が
画像信号処理回路107より出力される(ステップS110)。これら、ステップS103〜ステップS110の動作を各行ごとに順次実行し(ステップS111)、検出・補正動作を必要とするすべての行で検出・補正動作を実行した後に撮影終了となる(ステップS112)。
第1の実施形態において、動画記録等の連続する動作モードに関して、画像信号の変動による撮影画像への影響を軽減する基本的な流れを示したが、本発明の第2の実施形態では、静止画撮影のような、連続しない動作モードについて示す。そのため、デジタルカメラにおいて静止画を撮影する際、画像信号の変動は、静止画撮影前の駆動モード例えばEVF(Electronic View Finder)時に画像信号の変動を検出する。本発明の第2の実施形態での撮像装置の構成、画素構造、画素回路、画像信号に変動を検知した際の画像信号値の補正式等は第1の実施形態と同様である。
TH1より小さい場合は、セレクタ405によって、OBレベルの目標値が第1の目標値OBC1に設定される。EVF動作時に平均値HOB(n)と積算値ΣOB(n−1)の
差分が第1の閾値TH1より大きい場合、つまり第1の閾値TH1より大きい変動があったと検出された場合はセレクタ405によって、OBレベルの目標値が第2の目標値OBC2に設定される。
第1及び第2の実施形態においては、画像信号の変動を検出し、画像信号の変動による撮影画像への影響を軽減するために、OBレベルの目標を切り換えることを例示した。固体撮像素子を用いたデジタルカメラなどの撮像装置は、連続して複数の画像を取得し、動画形式として記憶することができる。その際に、記憶した動画をTVモニタ等の汎用機器で画像を鮮明に再生にするためには、OB画素部以外の有効画素を表現するためのダイナミックレンジを少なくともある程度残さなければならない。そこで、本発明の第3の実施形態では有効画素のダイナミックレンジを確保するためにOBレベルの目標値に上限を設けることについて例示する。第3の実施形態での撮像装置の構成、画素構造、画素回路、画像信号に変動を検知した際の画像信号値の補正式等は第1の実施形態と同様である。
第3の実施形態では、有効画素のダイナミックレンジを確保するためにOBレベルの目標値に上限を設けることに関して示した。すでに述べてように、OBレベルの目標値を切り換えて上げることは、有効画素部を表現するためのダイナミックレンジを削ってしまうため画質の劣化につながる。そのため、OBレベルの目標値を切り換えて上げることは、必要なシーンのみで実施することが望ましい。すなわち、画像信号の変動を検知して、OB部の目標レベルを切り換えて上げた状態において、画像変動がなくなった場合には、速やかにOB部の目標レベルを下げ、元に戻すことが必要となる。本発明の第4の実施形態での撮像装置の構成、画素構造、画素回路、画像信号に変動を検知した際の画像信号値の補正式等は第1の実施形態と同様である。以下では、第3の閾値TH3との比較結果を基にOB画素部205の目標レベルを切り換える(下げる)手順に着目して例示する。
これまで、画像信号の変動の影響を、画素信号の変化として検知し、その影響を低減する方法に関して例示した。すでに述べたように、OBレベルの目標値を上げることが必要となるのは非常に高い輝度の被写体を撮影したときである。しかし、撮影される被写体の輝度は、信号の増幅量や露光条件にも依存する。つまり、OBレベルの目標値を上げることに関して信号の増幅量や露光条件の考慮が必要となる場合がある。本発明の第5の実施形態での撮像装置の構成、画素構造、画素回路、画像信号に変動を検知した際の画像信号値の補正式等は第1の実施形態と同様である。以下では、信号増幅量や露光条件を基に、OBレベルの目標値を切り換える(上げる)手順に着目して例示する。
第5の実施形態では、信号増幅量や露光条件を基に画像信号の変動を予測し、OBレベルを切り換える方法に関して例示した。すでに述べたように、画像信号の変動は、信号レベルの高い画素の数量に依存している。つまり、画面内において所定以上の信号レベルの画素で構成される領域の面積によって画像信号の変動を予測することができる。本発明の第6の実施形態での撮像装置の構成、画素構造、画素回路、画像信号に変動を検知した際の画像信号値の補正式等は第1の実施形態と同様である。以下では、画面内において所定以上の信号レベルの占める面積を基にOBレベルの目標値を切り換える(上げる)手順に着目して例示する。
Claims (6)
- 2次元行列状に配置された開口された複数の有効画素及び遮光された複数の遮光画素を有し、各画素が光学像を電気信号に変換する画素アレイ部と、
前記遮光画素の信号と目標値との差分に対応する補正値を前記有効画素の信号に加算するクランプ回路と、
前記クランプ回路の出力信号を信号処理する画像信号処理回路とを有し、
前記画像信号処理回路は、
前記画素アレイ部の同一行の画素の信号の平均値を算出する平均化部と、
前記平均値を複数行にわたって積算することにより積算値を算出する積算部と、
前記平均化部により算出された所定の行における平均値と、前記積算部により算出された積算値との差分を算出する差分算出部と、
前記差分算出部により算出された差分と第1の閾値とを比較する第1の比較部と、
前記差分が前記第1の閾値より大きいときには、次回の撮影における前記目標値を変更する目標値変更部と、
前記差分算出部により算出された差分と前記第1の閾値より小さい第2の閾値とを比較する第2の比較部と、
前記差分が前記第2の閾値より大きいときには、前記差分算出部により算出された差分を基に、前記所定の行の前記有効画素の信号を補正する補正部とを有することを特徴とする撮像装置。 - 前記目標値変更部は、前記差分が前記第1の閾値より大きいときには、次回の撮影における前記目標値が大きくなるように変更することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記平均化部は、同一行の前記遮光画素の信号の平均値を算出、又は同一行の前記有効画素の信号の平均値を算出することを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。
- 前記画像信号処理回路は、前記差分算出部により算出された差分と第3の閾値とを比較する第3の比較部を有し、
前記目標値変更部は、全行にわたって前記差分が前記第3の閾値以下であるときには、前記クランプ回路の目標値が小さくなるように前記目標値を変更することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 2次元行列状に配置された開口された複数の有効画素及び遮光された複数の遮光画素を有し、各画素が光学像を電気信号に変換する画素アレイ部と、
前記遮光画素の信号と目標値との差分に対応する補正値を前記有効画素の信号に加算するクランプ回路と、
前記クランプ回路の出力信号を信号処理する画像信号処理回路とを有し、
前記画像信号処理回路は、
前記画素アレイ部の複数の画素の信号値が所定値以上である画素の領域の面積を算出する面積算出部と、
前記面積算出部により算出された面積に応じて次回の撮影における前記目標値を変更する目標値変更部と
を有することを特徴とする撮像装置。 - 前記目標値変更部は、前記面積算出部により算出された面積が所定の面積範囲内であるときには、次回の撮影における前記目標値が大きくなるように変更することを特徴とする請求項5に記載の撮像装置。
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