JP5707319B2 - 多層コーティングを形成する方法、光学素子および光学装置 - Google Patents
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- 軟X線領域またはEUV波長領域で光線を光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)で反射するための多層コーティング(17)を形成するための方法であって、30℃以上の作動温度(TOP)で前記光学素子を作動する方法において、
前記多層コーティング(17)の光学設計を決定し、該光学設計により作動温度(TOP)における前記多層コーティング(17)の層(17.1, 17.2)の光学的な目標-層厚さ(nOPdOP)を規定するステップと、
前記層(17.1, 17.2)の熱膨張によって被覆温度(TB)と前記作動温度(TOP)との間に誘起された層厚さ変化(nOPdOP-nB dB)が補償されるように選択した光学的な目標-層厚さ(nBdB)を有する前記多層コーティング(17)の層(17.1, 17.2)を被覆するステップとを含み、
作動波長(λ0)における前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の反射率に関して、前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の前記多層コーティング(17)の光学設計を前記作動温度(TOP)で最適化し、
前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の前記作動温度(TOP)を、少なくとも一方向に光学表面(19a)に沿って変化させ、前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の被覆時に、前記層(17.1, 17.2)に、少なくとも一方向に沿って変化する前記実際-層厚さ(dB,x)を設けることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
層厚さ変化(nOPdOP-nB dB)を検出するために、前記多層コーティング(17)の前記層(17.1, 17.2)の線形の熱膨張係数を決定するか、または前記作動温度(TOP)における前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の少なくとも1つの光学特性を測定する方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記光学的な実際-層厚さ(nB dB)を、前記光学的な目標-層厚さ(nOP dOP)に等しく選択し、前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の被覆を前記作動温度(TOP)で行う方法。 - 軟X線領域またはEUV波長領域の光線を反射するための多層コーティング(17)を有し、30℃以上の作動温度(TOP)で光学装置(1)の光路(15)で作動される光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)において、
前記多層コーティング(17)の光学設計が、作動波長(λ0)における前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の反射率(R)に関して前記作動温度(TOP)で最適化され、
前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の前記作動温度(TOP)が、少なくとも一方向に光学表面(19a)に沿って変化することを特徴とする光学素子。 - 請求項4に記載の光学素子において、
前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)における反射率(R)の最大値の波長(λ)が前記作動温度(TOP)で前記作動波長(λ0)と一致し、前記作動温度(TOP)で前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)における前記反射率(R)の最大値の波長(λ)が、室温(TR)で得られる前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)における前記反射率(R)の最大値の波長(λ)に対して2パーミルよりも大きく前記作動波長(λ0)に対してずらされる光学素子。 - 請求項4または5に記載の光学素子において、
前記作動温度(TOP)における前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の前記反射率(R)が、0°〜30°の平均的な光入射角で最大化される光学素子。 - 軟X線領域またはEUV波長領域の光線を反射するための多層コーティング(17)を有し、30℃以上の作動温度(TOP)で光学装置(1)の光路(15)で作動される光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)において、
前記多層コーティング(17)の光学設計が、温度に関係した少なくとも1つの光学特性に関して最適化されており、
前記作動温度(TOP)が少なくとも一方向に前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の光学表面(19a)に沿って変化し、前記多層コーティング(17)が、少なくとも1つの光学特性を最適化するために、少なくとも一方向に前記多層コーティング(17)の前記層(17.1, 17.2)の層厚さ(dB, X)に勾配を有していることを特徴とする光学素子。 - 請求項7に記載の光学素子において、
該光学素子が、複数の個別ミラーを有するファセットミラー(5, 6)として構成されており、いずれの場合にも前記個別ミラーの少なくとも1つの光学特性が前記作動温度(TOP)で最適化されている光学素子。 - 光学装置において、
物体平面(11)を照明するための照明系(3)と、
前記物体平面(11)におけるパターンを像平面(13)に結像するための投影系(4)と、
前記光学装置の光路(15)に配置された請求項4から8までのいずれか一項に記載の少なくとも1つの光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)と
を備えることを特徴とする光学装置。 - 請求項9に記載の光学装置において、
少なくとも1つの前記光学素子 (2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の光学設計が、前記光学装置の少なくとも1つの像収差が前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の作動温度(TOP)で最適化されている光学装置。 - 請求項10に記載の光学装置において、
前記像収差が、テレセントリック性、均一性、瞳楕円率および瞳アポディゼーションを含むグループから選択される光学装置。 - 請求項11に記載の光学装置において、
前記照明系(3)に配置された少なくとも1つの前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の前記多層コーティング(17)における前記層 (17.1, 17.2)の層厚さ(dOP, X)の勾配が、前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の前記作動温度(TOP)で、前記光学装置(1)の物体平面(11)における均一性(U)の絶対値が少なくとも1方向に5%未満となるように少なくとも1方向に選択される光学装置。 - 請求項9から12までのいずれか一項に記載の光学装置において、
前記作動波長(λ0)についてそれぞれの作動温度(TOP)で前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)を作動した場合に、前記光学装置が、室温(TR)で前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)を作動した場合に対して2%以上増大された最大限の総透過率を有している光学装置。 - 請求項9から13までのいずれか一項に記載の光学装置において、
前記光路(15)で連続した少なくとも2つの前記光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)が、前記光学装置(1)の作動時に異なる作動温度(TOP)を有している光学装置。 - 請求項9から14までのいずれか一項に記載の光学装置において、
少なくとも1つの反射光学素子(2a, 5, 6, 8, 9, 10, 14.1-14.6)の前記光学表面(19a)を、前記作動温度(TOP)に加熱するために、制御可能な少なくとも1つの加熱素子(20)が設けられている光学装置。
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DE102009054653A1 (de) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
DE102010030913A1 (de) | 2010-07-05 | 2011-10-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Erzeugen eines Substrats für einen EUV-Spiegel mit einer Soll-Oberflächenform bei einer Betriebstemperatur |
US8791440B1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Target for extreme ultraviolet light source |
DE102013207751A1 (de) * | 2013-04-29 | 2014-10-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element mit einer Mehrlagen-Beschichtung und optische Anordnung damit |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2569447B2 (ja) * | 1988-11-28 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡の製造方法 |
US4993824A (en) * | 1989-12-18 | 1991-02-19 | United Technologies Corporation | Thermal mapping compensated mirror and method of making the same |
JP3309890B2 (ja) * | 1995-04-06 | 2002-07-29 | 日本電信電話株式会社 | 多層膜x線反射鏡 |
US6110607A (en) | 1998-02-20 | 2000-08-29 | The Regents Of The University Of California | High reflectance-low stress Mo-Si multilayer reflective coatings |
US6011646A (en) | 1998-02-20 | 2000-01-04 | The Regents Of The Unviersity Of California | Method to adjust multilayer film stress induced deformation of optics |
US6573978B1 (en) * | 1999-01-26 | 2003-06-03 | Mcguire, Jr. James P. | EUV condenser with non-imaging optics |
TW561279B (en) | 1999-07-02 | 2003-11-11 | Asml Netherlands Bv | Reflector for reflecting radiation in a desired wavelength range, lithographic projection apparatus containing the same and method for their preparation |
JP3770542B2 (ja) * | 1999-07-22 | 2006-04-26 | コーニング インコーポレイテッド | 遠紫外軟x線投影リソグラフィー法およびマスク装置 |
EP1214718A4 (en) * | 1999-07-22 | 2006-08-23 | Corning Inc | EXTREMELY ULTRAVIOLET SOFT-ROENCH RADIATIONS LITHOGRAPHIC PROJECTION AND DEVICE AND LITHOGRAPHIC ELEMENTS |
DE10011547C2 (de) | 2000-02-28 | 2003-06-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Thermisch stabiles Schichtsystem zur Reflexion von Strahlung im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUV) |
US6396900B1 (en) | 2001-05-01 | 2002-05-28 | The Regents Of The University Of California | Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application |
US6884361B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-04-26 | Intel Corporation | Method for making a mirror for photolithography |
US6747730B2 (en) * | 2001-12-04 | 2004-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing an optical element |
US6844272B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-01-18 | Euv Limited Liability Corporation | Correction of localized shape errors on optical surfaces by altering the localized density of surface or near-surface layers |
US6994444B2 (en) * | 2002-06-14 | 2006-02-07 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for managing actinic intensity transients in a lithography mirror |
JP3647834B2 (ja) | 2002-09-25 | 2005-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 露光装置用のミラー、露光装置用の反射型マスク、露光装置及びパターン形成方法 |
JP2004228456A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4458333B2 (ja) | 2003-02-13 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置、およびデバイスの製造方法 |
JP4305003B2 (ja) | 2003-02-27 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | Euv光学系及びeuv露光装置 |
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WO2005038886A1 (ja) | 2003-10-15 | 2005-04-28 | Nikon Corporation | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、及び露光装置 |
CN100449690C (zh) * | 2003-10-15 | 2009-01-07 | 株式会社尼康 | 多层膜反射镜、多层膜反射镜的制造方法及曝光系统 |
DE102004002764A1 (de) | 2004-01-20 | 2004-06-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung von Multilayern und Multilayer |
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DE102004015580B3 (de) * | 2004-03-30 | 2005-07-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Strahlformung und/oder Strahlumlenkung von EUV-Strahlung |
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DE102004062289B4 (de) * | 2004-12-23 | 2007-07-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich |
DE102006006283B4 (de) | 2006-02-10 | 2015-05-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich |
DE102006042987B4 (de) * | 2006-09-13 | 2012-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Verfahren zum Betrieb einer EUV-Lithographievorrichtung, reflektives optisches Element für EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zu dessen Reinigung |
US7959310B2 (en) * | 2006-09-13 | 2011-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical arrangement and EUV lithography device with at least one heated optical element, operating methods, and methods for cleaning as well as for providing an optical element |
DE102008017888A1 (de) * | 2007-06-27 | 2009-01-02 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Lithographiesystem, optisches Element und Verfahren zum Betrieb des EUV-Lithographiesystems mit verminderter Kontamination |
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