JP5730327B2 - 焦電素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、焦電素子及びその製造方法に関する。
従来、人体検知センサーや火災検知センサーなどの赤外線検出装置として用いられる焦電素子が知られている。焦電素子は、焦電基板と、焦電基板の表面及び裏面に設けられた一対の電極と、を備えており、この一対の電極と焦電基板のうち一対の電極によって挟まれた部分とからなる受光部が形成された構造をしている。この焦電素子では、受光部に照射される赤外線の量が変化すると、焦電効果により焦電基板の分極が変化して受光部の表面及び裏面に電荷が励起される。そして、この電荷を受光部の一対の電極で電圧として取り出すことで、焦電素子を赤外線検出装置として機能させている。例えば、特許文献1には、焦電素子として、焦電基板に受光部を1つだけ形成したシングルタイプの焦電素子や、受光部を2つ形成したデュアルタイプの焦電素子,受光部を4つ形成したクワッドタイプの焦電素子が記載されている。また、特許文献2には、上面に受光電極を設けると共に下面に接地電極を設けた焦電結晶と、これを支持するシリコン板とを備え、シリコン板のうち受光電極に対向する領域に孔を穿った赤外線検出装置が記載されている。この赤外線検出装置では、シリコン板に孔を穿つことで、熱容量の増大を防いで赤外線の検出感度の向上を図っている。
ところで、焦電素子において検出感度を向上させる方法として、受光部の表面積を増やすことが挙げられる。表面積が増えることで赤外線により受光部に励起される電荷が増え、取り出せる電圧が上昇するからである。しかし、受光部の表面積を増やすと焦電素子が大型化してしまうという問題があった。
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、大型化することなく焦電素子の検出感度を向上させることを主目的とする。
本発明は、上述の目的を達成するために以下の手段を採った。
本発明の焦電素子は、
焦電基板と、
空洞が形成され、該空洞以外の部分で前記焦電基板を裏面から支持する支持部材と、
前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分の表裏両面に形成された一対の電極と前記焦電基板のうち前記一対の電極によって挟まれた部分とからなる受光部と、
を備え、
前記焦電基板は、前記空洞に対向する部分に反りが生じている、
ものである。
焦電基板と、
空洞が形成され、該空洞以外の部分で前記焦電基板を裏面から支持する支持部材と、
前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分の表裏両面に形成された一対の電極と前記焦電基板のうち前記一対の電極によって挟まれた部分とからなる受光部と、
を備え、
前記焦電基板は、前記空洞に対向する部分に反りが生じている、
ものである。
この焦電素子では、焦電基板のうち空洞に対向する部分に反りが生じているため、同じ大きさで反りが生じていないものと比較して、受光部の表面積が増大する。これにより、大型化させることなく焦電素子の検出感度を向上させることができる。
本発明の焦電素子において、前記焦電基板は、該焦電基板の表面側に凸となるように前記反りが生じ、該反りの頂上が他よりも薄く形成されており、前記受光部は、前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分であって前記頂上を除く部分に該頂上を挟むように複数形成されているものとしてもよい。こうすれば、複数の受光部の間に反りの頂上があり、この頂上が他よりも薄く形成されていることで、複数の受光部の間の熱伝導が起こりにくくなる。これにより、複数の受光部をデュアルタイプやクワッドタイプの焦電素子として用いたときの検出感度が向上する。
本発明の焦電素子において、前記焦電基板は、該焦電基板の表面側に凸となるように前記反りが生じ、該反りの頂上が他よりも薄く形成されており、前記受光部は、前記頂上部分に形成されているものとしてもよい。こうすれば、焦電素子の機械的強度の低下を防ぎつつ検出感度を向上させることができる。この理由を以下に説明する。一般に、焦電基板が薄いほど受光部の熱容量が低下するため検出感度は向上するが、薄いことにより機械的強度は低下してしまう。しかし、焦電基板のうち他よりも薄く形成された頂上部分に受光部を形成することで、焦電基板全体を薄くする場合と比較して焦電素子の機械的強度の低下を防ぐことができる一方、受光部は薄いため熱容量が低下して検出感度が向上するのである。
本発明の焦電素子において、前記支持部材は、前記焦電基板と比べて熱伝導率が低い材料で形成されているものとしてもよい。こうすれば、焦電基板の熱が支持部材に逃げにくくなるため、焦電素子の検出感度が向上する。
本発明の焦電素子において、前記焦電基板は、前記空洞に対向する部分の厚さが0.1〜10μmであるものとしてもよい。
本発明の焦電素子の製造方法は、
(a)1以上の裏面電極が形成された平坦な焦電基板と、前記裏面電極に対向する部分に空洞が形成され該空洞以外の部分で前記焦電基板を裏面から支持する支持部材とを備えた複合体を形成する工程と、
(b)前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分に反りが生じるまで前記焦電基板の表面を研磨する工程と、
(c)前記焦電基板の表面に前記裏面電極と対をなすように表面電極を形成する工程と、
を含むものである。
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(b)前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分に反りが生じるまで前記焦電基板の表面を研磨する工程と、
(c)前記焦電基板の表面に前記裏面電極と対をなすように表面電極を形成する工程と、
を含むものである。
この焦電素子の製造方法によれば、工程(a)で電極に対向する部分に空洞が形成された複合体を形成し、工程(b)で焦電基板のうち空洞に対向する部分に反りが生じるまで焦電基板の表面を研磨する。この反りにより、同じ大きさで反りが生じていないものと比較して、受光部の表面積が増大した焦電素子が得られる。これにより、大型化させることなく検出感度を向上させた焦電素子が得られる。
この焦電素子の製造方法において、前記工程(b)で、前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分の厚さが0.1〜10μmの範囲になるまで前記焦電基板の表面を研磨するものとしてもよい。0.1〜10μmの範囲の厚さになるまで表面研磨することで、焦電基板に反りが生じやすくなる。
次に、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。図1(a)は本発明の一実施形態である焦電素子10の平面図、図1(b)は図1(a)のA−A断面図、図2は図1(b)のB−B断面図である。この焦電素子10は、2つの受光部61,62を備えたデュアルタイプの焦電素子として構成されており、焦電基板20と、焦電基板20を支持する支持部材30と、焦電基板20の表裏に形成された表面金属層40及び裏面金属層50と、を備えている。
焦電基板20は、焦電体の基板である。焦電基板20の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛などの強誘電体セラミックスや、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの単結晶が挙げられる。なお、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの単結晶を用いる場合、カット角は任意の角度を選択できるが、90°Zカット板に近い方が焦電性が高いため好ましい。この焦電基板20は、特に限定するものではないが、例えば、縦が0.1〜5mm,横が0.1〜5mm,厚さが0.1〜10μmである。この焦電基板20には、焦電基板20の表面側に凸となる反りが生じている。また、焦電基板20は反りの頂上27に近い部分ほど薄くなるように形成されており、頂上27は他よりも薄く形成されている。頂上27の厚さは特に限定するものではないが、例えば、0.1〜10.0μmである。なお、図1(b)では、わかりやすくするため焦電基板20の反りを誇張して示している。
支持部材30は、支持層32と、接着層34と、支持基板36とを備えている。支持層32は、焦電基板20の裏面に形成されて焦電基板20を支持するものである。支持層32の材料としては、例えば、二酸化珪素が挙げられる。支持層32の厚さは、特に限定するものではないが、例えば、0.1〜1μmである。接着層34は、支持層32と支持基板36とを接着するものであり、支持基板36の表面全面に形成されている。接着層34の材料としては、例えば、エポキシ系接着剤やアクリル系接着剤を固化させたものが挙げられる。接着層34の厚さは、特に限定するものではないが、例えば、0.1〜1μmである。接着方法として、接着剤以外に陽極接合、表面活性化法などの直接接合法を用いても良い。支持基板36は、接着層34を介して支持層32に接着される平板状の基板である。支持基板36の材料としては、例えば、ガラスやタンタル酸リチウム,ニオブ酸リチウムが挙げられる。支持基板36は、特に限定するものではないが、例えば、縦が0.1〜5mm,横が0.1〜5mm,厚さが0.15〜0.5mmである。支持層32,接着層34,支持基板36は、いずれも焦電基板20よりも熱伝導率が低い材料であることが好ましい。この理由については後述する。また、この支持部材30には、図1(b)及び図2に示すように空洞38が形成され、支持層32はこの空洞38の外周を四角く囲うように形成されている。すなわち、支持層32は空洞38以外の部分で焦電基板20を裏面から支持している。なお、焦電基板20における上述した反りは、焦電基板20のうち空洞38と対向する部分である空洞対向領域26に生じている。
表面金属層40は、焦電基板20の表面に形成されており、平面視で縦長の長方形に形成された2つの表面電極41,42と、表面電極41と導通し平面視で正方形に形成されたリード部46と、表面電極42と導通し平面視で正方形に形成されたリード部47とを備えている。この表面金属層40の材料としては、例えばニッケルやクロム,金などの金属が挙げられ、赤外線吸収率が高いほど好ましい。表面金属層40の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.01〜0.2μmである。また、表面金属層40は、焦電基板20の表面上にクロムからなる金属層を形成し、さらにその上にニッケルからなる金属層を形成した2層構造であってもよい。なお、表面電極41,42は、空洞38に対向する部分すなわち空洞対向領域26上であって、頂上27を除く部分に形成されており、表面電極41,42が頂上27を挟むように位置している。
裏面金属層50は、焦電基板20の裏面に形成されており、平面視で縦長の長方形に形成された2つの裏面電極51,52と、裏面電極51及び裏面電極52を導通し平面視で横長の長方形に形成されたリード部56とを備えている。この裏面金属層50の材料としては、上述した表面金属層40と同様のものを用いることができる。表面金属層40の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.01〜0.2μmである。裏面電極51は、表面電極41と対向するように焦電基板20の裏面に形成されており、裏面電極52は、表面電極42と対向するように焦電基板20の裏面に形成されている。
受光部61は、一対の電極(表面電極41及び裏面電極51)と、焦電基板20のうち表面電極41と裏面電極51とに挟まれた部分である受光領域21とで形成されたものである。同様に、受光部62は、一対の電極(表面電極42及び裏面電極52)と、焦電基板20のうち表面電極42と裏面電極52とに挟まれた部分である受光領域22とで形成されたものである。この受光部61,62では、赤外線の照射による温度変化が生じると、一対の電極間の電圧が変化する。例えば、受光部61に赤外線が照射されると、表面電極41及び受光領域21が赤外線を吸収して温度変化が生じる。そして、これによる受光領域21の自発分極の変化が、表面電極41と裏面電極51との間の電圧の変化として現れるようになっている。
続いて、こうして構成された焦電素子10の動作について説明する。図3は、焦電素子10の受光部61,62の電気的な接続状態を示す回路図である。図示するように、焦電素子10の受光部61,62は、裏面電極51,52がリード部56によって接続されることで、直列に接続されている。そして、この直列接続された回路の両端である表面電極41,42間の電圧が、リード部46,47間の電圧として取り出せるようになっている。なお、本実施形態では、受光領域21,22の自発分極の向きは、図3においては互いに逆方向(図1(b)においては同方向)になっている。この焦電素子10において、焦電基板20は焦電体であるため、平常時であっても受光領域21,22には常に自発分極が起きている。しかし、受光部61,62が空気中の浮遊電荷を吸着して自発分極と電気的に釣り合うため受光領域21,22ともに見かけ上の電荷はゼロとなる。そのため、平常時には表面電極41と裏面電極51との間や表面電極42と裏面電極52との間には電圧が生じず、リード部46,47間には電圧は生じない。また、焦電素子10を取り囲む雰囲気の赤外線量の変化(例えば周囲の温度の変化)により受光領域21,22の温度が共に同じように変化した場合には、受光領域21,22の自発分極がいずれも変化して電荷の偏りが生じ、表面電極41と裏面電極51との間や表面電極42と裏面電極52との間に同じ大きさの電圧が生じる。しかし、受光領域21,22の自発分極の向きは図3に示すように逆方向になっているため、両者の電圧は打ち消し合い、リード部46,47間にはやはり電圧が生じない。このように、焦電素子10は自発分極の向きが逆向きに直列接続されるように受光部61,62を接続したデュアルタイプの素子であるため、平常時だけでなく焦電素子10を取り囲む雰囲気の赤外線量の変化時にもリード部46,47間に電圧は生じず、ノイズで誤動作しにくい構成となっている。一方、例えば人が焦電素子10の付近を横切る場合など、受光部61,62に照射される赤外線の量が均等でなくなる場合には、受光領域21,22の温度変化が異なる大きさとなる。そのため、この温度変化により表面電極41と裏面電極51との間に生じる電圧と表面電極42と裏面電極52との間に生じる電圧とが異なる値となって完全には打ち消し合わず、リード部46,47間には電圧が生じる。受光領域が平坦の場合、人の横切る位置、スピードによってまれに受光部61、62に入射する赤外線の量が均一になり、センサーが反応せず誤動作が発生することがある。一方、受光領域が反り、アーチ状になっている場合、人から遠い方の受光部には赤外線が照射されにくく、61、62の間にアンバランスが生じやすくなる。よって、人が近づいた時にセンサーが反応しないという誤動作が減少する。これにより、焦電素子10は人体検知や火災検知などを行う赤外線検出装置として用いることができる。なお、焦電素子10を赤外線検出装置として用いる場合には、例えば、リード部46,47とインピーダンス変換用のFET(電界効果型トランジスタ)とを接続してリード部46,47間の電圧を取り出しやすくすることができる。また、表面電極41,42を金黒からなる赤外線吸収層で覆って赤外線の吸収効率を高めたり、波長フィルターを設けて特定の波長の光のみが受光部41,42に到達するようにすることでノイズによる誤動作を防止したりすることができる。
そして、本実施形態では、焦電素子10は、焦電基板20のうち空洞38に対向する部分である空洞対向領域26に反りが生じている。このため、反りがない場合と比べて受光部61,62の受光面積が増大する。受光面積が増大すれば、照射される赤外線の量が同じであっても自発分極により受光領域21,22に生じる電荷の量が増え、高い電圧が生じることになる。これにより、反りがない場合と比べて大型化させることなく焦電素子10の検出感度を向上させることができる。
また、焦電基板20は、受光部61,62間に位置する反りの頂上27が他よりも薄く形成されている。このため、頂上27が他と同じ厚さである場合と比較して受光部61,62間の熱伝導が起こりにくくなる。ここで、受光部61,62間の熱伝導が起こりやすいと、受光部61,62に照射される赤外線の量が均等でないにもかかわらず受光部61,62の一方から他方へ熱伝導が起こることにより受光領域21,22の温度変化の大きさが同程度となってしまう場合がある。この場合、背景の赤外線量が変化した場合と同様に表面電極41と裏面電極51との間の電圧と表面電極42と裏面電極52との間に生じる電圧とが打ち消しあってリード部46,47間の電圧が小さくなってしまい、焦電素子10が誤不動作となりやすい。本実施形態の焦電素子10では、頂上27が薄いことで受光部61,62間の熱伝導が起こりにくくなるため、このような誤不動作が防止でき、検出感度を向上させることができる。
さらに、支持部材30を、焦電基板20と比べて熱伝導率が低い材料で形成すれば、焦電基板20の熱が支持部材30に逃げにくくなる、すなわち、受光領域21,22の温度が変化しやすくなる。これにより、わずかな赤外線量の変化であっても温度変化により表面電極41と裏面電極51との間や表面電極42と裏面電極52との間に電圧が生じるため、焦電素子10の検出感度を向上させることができる。
次に、こうした焦電素子10の製造方法について説明する。図4及び図5は、焦電基板10の製造工程を模式的に示す断面図である。まず、焦電基板20となる平坦な焦電基板120を用意する(図4(a))。この焦電基板120は、例えばオリエンテーションフラット(OF)を有し、焦電基板20を複数切り出すことができる大きさのウエハーである。焦電基板120の材料としては上述したものを用いることができる。焦電基板120の大きさは、特に限定するものではないが、例えば直径が50〜100mm、厚さが200〜500μmとすることができる。
続いて、焦電基板120の裏面に裏面金属層50となる裏面金属層150を形成する(図4(b))。裏面金属層150は、焦電基板120の裏面に裏面金属層50となるパターンを複数形成したものである。裏面金属層150の材料としては上述したものを用いることができる。裏面金属層150の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.01〜0.2μmである。裏面金属層150の形成は、例えば焦電基板120のうち裏面金属層150を形成する部分以外をメタルマスクでカバーし、真空蒸着により行うことができる。また、他にスパッタリングやフォトリソグラフィ,スクリーン印刷を用いて裏面金属層150を形成してもよい。
次に、焦電基板120の裏面に、支持層32となる支持層132を形成する(図4(c))。支持層132は、裏面金属層150との位置関係が図1,2の裏面金属層50と支持層32との位置関係と同じになり空洞38が形成されるよう、焦電基板120の裏面に支持層32となるパターンを複数形成したものである。支持層132の材料としては上述したものを用いることができる。支持層132の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.1〜1μmである。支持層132の形成は、例えば次のように行う。まず、スパッタリングにより焦電基板120の裏面全体に支持層132となる層を形成する。そして、フォトリソグラフィにより支持層132として残したい部分にのみレジスト膜を形成してエッチングマスクとした後、エッチングによりエッチングマスクがされていない部分(空洞38となる部分)を除去する。これにより支持層132が形成される。
次に、支持基板36となる支持基板136を用意し、支持基板136の表面及び支持層132の裏面の一方又は両方に接着層34となる接着剤を塗布する。そして、支持基板136の表面と支持層132の裏面とを貼り合わせ、接着剤を硬化させて接着層134とする(図4(d))。これにより、焦電基板120,裏面金属層150,支持層132,接着層134,支持基板136からなり、空洞38となる空洞138が形成された複合体110が得られる。接着層134の材料としては、上述したものを用いることができる。また、接着層134の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.1〜1μmである。
そして、複合体110のうち焦電基板120に反りが生じるまで焦電基板120の表面を研磨する(図4(e))。ここで、図4(d)の複合体110において焦電基板120の表面を研磨すると、ある程度以上焦電基板120が薄くなったときに焦電基板120のうち空洞138に対向する部分である空洞対向領域126に反りが生じる。このような現象が生じる原因は、焦電基板120に裏面金属層150を形成した際に裏面金属層150に残留応力が生じていることにあると考えられる。すなわち、焦電基板120が薄くなることでこの残留応力により裏面金属層150及び焦電基板120が反るものと考えられる。なお、反りが生じるのは焦電基板120のうち空洞138に対向している空洞対向領域126だけであり、支持層132に支持されている部分には反りが生じない。さらに、空洞138に対向する部分に裏面金属層150が全く形成されていない場合にも、やはり反りは生じない。なお、反りが生じるまで研磨する際には、特に限定するものではないが、例えば焦電基板120のうち空洞138に対向している空洞対向領域126の厚さが0.1〜10μmの範囲になるまで研磨を行うものとしてもよい。どのような厚さまで研磨するか(あるいは研磨時間をどの程度にするか)は、予め複合体110において焦電基板120を研磨して、どの程度の厚さまで研磨すれば反りが生じるかを実験により調べることで、定めておくことができる。
また、空洞対向領域126が焦電基板120の表面側に凸となるような反りが生じる厚さとなった後さらに研磨を続けることで、反りの頂上127に近い部分ほど焦電基板120の表面が研磨されやすくなる。これにより、図4(e)に示すように焦電基板120のうち反りの頂上127に近い部分ほど薄くなるように形成し、頂上127を他よりも薄く形成することができる。
こうして焦電基板120を研磨すると、焦電基板120の表面に表面金属層40となる表面金属層140を形成する(図5(a))。表面金属層140は、焦電基板120の表面に表面金属層40となるパターンを複数形成したものである。表面金属層140の形成は、表面金属層140のうち表面電極41,42となる部分がそれぞれ裏面電極51,52となる部分と対をなすように行う。表面金属層140の材料としては上述したものを用いることができる。表面金属層140の厚さは、特に限定するものではないが、例えば0.01〜0.2μmである。表面金属層140の形成は、裏面金属層150と同様の方法で行うことができる。これにより、複合体110は、多数の焦電素子10の集合体となる。
そして、表面金属層140を形成した複合体110から1つ1つの焦電素子10を切り出す(図5(b))。これにより、図1〜2に示した焦電素子10が複数得られる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施しうることは言うまでもない。
例えば、上述した実施形態では、支持部材30は支持層32,接着層34,支持基板36からなるものとしたが、支持部材30は空洞38が形成され、空洞38以外の部分で焦電基板120を裏面から支持するものであればよい。例えば、支持部材30は支持層32を備えず、接着層34及び支持基板36からなるものとしてもよい。この場合の変形例の焦電素子210を図6に示す。なお、図6において、図1〜図2に示した焦電素子10と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。図示するように、焦電素子210における支持部材230は、接着層234と、接着層234により焦電基板20の裏面に接合された支持基板236と、を備えている。なお、この支持部材230と図1に示した支持部材30とは、構成要素は異なるものの形状は同じである。接着層234及び支持基板236は、上述した接着層34及び支持基板36と同じ材料を用いることができる。支持基板236には、凹部が設けられており、この凹部が空洞38となっている。そして、支持基板236は、この空洞38以外の部分で焦電基板20を裏面から支持している。このようにしても、本実施形態の焦電素子10と同様の効果を得ることができる。この焦電素子210は、例えば次のように製造することができる。まず、図4(a),(b)と同様の工程を行う。そして、図4(c),(d)の代わりに、支持基板236となる平坦な支持基板を用意し、フォトリソグラフィにより支持基板236として残したい部分にのみレジスト膜を形成してエッチングマスクとする。その後、エッチングによりエッチングマスクがされていない部分(空洞38となる部分)を除去する。そして、接着層234となる接着剤により支持基板236と焦電基板120とを貼り合わせて複合体を形成する。そして、図4(e),図5(a),(b)と同様の工程により図6の焦電素子210を形成する。
上述した実施形態では、空洞38は、支持層32により四角く囲われているものとしたが、支持部材30が空洞38以外の部分で焦電基板20を裏面から支持しており、受光部41,42が焦電基板20のうち空洞38に対向する部分に形成されていれば、空洞38はどのような形状としてもよい。例えば、支持層32により丸く囲われているものとしてもよいし、空洞38が支持層32に完全には囲われておらず、一部が焦電素子10の外周に面していてもよい。
上述した実施形態では、焦電素子10はデュアルタイプの焦電素子であるものとしたが、受光部を1つだけ備えたシングルタイプや4つ備えたクワッドタイプの焦電素子としてもよい。クワッドタイプの焦電素子とする場合、4つの受光部のうち、少なくとも2つの受光部が反りの頂上27を挟むように形成されていればよい。こうすれば、頂上27を挟む2つの受光部の間では、頂上27が薄いことにより両者の間の熱伝導が起こりにくくなる効果が得られる。なお、シングルタイプやクワッドタイプの焦電素子における表面電極及び裏面電極の形状については、例えば特開平2006−203009号公報に記載されている。
上述した実施形態では、焦電基板の空洞対向領域26は、表面側に凸となるよう反りが生じているものとしたが、裏面側に凸となるよう反りが生じていてもよい。この場合でも、受光部61,62の表面積が増大する効果が得られる。
上述した実施形態では、受光部61,62は、空洞38に対向する部分であって頂上27を除く部分に頂上27を挟むように位置しているものとしたが、これに限らず空洞38に対向する部分であればいずれに位置しているものとしてもよい。この場合でも、空洞対向領域26に反りが生じていれば受光部61,62の受光面積は増大するため、検出感度が向上する効果は得られる。また、受光部を頂上27に形成してもよい。この場合の変形例の焦電素子310を図7に示す。なお、図7(a)は焦電素子310の平面図,図7(b)は図7(a)のC−C断面図である。図7において、図1に示した焦電素子10と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。図示するように、焦電素子310における受光部361は、一対の電極(表面電極341及び裏面電極351)と、焦電基板20のうち表面電極341と裏面電極351とに挟まれた部分である受光領域321とで形成されている。表面電極341は頂上27を含む焦電基板20の表面に形成され、裏面電極351は表面電極341に対向するように焦電基板27の裏面に形成されている。すなわち、受光部361は頂上27に形成されている。この焦電素子310は、受光部361を1つ備えたシングルタイプの焦電素子として用いたり、複数の焦電素子310を組み合わせてデュアルタイプやクワッドタイプの焦電素子として用いたりすることができる。この焦電素子310では、焦電基板20の頂上27に受光部361が形成されており焦電基板20全体を頂上27と同じ厚さまで薄くする場合と比較して焦電素子310の機械的強度の低下を防ぐことができる一方、受光部361は薄いため受光部361の熱容量が低下して検出感度が向上する。なお、焦電素子310は、図1,2におけるリード部46,47と同様に、受光部361と他の回路とを接続しやすくするため焦電基板20の表面や裏面にリード部を形成してもよい。
上述した実施形態では、焦電基板20は、反りの頂上27に近い部分ほど薄くなるように形成されているものとしたが、頂上27が他よりも薄く形成されていればよく、例えば頂上27及びその周辺を含む領域のみが他よりも薄く形成され、それ以外の部分は同じ厚さとしてもよい。この場合の変形例の焦電素子410の平面図を図8(a)に、図8(a)のD−D断面図を図8(b)に示す。なお、図8における焦電素子410は、図1に示す焦電素子10と同じ構成要素については同じ符号を付し、その説明を省略する。この焦電素子410では、図示するように、焦電基板420のうち空洞38に対向する空洞対向領域426のうち、頂上427及びその周辺を含む領域428のみが他よりも薄く形成されている。この場合でも、頂上427を挟む2つの受光部61,62の間では、頂上427が薄いことにより両者の間の熱伝導が起こりにくくなる効果が得られる。
[実施例1]
実施例1として、図4及び図5を用いて説明した製造方法により図1〜2に示した焦電素子10を作製した。まず、焦電基板120として、OF部を有し、直径4インチ,厚さが350μmのタンタル酸リチウム基板(LT基板)を用意した(図4(a))。LT基板は42°Yオフカット板を用いた。続いて、この焦電基板120の裏面にニッケル及びクロムからなる裏面金属層150を形成した(図4(b))。裏面金属層150の形成は、焦電基板120のうち裏面金属層150を形成する部分以外をメタルマスクでカバーし、真空蒸着により行った。なお、真空蒸着は、まずクロムを5Å/sの成膜レートで厚さ0.02μmとなるまで行い、続いてニッケルを10Å/sの成膜レートで厚さ0.1μmとなるまで行った。真空蒸着による成膜時の圧力は2.7×10-4Pa,焦電基板120の温度は約100℃であった。これにより、厚さ0.12μmの裏面金属層150を形成した。なお、裏面金属層150のパターンは、裏面電極51,52がそれぞれ縦2mm,横0.5mm、リード部56が縦0.1mm,横0.5mmの大きさとなるように形成した。
実施例1として、図4及び図5を用いて説明した製造方法により図1〜2に示した焦電素子10を作製した。まず、焦電基板120として、OF部を有し、直径4インチ,厚さが350μmのタンタル酸リチウム基板(LT基板)を用意した(図4(a))。LT基板は42°Yオフカット板を用いた。続いて、この焦電基板120の裏面にニッケル及びクロムからなる裏面金属層150を形成した(図4(b))。裏面金属層150の形成は、焦電基板120のうち裏面金属層150を形成する部分以外をメタルマスクでカバーし、真空蒸着により行った。なお、真空蒸着は、まずクロムを5Å/sの成膜レートで厚さ0.02μmとなるまで行い、続いてニッケルを10Å/sの成膜レートで厚さ0.1μmとなるまで行った。真空蒸着による成膜時の圧力は2.7×10-4Pa,焦電基板120の温度は約100℃であった。これにより、厚さ0.12μmの裏面金属層150を形成した。なお、裏面金属層150のパターンは、裏面電極51,52がそれぞれ縦2mm,横0.5mm、リード部56が縦0.1mm,横0.5mmの大きさとなるように形成した。
続いて、焦電基板120の裏面に、二酸化珪素からなる支持層132を形成した(図4(c))。具体的には、まず、スパッタリングにより焦電基板120の裏面全体に厚さ0.5μmの二酸化珪素膜を形成し、この二酸化珪素膜のうち支持層132として残したい部分にのみフォトリソグラフィによりレジスト膜(OFPR−800LB,東京応化製,ポジ型感光性レジスト)を形成してエッチングマスクとした。その後、フッ酸に5分間浸漬して二酸化珪素膜のうち空洞38となる縦2.1mm,横2.1mmの部分を除去することで支持層132を形成した。
次に、支持基板136として、OF部を有し、直径4インチ,厚さが500μmのガラス基板を用意した。続いて、支持基板136の表面及び支持層132の裏面の両方にエポキシ接着剤を1μm塗布し、支持基板136の表面と支持層132の裏面とを貼り合わせた。そして、プレス圧着によりエポキシ接着剤の厚さを0.1μmとし、貼り合わせた焦電基板120,支持層132,支持基板136を200℃の環境下で1時間放置してエポキシ接着剤を硬化させて複合体110とした(図4(d))。これにより、エポキシ接着剤は接着層134となり、縦2.1mm,横2.1mm,深さ0.5μmの空洞138が形成された。
そして、支持基板136の裏面を炭化珪素で作成した研磨治具に接着固定し、焦電基板120の表面を固定砥粒の研削機で研削加工し、焦電基板120の厚みを50μmまで薄くした。さらに、焦電基板120の表面をダイヤモンド砥粒で研磨加工し、厚みを10μmまで薄くした。その後、ダイヤモンド砥粒による研磨加工で焦電基板120に生じた加工変質層を除去するために、遊離砥粒及び不織布系研磨パットを用いて仕上げ研磨を行い、焦電基板120の厚みが5.00μmとなるまで研磨した(図4(e))。
こうして焦電基板120を研磨すると、焦電基板120の表面に表面電極140を形成した(図5(a))。この工程は、裏面電極150の形成と同様の材料及び条件で行った。なお、表面金属層140のパターンは、表面電極41,42がそれぞれ縦2mm,横0.5mm、リード部46,47がそれぞれ縦0.5mm,横0.5mmの大きさとなるように形成した。そして、表面金属層140を形成した複合体110から縦2.5mm×横2.5mmの焦電素子10をダイシングにより切り出した(図5(b))。これにより、実施例1の焦電素子として、図1〜3に示した焦電素子10を1000個得た。
[実施例2]
実施例2として、図9,10に示す焦電素子510を作製した。図9(a)は焦電素子510の平面図、図9(b)は図9(a)のE−E断面図、図10は図9(b)のF−F断面図である。この焦電素子510は、空洞538が直径120μmの円柱状をしており、空洞538に対向する空洞対向領域526は円形をしていること、及び表面電極541,542や裏面電極551,552の焦電基板520に占める大きさが小さくなっている点以外は、図6に示した焦電素子210と同じである。そのため、焦電素子210の構成要素と同一の構成要素については同一の符合を付し、対応する構成要素については値500を加えた符号を付してその説明を省略する。なお、焦電素子510の大きさは縦0.2mm,横0.2mm、表面電極541,542の大きさはそれぞれ縦0.1mm,横0.03mm,厚さ0.2μm、リード部546,547の大きさはそれぞれ縦0.02mm,横0.03mm,厚さ0.2μm、裏面電極551,552の大きさはそれぞれ縦0.1mm,横0.03mm,厚さ0.2μmとした。
実施例2として、図9,10に示す焦電素子510を作製した。図9(a)は焦電素子510の平面図、図9(b)は図9(a)のE−E断面図、図10は図9(b)のF−F断面図である。この焦電素子510は、空洞538が直径120μmの円柱状をしており、空洞538に対向する空洞対向領域526は円形をしていること、及び表面電極541,542や裏面電極551,552の焦電基板520に占める大きさが小さくなっている点以外は、図6に示した焦電素子210と同じである。そのため、焦電素子210の構成要素と同一の構成要素については同一の符合を付し、対応する構成要素については値500を加えた符号を付してその説明を省略する。なお、焦電素子510の大きさは縦0.2mm,横0.2mm、表面電極541,542の大きさはそれぞれ縦0.1mm,横0.03mm,厚さ0.2μm、リード部546,547の大きさはそれぞれ縦0.02mm,横0.03mm,厚さ0.2μm、裏面電極551,552の大きさはそれぞれ縦0.1mm,横0.03mm,厚さ0.2μmとした。
この実施例2は、上述した図4(c),(d)の工程の代わりに、図6で説明した製造方法により支持基板236に空洞538を形成し、接着層234を介して焦電基板120と貼り合わせて複合体とした点以外は、上述した実施例1と同様にして作製した。なお、支持基板236への空洞538の形成は、実施例1と同様に、フォトリソグラフィにより支持基板236として残したい部分にのみレジスト膜(OFPR−800LB、東京応化製、ポジ型感光性レジスト)を形成してエッチングマスクとし、フッ酸に5分間浸漬して空洞538となる直径120μm,深さ1μmの部分を除去することで行った。また、支持基板236と焦電基板120との貼り合わせは、実施例1における支持層132と支持基板136との貼り合わせと同様の手順で行った。
[実施例3]
実施例3として、実施例1における焦電基板120をZカット板のニオブ酸リチウム(LN)とした焦電素子10を作製した。それ以外の実施例3の焦電素子10の構造及び作製手順は実施例1と同様とした。
実施例3として、実施例1における焦電基板120をZカット板のニオブ酸リチウム(LN)とした焦電素子10を作製した。それ以外の実施例3の焦電素子10の構造及び作製手順は実施例1と同様とした。
[比較例1]
比較例1として、図11に示す焦電素子610を作製した。図11(a)は焦電素子610の平面図、図11(b)は図11(a)のG−G断面図である。この焦電素子610は、図11(a)に示すように平面視では実施例2の焦電素子510と同じ構成であり、裏面金属層650の形状も平面視で図9の裏面金属層550と同じ形状である。そのため、焦電素子510に対応する構成要素については値100を加えた符号を付して、その説明を省略する。焦電素子610の支持部材630は、接着層634と支持基板636とで構成されており、接着層634は焦電素子310の接着層234と異なり焦電基板620の裏面全面に形成されている。そのため、裏面金属層650は焦電基板620及び接着層634に囲まれており露出していない。また、支持基板636は、焦電素子310の支持基板236とは異なり、図11(b)示すように下側から開けられた孔を有している。この孔が空洞638となっている。
比較例1として、図11に示す焦電素子610を作製した。図11(a)は焦電素子610の平面図、図11(b)は図11(a)のG−G断面図である。この焦電素子610は、図11(a)に示すように平面視では実施例2の焦電素子510と同じ構成であり、裏面金属層650の形状も平面視で図9の裏面金属層550と同じ形状である。そのため、焦電素子510に対応する構成要素については値100を加えた符号を付して、その説明を省略する。焦電素子610の支持部材630は、接着層634と支持基板636とで構成されており、接着層634は焦電素子310の接着層234と異なり焦電基板620の裏面全面に形成されている。そのため、裏面金属層650は焦電基板620及び接着層634に囲まれており露出していない。また、支持基板636は、焦電素子310の支持基板236とは異なり、図11(b)示すように下側から開けられた孔を有している。この孔が空洞638となっている。
この比較例1の焦電素子610は、以下のようにして作製した。まず、実施例2と同様、図4(a),(b)のように焦電基板620に裏面金属層650を形成した。続いて、支持基板636となる平坦な支持基板を用意し、接着層634となる接着剤により支持基板の表面と焦電基板620の裏面とを貼り合わせて複合体を形成した。次に、実施例1と同様に焦電基板620の厚みが5.00μmとなるまで研磨した。そして、支持基板の裏面のうちフォトリソグラフィにより支持基板636として残したい部分のみにレジスト膜を形成してエッチングマスクとし、エッチングによりエッチングマスクがされていない部分を除去して支持基板636とした。これにより除去された部分が空洞638として形成された。その後、裏面金属層650の形成と同様にして焦電基板620の表面に表面金属層640を形成し、ダイシングにより縦2.5mm×横2.5mmの焦電素子610を1000個切り出して、比較例1の焦電素子610を得た。
[比較例2]
比較例2として、比較例1における焦電基板620をZカット板のニオブ酸リチウムとした焦電素子を作製した。それ以外の比較例2の焦電素子の構造及び作製手順は比較例1と同様とした。
比較例2として、比較例1における焦電基板620をZカット板のニオブ酸リチウムとした焦電素子を作製した。それ以外の比較例2の焦電素子の構造及び作製手順は比較例1と同様とした。
[評価試験1]
実施例1〜3及び比較例1,2の焦電素子について、焦電基板の厚さを測定した。測定は、厚み分布をレーザー干渉計を用いて測定することで行った。実施例1の焦電素子10では、焦電基板20に反りが生じており、レーザー干渉計により厚み分布による干渉縞が見られた。具体的には、焦電基板20の表面のうち頂上27とそれ以外との高さの差(反り量)は最大約10μmであった。また、空洞部が形成されていない焦電基板20の厚さは5.0μm±0.02μmであった。焦電基板20は反りの頂上27に近い部分ほど薄くなるように形成され、頂上27の厚さは4.5μmであった。実施例2の焦電素子510でも、焦電基板520に反りが生じており、レーザー干渉計により厚み分布による干渉縞が見られた。具体的には、焦電基板520の表面のうち頂上527とそれ以外との高さの差(反り量)は約2μmであった。また、空洞部が形成されていない焦電基板520の厚さは5.0μm±0.02μmであった。焦電基板520は反りの頂上527に近い部分ほど薄くなるように形成され、頂上527の厚さは4.5μmであった。厚み分布(厚さの最大値と最小値との差)は最小値を100%として約10%であった。実施例3の焦電素子10では、焦電基板20に反りが生じており、レーザー干渉計により厚み分布による干渉縞が見られた。具体的には、焦電基板20の表面のうち頂上27とそれ以外との高さの差(反り量)は最大約10μmであった。また、空洞部が形成されていない焦電基板20の厚さは5.0μm±0.02μmであった。焦電基板20は反りの頂上27に近い部分ほど薄くなるように形成され、頂上27の厚さは4.5μmであった。これに対し比較例1,2では、焦電基板620の厚さは5.0μm±0.02μmであり、実施例1,2の頂上27,527のように他よりも薄く形成された部分や焦電基板620の反りは存在しなかった。
実施例1〜3及び比較例1,2の焦電素子について、焦電基板の厚さを測定した。測定は、厚み分布をレーザー干渉計を用いて測定することで行った。実施例1の焦電素子10では、焦電基板20に反りが生じており、レーザー干渉計により厚み分布による干渉縞が見られた。具体的には、焦電基板20の表面のうち頂上27とそれ以外との高さの差(反り量)は最大約10μmであった。また、空洞部が形成されていない焦電基板20の厚さは5.0μm±0.02μmであった。焦電基板20は反りの頂上27に近い部分ほど薄くなるように形成され、頂上27の厚さは4.5μmであった。実施例2の焦電素子510でも、焦電基板520に反りが生じており、レーザー干渉計により厚み分布による干渉縞が見られた。具体的には、焦電基板520の表面のうち頂上527とそれ以外との高さの差(反り量)は約2μmであった。また、空洞部が形成されていない焦電基板520の厚さは5.0μm±0.02μmであった。焦電基板520は反りの頂上527に近い部分ほど薄くなるように形成され、頂上527の厚さは4.5μmであった。厚み分布(厚さの最大値と最小値との差)は最小値を100%として約10%であった。実施例3の焦電素子10では、焦電基板20に反りが生じており、レーザー干渉計により厚み分布による干渉縞が見られた。具体的には、焦電基板20の表面のうち頂上27とそれ以外との高さの差(反り量)は最大約10μmであった。また、空洞部が形成されていない焦電基板20の厚さは5.0μm±0.02μmであった。焦電基板20は反りの頂上27に近い部分ほど薄くなるように形成され、頂上27の厚さは4.5μmであった。これに対し比較例1,2では、焦電基板620の厚さは5.0μm±0.02μmであり、実施例1,2の頂上27,527のように他よりも薄く形成された部分や焦電基板620の反りは存在しなかった。
[評価試験2]
実施例1〜3及び比較例1,2の焦電素子について、図12に示す実験系にて電圧感度RvとS/N比とを測定した。この実験系では、赤外線は、黒体放射装置702を使用して焦電素子まで平面波ミラー704とコンカーブミラー706を用いてアライメントし、チョッパー708を介して焦電素子の受光部の表面に集光した。入力赤外光は、チョッパー708により周波数10Hzでチョッピングして照射した。焦電素子の電圧感度Rvは、ロックインアンプ710で測定した。なお、ロックインアンプ710内の電圧変換回路の入力インピーダンスは1011Ωとした。各焦電素子の電圧感度Rvを表1に示す。
実施例1〜3及び比較例1,2の焦電素子について、図12に示す実験系にて電圧感度RvとS/N比とを測定した。この実験系では、赤外線は、黒体放射装置702を使用して焦電素子まで平面波ミラー704とコンカーブミラー706を用いてアライメントし、チョッパー708を介して焦電素子の受光部の表面に集光した。入力赤外光は、チョッパー708により周波数10Hzでチョッピングして照射した。焦電素子の電圧感度Rvは、ロックインアンプ710で測定した。なお、ロックインアンプ710内の電圧変換回路の入力インピーダンスは1011Ωとした。各焦電素子の電圧感度Rvを表1に示す。
次に、入力赤外光がない場合のノイズ電圧Vnを測定した。主なノイズ成分は、温度ノイズ、tanδノイズ、入力インピーダンスノイズであった。これらの測定値から下記式によりS/N比を算出した。各焦電素子のS/N比を表1に示す。
S/N=A0.5×Rv/Vn(Aはセンサの受光面積)
S/N=A0.5×Rv/Vn(Aはセンサの受光面積)
評価試験1の結果から、実施例1〜3の焦電素子は、受光部(裏面電極)に対向する部分に空洞が形成された複合体を形成してから焦電基板の表面を所定の厚さになるまで研磨することで、焦電基板のうち空洞に対向する部分に反りが生じることが確認できた。また、実施例1〜3の焦電素子は、比較例1,2と異なり焦電基板のうち受光部に挟まれた頂上が薄く形成されていることが確認できた。
また、評価試験2の結果から、焦電素子としての性能を示すS/N比は、実施例1と比較例1との比較,実施例3と比較例2との比較から、焦電基板のうち受光部61,62に挟まれた頂上27が他よりも薄く形成され、受光領域21,22が比較例の受光領域621,622よりも薄く形成され、焦電基板20に反りが生じて受光部61,62の受光面積が大きくなっていることにより、焦電素子のS/N比が大きい値となり、焦電素子としての性能が高いことがわかった。
本出願は、2011年2月24日に出願された日本国特許出願第2011−037850号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。
本発明は、例えば人体検知センサーや火災検知センサーなど、焦電素子を用いた赤外線検出装置に利用可能である。
10,110,210,310,410,510,610 焦電素子、20,120,420,520,620 焦電基板、21,22,321,521,522,621,622 受光領域、26,426,526,626 空洞対向領域、27,427,527 頂上、30,130,230,330,630 支持部材、32,132 支持層、34,134,234,334,634 接着層、36,136,236,336,636 支持基板、38,138,338,538,638 空洞、40,140,540,640 表面金属層、41,42,341,541,542,641,642 表面電極、46,47,546,547,646,647 リード部、50,150,550,650 裏面金属層、51,52,351,551,552,651,652 裏面電極、56,556,656 リード部、61,62,361,561,562,661,662 受光部,428 領域、702 黒体放射装置、704 平面波ミラー、706 コンカーブミラー、708 チョッパー、710 ロックインアンプ。
Claims (7)
- 焦電基板と、
空洞が形成され、該空洞以外の部分で前記焦電基板を裏面から支持する支持部材と、
前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分の表裏両面に形成された一対の電極と前記焦電基板のうち前記一対の電極によって挟まれた部分とからなる受光部と、
を備え、
前記焦電基板は、前記空洞に対向する部分に反りが生じており、
前記焦電基板は、該焦電基板の表面側に凸となるように前記反りが生じ、該反りの頂上が他よりも薄く形成されており、
前記受光部は、前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分であって前記頂上を除く部分に該頂上を挟むように複数形成されている、
焦電素子。 - 焦電基板と、
空洞が形成され、該空洞以外の部分で前記焦電基板を裏面から支持する支持部材と、
前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分の表裏両面に形成された一対の電極と前記焦電基板のうち前記一対の電極によって挟まれた部分とからなる受光部と、
を備え、
前記焦電基板は、前記空洞に対向する部分に反りが生じており、
前記焦電基板は、該焦電基板の表面側に凸となるように前記反りが生じ、該反りの頂上が他よりも薄く形成されており、
前記受光部は、前記頂上部分に形成されている、
焦電素子。 - 前記支持部材は、前記焦電基板と比べて熱伝導率が低い材料で形成されている、
請求項1又は2に記載の焦電素子。 - 前記焦電基板は、前記空洞に対向するいずれの部分の厚さも0.1〜10μmの範囲内である、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の焦電素子。 - (a)1以上の裏面電極が形成された平坦な焦電基板と、前記裏面電極に対向する部分に空洞が形成され該空洞以外の部分で前記焦電基板を裏面から支持する支持部材とを備えた複合体を形成する工程と、
(b)前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分に反りが生じるまで前記焦電基板の表面を研磨する工程と、
(c)前記焦電基板の表面に前記裏面電極と対をなすように表面電極を形成する工程と、
を含み、
前記工程(b)では、前記焦電基板の表面側に凸となるように前記反りが生じ、該反りの頂上が他よりも薄く形成されるように前記焦電基板の表面を研磨し、
前記工程(a)では、前記焦電基板は、前記工程(b)における前記焦電基板の反りの頂上となる部分を除く部分に該頂上となる部分を挟むように前記裏面電極が複数形成されている、
焦電素子の製造方法。 - (a)1以上の裏面電極が形成された平坦な焦電基板と、前記裏面電極に対向する部分に空洞が形成され該空洞以外の部分で前記焦電基板を裏面から支持する支持部材とを備えた複合体を形成する工程と、
(b)前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分に反りが生じるまで前記焦電基板の表面を研磨する工程と、
(c)前記焦電基板の表面に前記裏面電極と対をなすように表面電極を形成する工程と、
を含み、
前記工程(b)では、前記焦電基板の表面側に凸となるように前記反りが生じ、該反りの頂上が他よりも薄く形成されるように前記焦電基板の表面を研磨し、
前記工程(a)では、前記焦電基板は、前記工程(b)における前記焦電基板の反りの頂上となる部分に前記裏面電極が形成されている、
焦電素子の製造方法。 - 前記工程(b)で、前記焦電基板のうち前記空洞に対向する部分の厚さが0.1〜10μmの範囲になるまで前記焦電基板の表面を研磨する、
請求項5又は6に記載の焦電素子の製造方法。
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US11329625B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic sensors using thin LN-LT layer |
US10862454B1 (en) * | 2019-07-18 | 2020-12-08 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonators in thin LN-LT layers |
US11405017B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
EP4375630A1 (en) | 2022-11-24 | 2024-05-29 | Photona GmbH | Pyroelectric infrared detector device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54108678A (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-25 | Murata Manufacturing Co | Method of making pyroelectric infrared ray detector |
JPS63134921A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-06-07 | エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン | 赤外線検出装置 |
JPH0518816A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電アレイセンサ |
JPH05231933A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電素子 |
JPH08172225A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH08201167A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-08-09 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 焦電型赤外線センサー |
JP2000298061A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54151295U (ja) * | 1978-04-12 | 1979-10-20 | ||
JPS5646427A (en) | 1979-09-21 | 1981-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | Float-type level meter |
JPS6037413B2 (ja) | 1979-09-25 | 1985-08-26 | 株式会社東芝 | 赤外線検出装置 |
US4383174A (en) | 1979-09-25 | 1983-05-10 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Pyroelectric detector and method for manufacturing the same |
CH676523A5 (ja) * | 1988-06-01 | 1991-01-31 | Cerberus Ag | |
US5739626A (en) * | 1991-04-27 | 1998-04-14 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Piezoelectric sensor |
JPH05187918A (ja) * | 1992-01-09 | 1993-07-27 | Murata Mfg Co Ltd | 焦電素子 |
JPH06160194A (ja) | 1992-04-25 | 1994-06-07 | Nippon Ceramic Co Ltd | 焦電型赤外線センサ |
JPH0634435A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-02-08 | Murata Mfg Co Ltd | 焦電形赤外線検出器 |
JPH0894436A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電型赤外線検出器およびその製造方法 |
CN2264390Y (zh) * | 1995-09-27 | 1997-10-08 | 云辰电子开发股份有限公司 | 热释电型红外线探测器 |
TW346688B (en) | 1996-04-15 | 1998-12-01 | Matsushita Electric Works Ltd | Pyroelectric-type IR receiving element and IR sensor using the same |
JP3372180B2 (ja) | 1996-04-15 | 2003-01-27 | 松下電工株式会社 | 焦電型赤外線検知素子及び焦電型赤外線センサ |
JP3391236B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 赤外線センサ |
JPH11230826A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 焦電素子 |
CN1318827C (zh) * | 1998-02-13 | 2007-05-30 | 松下电器产业株式会社 | 红外线检测元件、使用该红外线检测元件的红外线传感器装置和红外线检测装置 |
JP2000164946A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 焦電形素子 |
US6222304B1 (en) * | 1999-07-28 | 2001-04-24 | The Charles Stark Draper Laboratory | Micro-shell transducer |
JP2006203009A (ja) | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Yamajiyu Ceramics:Kk | 焦電型赤外線検出素子および焦電型赤外線検出器 |
JP2007255929A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyoto Univ | 焦電型赤外線センサ |
JP4085289B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2008-05-14 | 株式会社村田製作所 | 焦電性磁器組成物、及び焦電素子、並びに赤外線検出器 |
TW201015099A (en) * | 2008-09-10 | 2010-04-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | System, device and method for emergency presence detection |
CN101612363B (zh) | 2009-08-07 | 2014-08-06 | 张喜田 | 升高白蛋白的天然药物制剂 |
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Patent Citations (7)
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JPS54108678A (en) * | 1978-02-14 | 1979-08-25 | Murata Manufacturing Co | Method of making pyroelectric infrared ray detector |
JPS63134921A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-06-07 | エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン | 赤外線検出装置 |
JPH0518816A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電アレイセンサ |
JPH05231933A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電素子 |
JPH08201167A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-08-09 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 焦電型赤外線センサー |
JPH08172225A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000298061A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ |
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