JP5703257B2 - 非共鳴２光子吸収記録材料及び非共鳴高分子２光子吸収光情報記録媒体及び記録再生方法 - Google Patents

Description

本発明は、非共鳴２光子吸収記録材料及び非共鳴２光子吸収化合物に関し、詳細には、非共鳴２光子吸収を用いて記録媒体内部に３次元に記録ピットを記録し、記録されたそれらの記録ピットを読み出し可能で、７００ｎｍよりも短波長領域の記録光を用いた非共鳴２光子吸収記録を可能にし、かつ高い耐湿熱性を有する記録材料及び２光子吸収化合物を提供する。

一般に、非線形光学効果とは、印加する光電場の２乗、３乗あるいはそれ以上に比例する非線型な光学応答のことであり、印加する光電場の２乗に比例する２次の非線形光学効果としては、第二高調波発生（ＳＨＧ）、光整流、フォトリフラクティブ効果、ポッケルス効果、パラメトリック増幅、パラメトリック発振、光和周波混合、光差周波混合などが知られている。また印加する光電場の３乗に比例する３次の非線形光学効果としては第三高調波発生（ＴＨＧ）、光カー効果、自己誘起屈折率変化、２光子吸収などが挙げられる。

これらの非線形光学効果を示す非線形光学材料としてはこれまでに多数の無機材料が見出されてきた。ところが無機物においては、所望の非線形光学特性や、素子製造のために必要な諸物性を最適化するためのいわゆる分子設計が困難であることから実用するのは非常に困難であった。一方、有機化合物は分子設計により所望の非線形光学特性の最適化が可能であるのみならず、その他の諸物性のコントロールも可能であるため、実用の可能性が高く、有望な非線形光学材料として注目を集めている。

近年、有機化合物の非線形光学特性の中でも３次の非線形光学効果が注目されており、その中でも特に、非共鳴２光子吸収が注目を集めている。２光子吸収とは、化合物が２つの光子を同時に吸収して励起される現象であり、化合物の（線形）吸収帯が存在しないエネルギー領域で２光子の吸収が起こる場合を非共鳴２光子吸収という。なお、以下の記述において特に明記しなくても「２光子吸収」とは「非共鳴２光子吸収」を指す。また、「同時２光子吸収」の「同時」を略して単に「２光子吸収」と記すこともある。

ところで、非共鳴２光子吸収の効率は印加する光電場の２乗に比例する（２光子吸収の２乗特性）。このため、２次元平面にレーザーを照射した場合においては、レーザースポットの中心部の電界強度の高い位置のみで２光子吸収が起こり、周辺部の電界強度の弱い部分では２光子吸収は全く起こらない。一方、３次元空間においては、レーザー光をレンズで集光した焦点の電界強度の大きな領域でのみ２光子吸収が起こり、焦点から外れた領域では電界強度が弱いために２光子吸収が全く起こらない。印加された光電場の強度に比例してすべての位置で励起が起こる線形吸収に比べて、非共鳴２光子吸収では、この２乗特性に由来して空間内部の１点のみで励起が起こるため、空間分解能が著しく向上する。
通常、非共鳴２光子吸収を誘起する場合には、化合物の（線形）吸収帯が存在する波長領域よりも長波でかつ吸収の存在しない、近赤外領域の短パルスレーザーを用いることが多い。いわゆる透明領域の近赤外光を用いるため、励起光が吸収や散乱を受けずに試料内部まで到達でき、非共鳴２光子吸収の２乗特性のために試料内部の１点を極めて高い空間分解能で励起できる。

本出願人は、これまで、非共鳴２光子吸収を誘起する化合物を用いる２光子増感型３次元記録材料に関する種々の出願を行ってきた。この記録材料は、少なくとも（１）２光子吸収化合物（２光子増感剤）、（２）屈折率変調材料または蛍光強度変調材料、とを含み、（１）が効率よく２光子吸収を行い、獲得した光エネルギーを光誘起電子移動やエネルギー移動によって（２）へと受け渡して（２）の屈折率または蛍光強度を変化させることにより記録を行う記録材料である。光吸収過程に通常の光記録で用いる１光子吸収ではなく、非共鳴２光子吸収を用いることで、記録材料内部の任意の位置に３次元空間分解能を有して記録ピットを書き込むことができるようになる。
例えば、特許文献１には、（２）屈折率または蛍光強度変調材料として、色素を発色させることで屈折率を変調するものと、無蛍光から蛍光発光または蛍光発光から無蛍光にさせることで蛍光変調するもの（色素発色または蛍光色素発色により屈折率または蛍光変調する材料）を用いた技術が開示されている。また、特許文献２には、（２）屈折率または蛍光強度変調材料として、極微小に色素発色または蛍光変化した種（潜像核）を形成し、その後に光照射または加熱することにより記録増幅するもの（屈折率／蛍光変調；潜像増幅方式、色素発色により屈折率／蛍光変調する潜像を形成する材料）を用いた技術が開示されている。また、特許文献３等には、（２）屈折率変調材料として、重合によって高分子のポリマーを作って屈折率を変調するもの（重合により屈折率変調する材料）を用いた技術が開示されている。さらに、特許文献４には、屈折率変調材料として、極微小の重合潜像核を形成した後に、重合の駆動を行うもの（屈折率変調；潜像重合方式、重合により屈折率変調する潜像を形成する材料）を用いた技術が開示されている。

上記の特許文献１〜４に記載の２光子増感型３次元記録材料は、いずれも（１）２光子吸収化合物（２光子増感剤）として、７００ｎｍ以上の光で２光子吸収を行うものを用いていた。しかし、さらに近年、様々な要望があり、その中でも、より高い記録密度を得るべく、記録材料中により小さいピットを形成するために７００ｎｍよりも短波長の領域の記録光を用いて非共鳴２光子吸収記録できるものが求められていて、特許文献５に記載の２光子吸収化合物で非共鳴２光子吸収記録が可能となっている。
なお、非特許文献１には、下記構造の化合物が４５０〜６００ｎｍの光に対して非共鳴２光子吸収特性を示すことが開示されている。

しかしながら、上記の特許文献に記載の７００ｎｍよりも短波長の領域の記録光を用いて非共鳴２光子吸収記録できる２光子吸収化合物を用いた非共鳴２光子吸収記録材料の耐湿熱性に関する記述はない。

特開２００７−８７５３２号公報 特開２００５−３２０５０２号公報 特開２００５−２９７２５号公報 特開２００５−９７５３８号公報 特開２０１０−１０８５８８号公報

Ｙ． Ｍｏｒｅｌ， Ｏ． Ｓｔｅｐｈａｎ， Ｃ． Ａｎｄｒａｕｄ， ａｎｄ Ｐ． Ｌ． Ｂａｌｄｅｃｋ， Ｓｙｎｔｈ． Ｍｅｔ． ２００１， １２４， ２３７

本発明は、非共鳴２光子吸収記録材料が高い耐湿熱性を有し、かつ十分な記録再生特性を有する非共鳴２光子吸収記録材料及びそれに使用可能な非共鳴高分子２光子吸収化合物を提供することを目的とする。

発明者らの鋭意検討の結果、下記構成により、上記課題を解決できることを見出した。＜１＞
非共鳴高分子２光子吸収化合物を含む非共鳴２光子吸収記録材料であって、非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（１）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

（一般式（１）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、Ｘはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する２価の置換基を表す。Ｘ及びＹは同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）
＜２＞
＜１＞に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、非共鳴高分子２光子吸収化合物の主鎖がポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエーテル、及びポリイミドより選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
＜３＞
＜１＞又は＜２＞に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（２）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

（一般式（２）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、Ｘはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する２価の置換基を表す。Ｘ及びＹは同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）
＜４＞
＜１＞から＜３＞のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、一般式（１）又は（２）で表される非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（３）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

（一般式（３）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）
＜５＞
＜１＞から＜４＞のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、一般式（１）、（２）又は（３）で表される非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（４）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

（一般式（４）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）
＜６＞
＜１＞から＜５＞のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、一般式（１）から（４）のいずれか少なくとも１種で表される非共鳴高分子２光子吸収化合物を共重合体成分とする高分子化合物を含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
＜７＞
＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が少なくとも、（ａ）＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物と，（ｂ）２光子記録の前後で反射光強度を変化させることのできる材料とを含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
＜８＞
＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が少なくとも、（ａ）＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物と，（ｂ）２光子記録の前後で屈折率を変化させることのできる材料とを含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
＜９＞
＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が、＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物を含み、＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物が２光子記録の前後で反射光強度を変化させることができることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
＜１０＞
＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が、＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物を含み、＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物が２光子記録の前後で屈折率を変化させることができることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
＜１１＞
＜１＞から＜６＞のいずれか１項に記載の記録材料を含んだ記録層を有する光情報記録媒体。
＜１２＞
＜１１＞に記載の光情報記録媒体であって、該記録層厚みが５０ｎｍから５μｍの範囲である光情報記録媒体。
＜１３＞
＜１１＞に記載の光情報記録媒体であって、該記録層に隣接し、該記録層を物理的に隔て、膨張による記録マークが形成可能な界面を生成するための中間層を有する光情報記録媒体。
＜１４＞
＜１３＞に記載の光情報記録媒体であって、該記録層と中間層の屈折率差が０．０１から０．５の範囲である光情報記録媒体。
＜１５＞
＜１３＞に記載の光情報記録媒体であって、該中間層厚みが２μｍから２０μｍの範囲である光情報記録媒体。
＜１６＞
＜１１＞に記載の光情報記録媒体であって、基板を有する光情報記録媒体。
＜１７＞
＜１６＞に記載の光情報記録媒体であって、基板厚みが０．０２ｍｍから２ｍｍの範囲である光情報記録媒体。
＜１８＞
＜１１＞に記載の光情報記録媒体であって、記録時にトラッキングサーボによる半径位置制御を行うためのガイド層を有する光情報記録媒体。
＜１９＞
＜１１＞に記載の光情報記録媒体であって、該記録層よりも光入射側表面側にカバー層を有する光情報記録媒体。
＜２０＞
＜１９＞に記載の光情報記録媒体であって、該カバー層厚みが０．０１ｍｍから０．２ｍｍの範囲である光情報記録媒体。
＜２１＞
＜１１＞に記載の光情報記録媒体であって、反射層を有する光情報記録媒体。
＜２２＞
＜１１＞に記載の光情報記録媒体であって、スペーサー層を有する光情報記録媒体。
＜２３＞
＜２２＞に記載の光情報記録媒体であって、該スペーサー層厚みが５μｍから１００μｍの範囲である光情報記録媒体。
＜２４＞
＜１１＞に記載の光情報記録媒体であって、マーキングを行うことを特徴とする光情報記録媒体。
＜２５＞
＜１１＞に記載の光情報記録媒体であって、光入射側表面にハードコート層を有する光情報記録媒体。
＜２６＞
＜１１＞に記載の光情報記録媒体であって、カートリッジに収納された光情報記録媒体。
＜２７＞
＜１２＞から＜２６＞のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
＜２８＞
＜２７＞に記載の光情報記録媒体への記録再生方法であって、記録用レーザのピークパワーが該光情報記録媒体の表面上で１Ｗから１００Ｗの範囲であり、記録用レーザの平均パワーが該光情報記録媒体の表面上で１００ｍＷ以下、かつ記録用レーザのパルス幅と発振周期の積が０．００１から０．１の範囲である記録再生方法。
＜２９＞
情報の再生時に共焦点光学系を用いることを特徴とする＜２８＞に記載の光情報記録媒体の記録再生方法。
＜３０＞
下記一般式（５）で表される化合物。

（一般式（５）中Ｒ_４、Ｒ_５、及びＲ_６は水素原子又は置換基を表し、同一種でもそれぞれ異なってもよい。）
＜３１＞
下記一般式（６）で表される化合物。

（一般式（６）中Ｒ_７、Ｒ_８、及びＲ_９は水素原子又は置換基を表し、同一種でもそれぞれ異なってもよい。）
なお、本発明は上記＜１＞〜＜３１＞に関するものであるが、参考のためその他の事項（例えば下記１〜３２に記載の事項など）についても記載した。

１．非共鳴高分子２光子吸収化合物を含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

２．前記１に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、非共鳴高分子２光子吸収化合物の主鎖がポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエーテル、及びポリイミドより選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

３．前記１または２に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（１）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

（一般式（１）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、Ｘはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する２価の置換基を表す。Ｘ及びＹは同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）

４．前記１から３のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（２）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

（一般式（２）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、Ｘはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する２価の置換基を表す。Ｘ及びＹは同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）

５．前記１から４のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、一般式（１）または（２）で表される非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（３）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

（一般式（３）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）

６．前記１から５のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、一般式（１）、（２）又は（３）で表される非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（４）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

（一般式（４）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）

７．前記１から６のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、一般式（１）から（４）のいずれか少なくとも１種で表される非共鳴高分子２光子吸収化合物を共重合体成分とする高分子化合物を含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

８．前記１から７のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が少なくとも、（ａ）前記１から７のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物と，（ｂ）２光子記録の前後で反射光強度を変化させることのできる材料とを含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

９．前記１から７のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が少なくとも、（ａ）前記１から７のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物と，（ｂ）２光子記録の前後で屈折率を変化させることのできる材料とを含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

１０．前記１から７のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が、前記１から７に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物を含み、前記１から７のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物が２光子記録の前後で反射光強度を変化させることができることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

１１．前記１から７のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が、前記１から７に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物を含み、前記１から７のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物が２光子記録の前後で屈折率を変化させることができることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。

１２．前記１から７のいずれか１項に記載の記録材料を含んだ記録層を有する光情報記録媒体。

１３．前記１２に記載の光情報記録媒体であって、該記録層厚みが５０ｎｍから５μｍの範囲である光情報記録媒体。

１４．前記１２に記載の光情報記録媒体であって、該記録層に隣接し、該記録層を物理的に隔て、膨張による記録マークが形成可能な界面を生成するための中間層を有する光情報記録媒体。

１５．前記１４に記載の光情報記録媒体であって、該記録層と中間層の屈折率差が０．０１から０．５の範囲である光情報記録媒体。

１６．前記１４に記載の光情報記録媒体であって、該中間層厚みが２μｍから２０μｍの範囲である光情報記録媒体。

１７．前記１２に記載の光情報記録媒体であって、基板を有する光情報記録媒体。

１８．前記１７に記載の光情報記録媒体であって、基板厚みが０．０２ｍｍから２ｍｍの範囲である光情報記録媒体。

１９．前記１２に記載の光情報記録媒体であって、記録時にトラッキングサーボによる半径位置制御を行うためのガイド層を有する光情報記録媒体。

２０．前記１２に記載の光情報記録媒体であって、該記録層よりも光入射側表面側にカバー層を有する光情報記録媒体。

２１．前記２０に記載の光情報記録媒体であって、該カバー層厚みが０．０１ｍｍから０．２ｍｍの範囲である光情報記録媒体。

２２．前記１２に記載の光情報記録媒体であって、反射層を有する光情報記録媒体。

２３．前記１２に記載の光情報記録媒体であって、スペーサー層を有する光情報記録媒体。

２４．前記２３に記載の光情報記録媒体であって、該スペーサー層厚みが５μｍから１００μｍの範囲である光情報記録媒体。

２５．前記１２に記載の光情報記録媒体であって、マーキングを行うことを特徴とする光情報記録媒体。

２６．前記１２に記載の光情報記録媒体であって、光入射側表面にハードコート層を有する光情報記録媒体。

２７．前記１２に記載の光情報記録媒体であって、カートリッジに収納された光情報記録媒体。

２８．前記１３から２７のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。

２９．前記２８に記載の光情報記録媒体への記録再生方法であって、記録用レーザのピークパワーが該光情報記録媒体の表面上で１Ｗから１００Ｗの範囲であり、記録用レーザの平均パワーが該光情報記録媒体の表面上で１００ｍＷ以下、かつ記録用レーザのパルス幅と発振周期の積が０．００１から０．１の範囲である記録再生方法。

３０．情報の再生時に共焦点光学系を用いることを特徴とする前記２８に記載の光情報記録媒体の記録再生方法。

３１．下記一般式（５）で表される化合物。

（一般式（５）中Ｒ_４、Ｒ_５、及びＲ_６は水素原子又は置換基を表し、同一種でもそれぞれ異なってもよい。）

３２．下記一般式（６）で表される化合物

（一般式（６）中Ｒ_７、Ｒ_８、及びＲ_９は水素原子又は置換基を表し、同一種でもそれぞれ異なってもよい。）

本発明の２光子吸収記録材料の構成によれば、非共鳴２光子吸収記録が可能であり、かつ記録後の耐湿熱性が高い。

本発明の２光子吸収記録材料の記録再生に用いる記録再生装置の１例の概略を示す図である。 本発明の２光子吸収記録材料を用いた光情報記録媒体の１例の概略を示す図である。

以下に本発明の２光子吸収記録材料について詳しく説明する。

＜非共鳴高分子２光子吸収化合物＞
本発明の非共鳴２光子吸収記録材料において用いる、（ａ）非共鳴高分子２光子吸収化合物について、以下に説明する。

非共鳴高分子２光子吸収化合物の主鎖としては、特に限定はされないが、具体的にポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリイミドなどが挙げられ、より好ましくはポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリウレタンであり、最も好ましくはポリアクリレート、ポリメタクリレートである。

非共鳴高分子２光子吸収化合物の重量平均分子量として好ましくは１０００以上１００００００以下、より好ましくは１００００以上７０００００以下、最も好ましくは３００００以上５０００００以下である。
非共鳴高分子２光子吸収化合物の分子量分布（重量平均分子量÷数平均分子量 Ｍｗ／Ｍｎ）としては特に限定はされないが、好ましくは５．０以下、より好ましくは３．０以下、最も好ましくは２．０以下である。
非共鳴高分子２光子吸収化合物としては、後述する一般式（１）から（４）のいずれか少なくとも１種で表される非共鳴高分子２光子吸収化合物と、該非共鳴高分子２光子吸収化合物以外のモノマーとを共重合体成分とする高分子化合物であることが好ましい。
共重合体である場合の非共鳴高分子２光子吸収化合物の組成比としては特に限定はされないが、好ましくは該２光子吸収化合物の比率が１モル％以上８０モル％以下、より好ましくは３モル％以上５０モル％以下、最も好ましくは８モル％以上３０モル％以下である。
非共鳴高分子２光子吸収化合物の共重合成分の数としては特に限定されないが、好ましくは１０成分以下、より好ましくは５成分以下、最も好ましくは３成分以下である。
非共鳴高分子２光子吸収化合物の共重合体の構成としては、ブロック共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよい。
本発明の非共鳴高分子２光子吸収化合物を合成する重合反応において、その反応タイプがラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、重縮合のいずれかであることが好ましく、ラジカル重合またはカチオン重合であることがより好ましくラジカル重合が最も好ましい。

その際、重合性基を有する色素、色素部分を有さない重合性化合物の重合性基が、重合がラジカル重合の時は、重合性基としてアクリロイル基、メタクリロイル基、スチリル基、ビニル基等のエチレン性不飽和基部分を有し、好ましくはアクリロイル基またはメタクリロイル基を有し、重合がカチオン重合またはアニオン重合の時は重合性基としてオキシラン環、オキセタン環、ビニルエーテル基、Ｎ−ビニルカルバゾール部位のいずれかを有し、好ましくはオキシラン環またはオキセタン環を有することが好ましい。

本発明の非共鳴高分子２光子吸収化合物を合成する際に用いられる溶媒としては、例えば、エチレンジクロリド、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、１−メトキシ−２−プロパノール、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、トルエン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどが挙げられる。
これらの溶媒は単独あるいは２種以上混合してもよい。

非共鳴高分子２光子吸収化合物の共重合成分として用いることができるモノマーとしては、特に限定されないが、具体的に、下記の化合物が挙げられる。

２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート等の脂肪族水酸基を有するアクリル酸エステル類、及びメタクリル酸エステル類。

アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸−２−クロロエチル、グリシジルアクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、ビニルアクリレート、２−フェニルビニルアクリレート、１−プロペニルアクリレート、アリルアクリレート、２−アリロキシエチルアクリレート、プロパルギルアクリレート等のアルキルアクリレート。

メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸アミル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸−２−クロロエチル、グリシジルメタクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート、ビニルメタクリレート、２−フェニルビニルメタクリレート、１−プロペニルメタクリレート、アリルメタクリレート、２−アリロキシエチルメタクリレート、プロパルギルメタクリレート等のアルキルメタクリレート。

アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−ヘキシルメタクリルアミド、Ｎ−シクロヘキシルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチルアクリルアミド、Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ニトロフェニルアクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、ビニルアクリルアミド、ビニルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアリルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアリルメタクリルアミド、アリルアクリルアミド、アリルメタクリルアミド等のアクリルアミド若しくはメタクリルアミド。

エチルビニルエーテル、２−クロロエチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、フェニルビニルエーテル等のビニルエーテル類。

ビニルアセテート、ビニルクロロアセテート、ビニルブチレート、安息香酸ビニル等のビニルエステル類。

スチレン、α−メチルスチレン、メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ｐ−アセトキシスチレン等のスチレン類。

メチルビニルケトン、エチルビニルケトン、プロピルビニルケトン、フェニルビニルケトン等のビニルケトン類。

エチレン、プロピレン、イソブチレン、ブタジエン、イソプレン等のオレフィン類。

Ｎ−ビニルピロリドン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等。

マレイミド、Ｎ−アクリロイルアクリルアミド、Ｎ−アセチルメタクリルアミド、Ｎ−プロピオニルメタクリルアミド、Ｎ−（ｐ−クロロベンゾイル）メタクリルアミド等の不飽和イミド。

α位にヘテロ原子が結合したメタクリル酸系モノマー、例えば、特開２００２−３０９０５７号公報、特開２００２−３１１５６９号公報等に記載されている化合物を挙げることができる。

その他、非ハロゲン系脂肪族系化合物を例示する。具体的には、単官能型として、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸などの不飽和酸化合物、メトキシジエチ（プロピ）レングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリエチ（プロピ）レングリコール（メタ）アクリレート、メトキシテトラエチ（プロピ）レングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチ（プロピ）レングリコール（メタ）アクリレート、エトキシジエチ（プロピ）レングリコール（メタ）アクリレート、エトキシトリエチ（プロピ）レングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチ（プロピ）レングリコール（メタ）アクリレートなどのアルコキシアルキレングリコール（メタ）アクリレート型、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、トリシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、ピナニル（メタ）アクリレートなどの脂環式（メタ）アクリレート型、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、ジアセトン（メタ）アクリルアミドなどのアミン型（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートなどの官能基含有（メタ）アクリレートなどが挙げられる。

次に、多官能型として、１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ビス（アクリロキシネオペンチルグリコール）アジペート、ビス（メタクリロキシネオペンチルグリコール）アジペート、エピクロルヒドリン変性１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート：日本化薬製カヤラッドＲ−１６７、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート：日本化薬製カヤラッドＨＸシリーズなどのアルキル型（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性エチレングリコールジ（メタ）アクリレート：長瀬産業デナコールＤＡ（Ｍ）−８１１、エピクロルヒドリン変性ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート：長瀬産業デナコールＤＡ（Ｍ）−８５１、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性プロレングリコールジ（メタ）アクリレート：長瀬産業デナコールＤＡ（Ｍ）−９１１などのアルキレングリコール型（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート：日本化薬製カヤラッドＲ−６０４、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート：サートマーＳＲ−４５４、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート：日本化薬製ＴＰＡ−３１０、エピクロルヒドリン変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート：長瀬産業ＤＡ（Ｍ）−３２１などのトリメチロールプロパン型（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート：東亜合成アロニックスＭ−２３３、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート類：日本化薬製カヤラッドＤ−３１０，３２０，３３０など、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート類：日本化薬製カヤラッドＤＰＣＡ−２０，３０，６０，１２０などのペンタエリスリトール型（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート：長瀬産業デナコールＤＡ（Ｍ）−３１４、トリグリセロールジ（メタ）アクリレートなどのグリセロール型（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート、トリシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート、シクロヘキシルジ（メタ）アクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジ（メタ）アクリレート：山陽国策パルプＣＡＭ−２００などの脂環式（メタ）アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート：東亜合成アロニックスＭ−３１５、トリス（メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、カプロラクトン変性トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、カプロラクトン変性トリス（メタクリロキシエチル）イソシアヌレートなどのイソシアヌレート型（メタ）アクリレートなどが挙げられる。

また、脂肪族基からのみ構成される重合可能なエチレン性不飽和基を有する化合物の内、硫黄原子をさらに分子内に含有する化合物を例示する。例えば、単官能型として、メトキシジエチ（プロピ）レングリコールチオ（メタ）アクリレート、メトキシトリエチ（プロピ）レングリコールチオ（メタ）アクリレート、メトキシテトラエチ（プロピ）レングリコールチオ（メタ）アクリレート、メトキシポリエチ（プロピ）レングリコールチオ（メタ）アクリレート、エトキシジエチ（プロピ）レングリコールチオ（メタ）アクリレート、エトキシトリエチ（プロピ）レングリコールチオ（メタ）アクリレート、エトキシポリエチ（プロピ）レングリコールチオ（メタ）アクリレートなどのアルコキシアルキレングリコールチオ（メタ）アクリレート型、シクロヘキシルチオ（メタ）アクリレート、テトラヒドロフリルチオ（メタ）アクリレート、イソボルニルチオ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルチオ（メタ）アクリレート、トリシクロペンタニルチオ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエニルチオ（メタ）アクリレート、ピナニルチオ（メタ）アクリレートなどの脂環式チオ（メタ）アクリレート型などが挙げられる。

次に、多官能型として、１，３−プロパンジオールジチオ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジチオ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジチオ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジチオ（メタ）アクリレート、ビス（チオアクリロキシネオペンチルグリコール）アジペート、ビス（チオメタクリロキシネオペンチルグリコール）アジペート、エピクロルヒドリン変性１，６−ヘキサンジオールジチオ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジチオ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジチオ（メタ）アクリレートなどのアルキル型チオ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性エチレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性ジエチレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジチオ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性プロレングリコールジチオ（メタ）アクリレートなどのアルキレングリコール型チオ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリチオ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパントリチオ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジチオ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリチオ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリチオ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性トリメチロールプロパントリチオ（メタ）アクリレートなどのトリメチロールプロパン型チオ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリチオ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラチオ（メタ）アクリレート、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジチオ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサチオ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタチオ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールポリチオ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールポリチオ（メタ）アクリレート類などペンタエリスリトール型チオ（メタ）アクリレート、グリセロールジチオ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性グリセロールトリチオ（メタ）アクリレート、トリグリセロールジチオ（メタ）アクリレートなどのグリセロール型チオ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルジチオ（メタ）アクリレート、トリシクロペンタニルジチオ（メタ）アクリレート、シクロヘキシルジチオ（メタ）アクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジチオ（メタ）アクリレートなどの脂環式チオ（メタ）アクリレート、トリス（チオアクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（チオメタクリロキシエチル）イソシアヌレート、カプロラクトン変性トリス（チオアクリロキシエチル）イソシアヌレート、カプロラクトン変性トリス（チオメタクリロキシエチル）イソシアヌレートなどのイソシアヌレート型チオ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらは単独あるいは複数混合して用いてもよい。

エチレン性不飽和基を有する化合物の内、分子内に芳香族環または（および）ハロゲン原子を有する化合物として、スチレン、α−メチルスチレン、４−メ（エ）トキシスチレンなどのスチレン類、フェニル（メタ）アクリレート、４−フェニルエチル（メタ）アクリレート、４−メトキシカルボニルフェニル（メタ）アクリレート、４−エトキシカルボニルフェニル（メタ）アクリレート、４−ブトキシカルボニルフェニル（メタ）アクリレート、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシ（メタ）アクリレート、フェノキシヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−フェノキシエチル（メタ）アクリレート、４−フェノキシジエチレングルコール（メタ）アクリレート、４−フェノキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、４−フェノキシヘキサエチレングリコール（メタ）アクリレート、ＥＯ変性フェノキシ化リン酸（メタ）アクリレート、ＥＯ変性フタル酸（メタ）アクリレート、４−ビフェニリル（メタ）アクリレート、芳香族ポリヒドロキシ化合物、例えば、ヒドロキノン、レゾルシン、カテコール、ピロガロール等のジあるいはポリ（メタ）アクリレート化合物、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エチ（プロピ）レンオキサイド変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エチ（プロピ）レンオキサイド変性ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＳジ（メタ）アクリレート、エチ（プロピ）レンオキサイド変性ビスフェノールＳジ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性フタル酸ジ（メタ）アクリレートなどの芳香族基を有する（メタ）アクリレート化合物、ｐ−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｐ−クロロフェノキシエチル（メタ）アクレート、ｐ−ブロモフェノキシエチル（メタ）アクレート、トリクロロフェノールエチ（プロピ）レンオキシド変性（メタ）アクリレート、トリブロモフェノールエチ（プロピ）レンオキシド変性（メタ）アクリレート、テトラクロロビスフェノールＡエチ（プロピ）レンオキシド変性ジ（メタ）アクリレート、テトラブロモビスフェノールＡエチ（プロピ）レンオキシド変性ジ（メタ）アクリレート、テトラクロロビスフェノールＳエチ（プロピ）レンオキシド変性ジ（メタ）アクリレート、テトラブロモビスフェノールＳエチ（プロピ）レンオキシド変性ジ（メタ）アクリレートなどの塩素以上の原子量を持つハロゲン原子で置換された芳香族基を有するスチレン類および（メタ）アクリレート化合物、Ｎ−ビニルカルバゾール、３−メ（エ）チル−Ｎ−ビニルカルバゾールなどのヘテロ芳香族基を有するビニル化合物、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ブロモ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２，３−ジクロロプロピル（メタ）アクリレート、２，３−ジブロモプロピル（メタ）アクリレートなどのハロゲン原子で置換された（メタ）アクリレート化合物などが挙げられる。

また、分子内に芳香族環または（および）ハロゲン原子と、さらに硫黄原子を分子内に有する化合物として、フェニルチオ（メタ）アクリレート、４−フェニルエチルチオ（メタ）アクリレート、４−メトキシカルボニルフェニルチオ（メタ）アクリレート、４−エトキシカルボニルフェニルチオ（メタ）アクリレート、４−ブトキシカルボニルフェニルチオ（メタ）アクリレート、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ（メタ）アクリレート、ベンジルチオ（メタ）アクリレート、４−フェノキシジエチレングルコールチオ（メタ）アクリレート、４−フェノキシテトラエチレングリコールチオ（メタ）アクリレート、４−フェノキシヘキサエチレングリコールチオ（メタ）アクリレート、４−ビフェニリルチオ（メタ）アクリレート、芳香族ポリヒドロキシ化合物、例えば、ヒドロキノン、レゾルシン、カテコール、ピロガロール等のジチオあるいはポリチオ（メタ）アクリレート化合物、ビスフェノールＡジチオ（メタ）アクリレート、エチ（プロピ）レンオキサイド変性ビスフェノールＡジチオ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦジチオ（メタ）アクリレート、エチ（プロピ）レンオキサイド変性ビスフェノールＦジチオ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＳジチオ（メタ）アクリレート、エチ（プロピ）レンオキサイド変性ビスフェノールＳジチオ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性フタル酸ジチオ（メタ）アクリレートなどの芳香族基を有するチオ（メタ）アクリレート化合物、トリクロロフェノールエチ（プロピ）レンオキシド変性チオ（メタ）アクリレート、トリブロモフェノールエチ（プロピ）レンオキシド変性チオ（メタ）アクリレート、テトラクロロビスフェノールＡエチ（プロピ）レンオキシド変性ジチオ（メタ）アクリレート、テトラブロモビスフェノールＡエチ（プロピ）レンオキシド変性ジチオ（メタ）アクリレート、テトラクロロビスフェノールＳエチ（プロピ）レンオキシド変性ジチオ（メタ）アクリレート、テトラブロモビスフェノールＳエチ（プロピ）レンオキシド変性ジチオ（メタ）アクリレートなどの塩素以上の原子量を持つハロゲン原子で置換された芳香族基を有するチオ（メタ）アクリレート化合物、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルチオ（メタ）アクリレート、３−ブロモ−２−ヒドロキシプロピルチオ（メタ）アクリレート、２，３−ジクロロプロピルチオ（メタ）アクリレート、２，３−ジブロモプロピルチオ（メタ）アクリレートなどのハロゲン原子で置換されたチオ（メタ）アクリレート化合物などが挙げられる。

また、エチレン性不飽和結合を有する化合物として、開環シグマ結合開裂を経て重合する付加重合可能な化合物も挙げられる。このような化合物は、Ｋ．Ｊ．ＩｖｉｎおよびＴ．サエグサ編、Ｅｌｓｅｖｉｅｒ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９８４年中の、第１章“Ｇｅｎｅｒａｌ Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃｓ ａｎｄＭｅｃｈａｎｉｓｔｉｃ Ａｓｐｅｃｔｓ ｏｆＲｉｎｇ−Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ”第１頁〜第８２頁、および第２章“Ｒｉｎｇ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｖｉａ Ｃａｒｂｏｎ−Ｃａｒｂｏｎ Ｓｉｇｍａｂｏｎｄ Ｃｌｅａｖａｇｅ”第８３頁〜第１１９頁、Ｗ．Ｊ．ＢａｉｌｅｙらのＪ．Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｃｉ．−Ｃｈｅｍ．，Ａ２１巻、第１６１１頁〜第１６３９頁、１９８４年、およびＩ．ＣｈｏおよびＫ．−Ｄ．ＡｈｎのＪ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｌｅｔｔ．Ｅｄ．第１５巻、第７５１頁〜第７５３頁、１９７７年に記載されている。具体例としては、ビニルシクロプロパン、例えば１，１−ジシアノ−２−ビニルシクロプロパン、１，１−ジクロロ−２−ビニルシクロプロパン、ジエチルー２−ビニルシクロプロパン−１，１−ジカルボキシレート（ＥＶＣＤ）、エチル−１−アセチル−２−ビニル−１−シクロプロパンカルボキシレート（ＥＡＶＣ）、エチル−１−ベンゾイル−２−ビニル−１−シクロプロパンカルボキシレート（ＥＢＶＣ）などが挙げられる。これらは単独あるいは複数混合して用いてもよい。前記（メタ）アクリル化合物あるいはビニル化合物と混合して用いてもよい。

また、不飽和カルボン酸と脂肪族多価アミン化合物とのアミドのモノマーの具体例としてはメチレンビスアクリルアミド、メチレンビスメタクリルアミド、１，６−ヘキサメチレンビスアクリルアミド、１，６−ヘキサメチレンビスメタクリルアミド、ジエチレントリアミントリスアクリルアミド、キシリレンビスアクリルアミド、キシリレンビスメタクリルアミド、Ｎ−フェニルメタクリルアミド、ダイアセトンアクリルアミド等が挙げられる。

その他の例としては、特公昭４８−４１７０８号公報に記載された１分子に２個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物、一般式ＣＨ_２ ＝Ｃ（Ｒ）ＣＯＯＣＨ_２ＣＨ（Ｒ′）ＯＨ （式中Ｒ、及びＲ′は各々独立に水素原子又はメチル基を表す。）で示される水酸基を含有するビニルモノマーを付加させた１分子中に２個以上の重合性ビニル基を含有するビニルウレタン化合物等が挙げられる。

また、特開昭５１−３７１９３号公報に記載されたウレタンアクリレート類、特開昭４８−６４１８３号公報、特公昭４９−４３１９１号公報、特公昭５２−３０４９０号公報にそれぞれ記載されているようなポリエステルアクリレート類、エポキシ樹脂と（メタ）アクリル酸等の多官能性のアクリレートやメタクリレートを挙げることができる。

さらに、日本接着協会誌第２０巻、第７号、３００〜３０８頁に光硬化性モノマー及びオリゴマーとして紹介されているものも使用することができる。

その他、燐を含むモノマーとしてはモノ（２−アクリロイロキシエチル）アシッドフォスフェート（商品名：ライトエステルＰＡ、共栄社油脂化学工業（株）製）、モノ（２−メタクリロイキエチル）アシッドフォスフェート（商品名：ライトエステルＰＭ、共栄社油脂化学工業（株）製）が挙げられ、またエポキシアクリレート系である商品名：リポキシＶＲ−６０（昭和高分子（株）製）、商品名：リポキシＶＲ−９０（昭和高分子（株）製）等が挙げられる。

また、商品名：ＮＫエステルＭ−２３０Ｇ（新中村化学工業（株）製）、商品名：ＮＫエステル２３Ｇ（新中村化学工業（株）製）も挙げられる。
トリアクリレート類、東亜合成化学工業（株）製、商品名、アロニックス Ｍ−３１５、東亜合成化学工業 （株）製、商品名、アロニックス Ｍ−３２５、また、２，２′−ビス（４−アクリロキシ・ジエトキシフェニル） プロパン（新中村化学 （株）製、商品名、ＮＫエステル Ａ−ＢＰＥ−４ ）、テトラメチロールメタンテトラアクリレート（新中村化学 （株）製、商品名、ＮＫエステル Ａ−ＴＭＭＴ）等が挙げられる。

また、重合可能なウレタンアクリレート樹脂としてＴＳＲ−１９２０Ｂ、ＴＳＲ−１９３８（帝人（株）製）、ＳＣＲ−５００（日本合成ゴム（株）製）も熱特性、機械特性の点で好ましい。

本発明に用いられるカチオン重合性化合物は、２光子吸収化合物とカチオン重合開始剤により発生した酸により重合が開始される化合物で、例えば「ケムテク・オクト・（Ｃｈｅｍｔｅｃｈ．Ｏｃｔ．）」［Ｊ．Ｖ．クリベロ（Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ）、第６２４頁、（１９８０）］、特開昭６２−１４９７８４号公報、日本接着学会誌［第２６巻、Ｎｏ．５，第１７９−１８７頁（１９９０）］などに記載されているような化合物が挙げられる。

本発明に用いられるカチオン重合性化合物として好ましくは、オキシラン環、オキセタン環、ビニルエーテル基部位を分子中に少なくとも１個以上有する化合物であり、より好ましくはオキシラン環部位を有する化合物である。
具体的には以下のカチオン重合性モノマー及びそれらから成るプレポリマー（例えばダイマー、オリゴマー等）が挙げられる。

オキシラン環を有するカチオン重合性モノマーの具体例としては、グリセロールジグリシジルエーテル、グルセロールトリグリシジルエーテル、ジグリセロールトリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、１，４−ビス（２，３−エポキシプロポキシパーフルオロイソプロピル）シクロヘキサン、ソルビトールテトラグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンモノグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールモノグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールモノグリシジルエーテル、ネオペンチルグルコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグルコールモノグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ｐ−ｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ジブロモフェニルグリシジルエーテル、ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，２，７，８−ジエポキシオクタン、１，６−ジメチロールパーフルオロヘキサンジグリシジルエーテル、４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシパーフルオロイソプロピル）ジフェニルエーテル、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキシルオキシラン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、ビス（３，４−エポキシ−６−メチル−シクロヘキシルメチル）アジペート、２，２−ビス［４−（２，３−エポキシプロポキシ）シクロヘキシル］プロパン、２，２−ビス［４−（２，３−エポキシプロポキシ）シクロヘキシル］ヘキサフルオロプロパン、１，２，５，６−ジエポキシ−４，７−メタノペルヒドロインデン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）−３’，４’−エポキシ−１，３−ジオキサン−５−スピロシクロヘキサン、１，２−エチレンジオキシ−ビス（３， ４−エポキシシクロヘキシルメタン）、４’，５’−エポキシ−２’−メチルシクロヘキシルメチル−４，５−エポキシ−２−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、エチレングリコール−ビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ジ−２，３−エポキシシクロペンチルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、スチレンオキサイド、ｐ−ブロモスチレンオキサイド、ビスフェノール−Ａ−ジグリシジルエーテル、テトラブロモビスフェノール−Ａ−ジグリシジルエーテル、ビスフェノール−Ｆ−ジグリシジルエーテルなどの化合物が挙げられる。

また、ＨＳ−６８１（旭電化工業（株）製）、ＳＯＭＯＳ８１００（ＤＭＳ−ＳＯＭＯＳ社製）、ＳＣＲ−８１００シリーズ（日本合成ゴム（株）製）、ＳＬ−７５４０（Ｖａｎｔｉｃｏ製）ＳＣＲ−７０１（ディーメック社製、日本合成ゴム（株）製）も重合可能なエポキシ系樹脂として挙げられる。

オキセタン環を有するカチオン重合性モノマーの具体例としては、前記のオキシラン環を有するカチオン重合性モノマーの具体例のオキシラン環をオキセタン環に置き換えた化合物等が挙げられる。

ビニルエーテル基部位を有するカチオン重合性モノマーの具体例としては例えば、ビニル−２−クロロエチルエーテル、ビニル−ｎ−ブチルエーテル、ビニル−ｔ−ブチルエーテル、エチレングリゴールジビニルエーテル、エチレングリコールモノビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールモノビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルグリコール、ネオペンチルグリコールモノビニルグリコール、グリセロールジビニルエーテル、グリセロールトリビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、トリメチロールプロパンモノビニルエーテル、トリメチロールプロパンジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ジグリセロールトリビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、アリルビニルエーテル、２，２−ビス（４−シクロヘキサノール）プロパンジビニルエーテル、２，２−ビス（４−シクロヘキサノール）トリフルオロプロパンジビニルエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、４−ビニルエーテルスチレン、ハイドロキノンジビニルエーテル、フェニルビニルエーテル、ビスフェノールＡジビニルエーテル、テトラブロモビスフェノールＡジビニルエーテル、ビスフェノールＦジビニルエーテル、フェノキシエチレンビニルエーテル、ｐ−ブロモフェノキシエチレンビニルエーテルなどの化合物が挙げられる。
本発明の非共鳴２光子吸収記録材料において用いる、特に好ましい（ａ）非共鳴高分子２光子吸収化合物は、下記一般式（１）で表される構造を有する化合物である。

（一般式（１）中、Ｘ及びＹはハメットのシグマパラ値（σｐ値）が共にゼロ以上の値を有する置換基を表し、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）

一般式（１）中、Ｙはハメット式におけるσｐ値が正の値を取るもの、所謂電子求引性の基を指し、好ましくは例えばトリフルオロメチル基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、などが挙げられ、より好ましくはトリフルオロメチル基、シアノ基、アシル基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基であり、更に好ましくはトリフルオロメチル基、シアノ基、ベンゾイル基であり、最も好ましくはトリフルオロメチル基である。これらの置換基のうち、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、アシル基、アシルオキシ基、及びアルコキシカルボニル基は、溶媒への溶解性の付与等の他、様々な目的で、更に置換基を有してもよく、置換基としては、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アリールオキシ基、などが挙げられる。
ＸはＹに類似し、結合位置を２箇所有する置換基（連結基）であり例えばジフルオロメチレン基、ヘテロ環基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、などが挙げられ、より好ましくはアシル基、アシルオキシ基、またはアルコキシカルボニル基であり、最も好ましくはベンゾイル基である。これらの置換基のうち、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、アシル基、アシルオキシ基、及びアルコキシカルボニル基は、溶媒への溶解性の付与等の他、様々な目的で、更に置換基を有してもよく、置換基としては、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アリールオキシ基、などが挙げられる。

ｎは１以上４以下の整数を表し、より好ましくは２または３であり、最も好ましくは２である。ｎが５以上になると、線形吸収が長波長側に出てくるようになり、７００ｎｍよりも短波長の領域の記録光を用いての非共鳴２光子吸収記録できなくなる。また、ｍは０以上４以下の整数を表す。

Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アルコキシアルキル基、又はアリールオキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はアリール基であり、最も好ましくは水素原子、又はアルキル基である。
Ｒ_２は２価の置換基（連結基）を表し、好ましくは、カルボニル基、オキシ基、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせてなる基であり、エステル結合（カルボニル基とオキシ基からなる基）、アルキレンオキサイド基（アルキレン基とオキシ基からなる基）、アリーレン基、及びこれらを組み合わせてなる基がより好ましい。これらの基は溶媒への溶解性の付与等の他、様々な目的で、更に置換基を有してもよく、置換基としては、好ましくは、ヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アリールオキシ基、などが挙げられる。
Ｒ_３は置換基を表し、置換基としては特に限定されず、具体的にはアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アリールオキシ基などが挙げられる。

以下に、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物において、Ｘ、Ｙが、ハメット式におけるσｐ値が正の値を取る、所謂電子求引性の基であることが望ましい旨を述べる。
Ｔ．Ｋｏｇｅｊ， ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，２９８，１（１９９８））によれば、有機化合物の２光子吸収効率、すなわち２光子吸収断面積δは、３次分子分極率（２次超分極率）γの虚数部と以下の関係にある。

ここでｃ；光速、ν；周波数、ｎ；屈折率、ε_０；真空中の誘電率、ω；光子の振動数、Ｉｍ；虚数部を表す。γの虚数部（Ｉｍγ）は、｜ｇ＞と｜ｅ＞間の双極子モーメント；Ｍｇｅ、｜ｇ＞と｜ｅ’＞間の双極子モーメント；Ｍｇｅ’ 、｜ｇ＞と｜ｅ＞間の双極子モーメントの差；Δμｇｅ、遷移エネルギー；Ｅｇｅ、ダンピングファクター；Γと以下の関係にある。

ここでＰは可換演算子を表す。
従って、数式（２）の値を計算すれば、化合物の２光子吸収断面積を予測することが可能である。そこで、基底状態の最安定構造を６−３１Ｇ＊を基底関数としてＢ３ＬＹＰ汎関数を用いたＤＦＴ法により計算し、その結果を基にＭｇｅ、Ｍｅｅ’及びＥｇｅを計算してＩｍγの値を算出することができる。例えば、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物において、Ｘ及びＹに電子供与性置換基であるメトキシ基が置換したクアテルフェニル化合物の計算から得れたＩｍγの極大値を１とした場合、その他の置換基として、ハメット式におけるσｐ値が正の値を取る、所謂電子求引性の基を有する分子のＩｍγ極大値の相対値が大きいものとなる。
上記一般式（１）で表される構造を有する化合物において、Ｘ及びＹに電子供与性基のメトキシ基が置換するクアテルフェニル化合物では、Ｉｍγは小さく、Ｘ及びＹが共に電子求引性置換基で置換された分子では総じてＩｍγが大きく増大する。先にも述べたが、理論的に２光子吸収断面積δは３次超分極率γの虚数部、すなわちＩｍγに比例するため、これらの計算よりＸ及びＹは共に電子求引性置換基が置換した構造が望ましい。

また、上記一般式（１）で表される構造を有する化合物としては、下記一般式（２）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

一般式（２）中、Ｘ、Ｙ、ｎ、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、ｌ、ｍは、一般式（１）で規定したものと同じである。
一般式（１）または一般式（２）で表される構造を有する化合物において、Ｘ及びＹは、同一種でもそれぞれ異なってもよいが、異なっているほうが、２光子吸収断面積が大きくなる傾向にあり好ましい。

さらに、上記一般式（２）で表される構造を有する化合物としては、下記一般式（３）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

一般式（３）中、Ｙ、ｎ、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、ｌ、ｍは、一般式（１）及び（２）で規定したものと同じである。

さらに、上記一般式（３）で表される構造を有する化合物としては、下記一般式（４）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

一般式（４）中、Ｙ、ｎ、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、ｌ、ｍは、一般式（１）から（３）で規定したものと同じである。

本発明における非共鳴高分子２光子吸収化合物は、下記一般式（５）で表される化合物であることが好ましい。

（一般式（５）中Ｒ_４、Ｒ_５、及びＲ_６は水素原子又は置換基を表し、同一種でもそれぞれ異なってもよい。）

Ｒ_４、Ｒ_５、及びＲ_６は各々独立に、水素原子又は置換基を表し、好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アルコキシアルキル基、又はアリールオキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はアリール基であり、最も好ましくは水素原子、又はアルキル基である。

本発明における非共鳴高分子２光子吸収化合物は、下記一般式（６）で表される化合物であることも好ましい。

（一般式（６）中Ｒ_７、Ｒ_８、及びＲ_９は水素原子又は置換基を表し、同一種でもそれぞれ異なってもよい。）

Ｒ_７、Ｒ_８、及びＲ_９は各々独立に、水素原子又は置換基を表し、好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アルコキシアルキル基、又はアリールオキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はアリール基であり、最も好ましくは水素原子、又はアルキル基である。

本発明の化合物の具体例としては、特に限定されないが、下記のものが挙げられる。

＜屈折率あるいは反射光強度が変化する記録成分＞
本発明の非共鳴２光子吸収記録材料において用いる反射光強度あるいは屈折率が変化する記録成分について、以下に説明する。

本発明の非共鳴２光子吸収記録材料は、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が少なくとも、（ａ）非共鳴高分子２光子吸収化合物と、（ｂ）２光子記録の前後で反射光強度又は屈折率を変化させることのできる材料とを含むことが好ましく、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料の中で、非共鳴高分子２光子吸収化合物が２光子記録の前後で反射光強度又は屈折率を変化させることのできる材料であることがより好ましい。

（バインダー）

本発明の２光子吸収記録材料にはさらにバインダーを用いることができる。本発明の高分子組成物に用いるバインダーとしては特に制限はなく、有機高分子化合物でも無機高分子化合物でもよい。有機高分子化合物としては、溶媒可溶性の熱可塑性重合体が好ましく、単独でか又は互いに組合せて使用することができ、該高分子化合物に分散される高分子２光子吸収化合物等各種成分と相溶性の良いものが好ましい。
具体例としては特開２００５−３２０５０２公報中、段落００２２に記載されている化合物（アクリレート及びアルファーアルキルアクリレートエステル及び酸性重合体及びインターポリマー、ポリビニルエステル、エチレン／酢酸ビニル共重合体、飽和及び不飽和ポリウレタン、ブタジエン及びイソプレン重合体及び共重合体、ポリグリコールの高分子量ポリ酸化エチレン、エポキシ化合物、セルロースエステル、セルロースエーテル、ポリカーボネート、ノルボルネン系ポリマー、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等）が挙げられる。また、同段落に記載のポリスチレン重合体及びその共重合体、コポリエステルのポリメチレングリコールと芳香族酸化合物の反応生成物から製造されたポリマーとその混合物、ポリＮ − ビニルカルバゾール及びその共重合体、カルバゾール含有重合体等が挙げられる。さらに、同公報中、段落００２３〜００２４に記載のフッ素原子含有高分子も好ましい具体例として挙げられる。
より好ましくはアクリレート及びアルファーアルキルアクリレートエステル、ポリスチレン、ポリアルキルスチレン、ポリスチレン共重合体が好ましく、アクリレート、アルファーアルキルアクリレート、ポリスチレン、ポリスチレン共重合体が検出感度の向上という点でさらに好ましい。これら具体例としては、アクリレート及びアルファーアルキルアクリレートエステルとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンゼン環を持った（メタ）アクリレートとしては、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノールエチレンオキサイド付加物（メタ）アクリレート等が挙げられる。特に好ましいベンゼン環を持った（メタ）アクリレートは、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレートである。これらの単量体は１種類のみ用いても２種類以上を併用してもよい。（メタ）アクリレート系共重合体は、アルキル（メタ）アクリレート、ベンゼン環を持った（メタ）アクリレート、窒素を含むラジカル重合性単量体と共重合可能な他の共重合性単量体を共重合させてもよく、そのような他の共重合性単量体としては、アリルグリシジルエーテル、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ｎ−オクチルビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、セチルビニルエーテル、ステアリルビニルエーテルなどのアルキルビニルエーテル類、メトキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレートなどのアルコキシアルキル（メタ）アクリレート類、グリシジル（メタ）アクリレート、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、（無水）マレイン酸、アクリロニトリル、塩化ビニリデン、等が挙げられる。親水性極性基を持つ化合物を共重合してもよく、極性基としては、−ＳＯ_３Ｍ、−ＰＯ（ＯＭ）_２、−ＣＯＯＭ（Ｍは水素原子、アルカリ金属あるいはアンモニウムを表す）。

ポリアルキルスチレン化合物としては、ポリメチルスチレン、ポリエチルスチレン、ポリプロピルスチレン、ポリブチルスチレン、ポリイソブチルスチレン、ポリペンチルスチレン、ヘキシルポリスチレン、ポリオクチルスチレン、ポリ２−エチルヘキシルスチレン、ポリラウリルスチレン、ポリステアリルスチレン、ポリシクロヘキシルスチレン、ベンゼン環を持った（メタ）アクリレートとしては、ポリベンジルスチレン、ポリフェノキシエチルスチレン、ポリフェノキシポリエチレングリコールスチレン、ポリノニルフェノールスチレン等が挙げられる。アルキルの位置はα、パラが好ましい。これらの単量体は１種類のみ用いても２種類以上を併用してもよい。ポリスチレン共重合体は、共役ジエン化合物、アルキルスチレン、ベンゼン環を持ったスチレン、窒素を含むラジカル重合性単量体と共重合可能な他の共重合性単量体を共重合させてもよく、そのような他の共重合性単量体としては、アセチレン、ブタジエン、アクリロニトリル、塩化ビニリデン、ポリエチレン、アリルグリシジルエーテル、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ｎ−オクチルビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、セチルビニルエーテル、ステアリルビニルエーテル、等が挙げられる。

上記色素モノマーの重合体と併用するバインダーとしては、重合前の組成物の成膜性、膜厚の均一性、保存時安定性を向上させる等の目的で通常使用される。
バインダーとしては、溶媒可溶性の熱可塑性重合体が好ましく、単独又は互いに組合せて使用することができる。
上記色素モノマーの重合体と併用するバインダーは重合性化合物と屈折率が違うことが好ましく、重合性化合物の方がより屈折率が大きくても、バインダーの方がより屈折率が大きくてもどちらでも構わないが、重合性化合物の方がバインダーよりも屈折率が大きいことがより好ましい。
そのためには、重合性化合物またはバインダーのいずれか一方が、少なくとも１個のアリール基、芳香族ヘテロ環基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子を含み、残りの一方はそれらを含まないことが好ましく、より好ましくは、重合性化合物が少なくとも１個のアリール基、芳香族ヘテロ環基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子を含み、バインダーはそれらを含まないことが好ましい。

以下に、重合性化合物の屈折率の方がバインダーの屈折率よりも大きい場合の好ましいバインダーの例を説明する。
好ましい低屈折率バインダーの具体例としては、アクリレート及びアルファ−アルキルアクリレートエステル及び酸性重合体及びインターポリマー（例えばポリメタクリル酸メチル及びポリメタクリル酸エチル、メチルメタクリレートと他の（メタ）アクリル酸アルキルエステルの共重合体）、ポリビニルエステル（例えば、ポリ酢酸ビニル、ポリ酢酸／アクリル酸ビニル、ポリ酢酸／メタクリル酸ビニル及び加水分解型ポリ酢酸ビニル）、エチレン／酢酸ビニル共重合体、飽和及び不飽和ポリウレタン、ブタジエン及びイソプレン重合体及び共重合体及びほぼ４，０００〜１，０００，０００の重量平均分子量を有するポリグリコールの高分子量ポリ酸化エチレン、エポキシ化物（例えば、アクリレート又はメタクリレート基を有するエポキシ化物）、ポリアミド（例えば、Ｎ−メトキシメチルポリヘキサメチレンアジパミド）、セルロースエステル（例えば、セルロースアセテート、セルロースアセテートサクシネート及びセルロースアセテートブチレート）、セルロースエーテル（例えば、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルベンジルセルロース）、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール（例えば、ポリビニルブチラール及びポリビニルホルマール）、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、米国特許３，４５８，３１１中及び米国特許４，２７３，８５７中に開示されている酸含有重合体及び共重合体、並びに米国特許４，２９３，６３５中開示されている両性重合体バインダーなどが挙げられ、より好ましくはセルロースアセテートブチレート重合体、セルロースアセテートラクテート重合体、ポリメタクリル酸メチル、メタクリル酸メチル／メタクリル酸及びメタクリル酸メチル／アクリル酸共重合体を含むアクリル系重合体及びインターポリマー、メタクリル酸メチル／アクリル酸又はメタクリル酸Ｃ２〜Ｃ４アルキル／アクリル酸又はメタクリル酸の３元重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、並びにそれらの混合物などが挙げられる。

また、フッ素原子含有高分子も低屈折率バインダーとして好ましい。好ましいものとしては、フルオロオレフィンを必須成分とし、アルキルビニルエーテル、アリサイクリックビニルエーテル、ヒドロキシビニルエーテル、オレフィン、ハロオレフィン、不飽和カルボン酸及びそのエステル、及びカルボン酸ビニルエステルから選ばれる１種もしくは２種以上の不飽和単量体を共重合成分とする有機溶媒に可溶性の重合体である。好ましくは、その質量平均分子量が５，０００〜２００，０００で、またフッ素原子含有量が５〜７０質量％であることが望ましい。

フッ素原子含有高分子におけるフルオロオレフィンとしては、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデンなどが使用される。また、他の共重合成分であるアルキルビニルエーテルとしては、エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテルなど、アリサイクリックビニルエーテルとしてはシクロヘキシルビニルエーテル及びその誘導体、ヒドロキシビニルエーテルとしてはヒドロキシブチルビニルエーテルなど、オレフィン及びハロオレフィンとしてはエチレン、プロピレン、イソブチレン、塩化ビニル、塩化ビニリデンなど、カルボン酸ビニルエステルとしては酢酸ビニル、ｎ−酪酸ビニルなど、また不飽和カルボン酸及びそのエステルとしては（メタ）アクリル酸、クロトン酸などの不飽和カルボン酸、及び（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸ラウリルなどの（メタ）アクリル酸のＣ１からＣ１８のアルキルエステル類、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸のＣ２からＣ８のヒドロキシアルキルエステル類、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらラジカル重合性単量体はそれぞれ単独でも、また２種以上組み合わせて使用しても良く、更に必要に応じて該単量体の一部を他のラジカル重合性単量体、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、（メタ）アクリロニトリルなどのビニル化合物と代替しても良い。また、その他の単量体誘導体として、カルボン酸基含有のフルオロオレフィン、グリシジル基含有ビニルエーテルなども使用可能である。

前記したフッ素原子含有高分子の具体例として、例えば水酸基を有する有機溶媒可溶性の「ルミフロン」シリーズ（例えばルミフロンＬＦ２００、重量平均分子量：約５０，０００、旭硝子社製）が挙げられる。この他にも、ダイキン工業（株）、セントラル硝子（株）、ペンウオルト社などからも有機溶媒可溶性のフッ素原子含有高分子が上市されており、これらも使用することができる。

これらのバインダーは、非３次元架橋構造を形成するものが多い。次に、３次元架橋構造を形成する構造のバインダーについて述べる。

（３次元架橋構造を形成するバインダー）
また、上記のバインダーは非３次元架橋構造を形成するものが多いが、本発明の光記録材料には３次元架橋構造を形成する構造のバインダーを用いることもできる。３次元架橋構造を形成する構造のバインダーは、塗膜性、膜強度、記録性能の向上という点で好ましい。なお、「３次元架橋構造を形成する構造のバインダー」を「マトリックス」と呼ぶ。
上記マトリックスは、その３次元架橋構造を形成する成分を含み、本発明における該成分は熱硬化性化合物を含むことができる。前記硬化性化合物としては、熱硬化性化合物、触媒などを使用して光照射により硬化する光硬化性化合物を用いることができ、熱硬化性化合物が好ましい。

本発明に用いる熱硬化性マトリックスとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、イソシアネート化合物とアルコール化合物から形成されるウレタン樹脂やオキシラン化合物から形成されるエポキシ化合物、メラミン化合物、フォルマリン化合物、（メタ）アクリル酸やイタコン酸等の不飽和酸のエステル化合物やアミド化合物を重合して得られる重合体などが挙げられる。中でもイソシアネート化合物とアルコール化合物から形成されるポリウレタンマトリックスが好ましく、記録の保持性から考えて、多官能イソシアネートと多官能アルコールから形成されるポリウレタンマトリックスが最も好ましい。

以下に、ポリウレタンマトリックスを形成することができる、多官能イソシアネート及び多官能アルコールについて具体例を述べる。
前記多官能イソシアネートとしては、具体的には、ビスシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、フェニレン−１，３−ジイソシアネート、フェニレン−１，４−ジイソシアネート、１−メトキシフェニレン−２，４−ジイソシアネート、１−メチルフェニレン−２，４−ジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート、ビフェニレン−４，４’−ジイソシアネート、３，３’−ジメトキシビフェニレン−４，４’−ジイソシアネート、３，３’−ジメチルビフェニレン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、３，３’−ジメトキシジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、３，３’−ジメチルジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、シクロブチレン−１，３−ジイソシアネート、シクロペンチレン−１，３−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−１，３−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−１，４−ジイソシアネート、１−メチルシクロヘキシレン−２，４−ジイソシアネート、１−メチルシクロヘキシレン−２，６−ジイソシアネート、１−イソシアネート−３，３，５−トリメチル−５−イソシアネートメチルシクロヘキサン、シクロヘキサン−１，３−ビス（メチルイソシアネート）、シクロヘキサン−１，４−ビス（メチルイソシアネート）、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、エチレンジイソシアネート、テトラメチレン−１，４−ジイソシアネート、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート、ドデカメチレン−１，１２−ジイソシアネート、フェニル−１，３，５−トリイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４，４’−トリイソシアネート、ジフェニルメタン−２，５，４’−トリイソシアネート、トリフェニルメタン−２，４’，４”−トリイソシアネート、トリフェニルメタン−４，４’，４”−トリイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４，２’，４’−テトライソシアネート、ジフェニルメタン−２，５，２’，５’−テトライソシアネート、シクロヘキサン−１，３，５−トリイソシアネート、シクロヘキサン−１，３，５−トリス（メチルイソシアネート）、３，５−ジメチルシクロヘキサン−１，３，５−トリス（メチルイソシアネート）、１，３，５−トリメチルシクロヘキサン−１，３，５−トリス（メチルイソシアネート）、ジシクロヘキシルメタン−２，４，２’−トリイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４，４’−トリイソシアネートリジンジイソシアネートメチルエステル、またはこれらの有機イソシアネート化合物の化学量論的過剰量と多官能性活性水素含有化合物との反応により得られる両末端イソシアネートプレポリマー、などが挙げられる。これらの中でも、ビスシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートが特に好ましい。これらは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記多官能アルコールとは、多官能アルコール単独であってもよく、他の多官能アルコールと混合状態であってもよい。多官能アルコールとしては、エチレングリコール、トリエチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ネオペンチルグリコール等のグリコール類；ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、ヘプタンジオール、テトラメチレングリコール等のジオール類；ビスフェノール類、またはこれらの多官能アルコールをポリエチレンオキシ鎖やポリプロピレンオキシ鎖で修飾した化合物、グリセリン、トリメチロールプロパン、ブタントリオール、ペンタントリオール、ヘキサントリオール、デカントリオール等のトリオール類などのこれらの多官能アルコールをポリエチレンオキシ鎖やポリプロピレンオキシ鎖で修飾した化合物、などが挙げられる。

上記色素モノマーを用いた光記録用組成物における前記マトリックス形成成分の含有量は、１０〜９５質量％が好ましく、３５〜９０質量％がより好ましい。

以下、本発明の光情報記録媒体及びその製造方法について、光情報記録媒体を構成する各要素ごとに、詳細に説明する。

［基板］
本発明の光情報記録媒体は、基板を有することが好ましい。
本発明の記録媒体に用いられる基板としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料からなる基板を任意に選択して使用することができる。基板としては、円盤状基板を用いることが好ましい。
基板材料として、具体的には、ガラス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。
前記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。
これらの樹脂を用いた場合、射出成型を用いて基板を作製することができる。また、樹脂をフィルム状に形成し、円盤状に切り抜くことで基板を形成することも可能である。
基板の厚さは、一般に０．０２ｍｍ〜２ｍｍの範囲が好ましく、０．６ｍｍ〜２ｍｍの範囲がより好ましく、０．７ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲であることが更に好ましく、０．９ｍｍ〜１．２ｍｍとすることが特に好ましい。また、２枚の記録媒体を貼り合せて両面記録可能な媒体とすることも可能である。その場合、基板１枚の厚さは０．２ｍｍ〜０．７ｍｍの範囲であり、０．３ｍｍ〜０．６ｍｍの範囲であることが好ましく、０．４〜０．５ｍｍとすることがより好ましい。
また、高速での記録再生可能かつ、体積あたりの記録容量を向上させるため基板の厚さを、一般的な光ディスクよりも大きく低減し、可撓性を持たせることも可能である。その場合基板の厚さは０．０２ｍｍ〜０．４ｍｍの範囲であり、０．０５ｍｍ〜０．３５ｍｍの範囲であることが好ましく、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍとすることがより好ましい。
基板の中心には、チャッキング用の孔を設けることが一般的である。また、孔の代わりにハブを設けることも可能である。

［ガイド層］
光記録媒体の記録時にトラッキングサーボによる半径位置制御を行うための、同心円状またはスパイラル状のガイド層を設けても良い。ガイド層は一般に、連続的または断続的な凹凸構造を有し、従来の光ディスクでは円盤状媒体の内周から外周まで一本の溝が連続してスパイラル状の形成されている。溝深さはトラッキングに用いるレーザー波長により好適な範囲が決まる。トラッキングにプッシュプル方式を用いる場合、溝から得られるトラッキング信号は、トラッキングレーザー波長をλ、溝内の屈折率をｎとした場合、溝深さがλ／（８ｎ）において最大となり、溝深さが０およびλ／（４ｎ）において０となることから、溝深さｄの範囲は０＜ｄ＜λ／（４ｎ）であり、溝深さｄの範囲はλ／（１２ｎ）＜ｄ＜λ／（６ｎ）が好ましく、より好ましくはｄ＝λ／（８ｎ）である。
ガイド溝の幅はトラックピッチに応じて設定することが可能であり、一般にトラックピッチの半分程度にすることで強度の高いプッシュプル信号を得ることができる。
ガイド層には記録時の回転同期用クロック信号を生成する構造を設けることができる。一般には、溝を任意の周波数で蛇行させるウォブルグルーブ方式が用いられる。記録装置はウォブルグルーブから得られる周期的な信号変動を参照し、規定の記録線速度に制御することが可能である。また、ガイド層にはアドレス情報を設けることができる。ウォブルグルーブ方式の場合、搬送周波数に対して大小の周波数を組み合わせることにより、任意のアドレス情報を持たせる周波数変調方式や、ウォブルの位相を変化させることによる位相変調方式、アドレス情報を重畳させる方式、などを用いることが可能である。また、溝の横にマークを設け、その位置によりアドレス情報を形成する、いわゆるランドプリピット方式も可能であり、これらを組み合わせて用いることが可能である。また、アドレス情報と同様の方法を用いて、記録パワーのキャリブレーションや、対応線速度、信号極性等、記録再生制御に必要な情報を予めガイド層に記録しておくことも可能である。
ガイド層を設ける深さ方向の位置は、トラッキングレーザーにより再生可能な位置であればどこでも良く、ガイド層を基板表面に設ける場合は、基板成形時にガイド層形状が刻印されている金属スタンパを押し当てることにより、基板成形とガイド層形成を同時に行うことが可能である。また、成形基板に紫外線硬化樹脂等を塗布し、スタンパを押し当てた後樹脂を硬化させることにより形成することも可能である。各記録層と隣接して設ける場合、記録層の間の中間層に設ける場合、カバー層と隣接して設ける場合なども同様にガイド層を形成することが可能である。ガイド層を設ける樹脂層に樹脂の軟化温度以上に加熱した金属スタンパを押し当ててパターンを転写することも可能である。

［反射層］
反射信号強度を向上するために、ガイド層または記録層に隣接して反射層を設けることができる。
反射層材料としては再生波長において必要な反射率が得られる材料種から選択可能であり、例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属、又は半金属を用いることが可能であり、中でもＡｇ、Ａｕ、Ａｌは高い反射率が得られ良好である。これら材料は単独で用いても良いし、複数を混合しても良い。また、改質のため少量の添加元素を加えることも可能である。
反射層として高屈折率または低屈折率材料を用いて、隣接する層との屈折率差を設けることにより反射光を生成することも可能である。高屈折率材料の例としては、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）などが挙げられる。低屈折率材料の例としては、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ_３）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）などが挙げられる。これら材料は単独で用いても良いし、複数を混合しても良い。これらの無機化合物を、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、分子線エピタキシー等の方法により製膜することで反射層を形成することが可能である。
記録再生用レーザーとトラッキング用レーザーの波長が異なる場合、波長選択的な反射層材料を用いることにより、トラッキングレーザーの反射率を高く、記録再生レーザーの反射率を低く設定し、不要な反射光を低減することも可能である。具体的には、例えば記録再生レーザーとして波長４０５ｎｍの光、トラッキング用レーザーとして波長６６０ｎｍの光を用いる場合に、５００ｎｍよりも長波長においては高い反射率を示し、５００ｎｍよりも短波長において反射率が急激に低下するＡｕを反射層として用いることにより、トラッキング用レーザー光を強く反射し、記録再生光の反射率を下げ、記録再生光の反射による迷光成分を低減することが可能となる。

［中間層］
隣接する記録層の間には記録層を物理的に隔て、膨張による記録マークを形成可能な界面を生成するための中間層を設ける。
記録層と中間層の界面反射は、主に両者の屈折率差により生成するため、記録層と中間層に屈折率差を設ける必要がある。多層構造で記録層両側に中間層が位置する場合、記録層と、両方の中間層の屈折率差を同じとし記録層上下から界面反射を生成することも可能であるし、記録層両側に位置する中間層片側の中間層の屈折率を記録層と同じとし、もう片側の中間層の屈折率を記録層と異なる中間層とすることで、記録層片側界面のみから反射光を生成することも可能である。この場合、記録層両側界面から反射光を生成した場合に比べ、光の干渉による記録層反射率の変動を低減可能となる。また、この場合、記録層上下の中間層が異なる素材でも良い。
記録層と中間層の屈折率差は、一般に０．０１〜０．５の範囲であり、０．０４〜０．４の範囲であることが好ましく、０．０８〜０．２５とすることがより好ましい。小さすぎると必要な反射光が得られず、大きすぎると用いる材料が限られてしまう。
中間層膜厚は薄すぎると隣接する記録層同士の光学的な分離が困難となる、熱的な影響を受けるなどによりいわゆる層間クロストークが生じる問題があり、厚すぎると記録層数を増やすことが難しくなる。このため中間層厚みは、２μｍ〜２０μｍの範囲であり、４μｍ〜１５μｍの範囲であることが好ましく、６μｍ〜１０μｍとすることがより好ましい。

中間層は記録再生波長およびトラッキング波長に対して透明であることが好ましい。なお、「透明」とは、記録および再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。
それぞれの中間層は膜厚が同じでも良いし、異なる膜厚でも良い。入射面からの距離が小さいほど光学系の収差が小さいことを考慮して、入射側に近い中間層をより薄くすることも有効である。
中間層材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化樹脂、粘着材等を用いることが可能である。
紫外線硬化樹脂は、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、エポキシ樹脂、パーフルオロポリエーテルなどのフッ素系ポリマーやポリジメチルシロキサンなどのシリコーン系ポリマー、光重合開始剤などの混合物からなる。
光重合開始剤としては公知のものを用いることができ、光重合開始剤のうち、光ラジカル開始剤としては、例えば、ダロキュア１１７３、イルガキュア６５１、イルガキュア１８４、イルガキュア９０７（いずれもチバスペシャルティケミカルズ社製）が挙げられる。光重合開始剤の含有量は、例えば、紫外線硬化樹脂剤組成物（固形分として）中に０．５〜５質量％程度である。

また、必要に応じて、非重合性の希釈溶剤、光重合開始助剤、有機フィラー、重合禁止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、消泡剤、レベリング剤、顔料、ケイ素化合物などを含んでいても差し支えない。前記非重合性の希釈溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコール、ｎ − ブチルアルコール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ − ブチル、エチルセロソルブ、トルエンなどが挙げられる。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン系、シュウ酸アニリド系、及びシアノアクリレート系の化合物を挙げることができる。
紫外線硬化樹脂層は既知の製膜方法により形成することができる。例えばエアドクタコート、ブレードコート、ロッドコート、ナイフコート、スクイズコート、含侵コート、リバースロールコート、トランスファーロールコート、グラビアコート、キスロールコート、キャストコート、カーテンコート、カレンダコート、押出コート、スプレーコート、スピンコート、ホットメルトコート、蒸着、エクストルージョン等を用いることができる。

粘着層に使用される粘着剤としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができる。透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。
アクリル系の粘着剤としては、アクリル酸ブチル、アクリル酸エチル、２−エチルヘキシルアクリレート等の低Ｔｇモノマーを主モノマーとし、アクリル酸、メタクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基モノマーと共重合することで得られたアクリル共重合体をイソシアネート系、メラミン系、エポキシ系、ウレタン系等の架橋剤にて架橋することにより得ることができる。他の光硬化性のオリゴマー・モノマーや、重合開始剤、希釈溶剤、粘着付与剤、酸化防止剤、増感剤、架橋剤、紫外線吸収剤、重合禁止剤、充填材、熱可塑性樹脂・染料・顔料等が硬化や添加できる。これら粘着剤組成物をセパレータ上に塗工する。

セパレータには離型処理された厚み２５〜１００μｍのポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、トリアセチルセルロースフィルム等のプラスチックフィルムもしくは紙が使用できる。それらの中で、更に平滑な表面が得易く生産性に優れる二軸延伸ポリエステルフィルムが好ましい。セパレータの粘着剤層と接する面には離型剤処理を行っている。この離型剤としては、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、アルキル基を有する樹脂等の単体や変性体、混合物等が挙げられる。その中で、接着剤層の軽剥離が容易に得ることができるシリコーン樹脂が好ましく使用でき、特に熱や紫外線、電子線等で硬化したシリコーン樹脂は、接着剤層へのシリコーン樹脂の転着が少ない等の理由からより好ましく使用できる。

粘着層は既知の製膜方法によりセパレータ上に塗工することができる。例えばエアドクタコート、ブレードコート、ロッドコート、ナイフコート、スクイズコート、含侵コート、リバースロールコート、トランスファーロールコート、グラビアコート、キスロールコート、キャストコート、カーテンコート、カレンダコート、押出コート、スプレーコート、スピンコート、ホットメルトコート等を用いることができる。塗工したのち乾燥、活性エネルギー線照射等により硬化させ、粘着材中間層とする。また、硬化を完全に終了しない状態で媒体上に積層し、積層後に加熱、紫外線照射などの方法により硬化を完了させることも可能である。

中間層は媒体上に直接製膜しても良いし、あらかじめ記録層との積層構造を作成しておいてから、媒体上に積層しても良い。中間層に粘着層を用いる場合には例えば、特開２００５−２０９３２８、特開２０１１−８１８６０等記載の既存の方法により、記録層、中間層を圧着させることにより積層体を形成することができる。さらに積層体同士を積層することにより２層以上の記録層及び中間層を含む積層体を形成することも可能である。この積層体は粘着層を、基板、ガイド層、反射層、カバーシート、スペーサー層、すでに形成した記録層または中間層に対向させ、ローラー等で加圧接触させることにより媒体上に積層することができる。

［記録層］
本発明の記録層は、記録光を照射すると、色素部分が記録光を吸収して発生する熱により高分子部分が変形し、隣接する層との界面に凸形状が形成されることで情報が記録される。
記録再生に必要な信号強度を得るための形状変化には、膨張させるための、ある程度の厚みの記録層が必要であり、その範囲は、５０ｎｍ〜５μｍが望ましく、より望ましくは１００ｎｍ〜３μｍ、更に望ましくは２００ｎｍ〜２μｍの厚さで形成されている。
記録層には必要に応じてバインダ、褪色防止剤、発熱剤、可塑剤、屈折率調整剤等の添加物を加えても良い。

バインダとしては、例えばゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質；及びポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物等の合成有機高分子を挙げることができる。
褪色防止剤としては、有機酸化剤や一重項酸素クエンチャーを挙げることができる。褪色防止剤として用いられる有機酸化剤としては、特開平１０−１５１８６１号公報に記載されている化合物が好ましい。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号、同５９−８１１９４号、同６０−１８３８７号、同６０−１９５８６号、同６０−１９５８７号、同６０−３５０５４号、同６０−３６１９０号、同６０−３６１９１号、同６０−４４５５４号、同６０−４４５５５号、同６０−４４３８９号、同６０−４４３９０号、同６０−５４８９２号、同６０−４７０６９号、同６３−２０９９９５号、特開平４−２５４９２号、特公平１−３８６８０号、および同６−２６０２８号等の各公報、ドイツ特許３５０３９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁などに記載のものを挙げることができる。

可塑剤としては例えば、トリエチレングリコールジカプリレート、トリエチレングリコールビス（２−エチルヘキサノエート）、テトラエチレングリコールジヘプタノエート、ジエチルセバケート、ジブチルスベレート、トリス（２−エチルヘキシル）ホスフェート、トリクレジルホスフェート、ジブチルフタレート等が挙げられる。
屈折率調整剤としては各種高分子材料やＳｉＯ２、ＴｉＯ２等透明な無機物の微粒子等を用いることが可能である。

記録層は既知の製膜方法により形成することができる。例えばエアドクタコート、ブレードコート、ロッドコート、ナイフコート、スクイズコート、含侵コート、リバースロールコート、トランスファーロールコート、グラビアコート、キスロールコート、キャストコート、カーテンコート、カレンダコート、押出コート、スプレーコート、スピンコート、ホットメルトコート、蒸着、エクストルージョン等を用いることができる。
溶剤コートを用いる場合は記録層成分を塗布溶媒に溶解もしくは分散させる。塗布溶媒は、記録層成分の溶解性、分解性と塗布適性等を考慮し選択することができ、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、アリルアルコール、フルフリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノール等のアルコール系溶媒；ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒；トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；四塩化炭素、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；アセトン等のケトン系溶媒；酢酸エチル等のエステル系溶媒；水などが１種あるいは複数混合して用いられる。これら溶媒と記録層成分を混合した後、攪拌、超音波、加熱するなどして塗布溶剤を調整する。 使用した溶媒は乾燥時に蒸発除去することができる。蒸発除去には加熱や減圧を用いても良い。

記録層は基板上に直接形成しても良いし、あらかじめ中間層との積層構造を作成しておいてから、基板上に積層しても良い。中間層に粘着層を用いる場合には例えば、特開２００５−２０９３２８、特開２０１１−８１８６０等記載の既存の方法により、記録層をセパレータ上、もしくは剥離補助層上に塗布形成した後に、中間層と積層することにより、記録層、中間層の積層体を形成することができる。
記録層の層数は１層以上あれば良く、記録層は中間層を隔てて積層することにより層数を増やすことも可能である。

［スペーサー層］
ガイド層は凹凸形状を設けてあることから、ガイド層からの反射光は周波数成分をもつこととなり、記録再生信号に影響を及ぼす。そのためガイド層とガイド層に最も近い記録層を空間的に分離し、ガイド層からの反射光の影響を低減するためのスペーサー層を設けることができる。
スペーサー層の厚みは５μｍ〜１００μｍの範囲であり、１０μｍ〜５０μｍの範囲であることが好ましく、２０μｍ〜４０μｍとすることがより好ましい。
スペーサー層材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化樹脂、粘着材等を用いることが可能である。また中間層と同じ材料でも良い。

［カバー層］
記録層の保護の観点から、記録層よりも光入射側表面側に、カバー層を設けても良い。カバー層は薄すぎると、記録再生時にカバー層表面の表面の傷や汚れをコントラスト良く検出してしまい、一方、光学系の収差は入射側表面から記録層までの距離が大きくなるにつれ大きくなることから、カバー層厚みには好適な範囲がある。具体的には、一般にカバー層の厚さは０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍの範囲であり、０．０２ｍｍ〜０．１ｍｍの範囲とすることが好ましく、０．０３ｍｍ〜０．０７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
カバー層形成手段としては従来の光ディスクで用いられている、紫外線硬化樹脂組成物を表面に形成し硬化する方式や、フィルムを接着剤、粘着材などを介して貼り付ける方式などを用いることができる。
紫外線硬化樹脂は、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、エポキシ樹脂、パーフルオロポリエーテルなどのフッ素系ポリマーやポリジメチルシロキサンなどのシリコーン系ポリマー、光重合開始剤などの混合物からなる。
光重合開始剤としては公知のものを用いることができ、光重合開始剤のうち、光ラジカル開始剤としては、例えば、ダロキュア１１７３、イルガキュア６５１、イルガキュア１８４、イルガキュア９０７（いずれもチバスペシャルティケミカルズ社製）が挙げられる。光重合開始剤の含有量は、例えば、紫外線硬化樹脂剤組成物（固形分として）中に０．５〜５質量％程度である。

また、必要に応じて、非重合性の希釈溶剤、光重合開始助剤、有機フィラー、重合禁止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、消泡剤、レベリング剤、顔料、ケイ素化合物などを含んでいても差し支えない。前記非重合性の希釈溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコール、ｎ − ブチルアルコール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ − ブチル、エチルセロソルブ、トルエンなどが挙げられる。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン系、シュウ酸アニリド系、及びシアノアクリレート系の化合物を挙げることができる。
また、紫外線硬化型組成物には、必要であれば、さらにその他の添加剤として、熱重合禁止剤、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、ホスファイト等に代表される酸化防止剤、可塑剤およびエポキシシラン、メルカプトシラン、（メタ）アクリルシラン等に代表されるシランカップリング剤等を、各種特性を改良する目的で配合することもできる。これらは、硬化型成分への溶解性に優れたもの、紫外線透過性を阻害しないものを選択して用いることが好ましい。
これらの紫外線硬化樹脂は、フィルムを貼り付ける場合に、接着剤として用いることが可能である。

粘着層に使用される粘着剤としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系の粘着剤を使用することができる。透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。
アクリル系の粘着剤としては、アクリル酸ブチル、アクリル酸エチル、２−エチルヘキシルアクリレート等の低Ｔｇモノマーを主モノマーとし、アクリル酸、メタクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基モノマーと共重合することで得られたアクリル共重合体をイソシアネート系、メラミン系、エポキシ系、ウレタン系等の架橋剤にて架橋することにより得ることができる。他の光硬化性のオリゴマー・モノマーや、重合開始剤、希釈溶剤、粘着付与剤、酸化防止剤、増感剤、架橋剤、紫外線吸収剤、重合禁止剤、充填材、熱可塑性樹脂・染料・顔料等が硬化や添加できる。これら粘着剤組成物をセパレータ上に塗工する。
セパレータには離型処理された厚み２５〜１００μｍのポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、トリアセチルセルロースフィルム等のプラスチックフィルムもしくは紙が使用できる。これらの中で、更に平滑な表面が得易く生産性に優れる二軸延伸ポリエステルフィルムが好ましい。セパレータの粘着剤層と接する面には離型剤処理を行っている。この離型剤としては、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、アルキル基を有する樹脂等の単体や変性体、混合物等が挙げられる。その中で、接着剤層の軽剥離が容易に得ることができるシリコーン樹脂が好ましく使用でき、特に熱や紫外線、電子線等で硬化したシリコーン樹脂は、接着剤層へのシリコーン樹脂の転着が少ない等の理由からより好ましく使用できる。

粘着層は既知の製膜方法によりセパレータ上に塗工することができる。例えばエアドクタコート、ブレードコート、ロッドコート、ナイフコート、スクイズコート、含侵コート、リバースロールコート、トランスファーロールコート、グラビアコート、キスロールコート、キャストコート、カーテンコート、カレンダコート、押出コート、スプレーコート、スピンコート、ホットメルトコート等を用いることができる。塗工したのち乾燥、活性エネルギー線照射等により硬化させ、粘着層とする。その後、フィルム材料と粘着層をラミネータにより積層することで粘着層付きカバー層を形成することができる。
フィルムを貼り合せる場合、用いるフィルムは、透明な材質であれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンまたは三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
なお、「透明」とは、記録および再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。

［ハードコート層］
記録再生装置の対物レンズの接触や、ハンドリングによる傷、指紋等の汚れを防ぐために、光入射側表面にハードコート層を設けることができる。ハードコート層は予めカバー層表面に形成しておいても良いし、紫外線硬化樹脂組成物の形態で準備しておいてディスク製造工程においてスピンコート等を用いて表面に塗布、硬化させて形成しても良い。
ハードコート層は一般に、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、エポキシ樹脂、パーフルオロポリエーテルなどのフッ素系ポリマーやポリジメチルシロキサンなどのシリコーン系ポリマー、ＳｉＯ_２の微粒子、光重合開始剤などの混合物からなる。
光重合開始剤としては公知のものを用いることができ、光重合開始剤のうち、光ラジカル開始剤としては、例えば、ダロキュア１１７３、イルガキュア６５１、イルガキュア１８４、イルガキュア９０７（いずれもチバスペシャルティケミカルズ社製）が挙げられる。光重合開始剤の含有量は、例えば、ハードコート剤組成物（固形分として）中に０．５〜５質量％程度である。

また、ハードコート剤組成物はさらに、必要に応じて、非重合性の希釈溶剤、光重合開始助剤、有機フィラー、重合禁止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、消泡剤、レベリング剤、顔料、ケイ素化合物などを含んでいても差し支えない。前記非重合性の希釈溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、エチルセロソルブ、トルエンなどが挙げられる。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン系、シュウ酸アニリド系、及びシアノアクリレート系の化合物を挙げることができる。
ハードコート材料としては具体的には特開２００４−２９２４３０、特開２００５−１１２９００記載の化合物や、市販品例えばＨＣ―３（ＤＩＣ株式会社製）を用いることも可能である。
ハードコート層は上述したカバー層を兼ねていても良く、その場合、カバー層として必要な厚みにハードコート層を形成することで形成できる。

［記録媒体の作成］
上述の各構成要素を必要に応じた組み合わせ、順序で積層することで、本発明の光情報記録媒体を製造することが可能である。
本発明の光情報記録媒体は、非共鳴２光子吸収化合物を含む非共鳴２光子吸収記録材料からなる記録層を有することが好ましく、入射光に対して奥側から、基板、ガイド層、反射層、スペーサー層、中間層に挟まれた記録層の積層構造、及び入射光表面側にカバー層、ハードコート層を有する光情報記録媒体であることがより好ましい。
図２に本発明の光情報記録媒体の１例を示す。図２に記載の光情報記録媒体１０は、基板上にガイド層１２、反射層、スペーサー層、中間層、記録層１１をこの順に有している。記録層は中間層に挟まれた構成となっている。また、入射光表面側にカバー層、ハードコート層を有している。

［識別情報の形成］
記録媒体１枚毎に識別情報等を設ける目的で、媒体の一部にバーコード等によるマーキングを行うことが可能である。
マーキング方法としては、特許第３１４３４５４号、特許第３３８５２８５号等に記載の従来の光ディスクで用いられている反射層へのレーザー照射による熱破壊による方法の他、記録層へのレーザー照射や印刷等の方法を用いることが可能である。

［カートリッジ］
記録媒体を落下やハンドリングによる傷から守る、耐光性を持たせる目的で、記録媒体をカートリッジに収納することも可能である。その場合、従来の光ディスクで用いられているカートリッジを用いることができる。

次に、記録再生装置の構成について説明する。図１に示すように、記録再生装置１は、スピンドル５０に保持された光情報記録媒体１０に対し情報の記録・再生を行う装置である。
記録再生装置１は、光情報記録媒体１０に対面して対物レンズ２１を有し、対物レンズ２１の光軸上に、対物レンズ２１から順に、ＤＢＳ（ダイクロイックビームスプリッタ）２２、λ／４板２３ａ、収差補正のためのビームエキスパンダ２４、ＰＢＳ（偏光ビームスプリッタ）２５ａ、λ／２板２６ａ、ＰＢＳ２５ｂ、ミラー２７を備えている。

そして、ミラー２７の、対物レンズ２１の光軸方向に直交する方向には、λ／２板２６ｂ、コリメートレンズ２８、ピンホール２９、集光レンズ３０、変調器３１、および記録用レーザ３２が順に配置されている。
また、ＰＢＳ２５ｂの反射方向にはλ／２板２６ｃ、コリメートレンズ３３、再生用レーザ３４が順に配置されており、ＰＢＳ２５ａの反射方向にはビームスプリッタ３５が配置されており、ビームスプリッタ３５で分岐される一方には集光レンズ３６、ピンホール３７、再生光受光素子３８が配置され、もう一方には集光レンズ３９、シリンドリカルレンズ４０、再生フォーカス用受光素子４１が配置されている。
ＤＢＳ２２の対物レンズ２１の光軸方向に直交する方向には、λ／４板２３ｂ、ＰＢＳ２５ｃが配置されており、ＰＢＳ２５ｃの一方、対物レンズ２１の光軸方向に直交する方向に、λ／２板２６ｄ、コリメートレンズ４２、ガイド層用レーザ光源４３が順に配置され、ＰＢＳ２５ｃのもう一方、対物レンズ２１の光軸方向に平行な方向には、集光レンズ４４、シリンドリカルレンズ４５、ガイド光用受光素子４６が順に配置されている。

対物レンズ２１は、ガイド光をガイド層に、記録光および再生光を複数の記録層１１のうちの一つに収束するレンズである。対物レンズ２１は、制御装置６０により駆動されるレンズアクチュエータ４７により光軸方向に移動され、ガイド光をガイド層１２に、記録光および再生光を任意の記録層１１に焦点を合わせることができるようになっている。また、レンズアクチュエータ４７により対物レンズ２１を光軸に平行な方向に移動することによって、記録光および読出光のトラッキング位置を制御することができるようになっている。

ビームエキスパンダ２４は、制御装置６０によって対物レンズ２１に入射する光の収束、発散状態を変化させる光学素子であり、記録再生を行う記録層１１の深さおよび、球面収差を補正する機能を果たす。

λ／４板２３ａ、２３ｂは、直線偏光を円偏光に変換し、円偏光を回転方向に応じた向きの直線偏光に変換する光学素子であり、光情報記録媒体１０に入射する光の直線偏光の方向と反射光の直線偏光の向きを９０°異ならせる役割を果たす。

λ／２板２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄはそれぞれ入射する直線偏光の偏光方向を回転させる光学素子であり、所定の偏光方向に制御することによってＰＢＳを透過する際の透過率を制御することができる。

ＰＢＳ２５ａ、２５ｂは、特定の偏光の光を反射して分離する光学素子であり、記録用レーザ３２から出射された記録光および再生用レーザ３８から出射された読出光を通過させて光情報記録媒体１０へ向けて進めるとともに、光情報記録媒体１０から返ってきた再生光を反射してビームスプリッタ３５に向けて進める機能を果たす。
同様に、ＰＢＳ２５ｃはガイド層用レーザ光源４３からの光を光情報記録媒体１０に向けて透過させるとともに、反射した光をガイド光用受光素子４６に向けて反射させる。

ビームスプリッタ３５は、光の偏光状態によらず所定の分岐比で光を分割する光学素子であり、ＰＢＳ２５ａによって導かれた再生光を再生フォーカス用受光素子４１および再生光受光素子３８に配分する機能を果たす。

ＤＢＳ２２は、特定の波長域の光を反射し、その他の波長域の光を透過させる光学素子であり、記録光および再生光を透過し、ガイド層用レーザ光を反射するものが用いられている。本実施形態では、側方から入射されるガイド層用レーザ光を光情報記録媒体１０へ向けるために配置されている。

再生用レーザ３４は、４０５ｎｍのＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｗａｖｅ）レーザである。再生用レーザ３４は、記録スポットと同等以下の小さなビームに絞れるのが望ましいため、記録用レーザ３２と同じ波長または短い波長で発光するものを用いるとよい。再生用レーザ３４の出力は、制御装置６０により制御される。

ガイド層用レーザ４３は、６５０ｎｍのＣＷレーザである。ガイド層用レーザ４３からの光は対物レンズ２１によって集光され、光情報記録媒体１０のガイド層１２に集光される。ガイド層用レーザ光は記録光および再生光と異ならせることにより、ＤＢＳ２２によって分離することができる。ガイド層用レーザ４３の出力は、制御装置６０により制御される

記録用レーザ３２は４０５ｎｍのパルスレーザである。記録層１１において多光子吸収反応を効率的に起こさせるため、記録用レーザ３２としては、ＣＷレーザよりもピークパワーが大きいパルスレーザを用いるのが望ましい。記録用レーザ３２の出力は、制御装置６０により制御される。記録用レーザとして好ましいピークパワーとしては光情報記録媒体１０の表面上で１Ｗ〜１００Ｗの範囲であることが望ましい。ピークパワーが１Ｗを下回ると記録スポットにおける光子密度が低下するため効率的な多光子吸収反応が生じなくなるという問題があり、また１００Ｗ以上であると、記録用レーザの平均出力が高くなるため、記録に用いる記録用パルスレーザが大型になるという問題が生じる。このため好ましい記録用レーザ平均出力としては光情報記録媒体上で１００ｍＷ以下が好ましい。パルスレーザの平均出力は、ピークパワーとパルス幅と発振周期の積で求められる。好ましいピークパワーが１Ｗ〜１００Ｗの範囲であるので、平均パワーを１００ｍＷ以下とするには、パルス幅と発振周期の積が０．００１〜０．１の範囲であることが望ましい。記録用レーザとして好ましいパルス発振周期は、十分な記録速度を確保するために５０ＭＨｚ以上であることが望ましい。十分な発振周期としてより好ましい５００ＭＨｚを選択すると、平均パワー１００ｍＷ以下とするにはピークパワーが１Ｗ〜１００Ｗのときパルス幅をそれぞれ２００ｐｓｅｃ〜２ｐｓｅｃ以下の範囲で選択すれば良い。

変調器３１は、記録用レーザ３２から発されたパルスレーザ光の内の一部のパルス光を間引いてパルスレーザ光に時間的な変調を与えて情報をエンコードする装置である。変調器４２としては、音響光学素子（ＡＯＭ）、マッハツェンダ（ＭＺ）型光変調素子その他の電気光学変調素子（ＥＯＭ）を用いることができる。変調器３１として、これらの音響光学素子、電気光学素子を用いることで、メカニカルシャッタを用いる場合に比較して極めて高速に光のＯＮ・ＯＦＦを行うことができる。変調器３１の動作は、制御装置６０が、記録すべき情報に応じてエンコードした信号を変調器３１に出力することで制御される。

ガイド光用受光素子４６および４１は、４分割フォトディテクタ等を用い、非点収差法などによってフォーカス制御用の信号を得るための素子である。具体的には、集光レンズ３９、４４およびシリンドリカルレンズ４０，４５を通過することにより与えられた非点収差を最小化するよう制御装置６０によってビームエキスパンダ２４、またはレンズアクチュエータ４７を制御することによってフォーカシングを行うことができる。

再生光受光素子３８は、再生された情報を含む再生光を受光する素子であり、再生光受光素子３８で検出した信号は、制御装置６０へ出力され、制御装置６０において情報へと復調される。再生フォーカス用受光素子４１が受光した光は、シリンドリカルレンズ４０を通過しているので、光量分布を制御装置６０に出力することで、制御装置６０において、非点収差法により、記録光および再生光のフォーカシングサーボのための制御量を得ることができる。

ピンホール板３７は、集光レンズ３６で収束された光の焦点付近に配置され、共焦点光学系を構成することで光情報記録媒体１０の所定の深さ位置からの反射光のみを通過させ、不要な光をカットすることができる。

また、制御装置６０は、ガイド光用受光素子４６で検出されるガイド層用レーザ光の非点収差によってレンズアクチュエータ４７を制御し、対物レンズ２１の光軸方向の位置をガイド光の焦点位置がガイド層上になるように制御し、また、ガイド光用受光素子４６で検出される差動信号によるプッシュプル法（ＤＰＰ法）または位相差信号による位相差法（ＤＰＤ法）によってレンズアクチュエータ２１を制御し、対物レンズ２１の光軸に直行する方向の位置を制御しトラッキング位置を調整する。また、再生フォーカス用受光素子３８で検出される再生光の非点収差によってビームエキスパンダ２４を制御し、記録再生光の焦点位置が所定の記録層１１にフォーカシングするように制御する。

記録再生装置１は、上記した構成の他に、従来公知の光記録再生装置と同様の構成を有する。例えば、光情報記録媒体１０の記録層１１の平面内で記録スポットを多数記録するため、記録光および再生光と光情報記録媒体１０を互いに記録層１１の平面方向に相対的に移動させるアクチュエータなどを備えている。

以上のように構成された記録再生装置１による記録再生方法について説明する。
情報の記録時において、記録再生装置１は、記録用レーザ３２からパルスレーザ光を発し、変調器３１によりパルスレーザ光の一部を間引いてパルスレーザ光に情報をエンコードする。情報をエンコードされた光は、ＰＢＳ２５ｂ、λ／２板２６ａ、ＰＢＳ２５ａを透過し、ビームエキスパンダ２４によって収束、発散状態が制御された後、λ／４板２３ａ、ＤＢＳ２２を透過し、対物レンズ２１で所定の記録層１１に収束される。パルスレーザ光の照射と同時に、再生用レーザ３４からＣＷレーザ光を発し、ＣＷレーザ光は、ＰＢＳ２５ｂを反射した後、記録用レーザ光と同様に対物レンズ２１で収束する。光情報記録媒体１０から返ってきたＣＷレーザ光は、対物レンズ２１、ＤＢＳ２２、λ／４板２３ａ、ビームエキスパンダ２４、を通過してＰＢＳ２５ａで反射され、集光レンズ３６およびピンホール板３７を通って再生光受光素子３８に入射する。

制御装置６０は、ガイド光用受光素子４６および再生フォーカス用受光素子４１から受けた信号に基づき、ガイド光、記録光および再生光の焦点位置を計算し、レンズアクチュエータ２１およびビームエキスパンダ２４を駆動することで対物レンズの位置および、記録光と再生光が所定の記録層１１にフォーカシングするように制御する。

これにより、光の強度に応じて（２光子吸収反応であれば光の強度の２乗に比例して）、光の強度が高い焦点付近ほど光の吸収反応が多く起こり、この反応に応じて記録層が変化する。

情報の再生時には、記録用レーザ３２を停止し、再生用レーザ３４を駆動して、ＣＷレーザ光を光情報記録媒体１０に照射する。このとき、記録時と同様に、光情報記録媒体１０から返ってきたＣＷレーザ光（再生光）は、ＰＢＳ２５ａで反射されて再生光受光素子３８および再生フォーカス用受光素子４１に入射する。

このようにして、制御装置６０は、記録部分における反射光強度と未記録部分における反射光強度との違いにより得られる変調から情報を復調することができる。すなわち、情報を再生することができる。

以上に本発明の実施形態について説明したが、本発明は、前記した実施形態に限定されることなく適宜変形して実施することが可能である。

＜２光子記録の前後で反射光強度を変化させることのできる材料＞
本発明の非共鳴２光子吸収記録材料において用いる、２光子記録の前後で反射光強度を変化させることのできる材料としては、例えば、本発明の高分子２光子吸収化合物を含めた高分子化合物が挙げられる。
該高分子化合物としては、２光子記録波長に線形吸収を持たないものが好ましい。
該高分子化合物は、前述の２光子吸収記録材料において、バインダーとして記載したものと同じものを適宜用いることもできる。

以下に、本発明の具体的な実施例について実験結果を基に説明する。勿論、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

〔実施例１〕
＜化合物Ｄ−１合成法＞
化合物Ｄ−１は以下に示した方法で合成した。

＜原料化合物１の合成＞
アニソール２７．０ｇ（２５０ｍｍｏｌ）と４−ブロモベンゾイルクロリド４２．９ｇ（２００ｍｍｏｌ）を塩化メチレン５００ｍｌに溶解させ、内温５℃まで冷却した後、６回に分けて塩化アルミニウムを３３．４ｇ（２５０ｍｍｏｌ）添加して窒素雰囲気下で８時間攪拌した。反応溶液を水に注ぎ込んだ後に塩化メチレンで抽出し、ロータリーエバポレーターで蒸発乾固させて白色の化合物２を定量的に得た。得られた化合物１は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。

＜原料化合物２の合成＞
原料化合物１ ３５．０ｇ（１２０ｍｍｏｌ）に対して臭化水素酸１４０ｍｌ、酢酸２２０ｍｌを加えて内温１１０℃で１２時間半攪拌した。室温まで放冷した後、反応溶液を水に注ぎ込み室温で２０分間攪拌した。沈殿をろ過した後に純水、ヘキサン：酢酸エチル＝５：１で洗浄し減圧乾燥させて白色の化合物３を定量的に得た。得られた化合物２は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。

＜原料化合物３の合成＞
原料化合物２ ９．７４ｇ（３５．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン７０ｍｌに溶解させトリエチルアミン７．１０ｇ（７０．２ｍｍｏｌ）を加えて内温５℃まで冷却した。その後メタクリル酸クロリド３．６７ｇ（３５．１ｍｍｏｌ）を滴下しながら窒素雰囲気下で２時間攪拌した。反応溶液を水に注ぎ込み、室温で２０分間攪拌した。析出した沈殿をろ別、室温乾燥して白色の化合物３を定量的に得た。得られた化合物３は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。

＜原料化合物４の合成＞
５−ブロモ−２−ヨードトルエン６３．５ｇ（２１４ｍｍｏｌ）、パラトリフルオロメチルフェニルボロン酸４４．７ｇ（２３５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２．４０ｇ（１０．７ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム６８．０ｇ（６４２ｍｍｏｌ）に対して１，２−ジメトキシエタン３５０ｍｌ、水７０ｍｌを加え、窒素雰囲気下、外温９０℃で７２時間攪拌した。室温まで放冷した後、酢酸エチルで抽出しロータリーエバポレーターで濃縮した後にシリカゲルカラム（ヘキサン）で精製して白色の化合物４を５７．９ｇ（収率８６％）得た。得られた化合物４は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。

＜原料化合物５の合成＞
原料化合物４を５７．９ｇ（１８４ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボロン５６．１ｇ（２２１ｍｍｏｌ）、［１、１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドジクロロメタン付加物４．２５ｇ（５．２０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム５４．２ｇ（５５２ｍｍｏｌ）に対してジメチルスルホキシド４００ｍｌを加え、窒素雰囲気下、内温９０℃で５時間攪拌した。室温まで放冷した後、酢酸エチルで抽出しロータリーエバポレーターで濃縮した後にシリカゲルカラム（ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して白色の化合物５を５７．５ｇ（収率８６％）得た。得られた化合物５は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。

＜原料化合物６の合成＞
原料化合物３を１４．８ｇ（４２．９ｍｍｏｌ）、原料化合物５を１８．６ｇ（５１．５ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム２．４８ｇ（２．１５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１７．８ｇ（１２９ｍｍｏｌ）、ジブチルヒドロキシトルエン１ｍｇに対してトルエン１７０ｍｌ、水２０ｍｌを加え、窒素雰囲気下、外温９０℃で１２時間攪拌した。室温まで放冷した後、酢酸エチルで抽出しロータリーエバポレーターで濃縮した後にシリカゲルカラム（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）で精製し、酢酸エチル／ヘキサンで再結晶してろ別・乾燥して白色の化合物６を６．８ｇ（収率３２％）得た。得られた化合物６は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） ７．９２（ｄ，４Ｈ）、７．７６（ｄｄ，２Ｈ）、７．７１（ｄ，２Ｈ）、７．５９−７．５５（ｍ，２Ｈ）、７．５０（ｄ，２Ｈ）、７．３４（ｄ，１Ｈ）、７．２９（ｄｄ，２Ｈ）、６．４１（ｓ，１Ｈ）、５．８２（ｔ，１Ｈ）、２．３７（ｓ，３Ｈ）

＜Ｄ−１の合成＞
テトラヒドロフラン５ｇを窒素雰囲気下で外温７０℃で攪拌した。そこにテトラヒドロフラン２６．７ｇに溶解させた原料化合物６ ２．００ｇ（４．００ｍｍｏｌ）、メタクリル酸メチル１１．６ｇ（１１６ｍｍｏｌ）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）２９．８ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）を２時間かけて滴下し、その後８時間攪拌した。室温まで放冷した後、アセトンで希釈して、アセトン／ヘキサンで再結晶し、ろ別・乾燥して化合物Ｄ−１を４．７７ｇ得た。得られたポリマーは^１Ｈ ＮＭＲによって組成を確認し、ＧＰＣによって分子量測定を行った（組成比 原料化合物６／メタクリル酸メチル＝１２／８８（モル比）、Ｍｗ＝３６７，０００）。

＜Ｄ−３の合成＞
メチルエチルケトン３．９９ｇを窒素雰囲気下で外温７０℃で攪拌した。そこにメチルエチルケトン３５．９ｇに溶解させた原料化合物６ １．８８ｇ（３．７６ｍｍｏｌ）、メタクリル酸ブチル５．１５ｇ（３６．２ｍｍｏｌ）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）４９．７ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）を３時間かけて滴下し、その後４時間攪拌した。室温まで放冷した後、アセトンで希釈して、水／メタノールで再結晶し、ろ別・乾燥して化合物Ｄ−３を得た。得られたポリマーは^１Ｈ ＮＭＲによって組成を確認し、ＧＰＣによって分子量測定を行った（組成比 原料化合物６／メタクリル酸ブチル＝１３．５／８６．５（モル比）、Ｍｗ＝３２，０００）。

〔実施例２〕

＜比較化合物Ｒ−１の合成＞

＜比較化合物Ｒ−１の合成＞
上記の化合物Ｒ−１は、以下の方法により合成した。

＜原料化合物７の合成＞
ｐ−トリフルオロメチルフェニルボロン酸６．９８ｇ（３７ｍｍｏｌ）と５−ブロモ−２−ヨードトルエン９．９２ｇ（３３ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム１０．６ｇ（１００ｍｍｏｌ）をエチレングリコールジメチルエーテル−蒸留水混合溶媒１９０ｍｌ（１４：５）に溶解させた後、酢酸パラジウム０．３７ｇ（１．７ｍｍｏｌ）とトリフェニルホスフィン０．８８ｇ（３．３ｍｍｏｌ）を加えて窒素気流下で７時間加熱した。反応溶液を放冷後、蒸留水と酢酸エチル約６００ｍｌを加えて抽出し、水層を除いて有機層を分離した後、この有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ別したろ液をロータリーエバポレーターで蒸発乾固させて、シリカゲルカラム（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４００）で精製して白色の原料化合物７を１０．１ｇ（収率９６％）得た。得られた化合物７は^１Ｈ ＮＭＲスペクトルにより目的化合物であることを確認した。

＜原料化合物８の合成＞
原料化合物７を９．５ｇ（３０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン９．９ｇ（３９ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム８．８ｇ（９０ｍｍｏｌ）および［１，１’−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム０．７３ｇ（０．９ｍｍｏｌ）をＤＭＦ１７０ｍｌに懸濁させ、窒素気流下、８０℃で４時間加熱した。反応溶液を放冷後、蒸留水と酢酸エチルを加えて抽出し、水層を除いて有機層を分離した後、この有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ別したろ液をロータリーエバポレーターで蒸発乾固させて、シリカゲルカラム（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１００→１：１０）で精製して無色の原料化合物８を５．９ｇ（収率５４％）得た。得られた化合物８は^１Ｈ ＮＭＲスペクトルにより目的化合物であることを確認した。

＜Ｒ−１の合成＞
原料化合物５を０．８ｇ（２．２ｍｍｏｌ）とｐ−ブロモベンゾフェノンを０．５２ｇ（２．０ｍｍｏｌ）とをエチレングリコールジメチルエーテル−蒸留水混合溶媒３５ｍＬ（６：１）に溶解させ、酢酸パラジウム ２２．５ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン５２．４ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）および炭酸カリウム０．６４ｇ（６ｍｍｏｌ）を加えて２時間加熱還流した。反応溶液を放冷後、蒸留水と酢酸エチルを加えて抽出し、水層を除いて有機層を分離した後、この有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ別したろ液をロータリーエバポレーターで蒸発乾固させて粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１００→１：５）で精製して白色結晶を０．７１ｇ（収率７７％）得た。得られた化合物はマススペクトル、^１Ｈ ＮＭＲスペクトルにより目的化合物Ｒ−１であることを確認した。
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）２．３７ （ｓ，３Ｈ），７．３４ （ｄ，１Ｈ），７．４８−７．５５ （ｍ，７Ｈ），７．７−７．８ （ｍ，４Ｈ），７．８５ （ｍ，２Ｈ）， ７．９５ （ｍ，２Ｈ）

＜２光子記録材料の調製＞

（２光子吸収記録材料１の調製）
以下の組成で、２光子吸収記録材料１を調製した。

高分子２光子吸収化合物：Ｄ−１ ７質量部
塗布溶剤：メチルエチルケトン ９３質量部

（２光子吸収記録材料２の調製）
上記の２光子吸収化合物をＤ−１の代わりにＲ−１及びポリメタクリル酸メチルを用いた２光子吸収記録材料２を調製した。

２光子吸収化合物：Ｒ−１ ３質量部
バインダー：ポリメタクリル酸メチル ６質量部
（アルドリッチ社製、Ｍｗ＝１００，０００）
塗布溶剤：メチルエチルケトン ９１質量部

＜２光子吸収記録媒体５及び６の作製＞
基板にスライドガラスを用い、上記により調製した２光子吸収記録材料１及び２の塗布液をそれぞれスピンコートして記録層を形成した。このとき記録層の厚さが１μｍになるよう回転数を３００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍの範囲で調整した。カバー層としては、片面に粘着層（ガラス転移温度−５２℃）を有するポリカーボネートフィルム（帝人ピュアエース、厚さ８０μｍ）を用い、該粘着層とポリカーボネートフィルムとの厚さの合計が１００μｍとなるように設定した。そして、記録層上にカバー層を粘着層を介して載置した後、そのカバー層を押し当てて部材にて圧接して貼り合せることによって記録層１層よりなる２光子吸収記録媒体５及び６をそれぞれ作製した。

＜２光子記録再生評価＞
２光子記録には、４０５ｎｍのピコ秒レーザー（パルス幅２ｐｓ、繰返し７６ＭＨｚ、ピークパワー６６Ｗ（平均パワー５ｍＷ）を用いた。記録信号の再生は４０５ｎｍの半導体レーザー光照射による反射光シグナルを読み出した。

≪２光子記録後の湿熱保存試験による記録マーク高さ変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録媒体５及び６を用いた記録層中の記録部において６０℃９０％ＲＨの湿熱保存試験を行ったところ、２光子吸収記録材料２の記録マークは２時間で消失した。これに対して２光子吸収記録材料１の記録マーク高さは３００時間後で１０％低下にとどまった。

≪未記録部の湿熱保存試験による反射光強度変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録材料１及び２を用いた記録層中の未記録部において３００時間の湿熱保存試験を行った。試験前の各反射光強度を１００とした場合の試験前後における反射光強度の相対変化を下記表１に示す。

表１の通り、本発明の化合物Ｄ−１を用いた２光子吸収記録材料は比較化合物Ｒ−１を用いた２光子吸収記録材料よりも高い耐湿熱性を有する。

〔実施例３〕
＜化合物Ｄ−２１合成法＞
化合物Ｄ−２１は以下に示した方法で合成した。

＜原料化合物９の合成＞
原料化合物２ ９．７４ｇ（３５．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン７０ｍｌに溶解させトリエチルアミン７．１０ｇ（７０．２ｍｍｏｌ）を加えて内温５℃まで冷却した。その後アクリル酸クロリド３．１８ｇ（３５．１ｍｍｏｌ）を滴下しながら窒素雰囲気下で２時間攪拌した。反応溶液を水に注ぎ込み、室温で２０分間攪拌した。析出した沈殿をろ別、室温乾燥して白色の化合物９を定量的に得た。得られた化合物９は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。

＜原料化合物１０の合成＞
原料化合物９を１４．２ｇ（４２．９ｍｍｏｌ）、原料化合物５を１８．６ｇ（５１．５ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム２．４８ｇ（２．１５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１７．８ｇ（１２９ｍｍｏｌ）、ジブチルヒドロキシトルエン１ｍｇに対してトルエン１７０ｍｌ、水２０ｍｌを加え、窒素雰囲気下、外温９０℃で１２時間攪拌した。室温まで放冷した後、酢酸エチルで抽出しロータリーエバポレーターで濃縮した後にシリカゲルカラム（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）で精製して白色の化合物１０を６．８ｇ（収率３２％）得た。得られた化合物１０は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。

＜Ｄ−２１の合成＞
テトラヒドロフラン５ｇを窒素雰囲気下で外温７０℃で攪拌した。そこにテトラヒドロフラン２６．７ｇに溶解させた原料化合物１０ １．９５ｇ（４．００ｍｍｏｌ）、アクリル酸メチル９．９８ｇ（１１６ｍｍｏｌ）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）２９．８ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）を２時間かけて滴下し、その後８時間攪拌した。室温まで放冷した後、アセトンで希釈して、アセトン／ヘキサンで再結晶し、ろ別・乾燥して化合物Ｄ−２１を４．３３ｇ得た。得られたポリマーは^１Ｈ ＮＭＲによって組成を確認し、ＧＰＣによって分子量測定を行った（組成比 原料化合物１０／アクリル酸メチル＝１０／９０（モル比）、Ｍｗ＝３４，０００）。

＜２光子吸収記録媒体７及び８の作製＞
２光子吸収記録媒体５の作成方法に基づき、Ｄ−１と同様に合成した高分子２光子吸収化合物Ｄ−２１を用いて２光子吸収記録媒体７を、２光子吸収記録媒体６と同様にＲ−１及びポリアクリル酸メチルを用いて２光子吸収記録媒体８を作成した。

≪２光子記録後の湿熱保存試験による記録マーク高さ変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録媒体７及び８を用いた記録層中の記録部において６０℃９０％ＲＨの湿熱保存試験を行ったところ、Ｒ−１を用いた２光子吸収記録材料８の記録マークは２時間で消失した。これに対してＤ−２１を用いた２光子吸収記録材料７の記録マーク高さは３００時間後で１４％低下にとどまった。

≪未記録部の湿熱保存試験による反射光強度変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録媒体７及び８を用いた記録層中の未記録部において３００時間の湿熱保存試験を行った。試験前の各反射光強度を１００とした場合の試験前後における反射光強度の相対変化を下記表２に示す。

マーク高さ変化評価及び表２の結果から、本発明の化合物Ｄ−２１を用いた２光子吸収記録材料７は比較化合物Ｒ−１を用いた２光子吸収記録材料８よりも高い耐湿熱性を有する。

〔実施例４〕
＜化合物Ｄ−７７合成法＞
化合物Ｄ−７７は以下に示した方法で合成した。

＜原料化合物１１の合成＞
４−ブロモベンゾイルクロリド１１．０ｇ（２５．０ｍｍｏｌ）、塩化アルミニウム８．３４ｇ（３１．３ｍｍｏｌ）に対して塩化メチレンを１００ｍｌ加えて氷浴下外温０℃で窒素雰囲気下攪拌した。原料化合物Ｓ−１ １２．９ｇ（３１．３ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、その後２時間攪拌した。反応液を氷水２００ｍｌに滴下した後酢酸エチルで抽出し、ロータリーエバポレーターで濃縮して白色の化合物１１を８．５３ｇ（収率７０％）得た。得られた化合物１１は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。

＜原料化合物１２の合成＞
原料化合物１１を２．７４ｇ（７．０４ｍｍｏｌ）、原料化合物５を２．８０ｇ（７．７３ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム４０７ｍｇ（０．３５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．９２ｇ（２１．１ｍｍｏｌ）、ジブチルヒドロキシトルエン７ｍｇに対してジメトキシエタン３５ｍｌ、水７ｍｌを加え、窒素雰囲気下、外温９０℃で１２時間攪拌した。室温まで放冷した後、酢酸エチルで抽出しロータリーエバポレーターで濃縮した後にシリカゲルカラム（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４）で精製して白色の化合物１２を３．００ｇ（収率７８％）得た。得られた化合物１２は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） ７．８７（ｄ，４Ｈ）、７．７２（ｍ，４Ｈ）、７．５９−７．５４（ｍ，２Ｈ）、７．５０（ｄ，２Ｈ）、７．３４（ｄ，１Ｈ）、７．０１（ｄ，２Ｈ）、６．１７（ｓ，１Ｈ）、５．６１（ｓ，１Ｈ）、４．５４（ｔ，２Ｈ）、４．３２（ｔ，２Ｈ）、２．３８（ｓ，３Ｈ）、１．９７（ｓ，３Ｈ）

＜Ｄ−７７の合成＞
原料化合物１２ ２．４５ｇ（４．５０ｍｍｏｌ）、メタクリル酸メチル４．０６ｇ（４０．６ｍｍｏｌ）に対してプリピレングリコールモノメチルメーテルアセテート２６ｇを加えて窒素雰囲気下で外温８０℃で攪拌した。そこにプリピレングリコールモノメチルメーテルアセテート２ｍｌに溶解させた２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）１０４ｍｇ（０．４０ｍｍｏｌ）を添加し、２時間攪拌した後にプリピレングリコールモノメチルメーテルアセテート２ｍｌに溶解させた２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）５１．８ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）を添加し２時間攪拌し、さらにプリピレングリコールモノメチルメーテルアセテート２ｍｌに溶解させた２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）５１．８ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）を添加して２時間攪拌した。その後外温９０℃に上げて１時間攪拌した。室温まで放冷した後、反応液を撹拌しているメタノール中に注ぎ込み晶析し、ろ過・減圧乾燥して化合物を５．１３ｇ得た。得られたポリマーは^１Ｈ ＮＭＲスペクトルによって組成を確認し、ＧＰＣによって分子量測定を行った（組成比：原料化合物１２／メタクリル酸メチル＝８．６／９１．４（モル比）、Ｍｗ＝３０，０００）。

＜２光子吸収記録媒体９及び１０の作製＞
２光子吸収記録媒体５の作成方法に基づき、Ｄ−１と同様に合成した高分子２光子吸収化合物Ｄ−７７を用いて２光子吸収記録媒体９を、２光子吸収記録媒体６と同様にＲ−１及びポリメタクリル酸メチルを用いて２光子吸収記録媒体１０を作成した。

≪２光子記録後の湿熱保存試験による記録マーク高さ変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録媒体９及び１０を用いた記録層中の記録部において６０℃９０％ＲＨの湿熱保存試験を行ったところ、Ｒ−１を用いた２光子吸収記録材料１０の記録マークは２時間で消失した。これに対してＤ−７７を用いた２光子吸収記録材料９の記録マーク高さは３００時間後で２６％低下にとどまった。

≪未記録部の湿熱保存試験による反射光強度変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録媒体９及び１０を用いた記録層中の未記録部において３００時間の湿熱保存試験を行った。試験前の各反射光強度を１００とした場合の試験前後における反射光強度の相対変化を下記表３に示す。

マーク高さ変化評価及び表３の結果から、本発明の化合物Ｄ−７７を用いた２光子吸収記録材料９は比較化合物Ｒ−１を用いた２光子吸収記録材料１０よりも高い耐湿熱性を有する。

〔実施例５〕
＜化合物Ｄ−２７３合成法＞
化合物Ｄ−２７３は以下に示した方法で合成した。

＜原料化合物１３の合成＞
原料化合物２ ８．００ｇ（２８．９ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム７．９９ｇ（５７．８ｍｍｏｌ）に対してアセトニトリル１００ｍｌを加えて窒素雰囲気下、外温５０℃で１時間攪拌した。その後４−ビニルベンジルクロリド４．８５ｇ（３１．８ｍｍｏｌ）を滴下しながらさらに３０時間攪拌した。反応溶液を水に注ぎ込み、室温で２０分間攪拌した。析出した沈殿をろ別した後、シリカゲルカラムで精製して白色の化合物１３を５．１１ｇ（収率４５％）得た。得られた化合物１３は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。

＜原料化合物１４の合成＞
原料化合物１３を３．００ｇ（７．６３ｍｍｏｌ）、原料化合物５を３．０４ｇ（８．３９ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム４３９ｍｇ（０．３８ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．１７ｇ（２２．９ｍｍｏｌ）、ジブチルヒドロキシトルエン７ｍｇに対してジメトキシエタン３５ｍｌ、水７ｍｌを加え、窒素雰囲気下、外温９０℃で１２時間攪拌した。室温まで放冷した後、酢酸エチルで抽出しロータリーエバポレーターで濃縮した後にシリカゲルカラム（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４）で精製して白色の化合物１４を２．７２ｇ（収率６５％）得た。得られた化合物１４は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。

＜Ｄ−２７３の合成＞
原料化合物１４ １．７３ｇ（３．１５ｍｍｏｌ）、スチレン４．３６ｇ（４１．９ｍｍｏｌ）に対してプリピレングリコールモノメチルメーテルアセテート２４．４ｇを加えて窒素雰囲気下で外温８０℃で攪拌した。そこにプリピレングリコールモノメチルメーテルアセテート２ｍｌに溶解させた２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）１０４ｍｇ（０．４０ｍｍｏｌ）を添加し、２時間攪拌した後にプリピレングリコールモノメチルメーテルアセテート２ｍｌに溶解させた２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）５１．８ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）を添加し２時間攪拌し、さらにプリピレングリコールモノメチルメーテルアセテート２ｍｌに溶解させた２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）５１．８ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）を添加して２時間攪拌した。その後外温９０℃に上げて１時間攪拌した。室温まで放冷した後、反応液を撹拌しているメタノール中に注ぎ込み晶析し、ろ過・減圧乾燥して化合物を４．８９ｇ得た。得られたポリマーは^１Ｈ ＮＭＲスペクトルによって組成を確認し、ＧＰＣによって分子量測定を行った（組成比：原料化合物１４／スチレン＝９．５／９０．５（モル比）、Ｍｗ＝４３，０００）。

＜２光子吸収記録媒体１１及び１２の作製＞
２光子吸収記録媒体５の作成方法に基づき、Ｄ−１と同様に合成した高分子２光子吸収化合物Ｄ−２７３を用いて２光子吸収記録媒体１１を、２光子吸収記録媒体６と同様にＲ−１及びポリスチレンを用いて２光子吸収記録媒体１２を作成した。

≪２光子記録後の湿熱保存試験による記録マーク高さ変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録媒体１１及び１２を用いた記録層中の記録部において６０℃９０％ＲＨの湿熱保存試験を行ったところ、Ｒ−１を用いた２光子吸収記録材料１２の記録マークは２７時間で消失した。これに対してＤ−２７３を用いた２光子吸収記録材料１１の記録マーク高さは３００時間後で７％低下にとどまった。

≪未記録部の湿熱保存試験による反射光強度変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録媒体１１及び１２を用いた記録層中の未記録部において３００時間の湿熱保存試験を行った。試験前の各反射光強度を１００とした場合の試験前後における反射光強度の相対変化を下記表４に示す。

マーク高さ変化評価及び表４の結果から、本発明の化合物Ｄ−２７３を用いた２光子吸収記録材料１１は比較化合物Ｒ−１を用いた２光子吸収記録材料１２よりも高い耐湿熱性を有する。

〔実施例６〕
＜２光子吸収記録媒体１３及び１４の作製＞
２光子吸収記録媒体５の作成方法に基づき、Ｄ−１と同様に合成した高分子２光子吸収化合物Ｄ−３を用いて２光子吸収記録媒体１３を、２光子吸収記録媒体６と同様にＲ−１及びポリメタクリル酸ブチルを用いて２光子吸収記録媒体１４を作成した。

≪２光子記録後の湿熱保存試験による記録マーク高さ変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録媒体１３及び１４を用いた記録層中の記録部において３０℃９０％ＲＨの湿熱保存試験を行ったところ、Ｒ−１を用いた２光子吸収記録材料１４の記録マークは２７時間で消失した。これに対してＤ−３を用いた２光子吸収記録材料１３の記録マーク高さは３００時間後で５％低下にとどまった。

≪未記録部の湿熱保存試験による反射光強度変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録媒体１３及び１４を用いた記録層中の未記録部において３００時間の湿熱保存試験を行った。試験前の各反射光強度を１００とした場合の試験前後における反射光強度の相対変化を下記表５に示す。

マーク高さ変化評価及び表５の結果から、本発明の化合物Ｄ−３を用いた２光子吸収記録材料１３は比較化合物Ｒ−１を用いた２光子吸収記録材料１４よりも高い耐湿熱性を有する。

〔実施例７〕
＜化合物Ｄ−１０６合成法＞
化合物Ｄ−１０６は以下に示した方法で合成した。

＜原料化合物１５の合成＞
原料化合物５を１１．０ｇ（３０．４ｍｍｏｌ）、４−ヨードブロモベンゼン８．２０ｇ（２９．０ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．６８ｇ（１．４５ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム３．４８ｇ（８７．０ｍｍｏｌ）に対して１，２−ジメトキシエタン９７ｍｌ、純水３５ｍｌを加え、窒素雰囲気下、外温１００℃で３時間攪拌した。室温まで放冷した後、反応液を水中に注ぎ込み生じた沈殿をろ過して粗体のまま後続反応に用いた。

＜原料化合物１６の合成＞
原料化合物１５を１３．０ｇ（３３．２ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボロン９．２７ｇ（３６．５ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドジクロロメタン付加物１．３６ｇ（１．６６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム９．７７ｇ（９９．６ｍｍｏｌ）に対してトルエン９０ｍｌを加え、窒素雰囲気下、外温９０℃で６時間攪拌した。室温まで放冷した後、酢酸エチルで抽出しロータリーエバポレーターで濃縮した後にシリカゲルカラム（ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）で精製して白色の化合物１６を８．２６ｇ（２工程で収率６５％）得た。得られた化合物は^１Ｈ ＮＭＲスペクトルによりにより目的生成物であることを確認した。

＜原料化合物１７の合成＞
原料化合物３を２．１５ｇ（６．２２ｍｍｏｌ）、原料化合物１６を３．００ｇ（６．８４ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム３５９ｍｇ（０．３１１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．５８ｇ（１８．７ｍｍｏｌ）、ジブチルヒドロキシトルエン１４ｍｇに対してジメトキシエタン３１ｍｌ、純水６ｍｌを加え、窒素雰囲気下、外温１００℃で４時間攪拌した。室温まで放冷した後、反応液を水中に注ぎ込み室温で２０分撹拌した。析出した沈殿をろ過した後にヘキサン：酢酸エチル＝１：１、メタノールの順に撹拌洗浄した後、ろ過・乾燥して白色の化合物を１．６８ｇ（収率４７％）得た。得られた化合物は^１Ｈ ＮＭＲスペクトルにより目的生成物であることを確認した。
^１Ｈ ＮＭＲ （ＣＤＣｌ_３）： ７．９３−７．９１（ｍ，４Ｈ）， ７．７９−７．７７（ｍ，６Ｈ）， ７．７１（ｄ，２Ｈ）， ７．５９−７．５５（ｍ，２Ｈ）， ７．５０（ｄ，２Ｈ）， ７．３３（ｄ，１Ｈ）， ７．２９（ｄ，２Ｈ）， ６．４１（ｓ，１Ｈ）， ５．８２（ｔ，１Ｈ）， ２．３７（ｓ，３Ｈ）， ２．１０（ｓ，３Ｈ）

＜Ｄ−１０６の合成＞
原料化合物を１．８１ｇ（３．１５ｍｍｏｌ）、メタクリル酸メチル４．１９ｇ（４１．９ｍｍｏｌ）にシクロヘキサノン２４ｇを加えて窒素雰囲気下で外温８０℃で攪拌した。３０分後２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）１０３．６ｍｇ（０．４５０ｍｍｏｌ）を添加し、その後２時間攪拌した。その後２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）５１．８ｍｇ（０．２２５ｍｍｏｌ）を添加しさらに２時間撹拌した。その後２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）５１．８ｍｇ（０．２２５ｍｍｏｌ）を添加しさらに２時間撹拌した。最後に外温を９０℃に上げて２時間撹拌した。室温まで放冷した後、反応液を撹拌しているメタノール中に注ぎ込み晶析し、ろ過・減圧乾燥して化合物を４．１６ｇ得た。得られたポリマーは^１Ｈ ＮＭＲスペクトルによって組成を確認し、ＧＰＣによって分子量測定を行った（組成比：原料化合物１７／メタクリル酸メチル＝８．６／９１．４（モル比）、Ｍｗ＝３０，０００）。

＜比較化合物Ｒ−２の合成＞

上記の化合物Ｒ−２は、以下の方法により合成した。

＜Ｒ−２の合成＞
４−ベンゾイルー４’−ブロモビフェニルを５．００ｇ（１４．８ｍｍｏｌ）、原料化合物５を５．９０ｇ（１６．３ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム８５５ｍｇ（０．７４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム６．１４ｇ（４４．４ｍｍｏｌ）に対してトルエン６０ｍｌ、水１０ｍｌを加え、窒素雰囲気下、外温９０℃で１２時間攪拌した。室温まで放冷した後、酢酸エチルで抽出しロータリーエバポレーターで濃縮した後にシリカゲルカラム（酢酸エチル：ヘキサン＝１：４）で精製して白色の化合物Ｒ−２を５．４７ｇ（収率７５％）得た。得られた化合物Ｒ−２は^１Ｈ ＮＭＲにより目的生成物であることを確認した。
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） ７．９３（ｄ，２Ｈ）、７．８６（ｄ，２Ｈ）、７．８０−７．６９（ｍ，８Ｈ）、７．６４−７．４９（ｍ，７Ｈ）、７．３３（ｄ，１Ｈ）、２．３７（ｓ，３Ｈ）

＜２光子吸収記録媒体１５及び１６の作製＞
２光子吸収記録媒体５の作成方法に基づき、Ｄ−１と同様に合成した高分子２光子吸収化合物Ｄ−１０６を用いて２光子吸収記録媒体１５を、２光子吸収記録媒体６と同様にＲ−２及びポリメタクリル酸メチルを用いて２光子吸収記録媒体１６を作成した。

≪２光子記録後の湿熱保存試験による記録マーク高さ変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録媒体１５及び１６を用いた記録層中の記録部において６０℃９０％ＲＨの湿熱保存試験を行ったところ、２光子吸収記録材料１６の記録マークは２時間で消失した。これに対して２光子吸収記録材料１５の記録マーク高さは３００時間後で１０％低下にとどまった。

≪未記録部の湿熱保存試験による反射光強度変化評価≫
２光子吸収記録後の２光子吸収記録材料１及び２を用いた記録層中の未記録部において３００時間の湿熱保存試験を行った。試験前の各反射光強度を１００とした場合の試験前後における反射光強度の相対変化を下記表６に示す。

表６の通り、本発明の化合物Ｄ−１０６を用いた２光子吸収記録材料１５は比較化合物Ｒ−２を用いた２光子吸収記録材料１６よりも高い耐湿熱性を有する。

１ 記録再生装置
１０ 光情報記録媒体

Claims (31)

1. 非共鳴高分子２光子吸収化合物を含む非共鳴２光子吸収記録材料であって、非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（１）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
   

   

   
   （一般式（１）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、Ｘはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する２価の置換基を表す。Ｘ及びＹは同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）
2. 請求項１に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、非共鳴高分子２光子吸収化合物の主鎖がポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリウレタン、ポリエーテル、及びポリイミドより選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
3. 請求項１又は２に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（２）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
   

   

   
   （一般式（２）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、Ｘはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する２価の置換基を表す。Ｘ及びＹは同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、一般式（１）又は（２）で表される非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（３）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
   

   

   
   （一般式（３）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、一般式（１）、（２）又は（３）で表される非共鳴高分子２光子吸収化合物が下記一般式（４）で表される構造を含む化合物であることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
   

   

   
   （一般式（４）中、Ｙはハメットのシグマパラ値（σｐ値）がゼロ以上の値を有する置換基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、Ｒ_１は水素原子又は置換基を表し、Ｒ_２は２価の置換基を表し、Ｒ_３は置換基を表し、Ｒ₁、Ｒ_２、Ｒ_３は複数存在する場合は、同一種でもそれぞれ異なってもよく、ｌは１以上、ｍは０〜４の整数を表す。）
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、一般式（１）から（４）のいずれか少なくとも１種で表される非共鳴高分子２光子吸収化合物を共重合体成分とする高分子化合物を含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が少なくとも、（ａ）請求項１から６のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物と，（ｂ）２光子記録の前後で反射光強度を変化させることのできる材料とを含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
8. 請求項１から６のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が少なくとも、（ａ）請求項１から６のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物と，（ｂ）２光子記録の前後で屈折率を変化させることのできる材料とを含むことを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
9. 請求項１から６のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が、請求項１から６のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物を含み、請求項１から６のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物が２光子記録の前後で反射光強度を変化させることができることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
10. 請求項１から６のいずれか１項に記載の非共鳴２光子吸収記録材料であって、記録層を形成する非共鳴２光子吸収記録材料が、請求項１から６のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物を含み、請求項１から６のいずれか１項に記載の非共鳴高分子２光子吸収化合物が２光子記録の前後で屈折率を変化させることができることを特徴とする非共鳴２光子吸収記録材料。
11. 請求項１から６のいずれか１項に記載の記録材料を含んだ記録層を有する光情報記録媒体。
12. 請求項１１に記載の光情報記録媒体であって、該記録層厚みが５０ｎｍから５μｍの範囲である光情報記録媒体。
13. 請求項１１に記載の光情報記録媒体であって、該記録層に隣接し、該記録層を物理的に隔て、膨張による記録マークが形成可能な界面を生成するための中間層を有する光情報記録媒体。
14. 請求項１３に記載の光情報記録媒体であって、該記録層と中間層の屈折率差が０．０１から０．５の範囲である光情報記録媒体。
15. 請求項１３に記載の光情報記録媒体であって、該中間層厚みが２μｍから２０μｍの範囲である光情報記録媒体。
16. 請求項１１に記載の光情報記録媒体であって、基板を有する光情報記録媒体。
17. 請求項１６に記載の光情報記録媒体であって、基板厚みが０．０２ｍｍから２ｍｍの範囲である光情報記録媒体。
18. 請求項１１に記載の光情報記録媒体であって、記録時にトラッキングサーボによる半径位置制御を行うためのガイド層を有する光情報記録媒体。
19. 請求項１１に記載の光情報記録媒体であって、該記録層よりも光入射側表面側にカバー層を有する光情報記録媒体。
20. 請求項１９に記載の光情報記録媒体であって、該カバー層厚みが０．０１ｍｍから０．２ｍｍの範囲である光情報記録媒体。
21. 請求項１１に記載の光情報記録媒体であって、反射層を有する光情報記録媒体。
22. 請求項１１に記載の光情報記録媒体であって、スペーサー層を有する光情報記録媒体。
23. 請求項２２に記載の光情報記録媒体であって、該スペーサー層厚みが５μｍから１００μｍの範囲である光情報記録媒体。
24. 請求項１１に記載の光情報記録媒体であって、マーキングを行うことを特徴とする光情報記録媒体。
25. 請求項１１に記載の光情報記録媒体であって、光入射側表面にハードコート層を有する光情報記録媒体。
26. 請求項１１に記載の光情報記録媒体であって、カートリッジに収納された光情報記録媒体。
27. 請求項１２から請求項２６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
28. 請求項２７に記載の光情報記録媒体への記録再生方法であって、記録用レーザのピークパワーが該光情報記録媒体の表面上で１Ｗから１００Ｗの範囲であり、記録用レーザの平均パワーが該光情報記録媒体の表面上で１００ｍＷ以下、かつ記録用レーザのパルス幅と発振周期の積が０．００１から０．１の範囲である記録再生方法。
29. 情報の再生時に共焦点光学系を用いることを特徴とする請求項２８に記載の光情報記録媒体の記録再生方法。
30. 下記一般式（５）で表される化合物。
    

    

    
    （一般式（５）中Ｒ_４、Ｒ_５、及びＲ_６は水素原子又は置換基を表し、同一種でもそれぞれ異なってもよい。）
31. 下記一般式（６）で表される化合物。
    

    

    
    （一般式（６）中Ｒ_７、Ｒ_８、及びＲ_９は水素原子又は置換基を表し、同一種でもそれぞれ異なってもよい。）

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