JP2934538B2 - トランスジューサ回路とその製造方法 - Google Patents
トランスジューサ回路とその製造方法Info
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- JP2934538B2 JP2934538B2 JP21154591A JP21154591A JP2934538B2 JP 2934538 B2 JP2934538 B2 JP 2934538B2 JP 21154591 A JP21154591 A JP 21154591A JP 21154591 A JP21154591 A JP 21154591A JP 2934538 B2 JP2934538 B2 JP 2934538B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、機械的な量等の測定
対象を電気信号に変換して取り出すトランスジューサ回
路とその製造方法に関する。
対象を電気信号に変換して取り出すトランスジューサ回
路とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来例えば、圧力センサに用いられてい
る回路は、特開昭61−77735号公報や、図4に開
示されているように、半導体のダイヤフラムからなるセ
ンサチップ1上に拡散抵抗をブリッジに組んで形成し、
圧力によりセンサチップ1が変形し、抵抗体の抵抗値が
変化することにより出力電圧が変わるセンサ2と、セン
サ2に接続されたセンサ電源3、複数の演算増幅器4、
スパン調整(増幅度調整)抵抗器5、およびオフセット
調整抵抗器6等から成る。
る回路は、特開昭61−77735号公報や、図4に開
示されているように、半導体のダイヤフラムからなるセ
ンサチップ1上に拡散抵抗をブリッジに組んで形成し、
圧力によりセンサチップ1が変形し、抵抗体の抵抗値が
変化することにより出力電圧が変わるセンサ2と、セン
サ2に接続されたセンサ電源3、複数の演算増幅器4、
スパン調整(増幅度調整)抵抗器5、およびオフセット
調整抵抗器6等から成る。
【0003】この回路の組み立て時の調整は、通常、オ
フセット電圧を、オフセット調整抵抗器6を動かして大
気圧の状態で0Vに調整する。次に、スパン調整抵抗器
5を動かして、測定範囲に対応して所定のスパンに合わ
せる。このとき、スパン調整によりオフセット電圧が変
動するので、再び上記オフセット調整抵抗器6を調整
し、さらに、オフセット電圧調整によりスパン電圧が移
動するので、さらにスパン調整抵抗器5も動かして調整
行なっていた。そして、これを繰り返して徐々に所定の
位置に調整していた。そして、この抵抗値調整は、可変
抵抗器や抵抗体のファンクショントリミング等により行
なわれていた。
フセット電圧を、オフセット調整抵抗器6を動かして大
気圧の状態で0Vに調整する。次に、スパン調整抵抗器
5を動かして、測定範囲に対応して所定のスパンに合わ
せる。このとき、スパン調整によりオフセット電圧が変
動するので、再び上記オフセット調整抵抗器6を調整
し、さらに、オフセット電圧調整によりスパン電圧が移
動するので、さらにスパン調整抵抗器5も動かして調整
行なっていた。そして、これを繰り返して徐々に所定の
位置に調整していた。そして、この抵抗値調整は、可変
抵抗器や抵抗体のファンクショントリミング等により行
なわれていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、回路調整は上述のように0点即ちオフセット調整
と、増幅度調整であるスパン調整の2種類の調整が必要
であり、特に、精密な測定には、上述のような漸近法に
よる調整が不可欠であった。しかし、調整回数は無制限
に多くできるものではなく、上述のような調整では、高
精度な回路が得にくいという問題があった。さらに、可
変抵抗器の微調整は困難である。一方、ファンクション
トリミングによる場合は、逆戻りができないので、トリ
ミング量を小さくして行なわないと、不良品が多くな
り、トリミング量が小さいと調整回数が増えてしまうと
いう相反する問題もある。また、調整が微妙で複雑であ
ることから、調整工程の自動化が難しく、価格が高価に
なるという欠点もある。
合、回路調整は上述のように0点即ちオフセット調整
と、増幅度調整であるスパン調整の2種類の調整が必要
であり、特に、精密な測定には、上述のような漸近法に
よる調整が不可欠であった。しかし、調整回数は無制限
に多くできるものではなく、上述のような調整では、高
精度な回路が得にくいという問題があった。さらに、可
変抵抗器の微調整は困難である。一方、ファンクション
トリミングによる場合は、逆戻りができないので、トリ
ミング量を小さくして行なわないと、不良品が多くな
り、トリミング量が小さいと調整回数が増えてしまうと
いう相反する問題もある。また、調整が微妙で複雑であ
ることから、調整工程の自動化が難しく、価格が高価に
なるという欠点もある。
【0005】この発明は上記従来の技術の問題点に鑑み
て成されたもので、簡単な調整で正確な出力が得られ、
安価な回路構成でダイナミックレンジも大きくとること
ができるトランスジューサ回路とその製造方法を提供す
ることを目的とする。
て成されたもので、簡単な調整で正確な出力が得られ、
安価な回路構成でダイナミックレンジも大きくとること
ができるトランスジューサ回路とその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明は、抵抗値が被
測定対象の変化に対応して変動する抵抗体等のブリッジ
回路を有するセンサと、回路の出力のオフセット電位を
調整するオフセット調整抵抗器と、上記センサの出力を
増幅する複数の演算増幅器と、測定範囲に合わせてこの
演算増幅器の増幅度を調整するスパン調整抵抗器とを設
けたトランスジューサ回路において、上記センサの一対
の出力を上記演算増幅器の各非反転入力側に接続し、上
記オフセット調整抵抗器を一方の上記演算増幅器の反転
入力側に接続し、所定の基準状態で、センサの一対の出
力電圧値と、上記スパン調整抵抗器が反転入力端子に接
続された他方の上記演算増幅器の出力電圧値とが等し
く、且つ上記センサの一対の出力電圧値と上記オフセッ
ト調整抵抗器の電位がほぼ等しく、上記スパン調整抵抗
器が反転入力端子に接続された他方の演算増幅器の出力
電圧値と、上記オフセット調整抵抗器の電位もほぼ等し
くなるように上記オフセット調整抵抗器が調整されて成
るトランスジューサ回路である。
測定対象の変化に対応して変動する抵抗体等のブリッジ
回路を有するセンサと、回路の出力のオフセット電位を
調整するオフセット調整抵抗器と、上記センサの出力を
増幅する複数の演算増幅器と、測定範囲に合わせてこの
演算増幅器の増幅度を調整するスパン調整抵抗器とを設
けたトランスジューサ回路において、上記センサの一対
の出力を上記演算増幅器の各非反転入力側に接続し、上
記オフセット調整抵抗器を一方の上記演算増幅器の反転
入力側に接続し、所定の基準状態で、センサの一対の出
力電圧値と、上記スパン調整抵抗器が反転入力端子に接
続された他方の上記演算増幅器の出力電圧値とが等し
く、且つ上記センサの一対の出力電圧値と上記オフセッ
ト調整抵抗器の電位がほぼ等しく、上記スパン調整抵抗
器が反転入力端子に接続された他方の演算増幅器の出力
電圧値と、上記オフセット調整抵抗器の電位もほぼ等し
くなるように上記オフセット調整抵抗器が調整されて成
るトランスジューサ回路である。
【0007】またこの発明は、抵抗値が被測定対象の変
化に対応して変動する抵抗体等のブリッジ回路を有する
センサと、回路の出力のオフセット電位を調整するオフ
セット調整抵抗器と、上記センサの出力を増幅する複数
の演算増幅器と、測定範囲に合わせてこの演算増幅器の
増幅度を調整するスパン調整抵抗器とを設けたトランス
ジューサ回路の製造方法において、上記センサの一対の
出力を上記演算増幅器の各非反転入力側に接続し、上記
オフセット調整抵抗器を一方の上記演算増幅器の反転入
力側に接続し、上記オフセット調整抵抗器を調整して、
所定の基準状態で、センサの一対の出力電圧値と、上記
スパン調整抵抗器が反転入力端子に接続された他方の上
記演算増幅器の出力電圧値とが等しく、且つ上記センサ
の一対の出力電圧値と上記オフセット調整抵抗器の電位
がほぼ等しく、上記スパン調整抵抗器が反転入力端子に
接続された他方の演算増幅器の出力電圧値と、上記オフ
セット調整抵抗器の電位もほぼ等しくなるように設定し
た後、上記スパン調整抵抗器を調整して所定の増幅度に
設定するトランスジューサ回路の製造方法である。
化に対応して変動する抵抗体等のブリッジ回路を有する
センサと、回路の出力のオフセット電位を調整するオフ
セット調整抵抗器と、上記センサの出力を増幅する複数
の演算増幅器と、測定範囲に合わせてこの演算増幅器の
増幅度を調整するスパン調整抵抗器とを設けたトランス
ジューサ回路の製造方法において、上記センサの一対の
出力を上記演算増幅器の各非反転入力側に接続し、上記
オフセット調整抵抗器を一方の上記演算増幅器の反転入
力側に接続し、上記オフセット調整抵抗器を調整して、
所定の基準状態で、センサの一対の出力電圧値と、上記
スパン調整抵抗器が反転入力端子に接続された他方の上
記演算増幅器の出力電圧値とが等しく、且つ上記センサ
の一対の出力電圧値と上記オフセット調整抵抗器の電位
がほぼ等しく、上記スパン調整抵抗器が反転入力端子に
接続された他方の演算増幅器の出力電圧値と、上記オフ
セット調整抵抗器の電位もほぼ等しくなるように設定し
た後、上記スパン調整抵抗器を調整して所定の増幅度に
設定するトランスジューサ回路の製造方法である。
【0008】
【作用】この発明のトランスジューサ回路は、センサの
出力電圧とこの回路の増幅器の出力電圧とを所定の状態
でほぼ等しく調整してあるので、スパン調整を行なって
もオフセット電位が変動しないものである。
出力電圧とこの回路の増幅器の出力電圧とを所定の状態
でほぼ等しく調整してあるので、スパン調整を行なって
もオフセット電位が変動しないものである。
【0009】
【実施例】以下この発明の実施例について図面に基づい
て説明する。図1、図2、図3はこの発明の第一実施例
を示すもので、この実施例のトランスジューサ回路は、
圧力センサ用回路であり、図1に示すように、センサ電
源10にセンサチップ12が直列に接続されている。こ
のセンサチップ12は、半導体チップ表面にブリッジ状
に、圧力により抵抗値が変わる抵抗体13,14,1
5,16が形成されたものである。このセンサチップ1
2の出力端17、18は、各々演算増幅器20、22の
非反転入力端子に接続している。
て説明する。図1、図2、図3はこの発明の第一実施例
を示すもので、この実施例のトランスジューサ回路は、
圧力センサ用回路であり、図1に示すように、センサ電
源10にセンサチップ12が直列に接続されている。こ
のセンサチップ12は、半導体チップ表面にブリッジ状
に、圧力により抵抗値が変わる抵抗体13,14,1
5,16が形成されたものである。このセンサチップ1
2の出力端17、18は、各々演算増幅器20、22の
非反転入力端子に接続している。
【0010】この回路には、外部回路に接続される、電
源端子24、出力端子26、および接地端子28が形成
されており、電源端子24に、抵抗器30、可変抵抗器
32、および抵抗器34が直列に接続され、抵抗器34
が接地端子28に接続している。この可変抵抗器32の
摺動子が抵抗器36を介して演算増幅器20の反転入力
端子に接続されている。また、演算増幅器20には、抵
抗器38が接続され、その出力は、直列に接続された可
変抵抗器40、感温抵抗器45を介して、出力端子26
に接続されている。そして、可変抵抗器40と感温抵抗
器45との交点が演算増幅器22の反転入力端子に接続
され、演算増幅器22の出力は感温抵抗器45とともに
出力端子26に接続している。演算増幅器20,22
は、ともに非反転増幅回路を構成している。
源端子24、出力端子26、および接地端子28が形成
されており、電源端子24に、抵抗器30、可変抵抗器
32、および抵抗器34が直列に接続され、抵抗器34
が接地端子28に接続している。この可変抵抗器32の
摺動子が抵抗器36を介して演算増幅器20の反転入力
端子に接続されている。また、演算増幅器20には、抵
抗器38が接続され、その出力は、直列に接続された可
変抵抗器40、感温抵抗器45を介して、出力端子26
に接続されている。そして、可変抵抗器40と感温抵抗
器45との交点が演算増幅器22の反転入力端子に接続
され、演算増幅器22の出力は感温抵抗器45とともに
出力端子26に接続している。演算増幅器20,22
は、ともに非反転増幅回路を構成している。
【0011】この実施例のセンサチップ12について、
図2に基づいて詳述する。この実施例のセンサチップ1
2は、半導体のチップの表面に拡散抵抗体13,14,
15,16を形成したもので、この半導体表面に圧力が
掛かり、各抵抗体が変形し抵抗値が変動するように設け
られたものである。各抵抗体13,14,15,16は
抵抗値がほぼ等しく形成されているが、僅かの誤差が残
るため、出力端17,18の出力が基準状態で等しくな
るように、調整用抵抗器41,42,43,44が上記
各抵抗体と同一工程で設けられている。この抵抗体41
〜44の抵抗値は、上記抵抗体13等より、約2〜3桁
小さく形成されている。この抵抗体41〜44は、定電
流源10とセンサチップ12とを接続する際に、出力端
17,18の電位が所定の基準状態、例えば無負荷の状
態で等しくなるように、抵抗体41〜44のいずれかの
端子を選択してワイヤボンディグにより結線される。
図2に基づいて詳述する。この実施例のセンサチップ1
2は、半導体のチップの表面に拡散抵抗体13,14,
15,16を形成したもので、この半導体表面に圧力が
掛かり、各抵抗体が変形し抵抗値が変動するように設け
られたものである。各抵抗体13,14,15,16は
抵抗値がほぼ等しく形成されているが、僅かの誤差が残
るため、出力端17,18の出力が基準状態で等しくな
るように、調整用抵抗器41,42,43,44が上記
各抵抗体と同一工程で設けられている。この抵抗体41
〜44の抵抗値は、上記抵抗体13等より、約2〜3桁
小さく形成されている。この抵抗体41〜44は、定電
流源10とセンサチップ12とを接続する際に、出力端
17,18の電位が所定の基準状態、例えば無負荷の状
態で等しくなるように、抵抗体41〜44のいずれかの
端子を選択してワイヤボンディグにより結線される。
【0012】ブリッジに組まれた抵抗体16には、抵抗
器46が並列に接続されている。抵抗器46は、抵抗体
16と比べて2桁前後抵抗値が大きなもので、その温度
係数は、100PPm/度であり、抵抗体16等の温度
係数が数千PPm/度であることと比べて小さいもので
ある。また、抵抗体16および抵抗器46と直列で端子
28側に、抵抗器48が接続されている。抵抗器48
は、抵抗体16より抵抗値が2桁程度小さく、温度係数
は抵抗器46と同様の抵抗器である。この抵抗器46、
48は、調整用抵抗器であり、センサチップ12の抵抗
体13〜16のずれかに設けるものである。
器46が並列に接続されている。抵抗器46は、抵抗体
16と比べて2桁前後抵抗値が大きなもので、その温度
係数は、100PPm/度であり、抵抗体16等の温度
係数が数千PPm/度であることと比べて小さいもので
ある。また、抵抗体16および抵抗器46と直列で端子
28側に、抵抗器48が接続されている。抵抗器48
は、抵抗体16より抵抗値が2桁程度小さく、温度係数
は抵抗器46と同様の抵抗器である。この抵抗器46、
48は、調整用抵抗器であり、センサチップ12の抵抗
体13〜16のずれかに設けるものである。
【0013】次にこの実施例のトランスジューサ回路の
動作作用について説明する。このセンサチップ12は、
圧力を検出すると、抵抗体14、16の抵抗値が増加
し、抵抗体13、15の抵抗値が減少することにより、
出力端17の電圧V2が減少し、出力端18の電圧V1
が上昇するので、ブリッジ出力電圧V0は両方の変動差
分だけ上昇し、V0=V1−V2と表わされる。ここで
は、無負荷の状態で、V0=0となる状態を基準状態と
する。
動作作用について説明する。このセンサチップ12は、
圧力を検出すると、抵抗体14、16の抵抗値が増加
し、抵抗体13、15の抵抗値が減少することにより、
出力端17の電圧V2が減少し、出力端18の電圧V1
が上昇するので、ブリッジ出力電圧V0は両方の変動差
分だけ上昇し、V0=V1−V2と表わされる。ここで
は、無負荷の状態で、V0=0となる状態を基準状態と
する。
【0014】また、演算増幅器20の反転入力端子に接
続している可変抵抗器32の抵抗値をVR1、また可変
抵抗器32の摺動子と抵抗器34との間の抵抗値をVR
1L、抵抗器30、34の抵抗値を各々R1,R2とす
ると、演算増幅器20の反転入力側に掛かる電圧の基準
となる、可変抵抗器32の摺動子の電位V3は、 V3=(R2+VR1L)/(R1+R2+VR1)Vcc ・・・(1) で表わされる。そして、V1−V2=0の基準状態のと
き、 V1=V2 ・・・(2) であり、このとき上記V3がV1,V2とほぼ等しくな
るように可変抵抗器32を調整してオフセット調整を行
なう。従って、抵抗器30、可変抵抗器32、抵抗器3
4のそれぞれの抵抗値R1,VR1,R2は、上記の条
件を満足するように設定しなければならない。また、V
1−V3=ΔV1、V2−V3=ΔV2とし、抵抗器3
6、38の抵抗値をR3,R4とすると、演算増幅器2
0の出力電圧をV4とすると、 V4−V3=(1+R4/R3)ΔV2 ・・・(3) となる。ここでは、R3をR4よりかなり大きく設定
し、演算増幅器20よりなる非反転増幅回路の電圧増幅
度を1とすることにより、センサチップ12や可変抵抗
器32のインピーダンス変動による影響を除外するよう
している。
続している可変抵抗器32の抵抗値をVR1、また可変
抵抗器32の摺動子と抵抗器34との間の抵抗値をVR
1L、抵抗器30、34の抵抗値を各々R1,R2とす
ると、演算増幅器20の反転入力側に掛かる電圧の基準
となる、可変抵抗器32の摺動子の電位V3は、 V3=(R2+VR1L)/(R1+R2+VR1)Vcc ・・・(1) で表わされる。そして、V1−V2=0の基準状態のと
き、 V1=V2 ・・・(2) であり、このとき上記V3がV1,V2とほぼ等しくな
るように可変抵抗器32を調整してオフセット調整を行
なう。従って、抵抗器30、可変抵抗器32、抵抗器3
4のそれぞれの抵抗値R1,VR1,R2は、上記の条
件を満足するように設定しなければならない。また、V
1−V3=ΔV1、V2−V3=ΔV2とし、抵抗器3
6、38の抵抗値をR3,R4とすると、演算増幅器2
0の出力電圧をV4とすると、 V4−V3=(1+R4/R3)ΔV2 ・・・(3) となる。ここでは、R3をR4よりかなり大きく設定
し、演算増幅器20よりなる非反転増幅回路の電圧増幅
度を1とすることにより、センサチップ12や可変抵抗
器32のインピーダンス変動による影響を除外するよう
している。
【0015】可変抵抗器40の抵抗値をVR2とし、感
温抵抗器45の抵抗値をRtとし、演算増幅器22の出
力電圧をV5とし、V5−V3=ΔV5とすると、 ΔV5=ΔV1−(Rt/VR2)・(R4/R3)ΔV2 +(ΔV1−ΔV2)Rt/VR2 ・・・(4) と表わされる。ここで、RtとR3をほぼ等しく設定
し、VR2の可調整範囲内の抵抗値とR4をほぼ等しく
設定すると、(4)式は、 ΔV5=(ΔV1−ΔV2)(1+Rt/VR2) =V0(1+Rt/VR2) ・・・(5) となる。従って、(1+Rt/VR2)が、センサ出力
を増幅する電圧増幅度である。また、通常、電圧増幅度
は30〜100位であるので、実質的には、Rt/VR
2が電圧増幅度となり、VR2の調整によりスパン調整
が成される。また、感温抵抗器45は、スパン電圧温度
補償のために設けられている。
温抵抗器45の抵抗値をRtとし、演算増幅器22の出
力電圧をV5とし、V5−V3=ΔV5とすると、 ΔV5=ΔV1−(Rt/VR2)・(R4/R3)ΔV2 +(ΔV1−ΔV2)Rt/VR2 ・・・(4) と表わされる。ここで、RtとR3をほぼ等しく設定
し、VR2の可調整範囲内の抵抗値とR4をほぼ等しく
設定すると、(4)式は、 ΔV5=(ΔV1−ΔV2)(1+Rt/VR2) =V0(1+Rt/VR2) ・・・(5) となる。従って、(1+Rt/VR2)が、センサ出力
を増幅する電圧増幅度である。また、通常、電圧増幅度
は30〜100位であるので、実質的には、Rt/VR
2が電圧増幅度となり、VR2の調整によりスパン調整
が成される。また、感温抵抗器45は、スパン電圧温度
補償のために設けられている。
【0016】そこで、この実施例の回路の基準状態にお
ける調整方法は、図3のフローチャートに示すように、
先ず、ほぼV0=V1−V2=0を満たすように、抵抗
体41〜44の端子を選択し、定電流源10の出力側と
ワイヤボンディングする。この後、例えば80度Cの最
高補償温度、および−30度Cの最低補償温度の各状態
において、V1,V2及び、ブリッジの抵抗体13〜1
6の抵抗値を測定する。そして、抵抗器46,48の挿
入箇所および各抵抗値を計算し、正確にV1,V2が等
しくなるようにする。また、ことのき、抵抗器46,4
8は、上述のような温度係数であることから、センサチ
ップ12のオフセット電圧温度特性の補償計算も行な
う。そして、これらの計算によって選定された抵抗器4
6,48を、所定の箇所に取り付ける。
ける調整方法は、図3のフローチャートに示すように、
先ず、ほぼV0=V1−V2=0を満たすように、抵抗
体41〜44の端子を選択し、定電流源10の出力側と
ワイヤボンディングする。この後、例えば80度Cの最
高補償温度、および−30度Cの最低補償温度の各状態
において、V1,V2及び、ブリッジの抵抗体13〜1
6の抵抗値を測定する。そして、抵抗器46,48の挿
入箇所および各抵抗値を計算し、正確にV1,V2が等
しくなるようにする。また、ことのき、抵抗器46,4
8は、上述のような温度係数であることから、センサチ
ップ12のオフセット電圧温度特性の補償計算も行な
う。そして、これらの計算によって選定された抵抗器4
6,48を、所定の箇所に取り付ける。
【0017】V0=V1−V2=0に正確に設定した
後、V1,V2を測定し、可変抵抗器32を調整してオ
フセット調整を行ない、V3がV1,V2とほぼ等しく
なるように設定する。基準状態での実際のオフセット調
整は、V1=V2において、 V1=V2=V5 ・・・(6) となるよう出力端子26の電圧V5を、可変抵抗器32
を動かして設定することにより、V1,V2,V5がV
3とほぼ等しく設定されるものである。ここで、V5が
V3と一致せずにほぼ等しくなるのは、実際には、セン
サ12の出力端子間や、演算増幅器20、22の反転お
よび非反転入力端子間には、オフセット電圧が各々生
じ、調整誤差が現われるからである。また、このとき、
V3とV4もほぼ等しくなる。この後、VR2を動かし
てスパン調整を行ない、所望の増幅度に設定する。以上
のように、この実施例の回路では基準状態において、電
圧増幅度とオフセット電圧は互いに無関係であり、オフ
セット調整とスパン調整は各々独立に可能である。
後、V1,V2を測定し、可変抵抗器32を調整してオ
フセット調整を行ない、V3がV1,V2とほぼ等しく
なるように設定する。基準状態での実際のオフセット調
整は、V1=V2において、 V1=V2=V5 ・・・(6) となるよう出力端子26の電圧V5を、可変抵抗器32
を動かして設定することにより、V1,V2,V5がV
3とほぼ等しく設定されるものである。ここで、V5が
V3と一致せずにほぼ等しくなるのは、実際には、セン
サ12の出力端子間や、演算増幅器20、22の反転お
よび非反転入力端子間には、オフセット電圧が各々生
じ、調整誤差が現われるからである。また、このとき、
V3とV4もほぼ等しくなる。この後、VR2を動かし
てスパン調整を行ない、所望の増幅度に設定する。以上
のように、この実施例の回路では基準状態において、電
圧増幅度とオフセット電圧は互いに無関係であり、オフ
セット調整とスパン調整は各々独立に可能である。
【0018】この実施例の圧力センサ用回路によれば、
基準状態において、センサ出力V0を0に設定しほぼ上
記(6)式を満たすように回路のオフセット調整してい
るので、その後に可変抵抗器40を調整してスパン調整
を行なっても、オフセット電圧の変動はなく、正確な回
路調整が可能である。
基準状態において、センサ出力V0を0に設定しほぼ上
記(6)式を満たすように回路のオフセット調整してい
るので、その後に可変抵抗器40を調整してスパン調整
を行なっても、オフセット電圧の変動はなく、正確な回
路調整が可能である。
【0019】次にこの発明の第二実施例について図4、
図5を基にして説明する。ここで、上記第一実施例と同
様の部材は同一符号を付して説明を省略する。この実施
例は、磁気センサ用回路であり、センサチップ50は、
図5に示すような磁気抵抗素子51,52,53,54
が、各々向きを変えてガラス又はセラミックス基板上に
形成されたものであり、可変抵抗器56がブリッジと定
電流源10との間に設けられている。
図5を基にして説明する。ここで、上記第一実施例と同
様の部材は同一符号を付して説明を省略する。この実施
例は、磁気センサ用回路であり、センサチップ50は、
図5に示すような磁気抵抗素子51,52,53,54
が、各々向きを変えてガラス又はセラミックス基板上に
形成されたものであり、可変抵抗器56がブリッジと定
電流源10との間に設けられている。
【0020】磁気抵抗素子51〜54には、基板状にア
ルミ薄膜電極58,60が形成され、その間にジグザグ
状にパーマロイ等の磁性薄膜62が形成されている。こ
の磁性薄膜62の一端部には幅広部64が設けられてお
り、この幅広部64には、後述するように、その一部が
レーザトリミングされて、切除部66が形成される。
ルミ薄膜電極58,60が形成され、その間にジグザグ
状にパーマロイ等の磁性薄膜62が形成されている。こ
の磁性薄膜62の一端部には幅広部64が設けられてお
り、この幅広部64には、後述するように、その一部が
レーザトリミングされて、切除部66が形成される。
【0021】この実施例の磁気センサ用回路も、磁気が
0の基準状態で、センサチップ50のブリッジ出力電圧
V0=V1−V2=0となるように、可変抵抗器56が
調整され、その後磁気抵抗素子51〜54の抵抗値が測
定され、レーザトリミングにより、一つの磁気抵抗素子
に切除部66を形成して抵抗値を増加させ、ほぼ正確に
V1=V2となるように調整する。このとき、必要によ
り、相隣る他の辺の磁気抵抗素子をさらにレーザトリミ
ングする。この後、上記第一実施例と同様に、V1,V
2、および各磁気抵抗素子の測定を所定の条件で行な
う。そして、抵抗器46,48の選定を行なって所定の
値の抵抗器46,48が取り付けられ、正確にV0=V
1−V2=0となるように調整される。この後、上記実
施例と同様の調整を行なう。
0の基準状態で、センサチップ50のブリッジ出力電圧
V0=V1−V2=0となるように、可変抵抗器56が
調整され、その後磁気抵抗素子51〜54の抵抗値が測
定され、レーザトリミングにより、一つの磁気抵抗素子
に切除部66を形成して抵抗値を増加させ、ほぼ正確に
V1=V2となるように調整する。このとき、必要によ
り、相隣る他の辺の磁気抵抗素子をさらにレーザトリミ
ングする。この後、上記第一実施例と同様に、V1,V
2、および各磁気抵抗素子の測定を所定の条件で行な
う。そして、抵抗器46,48の選定を行なって所定の
値の抵抗器46,48が取り付けられ、正確にV0=V
1−V2=0となるように調整される。この後、上記実
施例と同様の調整を行なう。
【0022】この実施例においても、上記第一実施例と
同様に、基準状態において、センサチップ50のブリッ
ジ出力電圧V0を0に設定し、上記(6)式を満たすよ
うに回路のオフセット調整しているので、その後にスパ
ン調整を行なっても、オフセット電圧の変動はなく、正
確な回路調整が可能である。
同様に、基準状態において、センサチップ50のブリッ
ジ出力電圧V0を0に設定し、上記(6)式を満たすよ
うに回路のオフセット調整しているので、その後にスパ
ン調整を行なっても、オフセット電圧の変動はなく、正
確な回路調整が可能である。
【0023】なお、この発明は上記実施例に限定され
ず、各種の抵抗値調整は、印刷抵抗体や拡散抵抗体を用
いてレーザによるファンクショントリミングを行なって
も良い。また、ブリッジの構成は、二辺がセンサで他の
二辺が抵抗素子でも良く、抵抗体とセンサのハーフブリ
ッジでも良い。また、この発明において、基準状態は、
0点だけでなく、所定の圧力や磁気等の強さの環境下に
おいて調整しても良く、単電源で演算増幅器を用いる場
合等には、任意の圧力測定範囲でダイナミックレンジを
できるだけ広く取るために、所定の中間圧力値等に基準
状態を設定し、上記(6)式を満たすようにオフセット
調整を行ない、この後スパン調整を行なっても良い。ま
た、センサ電源10は、感温抵抗器45の温度係数を、
次のように設けることにより、定電流電源であっても、
定電圧電源であってもよい。即ち、定電流電源の場合
は、センサチップ12の抵抗体温度特性と、その抵抗体
の圧力抵抗変化の温度特性との総和の温度特性を補償す
るように、感温抵抗器45の温度係数を設定する。ま
た、定電圧電源の場合は、センサチップ12の抵抗体の
圧力抵抗変化の温度特性のみを補償するように、感温抵
抗器45の温度係数を設定すればよい。
ず、各種の抵抗値調整は、印刷抵抗体や拡散抵抗体を用
いてレーザによるファンクショントリミングを行なって
も良い。また、ブリッジの構成は、二辺がセンサで他の
二辺が抵抗素子でも良く、抵抗体とセンサのハーフブリ
ッジでも良い。また、この発明において、基準状態は、
0点だけでなく、所定の圧力や磁気等の強さの環境下に
おいて調整しても良く、単電源で演算増幅器を用いる場
合等には、任意の圧力測定範囲でダイナミックレンジを
できるだけ広く取るために、所定の中間圧力値等に基準
状態を設定し、上記(6)式を満たすようにオフセット
調整を行ない、この後スパン調整を行なっても良い。ま
た、センサ電源10は、感温抵抗器45の温度係数を、
次のように設けることにより、定電流電源であっても、
定電圧電源であってもよい。即ち、定電流電源の場合
は、センサチップ12の抵抗体温度特性と、その抵抗体
の圧力抵抗変化の温度特性との総和の温度特性を補償す
るように、感温抵抗器45の温度係数を設定する。ま
た、定電圧電源の場合は、センサチップ12の抵抗体の
圧力抵抗変化の温度特性のみを補償するように、感温抵
抗器45の温度係数を設定すればよい。
【0024】
【発明の効果】この発明のトランスジューサ回路は、基
準状態において、センサの出力電圧値と増幅器の出力電
圧値とが等しくなるよう設定してオフセット調整してあ
るので、その後に、増幅度調整を行なっても、オフセッ
ト電圧の変動はなく、正確な回路調整が可能である。従
って、高精度なトランスジューサを安価に提供すること
ができる。また、単電源の演算増幅器等の安価な増幅器
でもダイナミックレンジを有効に使用することができ、
安価なトランスジューサ回路で広範囲の測定が可能であ
る。
準状態において、センサの出力電圧値と増幅器の出力電
圧値とが等しくなるよう設定してオフセット調整してあ
るので、その後に、増幅度調整を行なっても、オフセッ
ト電圧の変動はなく、正確な回路調整が可能である。従
って、高精度なトランスジューサを安価に提供すること
ができる。また、単電源の演算増幅器等の安価な増幅器
でもダイナミックレンジを有効に使用することができ、
安価なトランスジューサ回路で広範囲の測定が可能であ
る。
【0025】またこの発明のトランスジューサ回路の製
造方法は、基準状態において、センサの出力値と増幅器
の出力電圧値とがほぼ等しくなるようオフセット調整し
た後に、増幅度調整であるスパン調整を行なっているの
で、増幅度調整中にオフセット電圧の変動はなく、精度
の高いセンサ回路を製造することができる。また、調整
作業がサイクリックでないため、製造工程の自動化が可
能であり、製造工数およびコストを大きく削減すること
ができ、安価で高精度なトランスジューサ回路を提供す
ることがきる。
造方法は、基準状態において、センサの出力値と増幅器
の出力電圧値とがほぼ等しくなるようオフセット調整し
た後に、増幅度調整であるスパン調整を行なっているの
で、増幅度調整中にオフセット電圧の変動はなく、精度
の高いセンサ回路を製造することができる。また、調整
作業がサイクリックでないため、製造工程の自動化が可
能であり、製造工数およびコストを大きく削減すること
ができ、安価で高精度なトランスジューサ回路を提供す
ることがきる。
【図1】この発明の第一実施例の圧力センサ用回路の回
路図である。
路図である。
【図2】この実施例のセンサチップの回路図である。
【図3】この実施例の圧力センサ用回路の製造時の調整
工程を示すフローチャートである。
工程を示すフローチャートである。
【図4】この発明の第二実施例の圧力センサ用回路のセ
ンサチップの回路図である。
ンサチップの回路図である。
【図5】この実施例の磁気抵抗素子の平面図である。
【図6】従来の技術の圧力センサ用回路の回路図であ
る。
る。
10 センサ電源 12,50 センサチップ 20,22 演算増幅器 32,40 可変抵抗器
Claims (2)
- 【請求項1】 抵抗値が被測定対象の変化に対応して変
動しブリッジ回路を有するセンサと、回路の出力のオフ
セット電位を調整するオフセット調整抵抗器と、上記セ
ンサの出力を増幅する複数の演算増幅器と、測定範囲に
合わせてこの演算増幅器の増幅度を調整するスパン調整
抵抗器とを設けたトランスジューサ回路において、上記
センサの一対の出力を上記演算増幅器の各非反転入力側
に接続し、上記オフセット調整抵抗器を一方の上記演算
増幅器の反転入力側に接続し、所定の基準状態で、セン
サの一対の出力電圧値と、上記スパン調整抵抗器が反転
入力端子に接続された他方の上記演算増幅器の出力電圧
値とが等しく、且つ上記センサの一対の出力電圧値と上
記オフセット調整抵抗器の電位がほぼ等しく、上記スパ
ン調整抵抗器が反転入力端子に接続された他方の演算増
幅器の出力電圧値と、上記オフセット調整抵抗器の電位
もほぼ等しくなるように上記オフセット調整抵抗器が調
整されて成ることを特徴とするトランスジューサ回路。 - 【請求項2】 抵抗値が被測定対象の変化に対応して変
動しブリッジ回路を有するセンサと、回路の出力のオフ
セット電位を調整するオフセット調整抵抗器と、上記セ
ンサの出力を増幅する複数の演算増幅器と、測定範囲に
合わせてこの演算増幅器の増幅度を調整するスパン調整
抵抗器とを設けたトランスジューサ回路の製造方法にお
いて、上記センサの一対の出力を上記演算増幅器の各非
反転入力側に接続し、上記オフセット調整抵抗器を一方
の上記演算増幅器の反転入力側に接続し、上記オフセッ
ト調整抵抗器を調整して、所定の基準状態で、センサの
一対の出力電圧値と、上記スパン調整抵抗器が反転入力
端子に接続された他方の上記演算増幅器の出力電圧値と
が等しく、且つ上記センサの一対の出力電圧値と上記オ
フセット調整抵抗器の電位がほぼ等しく、上記スパン調
整抵抗器が反転入力端子に接続された他方の演算増幅器
の出力電圧値と、上記オフセット調整抵抗器の電位もほ
ぼ等しくなるように設定した後、上記スパン調整抵抗器
を調整して所定の増幅度に設定することを特徴とするト
ランスジューサ回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21154591A JP2934538B2 (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | トランスジューサ回路とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21154591A JP2934538B2 (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | トランスジューサ回路とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0534224A JPH0534224A (ja) | 1993-02-09 |
JP2934538B2 true JP2934538B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=16607603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21154591A Expired - Lifetime JP2934538B2 (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | トランスジューサ回路とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2934538B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4303161B2 (ja) | 2004-05-25 | 2009-07-29 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ及び磁気センサの製造方法 |
JP4276645B2 (ja) | 2005-08-05 | 2009-06-10 | 株式会社東海理化電機製作所 | センサ装置 |
JP2020178045A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 磁気抵抗素子およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-07-29 JP JP21154591A patent/JP2934538B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0534224A (ja) | 1993-02-09 |
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