JP5712760B2 - 誘導加熱調理器 - Google Patents
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Description
図1は実施の形態1における誘導加熱調理器を側面から見た構成図であり、図1において左側が使用者の立ち位置とする誘導加熱調理器の前方、右側が後方とする。筐体1は内部に加熱コイルや基板等を収納するための上部が開口した略直方体形状の物体であり、その上には鍋等を積載するための天板2が設けられている。筐体1と天板2から誘導加熱調理器の外郭となる本体ケースが構成されている。筐体1の前面には外気を取り込むための吸気口3が設けられており、筐体1の内部であって吸気口3の近傍には外から吸入して筐体1の内部に風を送風するファン4が配置されている。筐体1の内部には外部の商用交流電源から供給される交流電力を直流電力に変換する直流電流回路(コンバータ)を実装した直流電流基板5が配置されており、直流電流基板5の上には筐体1の内部を上下に仕切る仕切り板6により上部収納室と下部収納室が形成されており、仕切り板6より上の上部収納室には加熱コイル7が設置されている。仕切り板6には下部収納室と上部収納室を連通する通風孔8が設けられており、ファン4によって吸気口3から吸い込まれた空気が仕切り板より下の下部収納室に設けられた直流電流基板5を通過した後、通風孔8を通って加熱コイル7に流れる。加熱コイル7は仕切り板6の上に設けられた支持棒またはスリットを有する支持台に支持されており、加熱コイル7と仕切り板6の間に形成される隙間をファン4が送風する風が流れる。加熱コイル7の風下には、放熱フィンとスイッチング素子、ダイオード等を有するインバータ回路を実装したインバータ基板9が仕切り板6の上に配置されており、インバータ基板9を通過した風は天板2の後方端部に設けられた排気口10から排気される。インバータ基板9は直流電流基板5が直流に変換した電力を可変周波数の交流電力に変換して加熱コイル7に供給する。インバータ基板9には直流電流基板5に搭載されている部品より発熱量が大きく、加熱コイル7よりも耐熱温度が高いワイドバンドギャップ半導体を使用したスイッチング素子やダイオードでスイッチング部が構成されて搭載されている。ワイドバンドギャップ半導体とはシリコンよりもバンドギャップの広い窒化ガリウム、SiC(シリコンカーバイド)、ダイヤモンド等を使用した半導体のことであり、ワイドバンドギャップ半導体の耐熱温度は250℃〜400℃であり、スイッチング損失による発熱がシリコン半導体よりも少ない。尚、本実施の形態1では吸気口3を筐体1の前面に設けているが、筐体1の底面に設けてファン4をシロッコファンとする構成としてもよい。また、インバータ基板9はインバータ回路を構成する部品の中でも発熱量の大きいスイッチング素子を少なくとも有していればよいものとする。
図4では左側を誘導加熱調理器の前方とし、加熱コイル7aが前方側にあり加熱コイル7bが後方側にある。通風孔8aは加熱コイル7bよりも加熱コイル7aの近傍に設けられており、通風孔8bは加熱コイル7aよりも加熱コイル7bの近傍に設けられている。吸気口3は本体ケースの左右方向から見て通風孔8a側に設けられており、排気口10は通風孔8b側に設けられている。つまり、吸気口3は排気口10よりも加熱コイル7aや通風孔8aに近く、排気口10は吸気口3よりも加熱コイル7bや通風口7bに近い。ここでは直線距離もしくは本体ケース内部を流れる空気の流路の距離の点で近いとする。
インバータ基板9、特にそのスイッチング部の配置場所は直流電流基板5に対して吸気口3とは反対側であって、直流電流基板5と筐体1の背面との間や図2や図3に図示するグリル11と筐体1の背面との間に設置し、通風孔8aよりも通風孔8bに近い位置、吸気口3から通風孔8aよりも遠い位置に配置するものとする。また、直流電流基板5は通風孔8b、インバータ基板9よりも通風孔8aに近い。ファン4により吸気口3から吸気された空気は直流電流基板5を通過して直流電流基板5の上方に位置する通風孔8aへ流れる流路を形成している。そしてインバータ基板9はその流路より後方、つまり、直流電流基板5よりも風下に配置されている。
尚、図4に図示する構成においては直流電流基板5とインバータ基板9を一枚の基板で構成する、つまり1枚の基板上にコンバータ回路とインバータ回路を実装してもよく、同一基板とする場合は、上述した直流電流基板5とインバータ基板9はコンバータを構成するリアクトルや平滑コンデンサ等の部品とインバータのスイッチング部に置き換えて考えるものとする。例えば、仕切り板6より下の下部収納室に配置された1枚の基板上であってリアクトル若しくは平滑コンデンサがスイッチング部の風上側、つまりコンバータの部品がスイッチング部より吸気口3に近い位置に設けられた構成であれば、上述した直流電流基板5とインバータ基板9と同様の構成であるとする。
本実施の形態2では天板2の後方端部に吸気口3と排気口10を設ける構成について図5、図6を用いて説明する。図中の矢印は空気の流れを示している。尚、実施の形態1と同一の構成部分には同一の符号を付しており説明は省略する。
尚、図5にはインバータ基板9を上部収納室であって加熱コイル7よりも風下に配置した構成を図示しているが、下部収納室に配置する構成でもよい。その場合、インバータ基板9は直流電流基板5と筐体1の前面との間に配置する構成とする。実施の形態1と同様に通風孔8aは加熱コイル7bよりも加熱コイル7aの近くに設けられており、通風孔8bは加熱コイル7aよりも加熱コイル7bの近くに設けられている構成とするが、本実施の形態2ではインバータ基板9、特にそのスイッチング部の配置場所は直流電流基板5に対して吸気口3とは反対側であって、図2や図3に図示するグリル11と筐体1の側壁との間であって直流電流基板5と筐体1の前面の間に配置し、通風孔8bよりも通風孔8aに近い位置、吸気口3から通風孔8bよりも遠い位置に配置するものとする。ファン4により吸気口3から吸気された空気は直流電流基板5を通過して直流電流基板5の上方に位置する通風孔8bへ流れる流路と直流電流基板5を通過してインバータ基板9を通過した後に加熱コイル7a、7bに流れる流路を形成している。つまり、インバータ基板9はその流路より後方、直流電流基板5よりも風下に配置されている。
本実施の形態3では加熱コイル7a、7b、7cをそれぞれ並列に冷却する構成について図7、図8を用いて説明する。図7は本実施の形態3の誘導加熱調理器の分解斜視図であり、図8は天板2を外した状態の上面図である。図中の矢印は空気の流れを示している。尚、実施の形態1乃至3と同一の構成部分には同一の符号を付しており説明は省略し、特に筐体1の内部に設置されているグリル11、直流電流基板5a、5b、5c、ファン4等は実施の形態1の図3と同一の構成である。
略Y字状をしており、風路仕切り板17と仕切り板6により、正面から見て右側、左側、後方側と3つの空間に区切られ、それぞれの空間に加熱コイル7a、7b、7cが設置されている。
また、風路仕切り板17は加熱コイル7a、7cを流れた風が排気口10へ向かう通風路を仕切り板6の左右の後方端部にそれぞれ形成している。加熱コイル7aが設置されている前方右側の空間には仕切り板6に通風孔18aが設けられており、加熱コイル7bが設置されている後方上側の空間には仕切り板6に通風孔18bが設けられており、加熱コイル7cが設置されている前方左側の空間の仕切り板6に通風孔18cがそれぞれ設けられている。尚、図7、8には通風孔18bは加熱コイル7bの左右両側に2つ設けられた形態を図示しているが、右側の通風孔18bから左側の通風孔18bに渡る一つの通風孔とする形態でもよい。
本実施の形態4ではインバータ基板9にヒートパイプ19を備えた誘導加熱調理器について図9を用いて説明する。図中の矢印は空気の流れを示している。尚、実施の形態1、2と同一の構成部分には同一の符号を付しており説明は省略する。
実施の形態5における誘導加熱調理器の構成は、実施の形態1乃至4のいずれかの構成で、加熱コイル駆動回路は図10の回路となる。図10において、2は鍋28を積載する天板、7は加熱コイル、20は交流電源、21はダイオードブリッジ、22はリアクトル、23は平滑コンデンサ、24は共振コンデンサ、25はスイッチング素子、26はダイオード、27はスイッチング素子を制御する制御部であり、ダイオードブリッジ21とリアクトル22と平滑コンデンサ23から直流電流基板5が構成され、スイッチング素子25とダイオード26からインバータ基板9が構成される。
実施の形態6における誘導加熱調理器の構成は、実施の形態1乃至4のいずれかの構成で、加熱コイル駆動回路は図11の回路となる。図11において、2は鍋28を積載する天板、7は加熱コイル、20は交流電源、21はダイオードブリッジ、22はリアクトル、23は平滑コンデンサ、24は共振コンデンサ、25a、25bはスイッチング素子、26a、26bはダイオード、27はスイッチング素子を制御する制御部であり、ダイオードブリッジ21とリアクトル22と平滑コンデンサ23から直流電流基板5が構成され、スイッチング素子25a、25bとダイオード26a、26bからインバータ基板9が構成される。
実施の形態7における誘導加熱調理器の構成は、実施の形態1乃至4のいずれかの構成で、加熱コイル駆動回路は図12の回路となる。図12において、2は鍋28を積載する天板、7は加熱コイル、20は交流電源、21はダイオードブリッジ、22はリアクトル、23は平滑コンデンサ、24は共振コンデンサ、25a、25b、25c、25dはスイッチング素子、26a、26b、26c、26dはダイオード、27はスイッチング素子を制御する制御部であり、ダイオードブリッジ21とリアクトル22と平滑コンデンサ23から直流電流基板5が構成され、スイッチング素子25a、25b、25c、25dとダイオード26a、26b、26c、26dからインバータ基板9が構成される。
本実施の形態8における誘導加熱調理器の構成は実施の形態1乃至4のいずれかと同じである。また、回路方式としては実施の形態6のハーフブリッジ回路または実施の形態7のフルブリッジ回路となる。ハーフブリッジ回路やフルブリッジ回路では、加熱コイル7の電力を制御する場合、スイッチング素子の駆動周波数を可変にして制御する。電力を下げる場合は、駆動周波数を高く、電力を増やす場合は、駆動周波数を低くする。駆動周波数と電力との関係は、共振コンデンサ24の容量と加熱コイル7のインダクタンス値により決定される。尚、加熱コイル7a、7b、7cそれぞれに対して図11または図12に図示する加熱コイル駆動回路が設けられている。
本実施の形態9では、加熱コイル7a、7b、7cをそれぞれ並列に冷却する構成について図13を用いて説明する。図13は本実施の形態9の誘導加熱調理器の分解斜視図である。図中の矢印は空気の流れを示している。尚、実施の形態1乃至8と同一の構成部分には同一の符号を付しており説明は省略する。
通風孔8から加熱コイル7aへ流れる空気は、加熱コイル7aを冷却した後、インバータ基板9aを冷却してから排気口10から排出される。同様に、通風孔8から加熱コイル7bへ流れる空気は、加熱コイル7bを冷却した後、インバータ基板9bを冷却してから排気口10から排出される。通風孔8から加熱コイル7cへ流れる空気は、加熱コイル7cを冷却した後、インバータ基板9cを冷却してから排気口10から排出される。
直流電流基板5、インバータ基板9に設けられた放熱フィンに当る空気の温度や、ダイオードブリッジ21、スイッチング素子25に印加される電圧値は運転状態によってそれぞれ異なるので、運転中に直流電流基板5、インバータ基板9にかかる熱負荷はそれぞれ異なる。そこで、本実施の形態10では、直流電流基板5とインバータ基板9のそれぞれに温度センサを設け、その温度センサの検出値に基づいてインバータ基板9のスイッチング素子を制御する構成について説明する。
本実施の形態10では、直流電流基板5に設けられたダイオードブリッジ21の温度を検出する温度センサ32と、インバータ基板9のスイッチング素子の温度を検出する温度センサ36が設けられている。
放熱基板30は、ダイオードブリッジ21の温度を検出するための温度センサ32が取り付けられている。温度センサ32は、放熱部材30の表面温度を検出するが、放熱部材30の温度はダイオードブリッジ21の温度とほぼ等しくなっているので、温度センサ32は間接的にダイオードブリッジ21の温度を検出することができる。或いは、温度センサ32は、ダイオードブリッジ21に直接取り付けられる構成としてもよい。
ダイオードブリッジ21を構成している4つの整流素子は、それぞれシリコンからなるダイオードである。これらの整流素子の耐熱温度は、約150℃である。
放熱基板34にはIPM33の温度を検出するための温度センサ36が取り付けられている。温度センサ36は放熱部材34の表面温度を検出するが、放熱部材34の温度はIPM33の温度とほぼ等しくなっているので、温度センサ36は間接的にIPM33の温度を検出することができる。或いは、温度センサ36はIPM33に取り付けられて、直接IPM33の温度を検出できる構成としてもよい。
制御部27は、温度センサ32の検出値がシリコン半導体の耐熱温度(約150℃)を超えないように設定された閾値(例えば120℃)に到達すると、加熱コイル7に供給する電流が減るようにインバータを制御する。また、温度センサ36の検出値がワイドバンドギャップ半導体の耐熱温度(約250℃)を超えないように設定された閾値(例えば200℃)に到達すると、制御部27は加熱コイル7に供給する電流が減るようにインバータを制御する。これらの閾値は、耐熱温度よりも約30〜50℃低い値に設定される。
つまり、温度センサ32が検出した検出値が120℃を超えた値であった場合、その検出値が120℃未満になるまで、加熱コイル7に供給する電流を減らすようにインバータを制御する。同様に、温度センサ36が検出した検出値が200℃を超えた値であった場合、その検出値が200℃未満になるまで、加熱コイル7に供給する電流を減らすようにインバータを制御する。
加熱コイル7に供給する電流を減らす制御とは、例えば、インバータのデューティ比を下げたり、インバータのスイッチング周波数を下げたりする制御のことである。
2 天板、
3 吸気口、
4 ファン、
5 直流電流基板、
6 仕切り板、
7 加熱コイル、
8 通風孔、
9 インバータ基板、
10 排気口、
11 グリル、
12a、12b、12c 風路仕切り板、
13 制御基板、
14 操作部、
15 通風路、
16a、16b 風路仕切り板、
17 風路仕切り板、
18a、18b、18c 通風孔、
19 ヒートパイプ、
20 交流電源、
21 ダイオードブリッジ、
22 リアクトル、
23 平滑コンデンサ、
24 共振コンデンサ、
25 スイッチング素子、
26 ダイオード、
27 制御部、
28 鍋
30、34 放熱部材、
31、35 放熱フィン、
32、36 温度センサ。
Claims (15)
- 吸気口と排気口が設けられた本体ケースと、
前記本体ケースに収納され、前記吸気口から空気を流入させるファンと、
外部の交流電源から供給される交流電力を直流電力に変換し、前記空気により冷却される部品を有するコンバータと、
前記コンバータの部品を冷却した前記空気により冷却される加熱コイルと、
前記加熱コイルよりも耐熱温度が高いワイドバンドギャップ半導体を使用して前記加熱コイルを冷却した前記空気により冷却されるスイッチング部を有し、前記加熱コイルに交流電力を供給するインバータと、を備えたことを特徴とする誘導加熱調理器。 - 本体ケースと、
前記本体ケース内に設けられて前記本体ケースを上部収納室と下部収納室に仕切るとともに、第1及び第2の通風孔を有しこれらの通風孔を介して前記上下の収納室を連通する仕切り板と、
前記下部収納室を形成する本体ケースの前記第1の通風孔側に設けられた吸気口と、
前記上部収納室を形成する本体ケースの前記第2の通風孔側に設けられた排気口と、
前記吸気口を介して前記本体ケース外から空気を流入させるファンと、
前記下部収納室に設けられ、外部の交流電源から供給される交流電力を直流電力に変換するコンバータと、
前記下部収納室の前記第1の通風孔よりも前記第2の通風孔に近い位置に設けられ、前記コンバータが変換した前記直流電力を交流電力に変換するワイドバンドギャップ半導体を使用したスイッチング部を有するインバータと、
前記上部収納室であって、前記第2の通風孔よりも前記第1の通風孔に近い位置に設けられ、前記インバータが変換した前記交流電力が供給される加熱コイルと、
を備えたことを特徴とする誘導加熱調理器。 - 前記スイッチング部の発熱量は前記コンバータの部品の発熱量よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の誘導加熱調理器。
- 前記本体ケース内に設けられて前記本体ケースを上部収納室と下部収納室に仕切るとともに、通風孔を有し前記通風孔を介して前記上下の収納室を連通する仕切り板と、
前記仕切り板が仕切る下部収納室に設けられ、前記本体ケース前面に開閉扉が設けられたグリルと、を備え、
前記加熱コイルは前記仕切り板が仕切る上部収納室に設けられ、
前記コンバータが設けられた第1の基板は前記下部収納室であって前記グリルと前記本体ケースの側壁の間に縦置きで設けられたことを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱調理器。 - 3つの前記加熱コイルと、それぞれの前記加熱コイルに接続された3枚の前記第1の基板と、を備えたことを特徴とする請求項4に記載の誘導加熱調理器。
- 前記インバータが設けられた第2の基板に取り付けられたヒートパイプとを備え、
前記第2の基板は前記仕切り板が仕切る下部収納室に設けられ、
前記ヒートパイプは前記仕切り板から突出して前記加熱コイルを通過した風と熱交換することを特徴とする請求項2記載の誘導加熱調理器。 - 前記ヒートパイプ内部の作動液の沸点は加熱コイルの耐熱温度以上、前記スイッチング部の耐熱温度以下であることを特徴する請求項6に記載の誘導加熱調理器。
- 前記加熱コイルは複数設けられ、
前記加熱コイル同士の間を仕切って前記排気口までの複数の風路を形成する風路仕切り板とを備え、
前記風路には1つの前記加熱コイルが配置され、
前記加熱コイルを冷却した空気は、前記風路を流れて前記スイッチング部を冷却した後、
前記排気口から排出されることを特徴とする請求項1に記載の誘導加熱調理器。 - 前記本体ケース内に設けられて前記本体ケースを上部収納室と下部収納室に仕切るとともに、前記上部収納室と前記下部収納室を連通する複数の通風孔を有する仕切り板と、
前記下部収納室の中央に設けられ、前記本体ケース前面に開閉扉が設けられたグリルと、を備え、
前記吸気口は前記開閉扉の左右両側に設けられ、前記下部収納室の前記グリルと前記本体ケースの左右の側壁の間に前記空気の流路を形成し、
前記通風孔は前記風路仕切り板に形成された前記複数の風路に少なくとも一つ配置されていることを特徴とする請求項8に記載の誘導加熱調理器。 - 前記コンバータの交流電流を整流するダイオードブリッジの温度を検出する第1の温度検出手段と、
前記スイッチング部の温度を検出する第2の温度検出手段と、
前記スイッチング部のオンオフを制御して前記加熱コイルに流す電流を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記第1の温度検出手段の検出値が第1所定値以上の値を検出すると前記加熱コイルに流す電流を減らし、前記第2の温度検出手段の検出値が前記第1の所定値より大きい第2の所定値以上の値を検出すると前記加熱コイルに流す電流を減らし、
前記第1の所定値は150℃未満、前記第2の所定値は150℃以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の誘導加熱調理器。 - 15kHz以上離れた駆動周波数の交流電流でそれぞれ駆動される複数の前記加熱コイルを備え、
前記スイッチング部が最も高い駆動周波数の前記交流電流を供給することを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の誘導加熱調理器。 - 駆動周波数f1の第1の加熱コイルと、
駆動周波数f2の第2の加熱コイルと、
駆動周波数f3の第3の加熱コイルとを備え、
前記駆動周波数f1、f2、f3の大きさはf1<f2<f3であり、
前記インバータが前記第3の加熱コイルを駆動し、Si半導体を使用したインバータが前記第1の加熱コイルを駆動することを特徴とする請求項11に記載の誘導加熱調理器。 - 前記駆動周波数f1の周波数範囲は20〜35kHz、前記駆動周波数f2の周波数範囲は50〜65kHz、前記駆動周波数f3の周波数範囲は85〜99kHzであることを特徴とする請求項12に記載の誘導加熱調理器。
- 前記第3の加熱コイルに投入する最大投入電力を前記第1の加熱コイルと前記第2の加熱コイルよりも小さくしたことを特徴とする請求項12又は13に記載の誘導加熱調理器。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体はシリコンカーバイド、窒化ガリウム、ダイヤモンドのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至14のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
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