JP5707960B2 - カラーフィルタ層の欠陥修正方法および、カラー液晶表示素子 - Google Patents
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Description
15,16,17に技術が開示されており、現在の量産品種の修正においては公知の対応方法として実施されている。上記した、特許文献に示されたカラーフィルタのレーザー修正において、着色層(RGB他)およびブラックマトリックス(BM)等からなるカラーフィルタ層の欠陥部分を修正する際、一般にYAGレーザー(355nm、532nm)等を用いレーザーアブレーションにて除去するが、カラーフィルタ層のレーザーエネルギー吸収量が構成層により様々であり、欠陥修正部分の周囲への影響をも考慮する必要がある。この為、アブレーションのレーザー強度レベルはそれぞれの層に応じて調整される。
化着色させることで、TFT基板上に形成された着色層(RGB他)およびブラックマトリックス(BM)などのカラーフィルタ層(カラーフィルタオンアレイ(COA・BOA))における、修正箇所のレーザーアブレーションに伴う下地の損傷を発生させることなく、選択的にカラーフィルタ層のみを修正することが可能となった。
)が配置されている。また、ゲート絶縁膜上にはアモルファス・シリコンなどの半導体層(34)が配置され、更にモリブデンやアルミニウムからなるソース線(37)、ソース電極(35)、ドレイン電極(36)が配置されスイッチング素子を形成している。スイッチング素子の上には、酸化ケイ素・窒化ケイ素等からなる保護層(33)が配置される。
となることがわかる。ここで、レーザーエネルギー強度の単位として、発振出力2mJを0.5単位で100分割した値をエネルギー強度1と規定している。すなわち、レーザーエネルギー強度1=1.0×10−2[mJ/強度]である。
13・・・共通電極 14・・・スリット 15・・・配向膜
2・・・アレイ基板 21・・・ガラス基板 22・・・偏光板
23・・・着色層(R、G、B) 24・・・画素電極 26・・・スリット
27・・・配向膜 28・・・ブラックマトリクス 29・・・コンタクトホール
3・・・薄膜トランジスタ層 31・・・ゲート電極 32・・・ゲート絶縁膜 33・・・保護層 34・・・半導体層 35・・・ソース電極
36・・・ドレイン電極 37・・・データ線 38・・・ゲート線
4・・・液晶層
Claims (2)
- 液晶表示装置のアレイ基板上に形成された、着色層、ブラックマトリックスから成るカラーフィルタ層の欠陥修正方法であって、少なくとも、予め検出しておいた前記カラーフィルタ層の欠陥修正部分に赤外線を集光して炭化着色させ、その後、前記欠陥修正部分の下地である保護膜層に損傷を与えないエネルギーのレーザー光を照射して前記欠陥修正部分を除去することを特徴とするカラーフィルタ層の欠陥修正方法。
- 請求項1に記載するカラーフィルタの欠陥修正方法によって、欠陥部分が修正されたカラーフィルタ層を備えることを特徴とする液晶表示素子。
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