JP5718563B2 - 圧力検出装置 - Google Patents
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Description
しかし、感圧抵抗体は、自身の抵抗値が加えられた検出圧力によって変化するだけでなく、自身(Si素子)の温度によっても大きく変化するため、温度特性補償を行う必要がある。ところが、この特許文献2に記載の力変換素子では、この素子中に感圧抵抗体1つしか抵抗体が存在せず、素子(感圧抵抗体)の温度を検出するための感温抵抗体が存在しないため、素子(感圧抵抗体)の温度が検出できず、この温度特性補償を行うことが困難になる。従って、内燃機関など温度変化が大きい環境下でこの力変換素子を用いる場合には、検出圧力を精度良く検出することが難しくなる。
感圧抵抗体は、検出圧力Ppの変化に応じて自身の第1抵抗値r1が変化する他に、自身の温度Tの変化によっても自身の第1抵抗値r1が変化する。このため、感圧抵抗体及び第1付加抵抗体による第1合成抵抗の第3抵抗値r3も、検出圧力Ppの変化に応じて抵抗値が変化する他、温度Tの変化に応じても抵抗値が変化する。
また、「第1付加抵抗体」を「感圧抵抗体」に接続する形態としては、一又は複数の第1付加抵抗体を感圧抵抗体に並列に接続したり、一又は複数の第1付加抵抗体を感圧抵抗体に直列に接続したり、複数の第1付加抵抗体を感圧抵抗体に並列と直列に接続する形態が挙げられる。同様に、「第2付加抵抗体」を「感温抵抗体」に接続する形態としては、一又は複数の第2付加抵抗体を感温抵抗体に並列に接続したり、一又は複数の第2付加抵抗体を感温抵抗体に直列に接続したり、複数の第2付加抵抗体を感温抵抗体に並列と直列に接続する形態が挙げられる。
なお、「付加抵抗体」は、電磁ノイズ耐性等の観点から、第1合成抵抗と第2合成抵抗のインピーダンスマッチングを考慮して設けるのが好ましい。特に、電磁ノイズが飛来する場所にSi素子に繋がる配線が通る場合や、小さい信号を増幅したり、高精度に信号を検出したい場合には、上記インピーダンスマッチングを考慮するのが好ましい。
上述の圧力検出装置は、感圧抵抗体及び感温抵抗体が第1主面に形成され、検出対象である検出圧力Ppにより自身が荷重を受けて(詳細には、検出圧力Ppに応じた検出荷重Fspと予荷重Fsoとを合わせた素子荷重Fsにより掛かる素子圧力Psにより圧縮または引張されて)、検出圧力Ppを検出する圧縮型のSi素子を有する。このため、特許文献3に記載のダイアフラム型のSi素子に比して、耐荷重性、小型化及び感度において有利である。また、このSi素子は、2つの抵抗体(感圧抵抗体及び感温抵抗体を1つずつ)を有する。このため、従来の4つの抵抗体を設けた圧縮型のSi素子に比して、Si素子を更に小型化できる。また、抵抗体を2つに減らしたことにより、Si素子に接続する配線数も減らすことができるので、この点でも圧力検出装置を小型化できる。
また、Si素子のうち、感圧抵抗体及び感温抵抗体の製品毎の不純物濃度誤差によって感度温度特性が生じても、この感度温度特性も含めて補償できるので、前述の特許文献3の物理量検出装置に比して、検出圧力Ppを、Si素子(感圧抵抗体及び感温抵抗体)の温度Tの影響を抑制しつつ高精度に検出できる。
さらに、感圧抵抗体及び感温抵抗体の不純物濃度Cp(1/cm 3 )を、0.8×10 18 ≦Cp≦1.2×10 18 、または、0.8×10 20 ≦Cp≦1.2×10 20 とすると、これらの抵抗体の感度温度特性を、検出圧力Ppの検出に際し、十分に小さくできることが判った。従って、上述の圧力検出装置によれば、温度Tの影響を更に小さくできる。
なお、感温抵抗体の検出圧力Ppの変化により生じる第2抵抗値r2の変化量を、感圧抵抗体の検出圧力Ppの変化により生じる第1抵抗値r1の変化量に比して、50分の1以下とすると、更に好ましい。
押圧部材やこれを保持する保持部材等に掛かる温度に変化があると、この温度変化により各部材が膨張したり収縮するため、Si素子(感圧抵抗体及び感温抵抗体)の温度Tが同じでも、このSi素子を押圧する素子荷重Fsが変化する。このため、感圧抵抗体の抵抗温度特性が、押圧部材等の温度変化に応じた範囲でばらつく。一方、感温抵抗体の抵抗温度特性は、押圧部材等が温度変化しても、その影響が殆ど生じない。従って、感圧抵抗体と感温抵抗体の抵抗温度特性の差が大きくなる。
前述のように、感圧抵抗体は、検出圧力Pp(素子圧力Ps)の変化に応じて自身の第1抵抗値r1が変化する他に、温度Tの変化によっても自身の第1抵抗値r1が変化する。このため、検出圧力Ppの検出時に、感圧抵抗体及び第1付加抵抗体による第1合成抵抗に生じる第3電圧V3には、検出圧力Pp(素子圧力Ps)の変化に応じて生じる電圧の他、温度Tの変化に応じて生じる電圧が含まれる。
また、この圧力検出装置では、感圧抵抗体を、Si素子の<110>方向に延びる感圧抵抗部位を主とする形態とし、かつ、第1主面のうち、押圧部材が当接する当接部に配置している。このため、感圧抵抗体の検出圧力Pp(素子圧力Ps)に対する検出感度が特に高く、しかも、検出圧力Pp(素子圧力Ps)に応じた感圧抵抗体の抵抗変化を適切に生じさせることができる。
従って、前述した、感温抵抗体の第2抵抗値r2の変化量を、感圧抵抗体の第1抵抗値r1の変化量の10分の1以下とすることが、容易に達成できる。
なお、{110}面は、(110)面またはこれと等価な面方位を指す。また、<110>方向は、[110]方向またはこれと等価な結晶方向を指し、<100>方向は、[100]方向またはこれと等価な結晶方向を指す。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。図1に、本実施形態1に係る筒内圧センサ付きグロープラグ(圧力検出装置)100の外観を示す。また、図2〜図5に、この筒内圧センサ付きグロープラグ100の縦断面を示す。なお、図1〜図5において、下方が軸線AX方向先端側(以下、単に先端側とも言う。)であり、上方が軸線AX方向基端側(以下、単に基端側とも言う。)である。
ハウジング本体部111は、軸線AX方向の寸法が大きく、ハウジング110の大部分を構成している。このハウジング本体部111の内側には、後述する圧力検出機構120や配線基板170などが収容されている。ハウジング本体部111のうち、圧力検出機構120及び配線基板170が配置される部分の内径は、本実施形態ではφ5.35mmとされている。また、ハウジング本体部111の外周のうち、軸線AX方向の中央付近の所定位置には、この筒内圧センサ付きグロープラグ100を図示しない内燃機関(ディーゼルエンジン)に取り付けるためのネジ部111cが周設されている。本実施形態では、このネジ径をM10としているが、例えばM8とすることもできる。なお、図1、図2及び図4の各図において、ネジ山の図示は省略してある。
このうち先端部材121は、金属(具体的にはSUS430、SUJ)からなり、先端面121aが平面(具体的には円状の平面)をなし、基端面121bがその中央が凸状の曲面をなすドーム状を有する。このうち先端面121aは、後述するヒータ150の基端面150bに当接している。一方、基端面121bは、その頂部が次述する中間部材123の先端面123aに当接している。
前述の圧力検出機構120には、3本の配線165,165,165が接続されている。これらの配線165,165,165は、圧力検出機構120から基端側に向けて延びて後述する配線基板170にそれぞれ接続されている。また、ヒータ150にも、1本の配線(図示外)が接続され、基端側に向けて延びて配線基板170に接続されている。
一方、本実施形態1では、付加抵抗体として、感温抵抗体133に接続する第2付加抵抗体226を有するため、感温抵抗体133及び第2付加抵抗体226の合成抵抗212が本発明の「第2合成抵抗」に相当し、また、この第2合成抵抗212の抵抗値が「第4抵抗値r4」に相当する。また、この第2合成抵抗212に生じる電圧が「第4電圧V4」に相当する。
まず、図12に示すように、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗値との関係をそれぞれ求める。なお、ハウジング110やヒータ150、圧力検出機構120を構成する部材121,123,125,127等に掛かる温度に変化があると、この温度変化により各部材が膨張したり収縮するため、Si素子130の温度Tが同じでも、このSi素子130を押圧する素子荷重Fsが変化する。このため、感圧抵抗体131の実際の抵抗温度特性は、各部材に掛かる温度変化に応じた範囲でばらつくが、図12では、便宜上、最小特性と最大特性の中間の特性を、感圧抵抗体131の抵抗温度特性として示してある。
一方、求めた規格化抵抗値が感圧抵抗体131と感温抵抗体133とで等しい場合には、感圧抵抗体131または感温抵抗体133に並列に接続する付加抵抗体を設けない。このような並列の付加抵抗体を設けても、上述の差分電圧(V1−V2)に現れるドリフトを抑制できる見込みが殆どないからある。
具体的には、第1キャリブレーション温度T4と第2キャリブレーション温度T5を設定し、これらの温度間の抵抗変化率を、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133についてそれぞれ求める。本実施形態1では、第1キャリブレーション温度T4=10℃、第2キャリブレーション温度T5=270℃としている。
一方、求めた抵抗変化率が感圧抵抗体131と感温抵抗体133とで等しい場合には、感圧抵抗体131または感温抵抗体133に直列に接続する付加抵抗体を設けない。このような直列の付加抵抗体を設けても、上述の差分電圧(V1−V2)に現れるドリフトを抑制できる見込みが殆どないからある。
第1定電流i1及び第2定電流i2は、Si素子130に、検出荷重Fsp及び予荷重Fsoのうち予荷重Fsoのみを掛けたときに、第1合成抵抗(感圧抵抗体131)に生じる第3基準電圧V3o(第1基準電圧V1o)と、第2合成抵抗212に生じる第4基準電圧V4oとが等しくなる大きさに調整する。
具体的には、基準温度T6を設定し、この基準温度T6において、第1合成抵抗131に生じる第3基準電圧V3oと、第2合成抵抗212に生じる第4基準電圧V4oとが等しくなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。本実施形態1では、基準温度T6=20℃とし、V3o=V4o=2Vとなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節している。第1定電流i1=1.03mA、第2定電流i2=0.65mAである。
また、このゲインコントローラ209には、感度温度特性を相殺する適切な増幅率が設定されており、温度センサ信号(第4電圧V4)と増幅率との関係についての情報を補正テーブルとして記憶している。これにより、温度センサ信号(第4電圧V4)に基づいて、可変ゲイン増幅器205の増幅率を調整して、温度Tの変化に起因する差分電圧(V3−V4)の偏移によって生じる圧力電圧信号Sppの偏移を減少させる温度特性補償を行う。
感圧抵抗体131は、筒内圧Pp(素子圧力Ps)の変化に応じて自身の第1抵抗値r1が変化する他に、温度Tの変化によっても自身の第1抵抗値r1が変化する。このため、第1合成抵抗(感圧抵抗体131)の第3抵抗値r3(第1抵抗値r1)も筒内圧Pp(素子圧力Ps)の変化に応じて抵抗値が変化する他、温度Tの変化に応じても抵抗値が変化する。
前述のように、感圧抵抗体131は、筒内圧Pp(素子圧力Ps)の変化に応じて第1抵抗値r1が変化する他に、温度Tの変化によっても第1抵抗値r1が変化する。このため、筒内圧Ppの検出時に、第1合成抵抗(感圧抵抗体131)に生じる第3電圧V3(第1電圧V1)には、筒内圧Pp(素子圧力Ps)の変化に応じて生じる電圧の他、温度Tの変化に応じて生じる電圧が含まれている。
従って、これらの差分電圧(V3−V4)を求めれば、第1合成抵抗131に生じる第3電圧V3から、温度Tの変化に起因して生じる電圧分を差し引くことができるので、筒内圧Pp(素子圧力Ps)に応じて生じる電圧のみを精度良く検出できる。即ち、筒内圧Ppを、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tの変化による影響を抑制しつつ精度良く検出できる。また、このようにすれば、抵抗体131,133の製品毎の不純物濃度誤差によって感度温度特性が生じても、この感度温度特性も含めて補償できるので、前述の特許文献3の物理量検出装置に比して、筒内圧Ppを、温度Tの影響を抑制しつつ高精度に検出できる。
これにより、感温抵抗体133の第2抵抗値r2の変化量が、感圧抵抗体131の第1抵抗値r1の変化量の10分の1以下(具体的には240分の1)となっている。
また、この筒内圧センサ付きグロープラグ100では、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133の不純物濃度Cp(1/cm3 )を、0.8×1018≦Cp≦1.2×1018、または、0.8×1020≦Cp≦1.2×1020(具体的には1.0×1020/cm3 )としているので、これらの抵抗体131,133の感度温度特性が500ppm/℃以下に小さくなっている。従って、筒内圧Ppの検出に際し、温度Tの影響を更に小さくできる。
また、Si素子130がSOI基板であるので、絶縁抵抗の低下を抑制し、Si素子130の高温耐性を向上させることができる。このため、筒内圧Ppの検出時に高温となる内燃機関での使用に特に適している。
次いで、第2の実施の形態について説明する。本実施形態2の筒内圧センサ付きグロープラグ102は、筒内圧Pp及びSi素子130(感圧抵抗体131)の温度Tの検出に係る検知回路300の構成が、上記実施形態1の筒内圧センサ付きグロープラグ100の検知回路200と異なる。それ以外は、基本的に上記実施形態1と同様であるので、上記実施形態1と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。図17に、本実施形態2に係る検知回路300を示す。
一方、本実施形態2では、付加低抗体として、第1付加抵抗体321を有する。この付加抵抗体321は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感圧抵抗体131に直列に接続されている。この付加抵抗体321は、後述するように、感圧抵抗体131の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率と、感温抵抗体133の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率との差を補償するものである。
一方、本実施形態2では、感温抵抗体133に接続する第2付加抵抗体が存在しないため、感温抵抗体133単体で本発明の「第2合成抵抗」にも相当し、また、感温抵抗体222の第2抵抗値r2が第2合成抵抗の「第4抵抗値r4」にも相当する。また、感温抵抗体133に生じる第2電圧V2が第2合成抵抗に生じる「第4電圧V4」にも相当する。
付加抵抗体の配置及び大きさを決めるにあたり、まず、図18に示すように、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗値との関係をそれぞれ求める。本実施形態2でも、図18のように、温度Tと抵抗値との関係が感圧抵抗体131と感温抵抗体133とで互いに異なるので、感圧抵抗体131に生じる第1電圧V1と感温抵抗体133に生じる第2電圧V2との差分電圧(V1−V2)に、温度Tの変化に伴うドリフトが現れる。そこで、感圧抵抗体131または感温抵抗体133に付加抵抗体を接続して、差分電圧(V1−V2)に現れるドリフトを抑制する。
具体的には、上記実施形態1と同様に、中央温度T3(130℃)における感圧抵抗体131と感温抵抗体133の規格化抵抗値をそれぞれ求める。図19に示すように、本実施形態2でも、感圧抵抗体131のグラフと感温抵抗体133のグラフとが互いに重なっており、中央温度T3における感圧抵抗体131の規格化抵抗値と感温抵抗体133の規格化抵抗値が共に39%で等しい。このように中央温度T3における規格化抵抗値が等しい場合は、前述のようにドリフト抑制効果が見込めないため、付加抵抗体を、感圧抵抗体131または感温抵抗体133に並列に接続する必要はない。
具体的には、上記実施形態1と同様に、第1キャリブレーション温度T4と第2キャリブレーション温度T5との間の抵抗変化率を、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133についてそれぞれ求める。なお、本実施形態2では、第1キャリブレーション温度T4=40℃、第2キャリブレーション温度T5=270℃としている。
まず、上記実施形態1と同様に、図21に示すように、第1合成抵抗311及び第2合成抵抗133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗変化量との関係をそれぞれ求める。本実施形態2でも、温度Tと抵抗変化量との関係が第1合成抵抗311と第2合成抵抗133とで互いに異なるので、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。
具体的には、上記実施形態1と同様に、基準温度T6において、第1合成抵抗311に生じる第3基準電圧V3oと、第2合成抵抗133に生じる第4基準電圧V4oとが等しくなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。本実施形態2でも、基準温度T6=20℃とし、V3o=V4o=2Vとなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節している。第1定電流i1=0.65mA、第2定電流i2=0.91mAである。
次いで、第3の実施の形態について説明する。本実施形態3の筒内圧センサ付きグロープラグ103は、筒内圧Pp及びSi素子130(感圧抵抗体131)の温度Tの検出に係る検知回路400の構成が、上記実施形態1,2の筒内圧センサ付きグロープラグ100,102の検知回路200,300と異なる。それ以外は、基本的に上記実施形態1等と同様であるので、上記実施形態1等と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。図23に、本実施形態3に係る検知回路400を示す。
一方、本実施形態3では、付加低抗体として、第2付加抵抗体426を有する。この付加抵抗体426は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感温抵抗体133に並列に接続されている。この付加抵抗体426は、後述するように、感圧抵抗体131の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率と、感温抵抗体133の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率との差を補償するものである。
一方、本実施形態3では、感温抵抗体133に接続する第2付加抵抗体426を有するため、感温抵抗体133及び第2付加抵抗体426の合成抵抗412が本発明の「第2合成抵抗」に相当し、また、この第2合成抵抗412の抵抗値が「第4抵抗値r4」に相当する。また、この第2合成抵抗412に生じる電圧が「第4電圧V4」に相当する。
付加抵抗体の配置及び大きさを決めるにあたり、まず、図24に示すように、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗値との関係をそれぞれ求める。本実施形態3でも、図24のように、温度Tと抵抗値との関係が感圧抵抗体131と感温抵抗体133とで互いに異なるので、感圧抵抗体131に生じる第1電圧V1と感温抵抗体133に生じる第2電圧V2との差分電圧(V1−V2)に、温度Tの変化に伴うドリフトが現れる。そこで、感圧抵抗体131または感温抵抗体133に付加抵抗体を接続して、差分電圧(V1−V2)に現れるドリフトを抑制する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、中央温度T3(130℃)における感圧抵抗体131と感温抵抗体133の規格化抵抗値をそれぞれ求める。図25に示すように、本実施形態3では、中央温度T3における感圧抵抗体131の規格化抵抗値と感温抵抗体133の規格化抵抗値とが互いに異なり、感温抵抗体133の方が感圧抵抗体131よりも規格化抵抗値が小さい。このような場合には、感温抵抗体133の方に付加抵抗体(第2付加抵抗体426)を並列に接続して、中央温度T3における、感圧抵抗体131の規格化抵抗値と、感温抵抗体133及び付加抵抗体426の第2合成抵抗体412の規格化抵抗値とを揃える。本実施形態3では、付加抵抗体426の大きさを4.90kΩとしている。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、第1キャリブレーション温度T4と第2キャリブレーション温度T5との間の抵抗変化率を、感圧抵抗体131及び第2合成抵抗412についてそれぞれ求める。なお、本実施形態3では、第1キャリブレーション温度T4=−20℃、第2キャリブレーション温度T5=280℃としている。また、後述する実施形態4〜8でも、第1キャリブレーション温度T4=−20℃、第2キャリブレーション温度T5=280℃としている。第1,第2キャリブレーション温度T4,T5を実施形態によって異なる値としているのは、ドリフト抑制効果をより大きくするためである。
まず、上記実施形態1等と同様に、図27に示すように、第1合成抵抗131及び第2合成抵抗412についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗変化量との関係をそれぞれ求める。本実施形態3でも、温度Tと抵抗変化量との関係が、第1合成抵抗131と第2合成抵抗412とで互いに異なるので、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、基準温度T6において、第1合成抵抗131に生じる第3基準電圧V3oと、第2合成抵抗412に生じる第4基準電圧V4oとが等しくなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。本実施形態3では、基準温度T6=130℃とし、V3o=V4o=2Vとなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節している。第1定電流i1=0.91mA、第2定電流i2=1.21mAである。なお、基準温度T6を実施形態によって異なる値としているのは、ドリフト抑制効果をより大きくするためである。
次いで、第4の実施の形態について説明する。本実施形態4の筒内圧センサ付きグロープラグ104は、筒内圧Pp及びSi素子130(感圧抵抗体131)の温度Tの検出に係る検知回路500の構成が、上記実施形態1〜3の筒内圧センサ付きグロープラグ100,102,103の検知回路200,300,400と異なる。それ以外は、基本的に上記実施形態1等と同様であるので、上記実施形態1等と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。図29に、本実施形態4に係る検知回路500を示す。
一方、本実施形態4では、付加低抗体として、第1付加抵抗体521を有する。この付加抵抗体521は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感圧抵抗体131に並列に接続されている。この付加抵抗体521は、後述するように、感圧抵抗体131の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率と、感温抵抗体133の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率との差を補償するものである。
一方、本実施形態4では、感温抵抗体133に接続する第2付加抵抗体が存在しないため、感温抵抗体133単体で本発明の「第2合成抵抗」にも相当し、また、感温抵抗体133の第2抵抗値r2が第2合成抵抗の「第4抵抗値r4」にも相当する。また、感温抵抗体133に生じる第2電圧V2が第2合成抵抗に生じる「第4電圧V4」にも相当する。
付加抵抗体の配置及び大きさを決めるにあたり、まず、図30に示すように、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗値との関係をそれぞれ求める。本実施形態4でも、図30のように、温度Tと抵抗値との関係が感圧抵抗体131と感温抵抗体133とで互いに異なるので、感圧抵抗体131に生じる第1電圧V1と感温抵抗体133に生じる第2電圧V2との差分電圧(V1−V2)に、温度Tの変化に伴うドリフトが現れる。そこで、感圧抵抗体131または感温抵抗体133に付加抵抗体を接続して、差分電圧(V1−V2)に現れるドリフトを抑制する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、中央温度T3(130℃)における感圧抵抗体131と感温抵抗体133の規格化抵抗値をそれぞれ求める。図31に示すように、本実施形態3では、中央温度T3における感圧抵抗体131の規格化抵抗値と感温抵抗体133の規格化抵抗値とが互いに異なり、感圧抵抗体131の方が感温抵抗体133よりも規格化抵抗値が小さい。このような場合には、感圧抵抗体131の方に付加抵抗体(第1付加抵抗体521)を並列に接続して、中央温度T3における、感圧抵抗体131及び付加抵抗体521の第1合成抵抗511と、感温抵抗体133の規格化抵抗値とを揃える。本実施形態3では、付加抵抗体521の大きさを9.28kΩとしている。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、第1キャリブレーション温度T4と第2キャリブレーション温度T5との間の抵抗変化率を、第1合成抵抗511及び感温抵抗体133についてそれぞれ求める。
まず、上記実施形態1等と同様に、図33に示すように、第1合成抵抗511及び第2合成抵抗133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗変化量との関係をそれぞれ求める。本実施形態4でも、温度Tと抵抗変化量との関係が、第1合成抵抗511と第2合成抵抗133とで互いに異なるので、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、基準温度T6において、第1合成抵抗511に生じる第3基準電圧V3oと、第2合成抵抗133に生じる第4基準電圧V4oとが等しくなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。本実施形態4では、基準温度T6=130℃とし、V3o=V4o=2Vとなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節している。第1定電流i1=0.93mA、第2定電流i2=0.80mAである。
次いで、第5の実施の形態について説明する。本実施形態5の筒内圧センサ付きグロープラグ105は、筒内圧Pp及びSi素子130(感圧抵抗体131)の温度Tの検出に係る検知回路600の構成が、上記実施形態1〜4の筒内圧センサ付きグロープラグ100,102,103,104の検知回路200,300,400,500と異なる。それ以外は、基本的に上記実施形態1等と同様であるので、上記実施形態1等と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。図35に、本実施形態5に係る検知回路600を示す。
一方、本実施形態5では、付加低抗体として、第1付加抵抗体621と第2付加抵抗体626とを有する。第1付加抵抗体621は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感圧抵抗体131に直列に接続されている。また、第2付加抵抗体626は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感温抵抗体133に並列に接続されている。これらの付加抵抗体621,626は、後述するように、感圧抵抗体131の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率と、感温抵抗体133の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率との差を補償するものである。
また、感温抵抗体133に接続する第2付加抵抗体626を有するため、感温抵抗体133及び第2付加抵抗体626の合成抵抗612が本発明の「第2合成抵抗」に相当し、また、この第2合成抵抗612の抵抗値が「第4抵抗値r4」に相当する。また、この第2合成抵抗612に生じる電圧が「第4電圧V4」に相当する。
付加抵抗体の配置及び大きさを決めるにあたり、まず、図36に示すように、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗値との関係をそれぞれ求める。本実施形態5でも、温度Tと抵抗値との関係が感圧抵抗体131と感温抵抗体133とで互いに異なるので、感圧抵抗体131に生じる第1電圧V1と感温抵抗体133に生じる第2電圧V2との差分電圧(V1−V2)に、温度Tの変化に伴うドリフトが現れる。そこで、感圧抵抗体131または感温抵抗体133に付加抵抗体を接続して、差分電圧(V1−V2)に現れるドリフトを抑制する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、中央温度T3(130℃)における感圧抵抗体131と感温抵抗体133の規格化抵抗値をそれぞれ求める。図37に示すように、本実施形態5では、中央温度T3における感圧抵抗体131の規格化抵抗値と感温抵抗体133の規格化抵抗値とが互いに異なり、感温抵抗体133の方が感圧抵抗体131よりも規格化抵抗値が小さい。このような場合には、感温抵抗体133の方に付加抵抗体(第2付加抵抗体626)を並列に接続して、中央温度T3における、感圧抵抗体131の規格化抵抗値と、感温抵抗体133及び第2付加抵抗体626からなる第2合成抵抗体612の規格化抵抗値とを揃える。本実施形態5では、第2付加抵抗体626の大きさを2.47kΩとしている。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、第1キャリブレーション温度T4と第2キャリブレーション温度T5との間の抵抗変化率を、感圧抵抗体131及び第2合成抵抗612についてそれぞれ求める。
まず、上記実施形態1等と同様に、図39に示すように、第1合成抵抗611及び第2合成抵抗612についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗変化量との関係をそれぞれ求める。本実施形態5でも、温度Tと抵抗変化量との関係が、第1合成抵抗611と第2合成抵抗612とで互いに異なるので、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、基準温度T6において、第1合成抵抗611に生じる第3基準電圧V3oと、第2合成抵抗612に生じる第4基準電圧V4oとが等しくなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。本実施形態5では、基準温度T6=130℃とし、V3o=V4o=2Vとなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節している。第1定電流i1=0.37mA、第2定電流i2=1.61mAである。
次いで、第6の実施の形態について説明する。本実施形態6の筒内圧センサ付きグロープラグ106は、筒内圧Pp及びSi素子130(感圧抵抗体131)の温度Tの検出に係る検知回路700の構成が、上記実施形態1〜5の筒内圧センサ付きグロープラグ100,102,103,104,105の検知回路200,300,400,500,600と異なる。それ以外は、基本的に上記実施形態1等と同様であるので、上記実施形態1等と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。図41に、本実施形態6に係る検知回路700を示す。
一方、本実施形態6では、付加低抗体として、第1付加抵抗体721と第2付加抵抗体726とを有する。第1付加抵抗体721は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感圧抵抗体131に並列に接続されている。また、第2付加抵抗体726は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感温抵抗体133に直列に接続されている。これらの付加抵抗体721,726は、後述するように、感圧抵抗体131の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率と、感温抵抗体133の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率との差を補償するものである。
また、感温抵抗体133に接続する第2付加抵抗体726を有するため、感温抵抗体133及び第2付加抵抗体726の合成抵抗712が本発明の「第2合成抵抗」に相当し、また、この第2合成抵抗712の抵抗値が「第4抵抗値r4」に相当する。また、この第2合成抵抗712に生じる電圧が「第4電圧V4」に相当する。
付加抵抗体の配置及び大きさを決めるにあたり、まず、図42に示すように、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗値との関係をそれぞれ求める。本実施形態6でも、温度Tと抵抗値との関係が感圧抵抗体131と感温抵抗体133とで互いに異なるので、感圧抵抗体131に生じる第1電圧V1と感温抵抗体133に生じる第2電圧V2との差分電圧(V1−V2)に、温度Tの変化に伴うドリフトが現れる。そこで、感圧抵抗体131または感温抵抗体133に付加抵抗体を接続して、差分電圧(V1−V2)に現れるドリフトを抑制する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、中央温度T3(130℃)における感圧抵抗体131と感温抵抗体133の規格化抵抗値をそれぞれ求める。図43に示すように、本実施形態6では、中央温度T3における感圧抵抗体131の規格化抵抗値と感温抵抗体133の規格化抵抗値とが互いに異なり、感圧抵抗体131の方が感温抵抗体133よりも規格化抵抗値が小さい。このような場合には、感圧抵抗体131の方に付加抵抗体(第1付加抵抗体721)を並列に接続して、中央温度T3における、感圧抵抗体131及び第1付加抵抗体721からなる第1合成抵抗711の規格化抵抗値と、感温抵抗体133の規格化抵抗値とを揃える。本実施形態6では、第1付加抵抗体721の大きさを3.07kΩとしている。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、第1キャリブレーション温度T4と第2キャリブレーション温度T5との間の抵抗変化率を、第1合成抵抗711及び感温抵抗体133についてそれぞれ求める。
まず、上記実施形態1等と同様に、図45に示すように、第1合成抵抗711及び第2合成抵抗712についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗変化量との関係をそれぞれ求める。本実施形態6でも、温度Tと抵抗変化量との関係が、第1合成抵抗711と第2合成抵抗712とで互いに異なるので、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、基準温度T6において、第1合成抵抗711に生じる第3基準電圧V3oと、第2合成抵抗712に生じる第4基準電圧V4oとが等しくなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。本実施形態6では、基準温度T6=130℃とし、V3o=V4o=2Vとなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節している。第1定電流i1=1.53mA、第2定電流i2=0.41mAである。
次いで、第7の実施の形態について説明する。本実施形態7の筒内圧センサ付きグロープラグ107は、筒内圧Pp及びSi素子130(感圧抵抗体131)の温度Tの検出に係る検知回路800の構成が、上記実施形態1〜6の筒内圧センサ付きグロープラグ100,102,103,104,105,106の検知回路200,300,400,500,600,700と異なる。それ以外は、基本的に上記実施形態1等と同様であるので、上記実施形態1等と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。図47に、本実施形態7に係る検知回路800を示す。
一方、本実施形態7では、付加低抗体として、2つの第2付加抵抗体826,827を有する。一方の第2付加抵抗体826は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感温抵抗体133に直列に接続されている。また、他方の第2付加抵抗体827は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感温抵抗体133に並列に接続されている。これらの付加抵抗体826,827は、後述するように、感圧抵抗体131の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率と、感温抵抗体133の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率との差を補償するものである。
一方、本実施形態7では、上述のように、感温抵抗体133に接続する2つの第2付加抵抗体826,827を有するため、感温抵抗体133及び第2付加抵抗体826,827の合成抵抗812が本発明の「第2合成抵抗」に相当し、また、この第2合成抵抗812の抵抗値が「第4抵抗値r4」に相当する。また、この第2合成抵抗812に生じる電圧が「第4電圧V4」に相当する。
付加抵抗体の配置及び大きさを決めるにあたり、まず、図48に示すように、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗値との関係をそれぞれ求める。本実施形態7でも、温度Tと抵抗値との関係が感圧抵抗体131と感温抵抗体133とで互いに異なるので、感圧抵抗体131に生じる第1電圧V1と感温抵抗体133に生じる第2電圧V2との差分電圧(V1−V2)に、温度Tの変化に伴うドリフトが現れる。そこで、感圧抵抗体131または感温抵抗体133に付加抵抗体を接続して、差分電圧(V1−V2)に現れるドリフトを抑制する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、中央温度T3(130℃)における感圧抵抗体131と感温抵抗体133の規格化抵抗値をそれぞれ求める。図49に示すように、本実施形態7では、中央温度T3における感圧抵抗体131の規格化抵抗値と感温抵抗体133の規格化抵抗値とが互いに異なり、感温抵抗体133の方が感圧抵抗体131よりも規格化抵抗値が小さい。このような場合には、感温抵抗体133の方に付加抵抗体(第2付加抵抗体827)を並列に接続して、中央温度T3における、感圧抵抗体131の規格化抵抗値と、感温抵抗体133及び第2付加抵抗体827の合成抵抗の規格化抵抗値とを揃える。本実施形態7では、第2付加抵抗体827の大きさを5.80kΩとしている。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、第1キャリブレーション温度T4と第2キャリブレーション温度T5との間の抵抗変化率を、感圧抵抗体131と、感温抵抗体133及び第2付加抵抗体827の合成抵抗についてそれぞれ求める。
まず、上記実施形態1等と同様に、図51に示すように、第1合成抵抗131及び第2合成抵抗812についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗変化量との関係をそれぞれ求める。本実施形態7でも、温度Tと抵抗変化量との関係が、第1合成抵抗131と第2合成抵抗812とで互いに異なるので、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、基準温度T6において、第1合成抵抗131に生じる第3基準電圧V3oと、第2合成抵抗812に生じる第4基準電圧V4oとが等しくなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。本実施形態7では、基準温度T6=130℃とし、V3o=V4o=2Vとなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節している。第1定電流i1=0.92mA、第2定電流i2=1.01mAである。
次いで、第8の実施の形態について説明する。本実施形態8の筒内圧センサ付きグロープラグ108は、筒内圧Pp及びSi素子130(感圧抵抗体131)の温度Tの検出に係る検知回路900の構成が、上記実施形態1〜7の筒内圧センサ付きグロープラグ100,102,103,104,105,106,107の検知回路200,300,400,500,600,700,800と異なる。それ以外は、基本的に上記実施形態1等と同様であるので、上記実施形態1等と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。図53に、本実施形態8に係る検知回路900を示す。
一方、本実施形態8では、付加低抗体として、2つの第1付加抵抗体921,922を有する。一方の第1付加抵抗体921は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感圧抵抗体131に直列に接続されている。また、他方の第1付加抵抗体922は、Si素子130から離間して配線基板170上に配置され、感圧抵抗体131に並列に接続されている。これらの付加抵抗体921,922は、後述するように、感圧抵抗体131の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率と、感温抵抗体133の温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率との差を補償するものである。
一方、本実施形態8では、感温抵抗体133に接続する第2付加抵抗体が存在しないため、感温抵抗体133単体で本発明の「第2合成抵抗」にも相当し、また、感温抵抗体133の第2抵抗値r2が第2合成抵抗の「第4抵抗値r4」にも相当する。また、感温抵抗体133に生じる第2電圧V2が第2合成抵抗に生じる「第4電圧V4」にも相当する。
付加抵抗体の配置及び大きさを決めるにあたり、まず、図54に示すように、感圧抵抗体131及び感温抵抗体133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗値との関係をそれぞれ求める。本実施形態8でも、温度Tと抵抗値との関係が感圧抵抗体131と感温抵抗体133とで互いに異なるので、感圧抵抗体131に生じる第1電圧V1と感温抵抗体133に生じる第2電圧V2との差分電圧(V1−V2)に、温度Tの変化に伴うドリフトが現れる。そこで、感圧抵抗体131または感温抵抗体133に付加抵抗体を接続して、差分電圧(V1−V2)に現れるドリフトを抑制する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、中央温度T3(130℃)における感圧抵抗体131と感温抵抗体133の規格化抵抗値をそれぞれ求める。図55に示すように、本実施形態8では、中央温度T3における感圧抵抗体131の規格化抵抗値と感温抵抗体133の規格化抵抗値とが互いに異なり、感圧抵抗体131の方が感温抵抗体133よりも規格化抵抗値が小さい。このような場合には、感圧抵抗体131の方に付加抵抗体(第1付加抵抗体922)を並列に接続して、中央温度T3における、感圧抵抗体131及び第1付加手抗体922からなる合成抵抗の規格化抵抗値と、感温抵抗体133の規格化抵抗値とを揃える。本実施形態8では、第1付加抵抗体922の大きさを6.72kΩとしている。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、第1キャリブレーション温度T4と第2キャリブレーション温度T5との間の抵抗変化率を、感圧抵抗体131及び第1付加抵抗体922と、感温抵抗体133についてそれぞれ求める。
まず、上記実施形態1等と同様に、図57に示すように、第1合成抵抗911及び第2合成抵抗133についての、Si素子130(感圧抵抗体131)の温度Tと抵抗変化量との関係をそれぞれ求める。本実施形態8でも、温度Tと抵抗変化量との関係が、第1合成抵抗911と第2合成抵抗133とで互いに異なるので、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。
具体的には、上記実施形態1等と同様に、基準温度T6において、第1合成抵抗911に生じる第3基準電圧V3oと、第2合成抵抗133に生じる第4基準電圧V4oとが等しくなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節する。本実施形態8では、基準温度T6=130℃とし、V3o=V4o=2Vとなるように、第1定電流i1及び第2定電流i2の大きさを調節している。第1定電流i1=0.85mA、第2定電流i2=0.80mAである。
例えば、上記実施形態1〜8では、グロープラグに圧力検出機構120を内蔵した形態の圧力検出装置100等を例示したが、これに限らず、グロープラグとしての機能を有さずに、筒内圧Ppの検出を行う圧力検出装置を構成することもできる。
また、上記実施形態1〜8では、Si素子130の高温耐性を向上させるために、Si素子130をSOI基板としているが、筒内圧センサ付きグロープラグ100等を適宜変更することにより、Si素子130が高温環境下に晒されない構成とする場合には、Si素子130をSOI基板以外のSi素子としてもよい。
120 圧力検出機構
125 押圧部材
127 支持部材
130 Si素子
130a 第1主面
130b 第2主面
131,1131 感圧抵抗体
133,1133 感温抵抗体
135 電極パッド(第3電極パッド)
136 電極パッド(第1電極パッド)
137 電極パッド(第2電極パッド)
170 配線基板
200,300,400,500,600,700,800,900 検知回路
201 電流供給源
202 第1定電流源
203 第2定電流源
205 可変ゲイン増幅器
207 A/D変換器
209 ゲインコントローラ
321,521,621,721,921,922 第1付加抵抗体(付加抵抗体)
226,426,626,726,826,827 第2付加抵抗体(付加抵抗体)
131,311,511,611,711,911 第1合成抵抗
133,212,412,612,712,812 第2合成抵抗
r1 第1抵抗値
r2 第2抵抗値
r3 第3抵抗値
r4 第4抵抗値
i1 第1定電流
i2 第2定電流
T 温度
Pp 検出圧力(筒内圧)
Ps 素子圧力
Pso 予圧力
Fs 素子荷重
Fsp 検出荷重
Fso 予荷重
V1 第1電圧
V2 第2電圧
V3 第3電圧
V4 第4電圧
V3o 第3基準電圧
V4o 第4基準電圧
Spp 圧力信号(圧力電圧信号)
Stt 温度信号(温度電圧信号)
Claims (10)
- 検出対象である検出圧力Ppの変化に応じて、及び、自身の温度Tの変化に応じて、自身の第1抵抗値r1が変化する感圧抵抗体、並びに、
前記感圧抵抗体と抵抗温度特性が等しく、前記温度Tの変化に応じて自身の第2抵抗値r2が変化する感温抵抗体を、それぞれ1つずつ備え、
前記感圧抵抗体の前記温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率と、前記感温抵抗体の前記温度Tの変化に伴って生じる抵抗変化の抵抗変化率との差を補償する付加抵抗体として、前記感圧抵抗体に接続された一または複数の第1付加抵抗体、及び、前記感温抵抗体に接続された一または複数の第2付加抵抗体の少なくともいずれかを備え、
前記検出圧力Ppを検出するとき、
前記第1付加抵抗体を有する場合における前記感圧抵抗体及び前記第1付加抵抗体、または前記第1付加抵抗体を有しない場合における前記感圧抵抗体単体による第1合成抵抗の第3抵抗値r3と、
前記第2付加抵抗体を有する場合における前記感温抵抗体及び前記第2付加抵抗体、または前記第2付加抵抗体を有しない場合における前記感温抵抗体単体による第2合成抵抗の第4抵抗値r4とに基づいて、
前記検出圧力Ppに応じた圧力信号Sppを生成し出力する圧力信号生成出力手段を備え、
前記感圧抵抗体及び前記感温抵抗体は、第1主面及びこれに平行な第2主面を有する板状をなすSi素子の前記第1主面に形成されてなり、
前記第2主面に当接し、前記Si素子を支持する支持部材と、
前記第1主面に当接し、前記検出圧力Ppに応じた検出荷重Fspと予荷重Fsoとを合わせた素子荷重Fsにより前記第1主面を押圧し、前記支持部材との間で前記Si素子に前記素子荷重Fsを与える押圧部材と、を備え、
前記感圧抵抗体は、前記素子荷重Fsにより前記第1主面に掛かる素子圧力Psの変化に応じて前記第1抵抗値r1が変化し、
前記感温抵抗体は、主として前記温度Tの変化に応じて前記第2抵抗値r2が変化し、前記素子圧力Psの変化に応じて生じる前記第2抵抗値r2の変化量を、前記素子圧力Psの変化に応じて生じる前記第1抵抗値r1の変化量の10分の1以下にしてなり、
前記付加抵抗体は、前記Si素子から離間して配置されてなり、
前記圧力信号生成出力手段は、前記検出圧力Ppを検出するとき、前記第3抵抗値r3と前記第4抵抗値r4とに基づいて、前記素子圧力Psに応じた前記圧力信号Sppを生成し出力し、
前記感圧抵抗体及び前記感温抵抗体は、それぞれp型の半導体からなり、
これらの不純物濃度Cp(1/cm 3 )が、0.8×10 18 ≦Cp≦1.2×10 18 、または、0.8×10 20 ≦Cp≦1.2×10 20 とされてなる
圧力検出装置。 - 請求項1に記載の圧力検出装置であって、
前記感温抵抗体の前記第2抵抗値r2、または、前記第2合成抵抗の前記第4抵抗値r4に基づいて、前記温度Tに応じた温度信号Sttを生成し出力する温度信号生成出力手段を備える
圧力検出装置。 - 請求項1または2に記載の圧力検出装置であって、
前記第1合成抵抗に所定の第1定電流i1を流す第1定電流源と、
前記第2合成抵抗に所定の第2定電流i2を流す第2定電流源と、を有し、
前記第1定電流i1及び前記第2定電流i2を、
前記Si素子に前記検出荷重Fsp及び前記予荷重Fsoのうち前記予荷重Fsoのみを掛けたとき、前記第1合成抵抗に生じる第3基準電圧V3oと、前記第2合成抵抗に生じる第4基準電圧V4oとが等しくなる大きさとしてなる
圧力検出装置。 - 請求項3に記載の圧力検出装置であって、
前記圧力信号生成出力手段は、
前記検出圧力Ppを検出するとき、前記第1合成抵抗に生じる第3電圧V3と、前記第2合成抵抗に生じる第4電圧V4との差である差分電圧(V3−V4)を増幅して、前記圧力信号である圧力電圧信号Sppを出力する増幅手段と、
前記第4電圧V4、または、前記感温抵抗体に生じる第2電圧V2に基づいて、前記増幅手段の増幅率を調整して、前記温度Tの変化に起因する前記差分電圧(V3−V4)の偏移によって生じる前記圧力電圧信号Sppの偏移を減少させる増幅率調整手段と、を有する
圧力検出装置。 - 請求項4に記載の圧力検出装置であって、
前記感圧抵抗体の一端と前記感温抵抗体の一端とが接続され、
前記感圧抵抗体の他端が前記第1定電流源に接続され、
前記感温抵抗体の他端が前記第2定電流源に接続されてなる
圧力検出装置。 - 請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の圧力検出装置であって、
前記Si素子の前記第1主面の面方位が、{110}面とされてなり、
前記感圧抵抗体は、
前記Si素子の<110>方向に延びる感圧部位を主とする形態とされ、かつ、
前記第1主面のうち、前記押圧部材が当接する当接部に配置されてなり、
前記感温抵抗体は、
前記Si素子の<100>方向に延びる感温部位を主とする形態とされ、かつ、
前記第1主面のうち、前記押圧部材が当接していない非当接部に配置されてなる
圧力検出装置。 - 請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の圧力検出装置であって、
前記感圧抵抗体及び前記感温抵抗体は、同一の拡散プロセスで同時に形成されてなる
圧力検出装置。 - 請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載の圧力検出装置であって、
前記Si素子は、
前記第1主面に形成され、前記感圧抵抗体の一端に接続する第1電極パッドと、
前記第1主面に形成され、前記感温抵抗体の一端に接続する第2電極パッドと、
前記第1主面に形成され、前記感圧抵抗体の他端及び前記感温抵抗体の他端に接続する共通の第3電極パッドと、を有する
圧力検出装置。 - 請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の圧力検出装置であって、
前記Si素子は、SOI基板である
圧力検出装置。 - 請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載の圧力検出装置であって、
内燃機関に取り付け可能に構成されてなり、
内燃機関の筒内圧を前記検出圧力Ppとして検出する形態に構成されてなる
圧力検出装置。
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