JPH07311100A - トランスデューサ回路 - Google Patents

トランスデューサ回路

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JPH07311100A
JPH07311100A JP7088349A JP8834995A JPH07311100A JP H07311100 A JPH07311100 A JP H07311100A JP 7088349 A JP7088349 A JP 7088349A JP 8834995 A JP8834995 A JP 8834995A JP H07311100 A JPH07311100 A JP H07311100A
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bridge
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sensing
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JP7088349A
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Michael F Mattes
エフ マッテス マイケル
Robert L Chao
エル チャオ ロバート
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SSI Technologies LLC
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • G01K7/20—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 刺激に応じて増幅された信号を発生するため
のトランスデューサを改善する。 【構成】 このトランスデューサは刺激を感知するため
の及びその刺激に機能的に関係する信号を発生するため
の構造を含んでいる。単一の増幅器を使用して、増幅器
回路が予め決められた利得により信号を増幅する。その
増幅器回路内の抵抗性素子が感知構造と同じ基板上に形
成されて、増幅器回路の予め決められた利得を規定す
る。このトランスデューサが感知構造上の零圧力に応答
して零の大きさを有する信号を発生し、且つレーザトリ
ミングを必要とする７個より少ない抵抗を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はトランスデューサに関す
るものであり、且つもっと詳細には、全ブリッジ感知構
造とその感知構造へ接続された増幅器回路とを有するト
ランスデューサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】トランスデューサ、特に、全ブリッジ
（「ホイートストンブリッジ」とも呼ばれる）感知構造
を組み込んだトランスデューサは、圧力、温度及びその
他のパラメータを測定するために自動車の及び工業的応
用を含んでいる種々の範囲において用いられている。例
えば自動車においては、圧力センサが、なかんずく、油
圧及びトランスミッション流体圧力を監視する。
【０００３】そのようなトランスデューサには、刺激に
応じて差動電圧出力を発生するための全ブリッジ感知構
造とその差動電圧出力を増幅するためのその感知装置へ
接続された増幅器回路とを含んでいることが知られてい
る。上記からの圧力センサ例を用いて、その感知構造が
システム内の圧力を感知して、その圧力に機能的に関係
する信号を発生する。その信号はそれから増幅されて、
トランスデューサの出力として与えられる。
【０００４】その回路内の抵抗のレーザトリミングの工
程によって、集積回路トランスデューサの出力を較正す
ることも、この技術では知られている。レーザトリミン
グはその回路内の抵抗の抵抗値を増大するために多結晶
珪素抵抗材料においてレーザカットをすること、及びそ
れにより正確な方法でその回路の特性を変更することに
より達成される。
【０００５】一つの既知の構造においては、感知構造と
増幅器回路とが不連続、すなわち別の集積回路要素とし
て与えられる。しかしながらこの構造は、感知ブリッジ
抵抗と増幅器バイアス抵抗との双方が完全なトランスデ
ューサ回路を形成するために回路を一緒に接続する前
に、レーザトリミングすなわち較正を必要とするので、
センサを製造する費用を実質的に増大する。更にその
上、一旦感知ブリッジと増幅器回路とが電気的に接続さ
れると、それら二つの回路が適切に整合されること及び
そのセンサが正しく機能していることを保証するため
に、試験及び付加的トリミングすなわち較正が要求され
る。
【０００６】上に確認された問題を解くための試みが、
モトローラ社の「MPX5050 」圧力センサを図解している
Motorola Semiconductor Technical Data Sheet に示さ
れたような完全に集積された圧力センサの発達に導い
た。しかしながら、その圧力センサ出力信号の精度を保
証するためには、増幅器回路が計装モードで接続された
複数の増幅器を必要とし、且つ高価なレーザトリミング
を要する少なくとも７個の集積された抵抗を含んでい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、刺激に機能
的に関係する電気的出力を発生するために全ブリッジ感
知構造を有する回路、その感知構造へ接続された増幅器
及びその増幅器の利得を設定するための複数のバイアス
抵抗を含んでいるトランスデューサを提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】全体の回路が、必ずでは
ないけれども、なるべく全体のトランスデューサ回路内
の抵抗のうちの２個だけがレーザトリミングすなわち較
正を必要とするように単一の基板上に形成されるほうが
よい。付加的に、この回路は３個だけの外部接続を必要
とする。すなわち、１個はシングルエンド電源へこの回
路を接続するためのものであり、１個は共通又は接地接
続へこの回路を接続するためのものであり、もう１個は
出力信号が与えられ且つ刺激に機能的に関係する出力信
号を受け取るための信号処理回路へ接続されるように適
合された出力接続である。
【０００９】このトランスデューサ回路の動作に必須で
はないけれども、バッファ増幅器が感知ブリッジ及び増
幅器と共にこの集積回路チップ上に形成されてもよい。
このバッファ増幅器は電圧フォロワーモードで接続され
た演算増幅器である。その全ブリッジの一方側の過度の
負荷を防止するように、このバッファ増幅器がその増幅
器回路へ供給される電圧を絶縁する。
【００１０】本発明の主要な利点は、同じ基板上に感知
構造及び増幅器回路を有するトランスデューサ回路の提
供である。
【００１１】シングルエンド電源のみを必要とする全ブ
リッジトランスデューサ用の回路を提供することが本発
明のもう一つの利点である。
【００１２】そのブリッジのいかなるアームも演算増幅
器へ反転入力端子により負荷されない、全ブリッジトラ
ンスデューサ用の回路を提供することが本発明のもう一
つの利点である。
【００１３】簡単で且つ安価に製造できるトランスデュ
ーサ回路を提供することが本発明のもう一つの利点であ
る。
【００１４】刺激に機能的に関係する正確な電子的信号
を発生するための単純な２個の増幅器回路設計を用いる
完全に集積されたトランスデューサ回路を提供すること
が本発明のもう一つの利点である。
【００１５】完全に集積された圧力センサ又は温度セン
サを提供することが本発明のもう一つの利点であり、そ
のセンサは最小限の量のレーザトリミング、すなわち較
正を必要とする。
【００１６】以下の詳細な説明、特許請求の範囲及び図
面の閲覧によって、本発明の特徴及び利点がこの技術に
熟達した人々に明らかになるであろう。
【００１７】
【実施例】本発明の一実施例が詳細に説明される前に、
本発明が以下の説明に述べられ又は図面に図解された構
造の詳細及び構成要素の配置に対する本発明の応用に制
限されないことは理解されねばならない。本発明は他の
態様が可能であり、また種々の方法で実施されあるいは
実行されることができる。また、ここに用いられる言葉
遣い及び学術用語は説明の目的のためのものであって、
制限するものとみなされるべきではないことは理解され
ねばならない。
【００１８】本発明を使用するトランスデューサは図１
において参照符号10により指示されている。このトラン
スデューサは４個の抵抗アーム14、16、18及び20を有す
る抵抗ブリッジ12を含んでいる。好適な実施例において
は、このブリッジがホイートストンブリッジから成って
おり且つ、本発明の回路が（例えば、温度センサのよう
な）他の種類の全ブリッジ感知構造を使用するトランス
デューサによって使用するために同様に応用できるけれ
ども、この図面に示されたトランスデューサは圧力セン
サである。そのような圧力センサは、ここに参考文献に
より組み込まれる米国特許明細書第4,744,863 号、第4,
853,669 号及び第4,996,082 号に示され且つ記載されて
いる。
【００１９】抵抗アーム14は接合点24と26とを相互接続
する圧電抵抗素子22を含んでいる。この圧電抵抗素子22
の抵抗値はその素子22に及ぼされる圧力の増加により線
形に増加する。
【００２０】第２の圧電抵抗素子28が抵抗アーム16に含
まれている。圧電抵抗素子28が接合点30と32とを相互接
続する。圧電抵抗素子22と同じく、圧電抵抗素子28の抵
抗値はブリッジ12に及ぼされる圧力の増加により線形に
増加する。
【００２１】第１定抵抗素子34が接合点26と32とを相互
接続する。接合点32は大地33へ接続されている。第２定
抵抗素子36が接合点24と30とを相互接続している。接合
点24は線38により電源電圧ＶCCへ接続されている。
【００２２】接合点26は線44により演算増幅器42の正
（非反転）入力端子40へも接続されている。演算増幅器
42の出力が接合点46へ供給される。線48が接合点46を演
算増幅器42上の負（反転）入力端子50と相互接続してい
る。接合点46は入力抵抗ＲINにより接合点52へも相互接
続されている。
【００２３】正（非反転）入力端子56と負（反転）入力
端子58とを有する第２演算増幅器54が設けられている。
正端子56は線60によりブリッジ12の接合点30へ接続され
ている。負端子58は線62により接合点52へ接続さてい
る。演算増幅器54の出力端子は線66により接合点64へ接
続されている。線68がトランスデューサ10の出力信号を
接合点64からあらゆる適当な信号監視回路まで輸送す
る。前述のように、今後差動増幅器と呼ばれる、演算増
幅器54が、接合点46での電圧と接合点30での電圧との間
の差を増幅するように差動モードで接続されている。
【００２４】フィードバック抵抗ＲF が接合点64と接合
点70とを相互接続している。接合点70と接合点52とは線
72によって接続されている。オフセット抵抗ＲOFFSETを
通して、接合点70が電源電圧ＶCCへも接続されている。
好適な実施例においては、オフセット抵抗ＲOFFSETはフ
ィードバック抵抗ＲF の抵抗値とほぼ等しい抵抗値を有
している。図２に示したように、抵抗ＲIN、ＲOFFSET及
びＲF は、集積回路チップの感知ブリッジ12及び演算増
幅器54と同じ基板上に多結晶珪素の薄膜により形成され
ている。この回路の単純性の故に、抵抗ＲOFFSET及びＲ
F のみがレーザトリミングによる較正を必要とする。
【００２５】動作においては、トランスデューサ回路10
を含む基板74が測定されるべき圧力のシステム内に置か
れる。零圧力においては、圧電抵抗素子22及び28が定抵
抗素子34及び36と同じ抵抗値を有している。ブリッジの
電圧分割動作の結果として、接合点26での電圧は電源電
圧ＶCCの半分と等しいはずである。同様に、圧電抵抗素
子28と定抵抗素子36とが零圧力では同じ抵抗値を有する
ので、接合点30での電圧は電源電圧ＶCCの半分と等し
い。
【００２６】演算増幅器42はバッファ増幅器として働く
ように電圧フォロワー形態で接続さている。バッファ増
幅器42が、接合点26の超過電流負荷を防止するように、
差動増幅器54から線44における電圧を絶縁している。接
合点46におけるバッファ増幅器42の出力電圧は、バッフ
ァ増幅器42の端子40における入力電圧と実質的に等し
い。
【００２７】差動増幅器54はブリッジ12の接合点26と接
合点30とにおける電圧の間の差に対応する増幅された信
号を生じるように設計されている。次の式が接合点64に
おける差動増幅器54の出力電圧を表現している。
【数１】
【００２８】ここで、 ＲOFFSET＝ＲOFFSETの抵抗値 ＲIN＝ＲINの抵抗値 ＲF ＝ＲF の抵抗値
【数２】 Ｖpbridge ＝ブリッジ12の接合点30における電圧 Ｖnbridge ＝接合点46における電圧 ＶCC＝電源電圧
【００２９】前に討論したように、零圧力では、接合点
46における電圧は電源電圧ＶCCの半分とほぼ等しい。同
様に、接合点30における電圧は電源電圧ＶCCの半分とほ
ぼ等しい。フィードバック抵抗ＲF の抵抗値はすべての
圧力においてオフセット抵抗ＲOFFSETの抵抗値と等し
い。フィードバック抵抗の抵抗値は所望の利得を掛けら
れた入力抵抗ＲINにも等しい。上記の式に代入すること
によって、零圧力において、回路が接合点64における零
電圧の出力信号を生じるように設計されることが決定さ
れる。それだけで、零圧力において、接合点64における
出力信号が初期化される。トランスデューサ回路10が温
度を測定するために用いられる場合には、感知構造が平
衡され且つ出力(OUT) が零電圧である基準温度が選択さ
れ得る。
【００３０】再びブリッジ12を参照して、圧力の増加が
圧電抵抗素子22及び28の抵抗値を増加させる。圧電抵抗
素子28の抵抗値が増大された場合には、接合点30におけ
る電圧も増大される。それに反して、圧電抵抗素子22の
抵抗値が増大されるので、接合点26における電圧は減少
するはずである。今度は、これが接合点46における電圧
を低下させる。接合点30における電圧を増大することに
より及び接合点46における電圧を低減することにより、
接合点64における差動増幅器54の出力電圧は線型に増加
することが上記の式から判る。差動増幅器54の最大出力
電圧は電源電圧ＶCCと等しいように設計されている。電
源電圧ＶCCは通常は直流５ボルトであって且つ、この回
路が正確に較正された場合には、トランスデューサが測
定するように設計されている最大圧力（又は他のパラメ
ータ）、例えば50〜3000psia (絶対ポンド／平方イン
チ、但し１ポンドは 0.454kgであり、１インチは2.54cm
である）においてこの回路は直流５ボルトを出力するは
ずである。
【００３１】いかにしてこのトランスデューサ回路が較
正されるかを説明するために、圧力センサが500psia ま
でを測定するように設計されており、且つそれが psia
当たり40μＶの代表感度を有すると仮定しよう。二つの
圧力がトランスデューサに加えられて、差動増幅器54の
結果としての出力が測定される。これらの測定が圧力曲
線に対する線型出力電圧を生じる。実際の切片（零圧力
における電圧出力）及び圧力曲線に対する電圧出力の実
際の傾斜が計算されて（この例の目的に対しては、実際
の傾斜がｍ＝0.008 であると計算されたと仮定しよ
う）、所望の又は理想の傾斜と比較され、それは 所望の傾斜＝ＶCC／psiamax＝5.0 ボルト／500 psia＝
0.01 である。利得乗数（ｋ）はこの時所望の傾斜を実際の傾
斜で割ることにより計算される。 ｋ＝（所望の傾斜）／（実際の傾斜）＝0.01／0.008＝
1.25 それ故に、ｋ＝1.25の係数により利得を増大することに
より、所望の最大出力応答が達成される。 利得＝ＲF ／ＲIN であるから、この利得はｋ＝1.25の係数により増大され
得る。これはフィードバック抵抗ＲF に対して所望の抵
抗値を達成するようにフィードバック抵抗ＲF をレーザ
トリミングすることにより達成される。
【００３２】この利得調節は差動増幅器54の出力に「零
オフセット」を加える（すなわち、零psiaにおいて、出
力電圧は零と等しくない）。これはフィードバック抵抗
ＲFの抵抗値を乗ずるのに用いられる同じ係数（ゲイン
乗数（ｋ））によりオフセット抵抗ＲOFFSETを増大する
ことにより除去される。
【００３３】利得を増大させる代わりに、利得を減少す
ることが必要であることが決められた場合には、入力抵
抗ＲINの抵抗値がフィードバック抵抗ＲF の抵抗値の代
わりに調節されても（増大されても）よい。入力抵抗Ｒ
INの調節は差動増幅器54の出力のなんらの零オフセット
にはならない。
【００３４】この回路が変化する温度を受ける環境で使
用される場合には、感知構造の差動出力の温度誘起変動
に対する補償の幾つかの方法が設けられねばならない。
多くの既知の温度補償回路が適当であるけれども、好適
な態様の方法及び装置が米国特許出願一貫番号第08/22
8,963号の一部継続出願である米国特許出願一貫番号第0
8/291,878号に示され且つ説明されており、その出願は
「Improved Method AndApparatus For Compensating Fo
r Temperature Pluctuations In The Input ToA Gain C
ircuit」と表題を付され、発明者はMichael Mattes及び
James Seefeldtの名義であり、1994年４月15日に出願さ
た米国特許出願一貫番号第08/228,511号の一部継続出願
である米国特許出願一貫番号第08/291,871号と同時に出
願されたものである。
【００３５】本発明の種々の特徴及び利点は特許請求の
範囲に述べられている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を用いているトランスデューサの電気的
な図式的図面である。
【図２】図１のトランスデューサの部分的な等角投影図
である。
【符号の説明】
10 トランスデューサ 12 抵抗ブリッジすなわち感知ブリッジ 14, 16, 18, 20 抵抗アーム 22 圧電抵抗素子 24, 26 接合点 28 第２の圧電抵抗素子 30, 32 接合点 33 大地 34 第１定抵抗素子 36 第２定抵抗素子 38 線 40 正（非反転）入力端子 42 演算増幅器すなちバッファ増幅器 44 線 46 接合点 48 線 50 負（反転）入力端子 52 接合点 54 第２の演算増幅器すなわち差動増幅器 56 正（非反転）入力端子 58 負（反転）入力端子 60, 62 線 64 接合点 66, 68 線 70 接合点 72 線 74 基板 OUT 出力 ＲF フィードバック抵抗 ＲIN 入力抵抗 ＲOFFSET オフセット抵抗 ＶCC 電源電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート エル チャオ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94089 サニーヴェイル タスマン ドラ イブ 415

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 刺激に応じて且つその刺激に機能的に関
    係する、増幅された信号を発生するトランスデューサ回
    路であって、該トランスデューサ回路は、 電源へ活動的に接続されるように適合された感知ブリッ
    ジであって、前記刺激に機能的に関係する差動電圧出力
    を与える感知ブリッジと、 前記感知ブリッジの差動電圧出力を増幅し且つ出力とし
    て増幅された信号を与えるための増幅器と、 トリミングを必要とする７個より少ない抵抗と、を具え
    ているトランスデューサ回路。
  2. 【請求項２】 全体のトランスデューサ回路が単一の基
    板上に形成されるように、前記増幅器、感知ブリッジ及
    び抵抗が単一の基板上に形成されている、請求項１記載
    のトランスデューサ回路。
  3. 【請求項３】 前記感知ブリッジが少なくとも２個の感
    知素子を含んでいる請求項１記載のトランスデューサ回
    路。
  4. 【請求項４】 前記感知素子が圧電抵抗であり、前記感
    知ブリッジの差動電圧出力が前記圧電抵抗上の圧力に機
    能的に関係するように、前記圧電抵抗の抵抗値が前記圧
    電抵抗へ印加される圧力に応じて変化する、請求項３記
    載のトランスデューサ回路。
  5. 【請求項５】 前記感知素子は集積された抵抗であり、
    前記感知ブリッジの差動電圧出力が前記抵抗の温度に機
    能的に関係するように、前記抵抗の抵抗値が前記抵抗の
    温度に関連して変化する、請求項３記載のトランスデュ
    ーサ回路。
  6. 【請求項６】 前記感知ブリッジの差動電圧出力を緩衝
    するように、前記感知ブリッジと前記増幅器とへ活動的
    に接続されたバッファ増幅器を更に具えている、請求項
    １記載のトランスデューサ回路。
  7. 【請求項７】 前記回路がレーザトリミングを必要とす
    るわずか２個の抵抗を含んでいる、請求項１記載のトラ
    ンスデューサ回路。
  8. 【請求項８】 前記増幅器の利得が入力抵抗、及びフィ
    ードバック抵抗により規定され、且つオフセット抵抗と
    フィードバック抵抗とが前記増幅器に対するフィードバ
    ック通路と活動的に関連している、請求項１記載のトラ
    ンスデューサ回路。
  9. 【請求項９】 オフセット抵抗の抵抗値がフィードバッ
    ク抵抗の抵抗値と実質的に等しい、請求項８記載のトラ
    ンスデューサ回路。
  10. 【請求項１０】 刺激に機能的に関係する増幅された信
    号を発生するトランスデューサ回路でって、該トランス
    デューサ回路は、 電源へ活動的に接続されるように適合され、且つ前記刺
    激に機能的に関係する感知ブリッジ出力を発生する感知
    ブリッジと、 前記感知ブリッジ出力を増幅し且つ出力として増幅され
    た信号を与えるための増幅器と、 前記増幅器をバイアスするために基板上に形成されたわ
    ずか３個の抵抗器と、を具えており、且つ該トランスデ
    ューサ回路内の７個より少ない抵抗がトリミングを必要
    とする、トランスデューサ回路。
  11. 【請求項１１】 全体のトランスデューサ回路が前記基
    板上にあるように、前記感知ブリッジ、増幅器、及び抵
    抗が前記基板上に形成される、請求項１０記載のトラン
    スデューサ回路。
  12. 【請求項１２】 前記感知ブリッジが少なくとも２個の
    感知素子を含んでいる、請求項１０記載のトランスデュ
    ーサ回路。
  13. 【請求項１３】 前記感知素子が圧電抵抗であり、前記
    感知ブリッジの差動電圧出力が前記圧電抵抗上の圧力に
    機能的に関係するように、前記圧電抵抗の抵抗値が前記
    圧電抵抗へ印加される圧力に応じて変化する、請求項１
    ２記載のトランスデューサ回路。
  14. 【請求項１４】 前記感知素子が集積された抵抗であっ
    て、前記感知ブリッジの差動電圧出力が前記抵抗の温度
    に機能的に関係するように、前記抵抗の抵抗値が前記抵
    抗の温度に関連して変化する、請求項１２記載のトラン
    スデューサ回路。
  15. 【請求項１５】 ２個の前記抵抗性素子の抵抗値が実質
    的に等しい、請求項１０記載のトランスデューサ回路。
  16. 【請求項１６】 前記回路がわずか２個のトリミングを
    必要とする抵抗を含んでいる、請求項１０記載のトラン
    スデューサ回路。
  17. 【請求項１７】 刺激に機能的に関係する大きさを有す
    る増幅された信号を発生するトランスデューサ回路であ
    って、該トランスデューサ回路が、 基板上に形成され且つ電源へ活動的に接続されるように
    適合された感知ブリッジであり、該感知ブリッジは前記
    刺激に機能的に関係する第１及び第２出力電圧を発生し
    且つ前記感知素子の抵抗値がそれぞれ第１及び第２出力
    電圧を変えるために前記刺激に応じて変わるような第１
    及び第２抵抗性感知素子を含んでいる感知ブリッジと、 前記基板上に形成されたわずか１個のバッファであっ
    て、該バッファは出力接合点を有し且つ入力として第１
    出力電圧を受け取るために前記感知ブリッジへ接続され
    ており且つ前記感知ブリッジの超過電流負荷を防止する
    ように出力接合点上にバッファ出力を発生するバッファ
    と、 増幅器が第１及び第２出力電圧の間の差を増幅し且つ前
    記刺激に機能的に関係する増幅された出力を与えるよう
    に、前記基板上に形成され且つバッファ出力接合点へ接
    続された第１入力端子と第２出力電圧を受け取るために
    前記感知ブリッジへ接続された第２入力端子を有するわ
    ずか１個の増幅器と、 全体のトランスデューサ回路が基板上にあり、且つそこ
    で各抵抗が前記増幅器の利得を規定するために予め決め
    られた抵抗値を有するように抵抗性素子が前記増幅器へ
    活動的に接続され、且つそこで該回路がわずか２個のト
    リミングを必要とする抵抗を含むように、基板上に形成
    された複数の抵抗性素子と、を含んでいるトランスデュ
    ーサ回路。
  18. 【請求項１８】 前記感知素子が圧電抵抗であり、前記
    感知ブリッジの差動電圧出力が前記圧電抵抗上の圧力に
    機能的に関係するよに、前記感知素子の抵抗値が前記圧
    電抵抗へ印加される圧力に応じて変化する、請求項１７
    記載のトランスデューサ回路。
  19. 【請求項１９】 前記感知素子が集積された抵抗であ
    り、前記感知ブリッジの差動電圧出力が前記抵抗の温度
    に機能的に関係するように、前記感知素子の抵抗値が前
    記抵抗の温度に関連して変化する、請求項１７記載のト
    ランスデューサ回路。
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