JP4568982B2

JP4568982B2 - 物理量検出装置

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Publication number: JP4568982B2
Application number: JP2000308039A
Authority: JP
Inventors: 幸彦谷澤
Original assignee: Denso Corp
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Priority date: 2000-10-06
Filing date: 2000-10-06
Publication date: 2010-10-27
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、物理量に応じた抵抗変化を利用した物理量検出装置に関するもので、例えば印加される圧力の検出を行う圧力センサに用いて好適である。
【０００２】
【従来の技術】
従来のピエゾ抵抗効果を用いた半導体圧力センサ等の回路構成の例として、原理的に図６（ａ）若しくは（ｂ）に相当する歪ゲージの駆動回路を用いるものがある。例えば、特許２９７６４８７号公報に示される回路がこれに当たる。
【０００３】
半導体表面に形成された拡散抵抗のピエゾ抵抗効果は温度上昇と共に低下し、センサ感度の低下をもたらすが、抵抗値は上昇する。特に抵抗の上昇は歪ゲージを構成する拡散抵抗の不純物濃度に依存し、歪ゲージを定電流駆動すると、温度上昇と共に歪ゲージへの印加電圧が上昇するため、拡散抵抗の濃度によってはセンサ感度の低下を補償することが可能となる。これが図６に示す回路を利用している理由である。
【０００４】
ここで、図６に示す拡散抵抗Ｒａ〜Ｒｄが歪（応力）を感知していない場合、つまりセンサに対して物理量が印加されていない場合には、Ｒａ＝Ｒｂ＝Ｒｃ＝Ｒｄが理想である。このとき、センサ出力であるΔＶｏｕｔ＝０となる。
【０００５】
しかしながら、製造工程のバラツキによってＲａ≠Ｒｂ≠Ｒｃ≠Ｒｄとなり、ΔＶｏｕｔ≠０となる。これをオフセット電圧Ｖｏｆｆと呼ぶ。
【０００６】
オフセット電圧が生じている場合（ΔＶｏｕｔ＝Ｖｏｆｆ≠０の場合）において、歪ゲージに定電流が印加されると、オフセット電圧が大きければ大きい程、オフセット電圧の温度特性（以下、オフセット温度特性という）も増大する。従って、このオフセット温度特性を補償するために、別途補償用の回路を追加する必要がある。
【０００７】
さらに、センサ製造工程中で温度を大きく変化させてオフセット温度特性のデータを取り、そのときのデータに基づいてオフセット温度特性を調整する必要がある。
【０００８】
このオフセット温度補償回路の例として、特許２９７６４８７号公報に示される圧力センサの回路構成を図７に示し、この従来公報におけるオフセット温度補償について説明する。
【０００９】
この回路では、抵抗Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１がオフセット温度補償用の回路に相当する。
【００１０】
まず、オフセット温度補償用の回路の動作の説明の前に、回路全体の概略の動作を述べておく。
【００１１】
オペアンプＯＰ１は抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ５の電圧降下を等しくするように動作するため、抵抗Ｒ５の抵抗温度係数（ＴＣＲ）がほぼゼロの抵抗を用いるとゲージ抵抗Ｒａ〜Ｒｄで構成されたブリッジ回路には温度が変化してもほぼ定電流Ｉｏが流れる。
【００１２】
そして、ここではゲージ抵抗Ｒａ〜Ｒｄをボロンによる拡散抵抗で構成すると共に、ゲージ抵抗Ｒａ〜Ｒｄのｐ型不純物濃度を約１０²⁰ｃｍ^-3にすることで、感度の温度補償を行っている。この部分が感度温度補償回路に相当する。
【００１３】
オペアンプＯＰ２及び抵抗Ｒ６につながるオペアンプＯＰ３はボルテージ・フォロワとなっており、ブリッジ出力電圧を抵抗Ｒ６で電流値に変換している。この電流値はダーリントン接続されたトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２を介してオペアンプＯＰ４に入力され、オペアンプＯＰ４で増幅されている。オペアンプＯＰ４の入力につながる抵抗Ｒ８は回路出力における零点調整用抵抗である。
【００１４】
なお、ブリッジ回路のオフセット電圧はＴＣＲがほぼゼロのＣｒＳｉ薄膜抵抗等で形成した抵抗Ｒ１あるいは抵抗Ｒ２をレーザートリムすることでゼロにする。しかし、ＴＣＲが約１６００ｐｐｍ／℃のゲージ抵抗Ｒａ〜ＲｄとはＴＣＲが大きく異なるため、温度が変わるとオフセット電圧がずれるという現象が起きる。
【００１５】
以上のような回路を前提にオフセット温度補償回路に当たる抵抗Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１の働きを説明する。なお、これら各抵抗の抵抗値はＲ９＝Ｒ１０＜＜Ｒ１１にあらかじめ設定されている。これにより、抵抗Ｒ１１に流れる電流は温度変化があっても一定にできる。
【００１６】
まず、ブリッジ回路が定電流駆動されるため、ブリッジ回路はゲージ抵抗Ｒａ〜ＲｄのＴＣＲと同じ温度係数で印加電圧が上下することになる。よって電位Ｖ６は温度上昇に伴って低下する。これに対し、電位Ｖ６と電位Ｖｄ間の電位差は増加する。
【００１７】
よって抵抗Ｒ９をレーザートリミングして電位Ｖｆを相対的にＧＮＤ側に近づけると抵抗Ｒ１１に流れる電流は温度上昇とともに減少する。逆に抵抗Ｒ１０をレーザートリミングして電位Ｖｆを電位Ｖｄに近づけると抵抗Ｒ１１に流れる電流は温度上昇とともに増加する。すなわち、抵抗Ｒ９、Ｒ１０をトリミングすることにより、抵抗１１に流れる電流に温度特性を持たせ、この温度特性を利用してブリッジ出力の温度特性を補償するようにしている。このようにして、オフセット温度特性が補償される。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の調整では、個々の製品ごとに室温と高温でＶｏｕｔのデータを測定し、このデータに基づき、電位Ｖｆのねらい値を計算してレーザートリミングするという手順が必要となる。
【００１９】
本発明は上記点に鑑みて、個々の製品ごとに温度を変化させてオフセット温度特性のデータを測定し、このデータに基づいてオフセット温度特性補償を行うという工程を必要としないセンシング抵抗駆動回路（ブリッジ回路に相当）を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、共通電位（Ｖｃｃ）に接続される部位（ｃ）に一端が接続された第１のセンシング抵抗（Ｒａ）と、第１のセンシング抵抗の他端に接続され、第１の定電流を流す第１の定電流源（１１）と、共通電位が印加される部位に一端が接続された第２のセンシング抵抗（Ｒｂ）と、第２のセンシング抵抗の他端に接続され、第２の定電流を流す第２の定電流源（１２）とを備え、第１のセンシング抵抗と第１の定電流源との接続点（ａ）の電位と、第２のセンシング抵抗と第２の定電流源との接続点（ｂ）の電位との電位差に基づいて物理量検出を行っており、第１の制御素子（２１、２１’、３１、３１’）及び第２の制御素子（２２、２２’、３２、３２’）と、参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて第１、第２の制御素子の制御電圧を調整するオペアンプ（２３、３３）と、第１の制御素子に接続された第１の抵抗（Ｒ _E ）と、第２の制御素子に接続された第２の抵抗（Ｒ _E ’）とを備え、第１の制御素子と第１の抵抗及びオペアンプによって第１の定電流源が構成されており、第２の制御素子と第２の抵抗及びオペアンプによって第２の定電流源が構成されており、第１のセンシング抵抗と第１の抵抗との間には、第１の制御素子が配置され、第２のセンシング抵抗と第２の抵抗との間には、第２の制御素子が配置されており、第１のセンシング抵抗及び第２のセンシング抵抗は、同じ温度係数を有するように構成されており、第１の定電流源及び第２の定電流源は、それぞれが流す第１、第２の定電流が同じ温度係数を有するように構成されており、第１のセンシング抵抗及び第２のセンシング抵抗の温度係数と、第１の定電流及び第２の定電流の温度係数とが異なっており、第１、第２の抵抗のうち、いずれかがトリミング調整されていることを特徴としている。
【００２１】
このように、第１の定電流源における第１の定電流と第２の定電流源における第２の定電流とを調整し、上記電位差、つまりオフセット電圧（Ｖｏｆｆ）を調整することにより、オフセット電圧が調整でき、かつ第１、第２の定電流が同じ温度特性を有するため、オフセット電圧の温度特性補償も行うことができる。このため、個々の製品ごとに温度を変化させてオフセット温度特性のデータを測定し、このデータに基づいてオフセット温度特性補償を行うという工程をなくすことができる。
【００２２】
請求項２に記載の発明においては、第１のセンシング抵抗（Ｒａ）と第１の定電流を流す第１の定電流源（１１）とが直列接続された第１の回路と、第２のセンシング抵抗（Ｒｂ）と第２の定電流を流す第２の定電流源（１２）とが直列接続された第２の回路とを有し、第１の回路と第２の回路に共通電位を印加し、第１のセンシング抵抗と第１の定電流源との接続点（ａ）の電位と、第２のセンシング抵抗と第２の定電流源との接続点（ｂ）の電位との電位差に基づいて物理量検出を行っており、第１の制御素子（２１、２１’、３１、３１’）及び第２の制御素子（２２、２２’、３２、３２’）と、参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて第１、第２の制御素子の制御電圧を調整するオペアンプ（２３、３３）と、第１の制御素子に接続された第１の抵抗（Ｒ _E ）と、第２の制御素子に接続された第２の抵抗（Ｒ _E ’）とを備え、第１の制御素子と第１の抵抗及びオペアンプによって第１の定電流源が構成されており、第２の制御素子と第２の抵抗及びオペアンプによって第２の定電流源が構成されており、第１のセンシング抵抗と第１の抵抗との間には、第１の制御素子が配置され、第２のセンシング抵抗と第２の抵抗との間には、第２の制御素子が配置されており、第１のセンシング抵抗及び第２のセンシング抵抗は、同じ温度係数を有するように構成されており、第１の定電流源及び第２の定電流源は、温度変化しても第１、第２の定電流が一定となるように構成されており、第１のセンシング抵抗及び第２のセンシング抵抗の温度係数と、第１の定電流及び第２の定電流の温度係数とが異なっており、第１、第２の抵抗のうち、いずれかがトリミング調整されていることを特徴としている。
【００２３】
このような構成においても、請求項１と同様に、第１の定電流源における第１の定電流と第２の定電流源における第２の定電流とを調整することで、オフセット温度特性補償を行うことができる。これにより、請求項１と比べオフセット温度特性の誤差要因を減らせるという効果を得ることができる。また、前述のピエゾ抵抗効果を利用したセンサでは、感度温度補償も可能となる。
【００２５】
この場合、請求項３に示すように、第１、第２の抵抗を共に、第３の抵抗（Ｒ）に接続し、オペアンプ（２３）の入力端子に、第１、第２の抵抗と第３の抵抗との接続点の電位が入力されるように構成することができる。
【００２６】
このような構成においては、第１、第２の抵抗が共に接続された共通の第３の抵抗を用いているため、第１、第２の抵抗の抵抗値を微調整することで、第１、第２の定電流を調整することが可能となる。
【００２７】
また、請求項４に示すように、オペアンプ（３３）の入力端子に、第１の抵抗と第１の制御素子（３１）との接続点の電位が入力されるように構成することもできる。
【００２８】
また、請求項５に記載の発明においては、第１の定電流源を、第１のセンシング抵抗に直列接続された第１の制御素子（４１、４１’）と、第１の制御素子に直列接続された第１の抵抗（Ｒ_E）と、第１の参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて、第１の制御素子の制御電圧を調整する第１のオペアンプ（４３）とを有した構成とし、第２の定電流源を、第２のセンシング抵抗に直列接続された第２の制御素子（４２、４２’）と、第２の制御素子に直列接続された第２の抵抗（Ｒ_E’）と、第１の参照電圧とは異なる第２の参照電圧（Ｖｒｅｆ’）に基づいて、第２の制御素子の制御電圧を調整する第２のオペアンプ（４４）とを有した構成とし、第１のセンシング抵抗と第１の抵抗との間に第１の制御素子を配置し、第２のセンシング抵抗と第２の抵抗との間に第２の制御素子を配置し、第１のセンシング抵抗及び第２のセンシング抵抗を、同じ温度係数を有するように構成し、第１の定電流源及び第２の定電流源を、それぞれが流す第１、第２の定電流が同じ温度係数を有するように構成し、第１のセンシング抵抗及び第２のセンシング抵抗の温度係数と、第１の定電流及び第２の定電流の温度係数とを異ならせることを特徴としている。さらに、請求項６に記載の発明においては、第１の定電流源を、第１のセンシング抵抗に直列接続された第１の制御素子（４１、４１’）と、第１の制御素子に直列接続された第１の抵抗（Ｒ _E ）と、第１の参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて、第１の制御素子の制御電圧を調整する第１のオペアンプ（４３）とを有した構成とし、第２の定電流源を、第２のセンシング抵抗に直列接続された第２の制御素子（４２、４２’）と、第２の制御素子に直列接続された第２の抵抗（Ｒ _E ’）と、第１の参照電圧とは異なる第２の参照電圧（Ｖｒｅｆ’）に基づいて、第２の制御素子の制御電圧を調整する第２のオペアンプ（４４）とを有した構成とし、第１のセンシング抵抗と第１の抵抗との間に第１の制御素子を配置し、第２のセンシング抵抗と第２の抵抗との間に第２の制御素子を配置し、第１のセンシング抵抗及び第２のセンシング抵抗を、同じ温度係数を有するように構成し、第１の定電流源及び第２の定電流源を、温度変化しても第１、第２の定電流が一定となるように構成し、第１のセンシング抵抗及び第２のセンシング抵抗の温度係数と、第１の定電流及び第２の定電流の温度係数とを異ならせることを特徴としている。
【００２９】
このような構成においては、第１、第２の参照電圧を調整することによって、第１、第２の定電流を調整することが可能となる。そして、第１、第２の参照電圧を例えばＤ／Ａ変換器で出力するようにすれば、デジタル的にオフセット電圧を調整することが可能となる。
【００３０】
この場合、請求項７に示すように、第１のオペアンプの入力端子に、第１の制御素子と第１の抵抗との接続点の電位が入力されるように構成し、第２のオペアンプの入力端子に、第２の制御素子と第２の抵抗との接続点の電位が入力されるように構成することができる。
【００３１】
請求項８に記載の発明においては、共通電位に接続される部位（ｃ）に一端が接続された第１のセンシング抵抗（Ｒａ）と、第１のセンシング抵抗の他端に接続され、第１の定電流を流す第１の定電流源（１１）と、共通電位が印加される部位に一端が接続された第２のセンシング抵抗（Ｒｂ）と、第２のセンシング抵抗の他端に接続され、第２の定電流を流す第２の定電流源（１２）とを備え、第１のセンシング抵抗と第１の定電流源との接続点（ａ）の電位と、第２のセンシング抵抗と第２の定電流源との接続点（ｂ）の電位との電位差に基づいて物理量検出を行う物理量検出装置のオフセット電圧調整方法であって、第１の制御素子（２１、２１’、３１、３１’）及び第２の制御素子（２２、２２’、３２、３２’）と、参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて第１、第２の制御素子の制御電圧を調整するオペアンプ（２３、３３）と、第１の制御素子に接続された第１の抵抗（Ｒ _E ）と、第２の制御素子に接続された第２の抵抗（Ｒ _E ’）とを備え、第１の制御素子と第１の抵抗及びオペアンプによって第１の定電流源を構成すると共に、第２の制御素子と第２の抵抗及びオペアンプによって第２の定電流源を構成し、第１のセンシング抵抗と第１の抵抗との間に、第１の制御素子を配置し、第２のセンシング抵抗と第２の抵抗との間に、第２の制御素子を配置し、第１のセンシング抵抗及び第２のセンシング抵抗を同じ温度係数を有するように構成し、第１の定電流源及び第２の定電流源を、それぞれが流す第１、第２の定電流が同じ温度係数を有し、かつ第１、第２のセンシング抵抗と異なる温度係数を有するように構成し、センサが使用される温度範囲内のいずれかの温度下において、第１の定電流と第２の定電流を調整することにより、電位差を調整することを特徴としている。
【００３２】
このように、第１の定電流源における第１の定電流と第２の定電流源における第２の定電流とを調整し、上記電位差、つまりオフセット電圧（Ｖｏｆｆ）を調整することにより、オフセット温度特性補償を行うことができる。これにより、個々の製品ごとに温度を変化させてオフセット温度特性のデータを測定し、このデータに基づいてオフセット温度特性補償を行うという工程をなくすことができる。
【００３４】
また、請求項９に記載の発明においては、共通電位（Ｖｃｃ）に接続される部位（ｃ）に一端が接続された第１のセンシング抵抗（Ｒａ）と、第１のセンシング抵抗の他端に接続され、第１の定電流を流す第１の定電流源（１１）と、共通電位に接続される部位に一端が接続された第２のセンシング抵抗（Ｒｂ）と、第２のセンシング抵抗の他端に接続され、第２の定電流を流す第２の定電流源（１２）とを備え、第１のセンシング抵抗と第１の定電流源との接続点（ａ）の電位と、第２のセンシング抵抗と第２の定電流源との接続点（ｂ）の電位との電位差に基づいて物理量検出を行う物理量検出装置のオフセット電圧調整方法であって、第１の定電流源を、第１のセンシング抵抗に直列接続された第１の制御素子（４１、４１’）と、第１の制御素子に直列接続された第１の抵抗（Ｒ_E）と、第１の参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて、第１の制御素子の制御電圧を調整する第１のオペアンプ（４３）とを有した構成にすると共に、第２の定電流源を、第２のセンシング抵抗に直列接続された第２の制御素子素子（４２、４２’）と、第２の制御素子に直列接続された第２の抵抗（Ｒ_E’）と、第１の参照電圧とは異なる第２の参照電圧（Ｖｒｅｆ’）に基づいて、第２の制御素子の制御電圧を調整する第２のオペアンプ（４４）とを有した構成とし、第１のセンシング抵抗と第１の抵抗との間に第１の制御素子を配置し、第２のセンシング抵抗と第２の抵抗との間に第２の制御素子を配置し、第１のセンシング抵抗及び第２のセンシング抵抗を同じ温度係数を有するように構成し、第１の定電流源及び第２の定電流源を、それぞれが流す第１、第２の定電流が同じ温度係数を有し、かつ第１、第２のセンシング抵抗と異なる温度係数を有するように構成し、第１の参照電圧と第２の参照電圧を調整することにより、第１の参照電圧と第２の参照電圧を調整することにより、電位差を調整することができる。
【００３５】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００３６】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１（ａ）に、本発明の一実施形態を適用した半導体圧力センサの斜視図を示し、図１（ｂ）に、図１（ａ）の断面構成を示す。また、図２に、圧力センサの回路構成例を示す。以下、図１、図２に基づいて、半導体圧力センサの構成を説明する。
【００３７】
（１１０）面で構成されたシリコン基板１には、ＫＯＨ水溶液によるエッチングで薄肉化したダイアフラム１ａが形成されている。このダイアフラム１ａが形成された領域において、シリコン基板１の表層部には、拡散抵抗で構成された歪ゲージ（第１、第２の歪ゲージ）Ｒａ、Ｒｂが備えられている。この歪ゲージＲａ、Ｒｂの長手方向（電流が主に流れる方向）が＜１１０＞方向に向けられている。このシリコン基板１は、圧力導入孔２ａが形成された台座２に接着固定されている。
【００３８】
このような構成において、圧力導入孔２ａから加圧されると、ダイアフラム１ａが上に撓む。これにより、歪ゲージＲｂが形成されたダイアフラム１ａの表面中央部には引っ張り応力が発生し、歪ゲージＲａが形成されたダイアフラム１ａの端部には圧縮応力が発生する。このため、歪ゲージＲｂの抵抗値はピエゾ抵抗効果で増加し、歪ゲージＲａの抵抗値は減少する。
【００３９】
なお、台座２はシリコンに線膨張係数が近い部材が用いられ、他の構造部材からの熱応力を緩和する働きをさせている。
【００４０】
一方、図２に示すように、歪ゲージＲａの一端は電源電圧（共通電位）Ｖｃｃに接続される接点ｃに接続され、他端は定電流Ｉａが流れる定電流源（第１の定電流源）１１に接続される接続点ａに接続されている。また、歪ゲージＲｂの一端は電源電圧Ｖｃｃに接続される接続点ｃに接続され、他端は定電流Ｉｂが流れる定電流源１２に接続される接続点ｂに接続されている。定電流源１１に流れる定電流Ｉａ及び定電流源１２に流れる定電流Ｉｂは、圧力センサの温度が変化しても同じ電流の温度係数を有するか、定電流を保つようになっている。
【００４１】
このような回路構成において、接続点ａにおける電位と接続点ｂにおける電位の差がセンサ出力ΔＶｏｕｔとして出力される。
【００４２】
ここで、上記構成の圧力センサにおいてダイアフラム１ａに圧力がかからない時を想定すると、理想的には抵抗Ｒａ、Ｒｂについて、次式が成り立つ。
【００４３】
【数１】
Ｒａ＝Ｒｂ≡Ｒｘ
ただし、Ｒｘとは、抵抗Ｒａ、Ｒｂが理想的に形成されたときの抵抗値を示すものとする。
【００４４】
また、センサ出力ΔＶｏｕｔについては、次式が成り立つ。
【００４５】
【数２】
ΔＶｏｕｔ＝ＲｂＩｂ−ＲａＩａ
なお、これら定電流Ｉａ、Ｒｂについて次式が成り立つとすると、センサ出力ΔＶｏｕｔ＝０となる。
【００４６】
【数３】
Ｉａ＝Ｉｂ≡Ｉ
しかしながら、拡散抵抗で構成された歪ゲージＲａ、Ｒｂは、フォトリソグラフィ工程での線幅のバラツキ等により、理想的に形成されず、ばらついてしまう。この拡散抵抗で構成された歪ゲージＲａ、ＲｂのバラツキをＲａ＝Ｒ＋ΔＲａ、Ｒｂ＝Ｒ＋ΔＲｂで定義する。
【００４７】
そして、数２に基づいて歪ゲージＲａ、Ｒｂのバラツキによる零点出力、すなわちオフセット電圧Ｖｏｆｆを求めると、次式のように表される。
【００４８】
【数４】
Ｖｏｆｆ≡ΔＶｏｕｔ＝Ｒ（Ｉｂ−Ｉａ）＋ΔＲｂＩｂ−ΔＲａＩａ
この数４を温度Ｔで偏微分して、ΔＶｏｆｆの温度依存性を求めると、次式で表される。
【００４９】
【数５】
∂（Ｖｏｆｆ）／∂Ｔ＝Ｖｏｆｆ・｛ＴＣＲ＋（∂Ｉ／∂Ｔ）／Ｉ｝
ここで、ＴＣＲはゲージ抵抗Ｒａ、Ｒｂの抵抗温度係数であり、（∂Ｉ／∂Ｔ）／Ｉは電流の温度係数である。それぞれ下記のように定義される。
【００５０】
【数６】

【００５１】
【数７】

すなわち、ここではΔＲａ、ΔＲｂはＲと同じＴＣＲと見なしている。よって、数５、数７より、定電流Ｉａ、Ｉｂの温度係数が等しいかゼロであれば、オフセット電圧の温度依存性をなくす条件は、∂（Ｖｏｆｆ）／∂Ｔ＝０が成り立つＶｏｆｆ＝０であることがわかり、数４に示すＶｏｆｆ＝０が成り立てばよいことになる。
【００５２】
これは、圧力センサが使用される温度範囲（例えば−３０〜１２０℃）内のある温度、例えば室温で定電流Ｉａあるいは定電流Ｉｂを調整して、オフセット電圧Ｖｏｆｆ＝０にすれば、それだけで零点温度補償ができることを意味している。
【００５３】
従って、図２に示す回路構成において、定電流Ｉａ、Ｉｂの温度係数が等しいかゼロである前提のもと、定電流源１１における定電流Ｉａと定電流源１２における定電流Ｉｂとを調整し、オフセット電圧Ｖｏｆｆを零にすることにより、オフセット温度特性補償を行うことが可能となる。
【００５４】
このため、個々の製品ごとに温度を変化させてオフセット温度特性のデータを測定し、このデータに基づいてオフセット温度特性補償を行うという工程をなくすことができる。
【００５５】
さらに、従来回路（図６参照）に対する本実施形態（図２、後述する図１１参照）のその他の特徴についても述べておく。
【００５６】
図６において、圧力印加時にＲａ＝Ｒｄ＝Ｒ−ΔＲ、Ｒｂ＝Ｒｃ＝Ｒ＋ΔＲとし、電流Ｉをブリッジに流した時の印加電圧をＶとすると、出力は次式で表される。
【００５７】
【数８】
ΔＶｏｕｔ＝（ΔＲ／Ｒ）・Ｖ
これに対し、図２および図１１では、圧力を印加しないとき（圧力ｐ＝０）の各歪ゲージＲａ、Ｒｂへの印加電圧をＶ≡Ｖａ（０）＝Ｖｂ（０）とすると、出力は次式で表される。
【００５８】
【数９】
ΔＶｏｕｔ＝２・（ΔＲ／Ｒ）・Ｖ
すなわち、同一の印加電圧に対する感度が２倍になっており、ピエゾ抵抗効果の感度温度補償を定電流駆動で行う場合、本実施形態のほうが有利であるといえる。
【００５９】
次に、図３に、図２に示す圧力センサの回路構成を実現できる具体的構成を示す。
【００６０】
図３に示す回路構成においては、歪ゲージＲａとトリミング調整用の抵抗（第１の抵抗）Ｒ_Eとの間、及び歪ゲージＲｂとトリミング調整用の抵抗（第２の抵抗）Ｒ_E’との間のそれぞれに、特性が揃ったペア性の良い２個のトランジスタ（第１、第２のトランジスタ）２１、２２が制御素子として備えられていると共に、各トランジスタ２１、２２のベース電流が参照電圧Ｖｒｅｆに基づいて出力調整を行うオペアンプ２３によって調整されるようになっている。各トリミング調整用の抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’は共に、抵抗Ｒを介して接地されているが、これら抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’と抵抗Ｒとの接続点の電位がオペアンプ２３の反転入力端子に入力されるようになっている。このように、１個のオペアンプ２３と特性が揃ったペア性の良い２個のトランジスタ２１、２２、及び抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’によって図２に示す定電流源１１、１２を構成している。これら回路素子はシリコン基板１に形成されていても良いし、別の基板に形成してもよい。参照電圧Ｖｒｅｆが温度によって変化しない場合、抵抗Ｒ、Ｒ_E、Ｒ_E’は、その抵抗温度係数がほぼゼロのもの（例えば、ＣｒＳｉ等の薄膜抵抗）を用いることで、温度が変化しても定電流とすることができる。
【００６１】
なお、特性が揃ったペア性の良い２つのトランジスタとは、例えばトランジスタの飽和電流Ｉｓがほぼ等しく、また、コレクタ抵抗、エミッタ抵抗がほぼ等しいことが成り立つことを意味する。このようなトランジスタを作る手法としては、１つのチップ内で近接して、より好ましくは隣接させて形成し、さらには、同一パターンのものを同じ向きに配置することで達成することができる。
【００６２】
このような回路構成においては、抵抗Ｒ_EあるいはＲ_E’をレーザートリミングすることによって、トランジスタ２１のコレクタ電流に相当する定電流Ｉａ、あるいはトランジスタ２２のコレクタ電流に相当する定電流Ｉｂを調整することが可能である。また、定電流Ｉａ、Ｉｂとが等しい温度係数とする場合には、少なくとも抵抗Ｒ、Ｒ_E、Ｒ_E’の温度特性を等しいものとすれば良い。
【００６３】
このように、図３に示す回路構成を用いて、オフセット電圧を調整することができ、これにより上述したようなオフセット温度特性補償を行うことができる。
【００６４】
さらに、本図のような回路構成においては、共通の抵抗（第３の抵抗）Ｒを用いているため、各トリミング調整用の抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’の抵抗値の微調整で済ませることが可能となる。このため、容易にオフセット温度特性補償を行うことができる。
【００６５】
本実施形態においては、各定電流値Ｉは概略、Ｉ≒Ｖｒｅｆ／（２Ｒ）である。
【００６６】
なお、本実施形態により、主に歪ゲージのバラツキに起因するオフセット温度特性を補償することが可能となるが、製品全体でのオフセット温度特性は様々な要因で発生するため、それらの要因に関しては別途オフセット温度特性の補償を行う必要がある。
【００６７】
例えば、オフセット電圧およびオフセット温度特性は歪ゲージＲａ、Ｒｂが形成されているダイアフラム１ａ上での熱応力分布に影響され、台座の線膨張係数やダイアフラム形状、パッシベーション等に依存する。このとき、上記のΔＲａ、ΔＲｂ、ＲのＴＣＲが等しいという条件が成り立たず、誤差を生じる可能性があるため、これらの要因については別途補償を行う必要がある。例えば、熱応力分布の影響をキャンセルする手法として、特許第２８６４７００号公報に開示されているような８角形ダイヤフラムを適用することができる。
【００６８】
（第２実施形態）
第１実施形態においては、図２に示す圧力センサの回路構成の一例として、図３に示す回路を示したが、本実施形態のような回路構成としてもよい。
【００６９】
図４に、本実施形態における圧力センサの回路構成を示す。図４に示す回路構成においては、歪ゲージＲａと抵抗Ｒ_E（第１の抵抗）との間、及び歪ゲージＲｂと抵抗Ｒ_E’（第２の抵抗）との間のそれぞれに、特性が揃ったペア性の良い２個のトランジスタ（第１、第２のトランジスタ）３１、３２が制御素子として備えられていると共に、各トランジスタ３１、３２のベース電流が参照電圧Ｖｒｅｆに基づいて出力調整を行うオペアンプ３３によって調整されるようになっている。そして、各トリミング調整用の抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’とトランジスタ３１との接続点の電位がオペアンプ３３の反転入力端子に入力されるようになっている。
【００７０】
このように、本実施形態においても、１個のオペアンプ３３と特性が揃ったペア性の良い２個のトランジスタ３１、３２によって定電流源を構成している。
【００７１】
このような回路構成においても、抵抗Ｒ_EあるいはＲ_E’をレーザートリミングすることによって、トランジスタ３１のコレクタ電流に相当する定電流Ｉａ、あるいはトランジスタ３２のコレクタ電流に相当する定電流Ｉｂを調整することが可能であり、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７２】
ただし、本実施形態の場合、第１実施形態とは異なり共通の抵抗Ｒ（図３参照）を有していないため、トリミング調整用の抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’は第１実施形態に示した抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’よりも抵抗値が大きなものとなる。従って、本実施形態における抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’は、第１実施形態に示した抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’よりも大きなバラツキが発生し得る。なお、本実施形態では、各定電流値Ｉは概略、Ｉ≒Ｖｒｅｆ／Ｒ_E≒Ｖｒｅｆ／Ｒ_E’である。
【００７３】
このため、本実施形態においては、そのバラツキ分も抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’のトリミング調整によって打ち消す必要がある。このことから考えると、本実施形態に示す回路構成よりも第１実施形態で示した回路構成の方が好ましいといえる。
【００７４】
ここで、第１および第２実施形態でのＲ_E、Ｒ_E’の働きについて述べておく。
図４においては、Ｒ_Eはトランジスタ３１に流れる電流を電圧に変換する働きをしており、電流モニタ用ということもできるが、図３、図４のような回路構成の場合には、各トランジスタに流れる電流のバラツキを小さくする働きもする。
【００７５】
すなわち、回路構成としては特性の揃ったトランジスタのベース端子を共通電位とし、さらにそれぞれのエミッタにバラツキの小さい抵抗を接続して抵抗の他端を共通電位とする。
【００７６】
このとき、以下のような効果があることが知られている（「超ＬＳＩのためのアナログ集積回路設計技術（上）」グレイ／メイヤー共著培風館ｐ．２５４〜２５７参照）。
【００７７】
（抵抗による電圧降下）≫ｋＴ／ｑ≒２５．８ｍＶであれば、トランジスタに流れる電流のバラツキはトランジスタのαのバラツキと抵抗のバラツキとによってほぼ決定される。
【００７８】
これに対して、抵抗がない場合も含まれる以下の条件、（抵抗による電圧降下）≪ｋＴ／ｑ≒２５．８ｍＶであれば、トランジスタに流れる電流のバラツキはトランジスタのＩｓのバラツキによってほぼ決定される。通常の集積回路での典型的な数値例では素子のサイズにもよるが、αのバラツキはｎｐｎトランジスタで±０．１％、ｐｎｐトランジスタで±１％、抵抗のバラツキは±０．１〜±２％、Ｉｓのバラツキは±１〜１０％とされている。
【００７９】
このため、バラツキを抑えるためにサイズが大き目のｎｐｎトランジスタと抵抗とを用いると、電流のバラツキを±０．２％以下にもできる。これに対し、抵抗のない場合は±１％以下は難しい。
【００８０】
なお、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度（上記数値例では３００Ｋ≒約２７℃）、ｑは素電荷量、αは（コレクタ電流値／エミッタ電流値）というトランジスタの性能を示す比率、Ｉｓはトランジスタの飽和電流である。
【００８１】
よって、上記のような回路構成は２つの定電流の温度係数を揃えることに対して有利な構成となっている。
【００８２】
（第３実施形態）
上記各実施形態では、トリミング調整によって定電流Ｉａ、Ｉｂが形成されるようにしているが、本実施形態ではトリミング調整とは異なる方法で定電流Ｉａ、Ｉｂが形成されるようにする。
【００８３】
図５に、本実施形態における圧力センサの回路構成を示す。図５に示す回路構成においては、歪ゲージＲａと抵抗Ｒ_E（第１の抵抗）との間、及び歪ゲージＲｂと抵抗Ｒ_E’（第２の抵抗）との間のそれぞれに、２個のトランジスタ（第１、第２のトランジスタ）４１、４２が制御素子として備えられている。なお、これらのトランジスタ４１、４２は特性が揃っていなくても良い。ただし、抵抗Ｒ_E、Ｒ_E’の温度特性が等しいものを用いる。
【００８４】
また、参照電圧（第１の参照電圧）Ｖｒｅｆに基づいてトランジスタ４１のベース電流を調整するオペアンプ（第１のオペアンプ）４３と、参照電圧（第２の参照電圧）Ｖｒｅｆ’に基づいてトランジスタ４２のベース電流を調整するオペアンプ（第２のオペアンプ）４４とが備えられている。
【００８５】
このような構成においては、２個のオペアンプ４３、４４の各参照電圧Ｖｒｅｆ、Ｖｒｅｆ’を調整することでオフセット電圧Ｖｏｆｆの零点調整を行うことができ、これによってオフセット温度特性を調整することができる。この場合、参照電圧Ｖｒｅｆ、Ｖｒｅｆ’をＤ／Ａコンバータ出力で実現できるため、オフセット温度特性をデジタル的に調整することができる。これにより、レーザトリミングを行わなくても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
なお、本実施形態の構成ではオペアンプ４３、４４のオフセット電圧差およびこれに伴うオフセット温度特性がブリッジ出力に現れるのでオフセット電圧差が十分小さいものを使う必要がある。
【００８７】
また、上記第１〜第３実施形態では、制御素子としてトランジスタを単独で用いており、ベース電流が誤差となるので、トランジスタはスーパーβ（電流増幅率）のものを用いることが望ましい。
【００８８】
（他の実施形態）
上記第１〜第３実施形態で示した図３〜図５においては、制御素子としてトランジスタを単独で用いたが、図８〜図１０のようにダーリントン接続されたトランジスタ２１’、２２’、３１’、３２’、４１’、４２’で構成してもよい。
この構成では、トランジスタのベース電流による誤差を小さくできる効果がある。
【００８９】
また、図２に対して、図１１のような構成としても同様の効果を得ることができる。これに相当する具体的な回路構成として図１２〜図１７が考えられる。なお、これらの図において、上記各実施形態と同様の構成については同じ符号を付してある。
【００９０】
これらの場合は、ＰＮＰトランジスタで構成した形となっている。ＰＮＰトランジスタはＮＰＮトランジスタに比べ、直流増幅率ｈＦＥが小さい傾向があるので、図１５〜図１７に示すようにダーリントン接続したトランジスタ２１’、２２’、３１’、３２’、４１’、４２’を用いた方が望ましい。
【００９１】
他に、第３実施形態の変形として、制御素子をＭＯＳトランジスタに置き換えることも考えられる。この例を図１８、図１９に示す。また、図１７に示す変形例に対しても制御素子をＭＯＳトランジスタに置き換えることも考えられる。この例を図２０、図２１に示す。これら図１８〜図２１に示すように、ＭＯＳトランジスタ５１、５２を制御素子とすることも可能である。なお、点線は位相補償用コンデンサで必要に応じて接続することを示す。また、図１９、図２１においては、オペアンプ４３’、４４’の反転入力端子に参照電圧Ｖｒｅｆが入力されるという他の回路構成とは逆の接続関係となる。
【００９２】
ただし、以上述べた実施形態において、図２及び図１１に示すセンサ回路の具体的な構成例を説明したが、これらに限るものではない。
【００９３】
また、前述のすべての回路は２つの歪ゲージの一端をＶｃｃあるいはＧＮＤといった一定の電位に接続したが、温度等によって変動する電位に接続しても良い。これは、センサ出力を２つの電位の差電圧で取っていることにより、センサ信号に影響がないことによる。
【００９４】
なお、以上の説明では、圧力センサを例に回路構成を示したが、物理量に対する抵抗値変化を利用した物理量検出装置、例えば加速度センサに適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態における圧力センサであって、（ａ）は圧力センサの斜視図、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図２】図１に示す圧力センサの回路構成を示す図である。
【図３】図２に示す圧力センサの具体的な回路構成を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態における圧力センサの回路構成を示す図である。
【図５】本発明の第３実施形態における圧力センサの回路構成を示す図である。
【図６】従来の圧力センサの回路構成を示す図である。
【図７】従来の圧力センサの回路構成を示す図である。
【図８】他の実施形態で示すダーリントン接続のトランジスタを用いた回路構成を示す図である。
【図９】他の実施形態で示すダーリントン接続のトランジスタを用いた回路構成を示す図である。
【図１０】他の実施形態で示すダーリントン接続のトランジスタを用いた回路構成を示す図である。
【図１１】他の実施形態で示す圧力センサの回路構成を示す図である。
【図１２】図１１に示す圧力センサの具体的な回路構成を示す図である。
【図１３】図１１に示す圧力センサの他の具体的な回路構成を示す図である。
【図１４】図１１に示す圧力センサの他の具体的な回路構成を示す図である。
【図１５】図１２に示す回路構成においてダーリントン接続のトランジスタを用いた場合を示す図である。
【図１６】図１３に示す回路構成においてダーリントン接続のトランジスタを用いた場合を示す図である。
【図１７】図１４に示す回路構成においてダーリントン接続のトランジスタを用いた場合を示す図である。
【図１８】他の実施形態に示す圧力センサの回路構成を示す図である。
【図１９】他の実施形態に示す圧力センサの回路構成を示す図である。
【図２０】他の実施形態に示す圧力センサの回路構成を示す図である。
【図２１】他の実施形態に示す圧力センサの回路構成を示す図である。
【符号の説明】
１…シリコン基板、１ａ…ダイアフラム、２…台座、１１、１２…定電流源、
２１、２２、３１、３２、４１、４２…トランジスタ、
２３、３３、４３、４４…オペアンプ、Ｒａ、Ｒｂ…歪ゲージ、
Ｒ_E、Ｒ_E’、Ｒ…抵抗。

Claims

共通電位（Ｖｃｃ）に接続される部位（ｃ）に一端が接続された第１のセンシング抵抗（Ｒａ）と、
前記第１のセンシング抵抗の他端に接続され、第１の定電流を流す第１の定電流源（１１）と、
前記共通電位に接続される部位に一端が接続された第２のセンシング抵抗（Ｒｂ）と、
前記第２のセンシング抵抗の他端に接続され、第２の定電流を流す第２の定電流源（１２）とを備え、
前記第１のセンシング抵抗と前記第１の定電流源との接続点（ａ）の電位と、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の定電流源との接続点（ｂ）の電位との電位差に基づいて物理量検出を行っており、
第１の制御素子（２１、２１’、３１、３１’）及び第２の制御素子（２２、２２’、３２、３２’）と、
参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて前記第１、第２の制御素子の制御電圧を調整するオペアンプ（２３、３３）と、
前記第１の制御素子に接続された第１の抵抗（Ｒ _E ）と、
前記第２の制御素子に接続された第２の抵抗（Ｒ _E ’）とを備え、
前記第１の制御素子と前記第１の抵抗及び前記オペアンプによって前記第１の定電流源が構成されており、
前記第２の制御素子と前記第２の抵抗及び前記オペアンプによって前記第２の定電流源が構成されており、
前記第１のセンシング抵抗と前記第１の抵抗との間には、前記第１の制御素子が配置され、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の抵抗との間には、前記第２の制御素子が配置されており、
前記第１のセンシング抵抗及び前記第２のセンシング抵抗は、同じ温度係数を有するように構成されており、
前記第１の定電流源及び前記第２の定電流源は、それぞれが流す前記第１、第２の定電流が同じ温度係数を有するように構成されており、
前記第１のセンシング抵抗及び前記第２のセンシング抵抗の温度係数と、前記第１の定電流及び前記第２の定電流の温度係数とが異なっており、
前記第１、第２の抵抗のうち、いずれかがトリミング調整されていることを特徴とする物理量検出装置。
第１のセンシング抵抗（Ｒａ）と第１の定電流を流す第１の定電流源（１１）とが直列接続された第１の回路と、
第２のセンシング抵抗（Ｒｂ）と第２の定電流を流す第２の定電流源（１２）とが直列接続された第２の回路とを有し、
前記第１の回路と前記第２の回路は共通電位（Ｖｃｃ）に接続され、前記第１のセンシング抵抗と前記第１の定電流源との接続点（ａ）の電位と、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の定電流源との接続点（ｂ）の電位との電位差に基づいて物理量検出を行っており、
第１の制御素子（２１、２１’、３１、３１’）及び第２の制御素子（２２、２２’、３２、３２’）と、
参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて前記第１、第２の制御素子の制御電圧を調整するオペアンプ（２３、３３）と、
前記第１の制御素子に接続された第１の抵抗（Ｒ _E ）と、
前記第２の制御素子に接続された第２の抵抗（Ｒ _E ’）とを備え、
前記第１の制御素子と前記第１の抵抗及び前記オペアンプによって前記第１の定電流源が構成されており、
前記第２の制御素子と前記第２の抵抗及び前記オペアンプによって前記第２の定電流源が構成されており、
前記第１のセンシング抵抗と前記第１の抵抗との間には、前記第１の制御素子が配置され、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の抵抗との間には、前記第２の制御素子が配置されており、
前記第１のセンシング抵抗及び前記第２のセンシング抵抗は、同じ温度係数を有するように構成されており、
前記第１の定電流源及び前記第２の定電流源は、温度変化しても前記第１、第２の定電流が一定となるように構成されており、
前記第１のセンシング抵抗及び前記第２のセンシング抵抗の温度係数と、前記第１の定電流及び前記第２の定電流の温度係数とが異なっており、
前記第１、第２の抵抗のうち、いずれかがトリミング調整されていることを特徴とする物理量検出装置。
前記第１、第２の抵抗は共に、第３の抵抗（Ｒ）に接続されており、
前記オペアンプ（２３）の入力端子に、前記第１、第２の抵抗と前記第３の抵抗との接続点の電位が入力されるように構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の物理量検出装置。
前記オペアンプ（３３）の入力端子に、前記第１の抵抗と前記第１の制御素子（３１）との接続点の電位が入力されるように構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の物理量検出装置。
共通電位（Ｖｃｃ）に接続される部位（ｃ）に一端が接続された第１のセンシング抵抗（Ｒａ）と、
前記第１のセンシング抵抗の他端に接続され、第１の定電流を流す第１の定電流源（１１）と、
前記共通電位に接続される部位に一端が接続された第２のセンシング抵抗（Ｒｂ）と、
前記第２のセンシング抵抗の他端に接続され、第２の定電流を流す第２の定電流源（１２）とを備え、
前記第１のセンシング抵抗と前記第１の定電流源との接続点（ａ）の電位と、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の定電流源との接続点（ｂ）の電位との電位差に基づいて物理量検出を行っており、
前記第１の定電流源は、
前記第１のセンシング抵抗に直列接続された第１の制御素子（４１、４１’）と、
前記第１の制御素子に直列接続された第１の抵抗（Ｒ _E ）と、
第１の参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて、前記第１の制御素子の制御電圧を調整する第１のオペアンプ（４３）とを有して構成され、
前記第２の定電流源は、
前記第２のセンシング抵抗に直列接続された第２の制御素子（４２、４２’）と、
前記第２の制御素子に直列接続された第２の抵抗（Ｒ _E ’）と、
前記第１の参照電圧とは異なる第２の参照電圧（Ｖｒｅｆ’）に基づいて、前記第２の制御素子の制御電圧を調整する第２のオペアンプ（４４）とを有して構成されており、
前記第１のセンシング抵抗と前記第１の抵抗との間には、前記第１の制御素子が配置され、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の抵抗との間には、前記第２の制御素子が配置されており、
前記第１のセンシング抵抗及び前記第２のセンシング抵抗は、同じ温度係数を有するように構成されており、
前記第１の定電流源及び前記第２の定電流源は、それぞれが流す前記第１、第２の定電流が同じ温度係数を有するように構成されており、
前記第１のセンシング抵抗及び前記第２のセンシング抵抗の温度係数と、前記第１の定電流及び前記第２の定電流の温度係数とが異なっていることを特徴とする物理量検出装置。
第１のセンシング抵抗（Ｒａ）と第１の定電流を流す第１の定電流源（１１）とが直列接続された第１の回路と、
第２のセンシング抵抗（Ｒｂ）と第２の定電流を流す第２の定電流源（１２）とが直列接続された第２の回路とを有し、
前記第１の回路と前記第２の回路は共通電位（Ｖｃｃ）に接続され、前記第１のセンシング抵抗と前記第１の定電流源との接続点（ａ）の電位と、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の定電流源との接続点（ｂ）の電位との電位差に基づいて物理量検出を行っており、
前記第１の定電流源は、
前記第１のセンシング抵抗に直列接続された第１の制御素子（４１、４１’）と、
前記第１の制御素子に直列接続された第１の抵抗（Ｒ _E ）と、
第１の参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて、前記第１の制御素子の制御電圧を調整する第１のオペアンプ（４３）とを有して構成され、
前記第２の定電流源は、
前記第２のセンシング抵抗に直列接続された第２の制御素子（４２、４２’）と、
前記第２の制御素子に直列接続された第２の抵抗（Ｒ _E ’）と、
前記第１の参照電圧とは異なる第２の参照電圧（Ｖｒｅｆ’）に基づいて、前記第２の制御素子の制御電圧を調整する第２のオペアンプ（４４）とを有して構成されており、
前記第１のセンシング抵抗と前記第１の抵抗との間には、前記第１の制御素子が配置され、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の抵抗との間には、前記第２の制御素子が配置されており、
前記第１のセンシング抵抗及び前記第２のセンシング抵抗は、同じ温度係数を有するように構成されており、
前記第１の定電流源及び前記第２の定電流源は、温度変化しても前記第１、第２の定電流が一定となるように構成されており、
前記第１のセンシング抵抗及び前記第２のセンシング抵抗の温度係数と、前記第１の定電流及び前記第２の定電流の温度係数とが異なっていることを特徴とする物理量検出装置。
前記第１のオペアンプの入力端子に、前記第１の制御素子と前記第１の抵抗との接続点の電位が入力されるように構成され、
前記第２のオペアンプの入力端子に、前記第２の制御素子と前記第２の抵抗との接続点の電位が入力されるように構成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の物理量検出装置。
共通電位（Ｖｃｃ）に接続される部位（ｃ）に一端が接続された第１のセンシング抵抗（Ｒａ）と、
前記第１のセンシング抵抗の他端に接続され、第１の定電流を流す第１の定電流源（１１）と、
前記共通電位に接続される部位に一端が接続された第２のセンシング抵抗（Ｒｂ）と、
前記第２のセンシング抵抗の他端に接続され、第２の定電流を流す第２の定電流源（１２）とを備え、
前記第１のセンシング抵抗と前記第１の定電流源との接続点（ａ）の電位と、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の定電流源との接続点（ｂ）の電位との電位差に基づいて物理量検出を行う物理量検出装置のオフセット電圧調整方法であって、
第１の制御素子（２１、２１’、３１、３１’）及び第２の制御素子（２２、２２’、３２、３２’）と、
参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて前記第１、第２の制御素子の制御電圧を調整するオペアンプ（２３、３３）と、
前記第１の制御素子に接続された第１の抵抗（Ｒ _E ）と、
前記第２の制御素子に接続された第２の抵抗（Ｒ _E ’）とを備え、
前記第１の制御素子と前記第１の抵抗及び前記オペアンプによって前記第１の定電流源を構成すると共に、前記第２の制御素子と前記第２の抵抗及び前記オペアンプによって前記第２の定電流源を構成し、
前記第１のセンシング抵抗と前記第１の抵抗との間に、前記第１の制御素子を配置し、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の抵抗との間に、前記第２の制御素子を配置し、
前記第１のセンシング抵抗及び前記第２のセンシング抵抗を同じ温度係数を有するように構成し、
前記第１の定電流源及び前記第２の定電流源を、それぞれが流す前記第１、第２の定電流が同じ温度係数を有し、かつ前記第１、第２のセンシング抵抗と異なる温度係数を有するように構成し、
センサが使用される温度範囲内のいずれかの温度下において、前記第１の定電流と前記第２の定電流を調整することにより、前記電位差を調整することを特徴とするオフセット電圧調整方法。
共通電位（Ｖｃｃ）に接続される部位（ｃ）に一端が接続された第１のセンシング抵抗（Ｒａ）と、
前記第１のセンシング抵抗の他端に接続され、第１の定電流を流す第１の定電流源（１１）と、
前記共通電位に接続される部位に一端が接続された第２のセンシング抵抗（Ｒｂ）と、
前記第２のセンシング抵抗の他端に接続され、第２の定電流を流す第２の定電流源（１２）とを備え、
前記第１のセンシング抵抗と前記第１の定電流源との接続点（ａ）の電位と、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の定電流源との接続点（ｂ）の電位との電位差に基づいて物理量検出を行う物理量検出装置のオフセット電圧調整方法であって、
前記第１の定電流源を、
前記第１のセンシング抵抗に直列接続された第１の制御素子（４１、４１’）と、
前記第１の制御素子に直列接続された第１の抵抗（Ｒ _E ）と、
第１の参照電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて、前記第１の制御素子の制御電圧を調整する第１のオペアンプ（４３）とを有して構成すると共に、
前記第２の定電流源を、
前記第２のセンシング抵抗に直列接続された第２の制御素子（４２、４２’）と、
前記第２の制御素子に直列接続された第２の抵抗（Ｒ _E ’）と、
前記第１の参照電圧とは異なる第２の参照電圧（Ｖｒｅｆ’）に基づいて、前記第２の制御素子の制御電圧を調整する第２のオペアンプ（４４）とを有して構成し、
前記第１のセンシング抵抗と前記第１の抵抗との間に、前記第１の制御素子を配置し、前記第２のセンシング抵抗と前記第２の抵抗との間に、前記第２の制御素子を配置し、
前記第１のセンシング抵抗及び前記第２のセンシング抵抗を同じ温度係数を有するように構成し、
前記第１の定電流源及び前記第２の定電流源を、それぞれが流す前記第１、第２の定電流が同じ温度係数を有し、かつ前記第１、第２のセンシング抵抗と異なる温度係数を有するように構成し、
前記第１の参照電圧と前記第２の参照電圧を調整することにより、前記電位差を調整することを特徴とするオフセット電圧調整方法。