JP5933997B2 - 焦電素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、焦電素子及びその製造方法に関する。

従来、人体検知センサーや火災検知センサーなどの赤外線検出装置として用いられる焦電素子が知られている。焦電素子は、焦電基板と、焦電基板の表面及び裏面に設けられた一対の電極と、を備えており、この一対の電極と焦電基板のうち一対の電極によって挟まれた部分とからなる受光部が形成された構造をしている。この焦電素子では、受光部に照射される赤外線の量が変化すると、焦電効果により焦電基板の分極が変化して受光部の表面及び裏面に電荷が励起される。そして、この電荷を受光部の一対の電極で電圧として取り出すことで、焦電素子を赤外線検出装置として機能させている。このような焦電素子として、例えば特許文献１には、受光部を２つ形成したデュアルタイプの焦電素子，受光部を４つ形成したクワッドタイプの焦電素子が記載されている。この焦電素子では、焦電基板に形成された複数の受光部の下部に空間が形成されるよう、焦電基板がその端部２箇所で回路基板上に支持されるようにしている。こうすることで、受光部から回路基板への熱伝導により受光部の温度変化が抑制されることを防止し、焦電素子の検出感度の向上を図っている。

特開２００６−２０３００９号公報（図２０〜図２３）

しかしながら、特許文献１に記載の焦電素子のように焦電基板をその端部２箇所で支持して受光部の下部に空間を設ける構造では、焦電素子の機械的強度が低下してしまうという問題があった。

本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、支持部材と受光部との間に空間が形成された焦電素子において、焦電素子の機械的強度を向上させることを主目的とする。

本発明は、上述の目的を達成するために以下の手段を採った。

本発明の焦電素子は、
焦電基板と、
前記焦電基板の表裏両面に形成された一対の電極と前記焦電基板のうち前記一対の電極によって挟まれた部分とからなる複数の受光部と、
前記焦電基板を裏面から支持する支持部材と、
を備え、
前記支持部材は、該支持部材と前記複数の受光部との間に空間が形成されるように前記焦電基板を支持する部材であり、前記焦電基板のうち前記複数の受光部よりも外側を支持する第１支持部と、前記焦電基板のうち隣接する２つの受光部の間を支持する第２支持部とを有する、
ものである。

この焦電素子では、支持部材と複数の受光部との間に空間が形成されるように支持部材が焦電基板を支持している。そして、焦電基板は、複数の受光部よりも焦電基板の外側を支持する第１支持部で支持されるだけでなく、隣接する２つの受光部の間を支持する第２支持部によっても支持される。したがって、支持部材と受光部との間に空間が形成された焦電素子において、第１支持部のみで焦電基板を支持する焦電素子と比べて、焦電素子の機械的強度を向上させることができる。

本発明の焦電素子において、前記焦電基板は、前記隣接する２つの受光部の間に空隙を持つように分割され、前記第２支持部は、前記空隙を架け渡すように前記焦電基板を支持していてもよい。こうすれば、第２支持部により焦電素子の強度を向上させつつ、焦電基板を介した受光部間の熱伝導を抑制して焦電素子の検出感度を向上させることができる。

本発明の焦電素子において、前記焦電素子を該焦電基板の表面側から仮想的に透視したときに、前記第２支持部の支持面は、前記受光部をなす一対の電極同士の重複部分と重ならないように構成されていてもよい。こうすれば、受光部をなす一対の電極同士の重複部分と重なる位置に第２支持部の支持面がある場合と比較して受光部から第２支持部への熱伝導が抑制されるため、焦電素子の検出感度を向上させることができる。

本発明の焦電素子において、前記隣接する２つの受光部のうち前記焦電基板の裏面に形成された電極は、導電線によって電気的に接続され、前記第２支持部は、前記導電線ごと前記焦電基板を支持していてもよい。また、本発明の焦電素子において、前記隣接する２つの受光部のうち前記焦電基板の裏面に形成された電極は、１枚の共通導電板として形成され、前記第２支持部は、前記共通導電板ごと前記焦電基板を支持していてもよい。

本発明の焦電素子において、前記支持部材は、前記焦電基板と比べて熱伝導率の低い材料で形成されていてもよい。こうすれば、焦電基板の熱が支持部材に逃げにくくなるため、焦電素子の検出感度が向上する。

本発明の焦電素子の製造方法は、
（ａ）複数の裏面電極が形成された焦電基板と、前記焦電基板を裏面から支持する支持部材とを備えた複合体を形成する工程と、
（ｂ）前記焦電基板の表面を研磨する工程と、
（ｃ）前記焦電基板の表面に前記裏面電極と対をなすように表面電極を複数形成して、一対の該表面電極及び焦電基板のうち該裏面電極と該一対の表面電極及び裏面電極によって挟まれた部分とからなる受光部を複数形成する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）で形成された複合体において、前記支持部材は、該支持部材と前記工程（ｃ）で形成される複数の受光部との間に空間が形成されるように前記焦電基板を支持しており、前記焦電基板のうち前記複数の受光部よりも外側を支持する第１支持部と、前記焦電基板のうち隣接する２つの受光部の間を支持する第２支持部とを有する、
ものである。

この焦電素子の製造方法によれば、支持部材と複数の受光部との間に空間が形成されるように支持部材が焦電基板を支持している焦電素子が得られる。そして、この焦電素子では、焦電基板が、複数の受光部よりも焦電基板の外側を支持する第１支持部で支持されるだけでなく、隣接する２つの受光部の間を支持する第２支持部によっても支持されている。したがって、支持部材と受光部との間に空間が形成された焦電素子において、第１支持部のみで焦電基板を支持する焦電素子と比べて、焦電基板の機械的強度を向上させた焦電素子を得ることができる。

本発明の焦電素子の製造方法において、前記工程（ｃ）では、前記表面電極を形成する前又は後に、前記隣接する２つの受光部の間に空隙を持つように前記焦電基板を分割して、前記第２支持部が前記空隙を架け渡して前記焦電基板を支持するようにしてもよい。こうすれば、第２支持部により焦電素子の強度を向上させつつ、焦電基板を介した受光部間の熱伝導を防止して検出感度を向上させた焦電素子を得ることができる。

焦電素子１０の平面図及びそのＡ−Ａ断面図である。 図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図及びＣ−Ｃ断面図である。 焦電素子１０の受光部６１，６２の電気的な接続状態を示す回路図である。 焦電素子１０の製造プロセスを模式的に示す断面図である。 焦電素子１０の製造プロセスを模式的に示す断面図である。 変形例の焦電素子２１０の概略を示す断面図である。 変形例の焦電素子３１０の概略を示す断面図である。 変形例の焦電素子４１０の平面図及びそのＥ−Ｅ断面図である。 電圧感度Ｒｖを測定した実験系の説明図である。

次に、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。図１（ａ）は本発明の一実施形態である焦電素子１０の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図、図２（ａ）は図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図、図２（ｂ）は図１（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。この焦電素子１０は、２つの受光部６１，６２を備えたデュアルタイプの焦電素子として構成されており、焦電基板２０と、焦電基板２０を支持する支持部材３０と、焦電基板２０の表裏に形成された表面金属層４０及び裏面金属層５０と、を備えている。

焦電基板２０は、焦電体からなる基板である。この焦電基板２０は、図１（ａ），（ｂ）に示すように中央に空隙２８が設けられており、この空隙２８によって焦電基板２０ａと焦電基板２０ｂとに分割されている。空隙２８の幅（＝焦電基板２０ａと焦電基板２０ｂとの距離）は、特に限定するものではないが、例えば０．１μｍ〜０．５μｍである。焦電基板２０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛などの強誘電体セラミックスや、タンタル酸リチウムなどの単結晶が挙げられる。なお、タンタル酸リチウムなどの単結晶を用いる場合、カット角は任意の角度を選択できるが、Ｚ板（９０°Ｙカット板）に近い方が焦電性が高いため好ましい。この焦電基板２０は、特に限定するものではないが、例えば、縦が０．１〜５ｍｍ，横が０．１〜５ｍｍ，厚さが０．１〜１０μｍである。

表面金属層４０は、焦電基板２０の表面に形成されており、平面視で縦長の長方形に形成された２つの表面電極４１，４２と、表面電極４１と導通し平面視で正方形に形成された導電線４６と、表面電極４２と導通し平面視で正方形に形成された導電線４７とを備えている。この表面金属層４０の材料としては、例えばニッケルやクロム，金などの金属が挙げられ、赤外線吸収率が高いほど好ましい。表面金属層４０の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．０１〜０．２μｍである。また、表面金属層４０は、焦電基板２０の表面上にクロムからなる金属層を形成し、さらにその上にニッケルからなる金属層を形成した２層構造であってもよい。

裏面金属層５０は、焦電基板２０の裏面に形成されており、平面視で縦長の長方形に形成された２つの裏面電極５１，５２と、裏面電極５１及び裏面電極５２を導通し平面視で横長の長方形に形成された導電線５６とを備えている。裏面電極５１は、表面電極４１と同一形状であり、焦電素子１０を焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したときに表面電極４１と重複し、位置が一致するように形成されている。同様に、裏面電極５２は、表面電極４２と同一形状であり、焦電素子１０を焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したときに表面電極４２と重複し、位置が一致するように形成されている。導電線５６は空隙２８を架け渡すように形成されており、図１（ａ）に示すように導電線５６の一部は焦電基板２０の表面側に露出している。裏面金属層５０の材料としては、上述した表面金属層４０と同様のものを用いることができる。表面金属層４０の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．０１〜０．２μｍである。

受光部６１は、一対の電極（表面電極４１及び裏面電極５１）と、焦電基板２０ａのうち表面電極４１と裏面電極５１とに挟まれた部分である受光領域２１とで形成されたものである。同様に、受光部６２は、一対の電極（表面電極４２及び裏面電極５２）と、焦電基板２０ｂのうち表面電極４２と裏面電極５２とに挟まれた部分である受光領域２２とで形成されたものである。この受光部６１，６２では、赤外線の照射による温度変化が生じると、一対の電極間の電圧が変化する。例えば、受光部６１に赤外線が照射されると、表面電極４１及び受光領域２１が赤外線を吸収して温度変化が生じる。そして、これによる受光領域２１の自発分極の変化が、表面電極４１と裏面電極５１との間の電圧の変化として現れるようになっている。なお、上述した空隙２８は、この受光部６１，６２の間に位置している。

支持部材３０は、焦電基板２０の裏面に形成され、受光部６１，６２との間に空間が形成されるように焦電基板２０を支持する部材である。具体的には、支持部材３０と受光部６１との間に空間３８ａが形成され、支持部材３０と受光部６２との間に空間３８ｂが形成されている。この支持部材３０は、第１支持部３１ａ，３１ｂと、第２支持部３２と、接着層３４と、支持基板３６とを備えている。第１支持部３１ａ，３１ｂは、焦電基板２０のうち受光部６１，６２よりも外側を支持するものである。具体的には、図１（ｂ）に示すように第１支持部３１ａが焦電基板２０のうち受光部６１よりも左外側を支持し、第１支持部３１ｂが焦電基板２０のうち受光部６１よりも右外側を支持している。なお、第１支持部３１ａ，３１ｂを併せて第１支持部３１と表記する場合がある。第２支持部３２は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、空隙２８を架け渡すようにして焦電基板２０を支持している。具体的には、図２（ｂ）に示すように第２支持部３２の支持面３３が焦電基板２０ａの裏面と接してこれを支持すると共に、図示は省略したが同様に支持面３３が焦電基板２０ｂの裏面と接してこれを支持している。なお、支持面３３は略平面状であるが、図２（ｂ）に示すように導電線５６の形状に合わせて窪みが設けられており、支持面３３と導電線５６とは接している。これにより、第２支持部３２は、導電線５６ごと焦電基板２０を支持している。また、第２支持部３２は、焦電基板２０のうち受光部６１，６２の間に位置しており、図１（ｂ）に示すように裏面電極５１，５２の直下には存在しない。このため、支持面３３は、焦電素子１０を焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したとき、表面電極４１と裏面電極５１との重複部分や表面電極４２と裏面電極５２との重複部分と重ならないようになっている。第１支持部３１及び第２支持部３２の材料としては、例えば、二酸化珪素が挙げられる。第１支持部３１及び第２支持部３２の厚さ（図１（ｂ）の上下方向の高さ）は、特に限定するものではないが、例えば、０．１〜１μｍである。

接着層３４は、第１支持部３１及び第２支持部３２と支持基板３６とを接着するものであり、支持基板３６の表面全面に形成されている。接着層３４の材料としては、例えば、エポキシ系接着剤やアクリル系接着剤を固化させたものが挙げられる。接着層３４の厚さは、特に限定するものではないが、例えば、０．１〜１μｍである。なお、接着層３４で第１支持部３１及び第２支持部３２と支持基板３６とを接着する代わりに、陽極接合、表面活性化法などの直接接合法を用いても良い。支持基板３６は、接着層３４を介して第１支持部３１及び第２支持部３２に接着される平板状の基板である。支持基板３６の材料としては、例えば、ガラスやタンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウムが挙げられる。支持基板３６は、特に限定するものではないが、例えば、縦が０．１〜５ｍｍ，横が０．１〜５ｍｍ，厚さが０．１５〜０．５ｍｍである。第１支持部３１及び第２支持部３２，接着層３４，支持基板３６は、いずれも焦電基板２０よりも熱伝導率が低い材料であることが好ましい。この理由については後述する。

続いて、こうして構成された焦電素子１０の動作について説明する。図３は、焦電素子１０の受光部６１，６２の電気的な接続状態を示す回路図である。図示するように、焦電素子１０の受光部６１，６２は、裏面電極５１，５２が導電線５６によって接続されることで、直列に接続されている。そして、この直列接続された回路の両端である表面電極４１，４２間の電圧が、導電線４６，４７間の電圧として取り出せるようになっている。なお、本実施形態では、受光領域２１，２２の自発分極の向きは、図３においては互いに逆方向（図１（ｂ）においては同方向）になっている。この焦電素子１０において、焦電基板２０は焦電体であるため、平常時であっても受光領域２１，２２には常に自発分極が起きている。しかし、受光部６１，６２が空気中の浮遊電荷を吸着して自発分極と電気的に釣り合うため受光領域２１，２２ともに見かけ上の電荷はゼロとなる。そのため、平常時には表面電極４１と裏面電極５１との間や表面電極４２と裏面電極５２との間には電圧が生じず、導電線４６，４７間には電圧は生じない。また、焦電素子１０を取り囲む雰囲気の赤外線量の変化（例えば周囲の温度の変化）により受光領域２１，２２の温度が共に同じように変化した場合には、受光領域２１，２２の自発分極がいずれも変化して電荷の偏りが生じ、表面電極４１と裏面電極５１との間や表面電極４２と裏面電極５２との間に同じ大きさの電圧が生じる。しかし、受光領域２１，２２の自発分極の向きは図３に示すように逆方向になっているため、両者の電圧は打ち消し合い、導電線４６，４７間にはやはり電圧が生じない。このように、焦電素子１０は自発分極の向きが逆向きに直列接続されるように受光部６１，６２を接続したデュアルタイプの素子であるため、平常時だけでなく焦電素子１０を取り囲む雰囲気の赤外線量の変化時にも導電線４６，４７間に電圧は生じず、ノイズで誤動作しにくい構成となっている。一方、例えば人が焦電素子１０の付近を横切る場合など、受光部６１，６２に照射される赤外線の量が均等でなくなる場合には、受光領域２１，２２の温度変化が異なる大きさとなる。そのため、この温度変化により表面電極４１と裏面電極５１との間に生じる電圧と表面電極４２と裏面電極５２との間に生じる電圧とが異なる値となって完全には打ち消し合わず、導電線４６，４７間には電圧が生じる。これにより、焦電素子１０は人体検知や火災検知などを行う赤外線検出装置として用いることができる。なお、焦電素子１０を赤外線検出装置として用いる場合には、例えば、導電線４６，４７とインピーダンス変換用のＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）とを接続して導電線４６，４７間の電圧を取り出しやすくすることができる。また、表面電極４１，４２を金黒からなる赤外線吸収層で覆って赤外線の吸収効率を高めたり、波長フィルターを設けて特定の波長の光のみが受光部４１，４２に到達するようにすることでノイズによる誤動作を防止したりすることができる。

次に、こうした焦電素子１０の製造方法について説明する。図４及び図５は、焦電基板１０の製造工程を模式的に示す断面図である。まず、焦電基板２０となる平坦な焦電基板１２０を用意する（図４（ａ））。この焦電基板１２０は、例えばオリエンテーションフラット（ＯＦ）を有し、焦電基板２０を複数切り出すことができる大きさのウエハーである。焦電基板１２０の材料としては上述したものを用いることができる。焦電基板１２０の大きさは、特に限定するものではないが、例えば直径が５０〜１００ｍｍ、厚さが２００〜５００μｍとすることができる。

続いて、焦電基板１２０の裏面に裏面金属層５０となる裏面金属層１５０を形成する（図４（ｂ））。裏面金属層１５０は、焦電基板１２０の裏面に裏面金属層５０となるパターンを複数形成したものである。裏面金属層１５０の材料としては上述したものを用いることができる。裏面金属層１５０の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．０１〜０．２μｍである。裏面金属層１５０の形成は、例えば焦電基板１２０のうち裏面金属層１５０を形成する部分以外をメタルマスクでカバーし、真空蒸着により行うことができる。また、他にスパッタリングやフォトリソグラフィ，スクリーン印刷を用いて裏面金属層１５０を形成してもよい。

次に、焦電基板１２０の裏面に、第１支持部３１，第２支持部３２となる第１支持部１３１，第２支持部１３２を形成する（図４（ｃ））。第１支持部１３１，第２支持部１３２は、裏面金属層１５０との位置関係が図１，２の裏面金属層５０と第１支持部３１，第２支持部３２との位置関係と同じになり空間３８ａ，３８ｂが形成されるよう、焦電基板１２０の裏面にパターンを複数形成したものである。第１支持部１３１，第２支持部１３２の材料としては上述したものを用いることができる。第１支持部１３１，第２支持部１３２の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．１〜１μｍである。第１支持部１３１，第２支持部１３２の形成は、例えば次のように行う。まず、スパッタリングにより焦電基板１２０の裏面全体に第１支持部１３１，第２支持部１３２の材料（例えば二酸化珪素）からなる層を形成する。そして、フォトリソグラフィにより第１支持部１３１，第２支持部１３２として残したい部分にのみレジスト膜を形成してエッチングマスクとした後、エッチングによりエッチングマスクがされていない部分（空間３８ａ，３８ｂとなる部分）を除去する。

そして、第２支持部１３２の裏面を研磨して、第１支持部１３１の裏面と第２支持部１３２の裏面とが同一平面上になるようにする（図４（ｄ））。図４（ｃ）からもわかるように、第２支持部１３２は、一部が裏面金属層１５０（裏面金属層１５０のうち導電線５６となる部分）に接するように形成されるため、裏面金属層１５０の厚さ分だけ他より下側に突出する部分が生じることになる。そこで、第２支持部１３２の裏面を研磨することで、この突出する部分をなくして第２支持部１３２の裏面を平面とし、第１支持部１３１の裏面と第２支持部１３２の裏面とが同一平面上に位置するようにするのである。なお、第２支持部１３２の裏面のみを研磨する場合に限らず、第１支持部１３１の裏面と第２支持部１３２の裏面とをともに研磨してもよい。

次に、支持基板３６となる支持基板１３６を用意し、支持基板１３６の表面と第１支持部１３１，第２支持部１３２の裏面との一方又は両方に接着層３４となる接着剤を塗布する。そして、支持基板１３６の表面と第１支持部１３１，第２支持部１３２の裏面とを貼り合わせ、接着剤を硬化させて接着層１３４とする（図４（ｅ））。これにより、第１支持部１３１，第２支持部１３２，接着層１３４，支持基板１３６を有する支持部材１３０と、焦電基板１２０と，裏面金属層１５０とからなり、空間３８ａ，３８ｂとなる空間１３８ａ，１３８ｂが形成された複合体１１０が得られる。なお、上述したように第１支持部１３１の裏面と第２支持部１３２の裏面とは同一平面上に位置しているため、支持基板１３６と第１支持部１３１，第２支持部１３２の裏面との貼り合わせを容易に行うことができる。接着層１３４の材料としては、上述したものを用いることができる。また、接着層１３４の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．１〜１μｍである。

複合体１１０を形成すると、複合体１１０のうち焦電基板１２０の表面を研磨して厚さを薄くする（図５（ａ））。研磨後の焦電基板１２０の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．１〜１０μｍである。研磨の方法としては、例えばＣＭＰ研磨が挙げられる。

焦電基板１２０を研磨すると、焦電基板１２０の表面に表面金属層４０となる表面金属層１４０を形成する（図５（ｂ））。表面金属層１４０は、焦電基板１２０の表面に表面金属層４０となるパターンを複数形成したものである。表面金属層１４０の形成は、複合体１１０を焦電基板１２０の表面側から仮想的に透視したときに、表面電極４１，４２となる部分がそれぞれ裏面電極５１，５２となる部分と重複し位置が一致するように行う。表面金属層１４０の材料としては上述したものを用いることができる。表面金属層１４０の厚さは、特に限定するものではないが、例えば０．０１〜０．２μｍである。表面金属層１４０の形成は、裏面金属層１５０と同様の方法で行うことができる。

続いて、焦電基板１２０が空隙２８を持つようにこれを分割する（図５（ｃ））。この空隙２８は受光部６１，６２となる部分の間に形成する。なお、空隙２８の幅（図５（ｃ））における左右方向の長さ）や空隙２８を形成する位置は、第２支持部１３２が空隙２８を架け渡すように焦電基板１２０を支持することができるように定めておく。空隙２８の形成は、例えばダイシング（ハーフダイシング）により焦電基板１２０を表面側から切削していき、焦電基板１２０のみを分割することで行う。これにより、複合体１１０は、多数の焦電素子１０の集合体となる。なお、ダイシングは、例えばブレードを用いて行ってもよいし、レーザーダイシングや超音波ダイシングにより行ってもよい。

そして、空隙２８を形成した複合体１１０から１つ１つの焦電素子１０を切り出す（図５（ｄ））。これにより、図１〜２に示した焦電素子１０が複数得られる。

以上詳述したように、本実施形態の焦電素子１０では、受光部６１，６２よりも焦電基板２０の外側を支持する第１支持部３１だけでなく、受光部６１，６２の間を支持する第２支持部３２によっても焦電基板２０が支持されている。このため、第１支持部３１のみで焦電基板２０を支持する場合と比べて、焦電素子１０の機械的強度を向上させることができる。なお、機械的強度が向上することで、例えば焦電基板２０が割れにくいなど焦電素子１０の耐久性が向上する効果や、必要な機械的強度を保ちつつ焦電基板２０をより薄くして検出感度を向上させることができる効果が得られる。また、焦電素子１０に外部から振動が加わった場合に発生するノイズを抑制できる。すなわち、外部から加わった振動により焦電基板２０が振動すると、焦電基板２０の圧電効果により自発分極が変化して受光部６１，６２間には電圧が生じ、これがノイズとなる。しかし、第２支持部３２が焦電基板を支持していることで、外部からの振動による焦電基板２０の振動の振幅が小さく抑制され、ノイズが抑制される。

また、焦電基板２０は２つの受光部６１，６２の間に空隙２８を持つように焦電基板２０ａ，２０ｂに分割されており、第２支持部３２は空隙２８を架け渡すように焦電基板２０を支持している。このため、第２支持部３２により焦電素子１０の機械的強度を向上させつつ、焦電基板２０を介した受光部６１，６２間の熱伝導を抑制できる。ここで、受光部６１，６２間の熱伝導が起こりやすいと、受光部６１，６２に照射される赤外線の量が均等でないにもかかわらず受光部６１，６２の一方から他方へ熱伝導が起こることにより受光領域２１，２２の温度変化の大きさが同程度となってしまう場合がある。この場合、背景の赤外線量が変化した場合と同様に表面電極４１と裏面電極５１との間の電圧と表面電極４２と裏面電極５２との間に生じる電圧とが打ち消しあって導電線４６，４７間の電圧が小さくなってしまい、焦電素子１０が誤不動作となりやすい。本実施形態の焦電素子１０では、空隙２８が存在することで受光部６１，６２間の熱伝導が起こりにくくなるため、このような誤不動作を防止でき、検出感度が向上する。

さらに、第２支持部３２の支持面３３は、焦電素子１０を焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したときに、受光部６１，６２をなす一対の電極同士の重複部分と重ならないように構成されている。このため、受光部６１，６２をなす一対の電極同士の重複部分と重なる位置に第２支持部３２の支持面３３がある場合と比較して、受光部６１，６２から第２支持部３２への熱伝導が抑制される。そして、受光部６１，６２から第２支持部３２への熱伝導が抑制されると、受光領域２１，２２の熱が第２支持部３２に逃げにくくなるため、受光領域２１，２２の温度が変化しやすくなる。これにより、わずかな赤外線量の変化であっても温度変化により表面電極４１と裏面電極５１との間や表面電極４２と裏面電極５２との間に電圧が生じるため、焦電素子１０の検出感度が向上する。

さらにまた、支持部材３０を、焦電基板２０と比べて熱伝導率が低い材料で形成すれば、焦電基板２０の熱が支持部材３０に逃げにくくなるため、焦電素子１０の検出感度をさらに向上させることができる。

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施しうることは言うまでもない。

例えば、上述した実施形態では、支持部材３０は第１支持部１３１，第２支持部１３２，接着層３４，支持基板３６からなるものとしたが、支持部材３０は受光部６１，６２との間に空間３８ａ，３８ｂが形成されるように焦電基板２０を支持し、焦電基板２０のうち受光部６１，６２よりも外側を支持する第１支持部と受光部６１，６２の間を支持する第２支持部とを有するものであればよい。例えば、支持基板３６が第１支持部，第２支持部を有していてもよい。この場合の変形例の焦電素子２１０を図６に示す。なお、図６（ａ）は、焦電素子２１０における図１（ｂ）に相当する断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。図６において、図１〜図２に示した焦電素子１０と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。図示するように、焦電素子２１０における支持部材２３０は、接着層２３４と、接着層２３４により焦電基板２０の裏面に接合された支持基板２３６と、を備えている。支持基板２３６は、第１支持部２３１ａ，２３１ｂと、第２支持部２３２とを有している。接着層２３４は、第１支持部２３１ａと焦電基板２０の裏面とを接合する接着層２３４ａと、第１支持部２３１ｂと焦電基板２０の裏面とを接合する接着層２３４ｂと、第２支持部２３２と焦電基板２０の裏面とを接合する接着層２３４ｃと、を有している。そして、この第１支持部２３１ａと接着層２３４ａとが、焦電素子１０における第１支持部３１ａに相当する。同様に、第１支持部２３１ｂと接着層２３４ｂとが焦電素子１０における第１支持部３１ｂに相当し、第２支持部２３２と接着層２３４ｃとが焦電素子１０における第２支持部３２に相当する。このように、この支持部材２３０と図１に示した支持部材３０とは、構成要素は異なるものの形状は同じである。この焦電素子２１０においても、本実施形態の焦電素子１０と同様の効果を得ることができる。この焦電素子２１０は、例えば次のように製造することができる。まず、図４（ａ），（ｂ）と同様の工程を行う。そして、図４（ｃ）〜（ｅ）の代わりに、支持基板２３６となる平坦な支持基板を用意し、フォトリソグラフィにより支持基板２３６として残したい部分にのみレジスト膜を形成してエッチングマスクとする。その後、エッチングによりエッチングマスクがされていない部分（空間３８ａ，３８ｂとなる部分）を除去する。これにより、支持基板２３６には第１支持部２３１ａ，２３１ｂ及び第２支持部２３２が形成される。なお、エッチング以外にも、プレス成形やレーザー加工を用いて支持基板２３６に第１支持部２３１ａ，２３１ｂ及び第２支持部２３２を形成してもよい。そして、接着層２３４ａ〜２３４ｃとなる接着剤により支持基板２３６（第１支持部２３１ａ，２３１ｂ及び第２支持部２３２）の上面と焦電基板１２０の裏面とを貼り合わせて複合体を形成する。そして、図５（ａ）〜（ｄ）と同様の工程により図６の焦電素子２１０を形成する。なお、焦電素子２１０では、図６（ｂ）に示すように接着層２３４ｃの厚さが導電線５６の厚さよりも厚く、第２支持部２３２の支持面２３３は平面状であるものとしたが、接着層２３４ｃが導電線の厚さよりも薄くてもよい。この場合、第２支持部２３２の支持面２３３に窪みを設けて導電線５６がその窪みの中に収まるようにすればよい。そのような窪みは、例えばエッチングにより形成してもよい。

上述した実施形態では、図１（ｂ）及び図２に示すように第１支持部３１と第２支持部３２とは分離しており、空間３８ａ，３８ｂは焦電素子１０の外部空間と通じているものとしたが、第１支持部３１が焦電基板２０のうち複数の受光部６１，６２よりも外側を支持しており、第２支持部３２が焦電基板２０のうち隣接する２つの受光部６１，６２の間を支持していればよい。例えば、第１支持部３１と第２支持部３２とが分離しておらず空間３８ａ，３８ｂが閉空間となっていてもよい。この場合の変形例の焦電素子３１０を図７に示す。なお、図７は、焦電素子２１０における図２（ａ）に相当する断面図である。焦電素子３１０のうち、図１〜図２に示した焦電素子１０と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明や一部の図示を省略する。この焦電素子３１０では、第１支持部３３１（３１ａ，３３１ｂ）が第２支持部３３２と接続しており、空間３３８ａ，３３８ｂはこれらに囲まれている。そのため、空間３３８ａ，３３８ｂは焦電基板２０，裏面金属層５０，第１支持部３３１，第２支持部３３２，接着層３４に囲まれた閉空間となっている。この焦電素子３１０でも、本実施形態の焦電素子１０と同様の効果を得ることができる。

上述した実施形態では、第１支持部３１ａ，３１ｂや第２支持部３２はそれぞれ１つの部材であるものとしたが、例えば、第１支持部３１ａ又は第１支持部３１ｂが分離した複数の部材で構成されていたり、第２支持部３２が分離した複数の部材で構成されていたりしてもよい。

上述した実施形態では、受光部６１，６２をなす一対の電極は同一形状であり、焦電素子１０を焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したときに一対の電極が重複し、位置が一致するように形成されているものとしたが、焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したときに一対の電極同士の重複部分があればよく、一対の電極の形状や位置が互いに異なっていてもよい。この場合、この重複部分が受光部として機能することになる。また、この場合でも、焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したときに一対の電極同士の重複部分と重ならないように第２支持部３２が形成されていれば、受光部から第２支持部３２への熱伝導が抑制されて検出感度が向上する効果が得られる。このような一対の電極の形状や位置が互いに異なる場合の例を図８に示す。図８（ａ）は、変形例の焦電素子４１０の平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。なお、焦電素子４１０のうち、図１〜図２に示した焦電素子１０と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。この焦電素子４１０では、裏面金属層４５０が平面視で縦長の長方形をしており、焦電素子１０における裏面電極５１，５２の役割を兼ねた１枚の共通導電板として形成されている。また、焦電素子１０を焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したときに、裏面金属層４５０は表面電極４１，４２と重複し且つ表面電極４１，４２より広い範囲を占めるように形成されている。したがって、この焦電素子４１０では、焦電素子１０を焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したときに裏面金属層４５０のうち表面電極４１と重複する部分が焦電素子１０における裏面電極５１に相当し、同様に、裏面金属層４５０のうち表面電極４２と重複する部分が、焦電素子１０における裏面電極５２に相当する。そのため、第２支持部３２は裏面金属層４５０とは重複する位置に形成されているものの、焦電素子１０を焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したときに受光部６１，６２をなす一対の電極同士の重複部分とは重なっていない。このため、この焦電素子４１０においても、受光部から第２支持部３２への熱伝導が抑制されて検出感度が向上する効果が得られる。

上述した実施形態では、焦電素子１０はデュアルタイプの焦電素子であるものとしたが、受光部を複数備えていればよく、例えば受光部を４つ備えたクワッドタイプの焦電素子としてもよい。クワッドタイプの焦電素子とする場合、第１支持部は焦電基板のうち４つの受光部よりも外側を支持していればよく、第２支持部は４つの受光部のうち隣接する２つの受光部の間を支持していればよい。また、空隙２８は隣接する２つの受光部の間に形成されいればよく、第２支持部がこの空隙を架け渡すように焦電基板を支持していればよい。また、第２支持部を複数設けて、それぞれ異なる隣接する２つの受光部の間を支持するものとしてもよい。空隙についても同様に、それぞれ異なる隣接する２つの受光部の間に形成されていてもよい。例えば空隙を縦横の十字になるように設けて焦電基板を４つに分割し、分割した４つの焦電基板に１つずつ受光部が配置されるようにしてもよい。なお、クワッドタイプの焦電素子における表面電極及び裏面電極の配置については、例えば特開平２００６−２０３００９号公報に記載されている。

上述した実施形態では、導電線５６によって裏面電極５１，５２が導通しているものとしたが、この導電線５６を備えないものとしてもよい。この場合、例えば裏面電極５１と裏面電極５２とを外部配線によって導通してもよい。

上述した実施形態では、焦電基板２０には空隙２８が設けられているものとしたが、空隙２８を備えないものとしてもよい。また、空隙２８の深さを焦電基板２０の厚さ未満とすることで、焦電基板２０が焦電基板２０ａと焦電基板２０ｂとに分割されないようにしてもよい。ただし、焦電基板２０を介した受光部６１，６２間の熱伝導を抑制でき検出感度が向上する効果が得られるため、空隙２８を設ける方が好ましく、焦電基板２０が焦電基板２０ａと焦電基板２０ｂとに分割されている方がより好ましい。なお、ハーフダイシングにより空隙２８を形成する際に、導電線５６や第２支持部３２の上面の一部を切削するまでハーフダイシングを行ってもよい。こうすれば、焦電基板２０を確実に分割することができる。

上述した実施形態では、第２支持部３２の支持面３３は、焦電素子１０を焦電基板２０の表面側から仮想的に透視したときに、受光部６１，６２をなす一対の電極同士の重複部分と重ならないように構成されているものとしたが、重なる部分があってもよい。ただし、受光領域２１，２２の熱が支持部材３０に逃げにくくなり検出感度が向上する効果が得られるため、重ならないようにすることが好ましい。

［実施例１］
実施例１として、図４及び図５を用いて説明した製造方法により図１〜２３に示した焦電素子１０を作製した。まず、焦電基板１２０として、ＯＦ部を有し、直径４インチ，厚さが２５０μｍのタンタル酸リチウム基板（ＬＴ基板）を用意した（図４（ａ））。ＬＴ基板は４２°Ｙカット板を用いた。続いて、この焦電基板１２０の裏面にニッケル及びクロムからなる裏面金属層１５０を形成した（図４（ｂ））。裏面金属層１５０の形成は、焦電基板１２０のうち裏面金属層１５０を形成する部分以外をメタルマスクでカバーし、真空蒸着により行った。なお、真空蒸着は、まずクロムを５Å／ｓの成膜レートで厚さ０．０２μｍとなるまで行い、続いてニッケルを１０Å／ｓの成膜レートで厚さ０．１μｍとなるまで行った。真空蒸着による成膜時の圧力は２．７×１０^-4Ｐａ，焦電基板１２０の温度は約１００℃であった。これにより、厚さ０．１２μｍの裏面金属層１５０を形成した。なお、裏面金属層１５０のパターンは、裏面電極５１，５２がそれぞれ縦２ｍｍ，横０．５ｍｍ、リード部５６が縦０．１ｍｍ，横０．５ｍｍの大きさとなるように形成した。

続いて、焦電基板１２０の裏面に、二酸化珪素からなる第１支持部１３１，第２支持部１３２を形成した（図４（ｃ））。具体的には、まず、スパッタリングにより焦電基板１２０の裏面全体に厚さ０．５μｍの二酸化珪素膜を形成し、この二酸化珪素膜のうち第１支持部１３１，第２支持部１３２として残したい部分にのみフォトリソグラフィによりレジスト膜（OFPR−800LB，東京応化製，ポジ型感光性レジスト）を形成してエッチングマスクとした。その後、フッ酸に５分間浸漬して二酸化珪素膜のうち空間３８ａとなる縦２．１ｍｍ，横０．８ｍｍの部分、及び空間３８ｂとなる縦２．１ｍｍ，横０．８ｍｍの部分を除去することで第１支持部１３１，第２支持部１３２を形成した。

そして、第２支持部１３２の裏面を研磨して、第１支持部１３１の裏面と第２支持部１
３２の裏面とが同一平面上になるようにした（図４（ｄ））。

次に、支持基板１３６として、ＯＦ部を有し、直径４インチ，厚さが５００μｍのガラス基板を用意した。続いて、支持基板１３６の表面及び第１支持部１３１，第２支持部１３２の裏面の両方にエポキシ接着剤を１μｍ塗布し、支持基板１３６の表面と第１支持部１３１，第２支持部１３２の裏面とを貼り合わせた。そして、プレス圧着によりエポキシ接着剤の厚さを０．１μｍとし、貼り合わせた焦電基板１２０，第１支持部１３１，第２支持部１３２，支持基板１３６を２００℃の環境下で１時間放置してエポキシ接着剤を硬化させて複合体１１０とした（図４（ｅ））。これにより、エポキシ接着剤は接着層１３４となり、縦２．１ｍｍ，横０．８ｍｍ，深さ０．５μｍの空間１３８ａ、及び縦２．１ｍｍ，横０．８ｍｍ，深さ０．５μｍの空間１３８ｂが形成された。

そして、支持基板１３６の裏面を炭化珪素で作成した研磨治具に接着固定し、焦電基板１２０の表面を固定砥粒の研削機で研削加工し、焦電基板１２０の厚みを５０μｍまで薄くした。さらに、焦電基板１２０の表面をダイヤモンド砥粒で研磨加工し、厚みを１５μｍまで薄くした。その後、ダイヤモンド砥粒による研磨加工で焦電基板１２０に生じた加工変質層を除去するために、遊離砥粒及び不織布系研磨パッドを用いて仕上げ研磨を行い、焦電基板１２０の厚みが1０μｍとなるまで研磨した（図５（ａ））。

こうして焦電基板１２０を研磨すると、焦電基板１２０の表面に表面金属層１４０を形成した（図５（ｂ））。この工程は、裏面金属層１５０の形成と同様の材料及び条件で行った。なお、表面金属層１４０のパターンは、表面電極４１，４２となる部分がそれぞれ縦２ｍｍ，横０．５ｍｍ、リード部４６，４７となる部分がそれぞれ縦０．５ｍｍ，横０．５ｍｍの大きさとなるように形成した。また、表面金属層１４０の形成は、複合体１１０を焦電基板１２０の表面側から仮想的に透視したときに、表面電極４１，４２となる部分がそれぞれ裏面電極５１，５２となる部分と重複し位置が一致するように行った。

続いて、複合体１１０をダイシングテープに固定し、第２支持部１３２の上の焦電基板１２０の部分にダイシングで溝を形成して空隙２８を形成した（図５（ｃ）。ダイシングは、幅１００μm、＃６００のブレードを使用した。加工条件は、送り速度１０ｍｍ/ｓ、回転数３００００ｒｐｍで行った。

そして、そのままダイシングテープに固定した状態で、表面金属層１４０を形成した複合体１１０から縦２．５ｍｍ×横２．５ｍｍの焦電素子１０をダイシングにより切り出した（図５（ｄ））。切断後、ダイシングテープから外し、切削クズ、裏面に固着した接着剤を洗浄した。洗浄は、アセトン、ＩＰＡ(イソプロピルアルコール)、純水の超音波洗浄をそれぞれ１０分ずつ行った。これにより、実施例１の焦電素子として、図１〜３に示した焦電素子１０を１０００個得た。

［実施例２］
ダイシングによる空隙２８の形成を行わない点以外は、実施例１と同様にして焦電素子を１０００個作製し、実施例２とした。

［比較例１］
比較例１として、実施例１の焦電素子１０と比べて第２支持部３２及び空隙２８を形成しない点が異なる焦電素子を以下のように作製した。まず、実施例１と同様に、用意した焦電基板の裏面に裏面金属層を形成して、図４（ｂ）と同様の状態とした。

続いて、焦電基板１２０の裏面に、実施例１の第１支持部１３１と同じ材質及び形状の第１支持部を形成した。具体的には、まず、スパッタリングにより焦電基板の裏面全体に厚さ０．５μｍの二酸化珪素膜を形成し、この二酸化珪素膜のうち第１支持部として残したい部分にのみフォトリソグラフィによりレジスト膜（OFPR−800LB，東京応化製，ポジ型感光性レジスト）を形成してエッチングマスクとした。その後、フッ酸に５分間浸漬して二酸化珪素膜のうち縦２．１ｍｍ，横２．１ｍｍの部分を除去することで第１支持部を形成した。なお、この工程では実施例１とは異なり第２支持部１３２は形成せず、その後の第２支持部１３２の研磨も行わなかった。

次に、実施例１の支持基板１３６と同様の支持基板を用意し、支持基板の表面及び第１支持部の裏面の両方にエポキシ接着剤を１μｍ塗布して、支持基板の表面と第１支持部の裏面とを貼り合わせ、エポキシ接着剤を硬化させて複合体を得た。貼り合わせやエポキシ接着剤の硬化の条件は実施例１と同様とした。これにより、エポキシ接着剤は接着層となり、複合体の焦電基板，支持基板，第１支持部に囲まれた縦２．１ｍｍ，横２．１ｍｍ，深さ０．５μｍの空間が形成された。

そして、実施例１と同様に焦電基板の厚さが１０μｍとなるまで焦電基板の表面を研磨した。その後、実施例１の表面金属層１４０と同様に、焦電基板の表面に表面金属層を形成し、表面金属層を形成した複合体から縦２．５ｍｍ×横２．５ｍｍの焦電素子をダイシングにより切り出した。これにより、比較例１の焦電素子を１０００個得た。なお、比較例１の焦電素子は、第２支持部３２が形成されていないため、焦電基板は第１支持部のみで支持された状態になっている。

［評価試験１］
実施例１，２及び比較例１の焦電素子について、機械的強度の評価を行った。機械的強度の評価は、上述した方法で作製した実施例１，２及び比較例１の各１０００個の焦電素子について、製造プロセス中に破壊（焦電基板の割れや支持基板からの剥がれなど）が生じた個数を測定し、プロセス中破壊率（＝破壊個数／１０００個×１００％）を算出することで行った。このようなプロセス中の破壊は、例えば成膜時の熱ストレス、研磨時の機械的ストレス、超音波洗浄による振動ストレスなどによって生じる。

［評価試験２］
実施例１，２及び比較例１の焦電素子について、図９に示す実験系にて電圧感度Ｒｖを測定した。この実験系では、赤外線は、黒体放射装置７０２を使用して焦電素子まで平面波ミラー７０４とコンカーブミラー７０６を用いてアライメントし、チョッパー７０８を介して焦電素子の受光部の表面に集光した。入力赤外光は、チョッパー７０８により周波数１０Ｈｚでチョッピングして照射した。焦電素子の電圧感度Ｒｖは、ロックインアンプ７１０で測定した。なお、ロックインアンプ７１０内の電圧変換回路の入力インピーダンスは１０¹¹Ωとした。

評価試験１，２の結果を、実施例１，２及び比較例１の各焦電素子における焦電基板の材質，空隙２８の有無，第２支持部の有無，焦電基板の厚さと併せて表１に示す。

評価試験１の結果から、焦電基板が第１支持部だけでなく第２支持部によっても支持されている実施例１，２の焦電素子は、第２支持部を有さない比較例１の焦電素子と比べてプロセス破壊率が低く、機械的硬度が向上していることが確認できた。

また、評価試験２の結果から、隣接する２つの受光部６１，６２の間に空隙２８が形成されている実施例１は、空隙２８が形成されていない実施例２及び比較例１と比べて電圧感度Ｒｖが高く、検出感度が向上していることが確認できた。

なお、実施例１の焦電素子１０と比べて第２支持部３２を形成しない点が異なる焦電素子、すなわち比較例１の焦電素子と比べて空隙２８を形成する点が異なる焦電素子を１０００個作製しようとした場合、空隙２８となる溝を形成するダイシング工程やその後の焦電素子を切り出すダイシング工程において１０００個全ての焦電基板に割れや剥がれが発生し、プロセス中破壊率は１００％となった。このことから、実施例１の焦電素子１０では、第２支持部３２が空隙２８を架け渡すように焦電基板２０を支持していることで、空隙２８を形成しても機械的強度が保たれていると考えられる。

１０，１１０，２１０，３１０，４１０ 焦電素子、２０，２０ａ，２０ｂ，１２０ 焦電基板、２１，２２ 受光領域、２８ 空隙、３０，１３０，２３０ 支持部材、３１，３１ａ，３１ｂ，１３１，２３１ａ，２３１ｂ，３３１，３３１ａ，３３１ｂ 第１支持部、３２，１３２，２３２，３３２ 第２支持部、３３，２３３ 支持面、３４，１３４，２３４，２３４ａ，２３４ｂ，２３４ｃ 接着層、３６，１３６，２３６ 支持基板、３８ａ，３８ｂ，１３８ａ，１３８ｂ，３３８ａ，３３８ｂ 空間、４０，１４０ 表面金属層、４１，４２ 表面電極、４６，４７ 導電線、５０，１５０，４５０ 裏面金属層、５１，５２ 裏面電極、５６ 導電線、６１，６２ 受光部、７０２ 黒体放射装置、７０４ 平面波ミラー、７０６ コンカーブミラー、７０８ チョッパー、７１０ ロックインアンプ。

Claims (4)

1. 焦電基板と、
   前記焦電基板の表裏両面に形成された一対の電極と前記焦電基板のうち前記一対の電極によって挟まれた部分とからなる複数の受光部と、
   前記焦電基板を裏面から支持する支持部材と、
   を備え、
   前記支持部材は、該支持部材と前記複数の受光部との間に空間が形成されるように前記焦電基板を支持する部材であり、前記焦電基板のうち前記複数の受光部よりも外側を支持する第１支持部と、前記焦電基板のうち隣接する２つの受光部の間を支持する第２支持部とを有し、
   前記焦電基板は、前記隣接する２つの受光部の間に空隙を持つように分割され、
   前記第２支持部は、前記空隙を架け渡すように前記焦電基板を支持し、
   前記隣接する２つの受光部のうち前記焦電基板の裏面に形成された電極は、１枚の共通導電板として形成され、
   前記第２支持部は、前記共通導電板ごと前記焦電基板を支持する、
   焦電素子。
2. 前記焦電素子を該焦電基板の表面側から仮想的に透視したときに、前記第２支持部の支持面は、前記受光部をなす一対の電極同士の重複部分と重ならないように構成されている、
   請求項１に記載の焦電素子。
3. 前記支持部材は、前記焦電基板と比べて熱伝導率の低い材料で形成されている、
   請求項１又は２に記載の焦電素子。
4. （ａ）複数の裏面電極の役割を兼ねた１枚の共通導電板が形成された焦電基板と、前記焦電基板を裏面から支持する支持部材とを備えた複合体を形成する工程と、
   （ｂ）前記焦電基板の表面を研磨する工程と、
   （ｃ）前記焦電基板の表面に前記共通導電板と対をなすように表面電極を複数形成して、一対の該表面電極及び前記共通導電板のうち前記焦電基板の表面側から仮想的に透過したときに該表面電極と重複する部分である前記裏面電極と、該焦電基板のうち該一対の表面電極及び裏面電極によって挟まれた部分と、からなる受光部を複数形成する工程と、
   を含み、
   前記工程（ａ）で形成された複合体において、前記支持部材は、該支持部材と前記工程（ｃ）で形成される複数の受光部との間に空間が形成されるように前記焦電基板を支持しており、前記焦電基板のうち前記複数の受光部よりも外側を支持する第１支持部と、前記焦電基板のうち隣接する２つの受光部の間を支持する第２支持部とを有し、該第２支持部は、前記共通導電板ごと前記焦電基板を支持しており、
   前記工程（ｃ）では、前記表面電極を形成する前又は後に、前記隣接する２つの受光部の間に空隙を持つように前記焦電基板を分割して、前記第２支持部が前記空隙を架け渡して前記焦電基板を支持するようにする、
   焦電素子の製造方法。