JP5688871B2 - 金属膜形成方法及び該方法により得られる金属膜 - Google Patents
金属膜形成方法及び該方法により得られる金属膜 Download PDFInfo
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請求項1に係る発明では、上記構造を有する金コロイドをガラス基板表面にスピンコートにより塗布し、塗布した金コロイド中の分散媒を自然乾燥により除去した後、ガラス基板を70〜200℃の温度に保持しながら、紫外線照射装置を用いて照射量が3000〜10000mJ/cm2の紫外線を照射することにより、紫外線を照射せず加熱のみにより形成される金属膜に比べて、電気抵抗値を大幅に低減した金属膜を形成できる。
請求項3に係る発明は、請求項1に係る発明であって、金コロイド粒子の平均粒子径が、1〜60nmの範囲にある金属膜形成方法である。
請求項4に係る発明は、請求項1に係る発明であって、金コロイド粒子の形状が、球形、多角状又はアメーバ状を有する粒状粒子である金属膜形成方法である。
請求項5に係る発明は、請求項1ないし4いずれか1項に記載の金属膜形成方法により得られた金属膜である。
請求項6に係る発明は、請求項5に記載の金属膜を含む太陽電池である。
本発明の方法において使用する金属コロイドは、金属コロイド粒子を水系又は非水系のいずれか一方の分散媒又はその双方を混合した分散媒に所定の割合で混合して分散させることにより形成される。金属コロイドを構成する金属コロイド粒子は、金属粒子と粒子表面に配位修飾した保護剤とにより構成される。また金属粒子表面に配位修飾した保護剤は、分子中に窒素又は酸素のいずれか一方又はその双方を含む炭素骨格を有し、かつ窒素、酸素、窒素を含む原子団及び酸素を含む原子団からなる群より選ばれた1種又は2種以上をアンカーとして金属粒子表面に配位修飾した構造を有する。更に保護剤はハイドロキシアルキル基を分子構造に含む。
金属塩、保護剤前駆体、還元剤及び分散媒の種類を次の表1及び表2に示す化合物にそれぞれ変更した以外は、合成1と同様の方法により各種金属コロイドを得た。なお、表1及び表2中の保護剤前駆体の種類欄において、記号(A)〜(J)で示される化合物を表3に示す。
また,合成2〜23でそれぞれ得られた金属コロイド粒子の保護分子構造についてもN
MR、TOF−SIMS、FT−IR、SAXS、可視紫外分光、SERS、XAFS等
の各種分析手法を組み合わせて解析することにより確認した。
先ず、基材として、20mm×20mm×1mm厚のガラス基板を用意し、このガラス基板表面に、合成9で得られた50重量%濃度の金属コロイドをスピンコート法により塗膜した。スピンコートは、ガラス基板を1000rpmの回転速度で回転させ、金属コロイドを基板に滴下しながら1分間回転し続けることにより行った。次いで、金属コロイドを塗布したガラス基板を室温に保持することにより自然乾燥して金属コロイド中の分散媒を除去した。次に、実施例1では室温において、ガラス基板上の金属コロイドに紫外線照射装置(ウシオ電気社製)を用いて照射量3000mJ/cm2の紫外線を照射することにより、ガラス基板上に金属膜を形成した。実施例2〜4では、ガラス基板をホットプレートに載せて、ガラス基板及び金属コロイドを、以下の表4に示す温度に保持しながら、実施例1と同じ装置を用いて、実施例1と同じ照射量の紫外線を照射することにより、ガラス基板上に金属膜を形成した。また実施例5,6では、紫外線の照射量のみ別条件とし、他の条件は実施例2と同じ条件とした。
先ず、基材として、20mm×20mm×1mm厚のガラス基板を用意し、このガラス基板表面に、合成9で得られた50重量%濃度の金属コロイドをスピンコート法により塗膜した。スピンコートは、ガラス基板を1000rpmの回転速度で回転させ、金属コロイドを基板に滴下しながら1分間回転し続けることにより行った。次いで、金属コロイドを塗布したガラス基板を室温に保持することにより自然乾燥して金属コロイド中の分散媒を除去した。次に、比較例1では紫外線を照射せずに、ガラス基板を室温に放置して金属膜を形成した。比較例2〜4では紫外線を照射せずに、ガラス基板をホットプレートに載せて、ガラス基板及び金属コロイドを以下の表4に示す温度に保持しながら、ガラス基板上に金属膜を形成した。
先ず、基材として、20mm×20mm×1mm厚のガラス基板を用意し、このガラス基板表面に、合成9で得られた50重量%濃度の金属コロイドをスピンコート法により塗膜した。スピンコートは、ガラス基板を1000rpmの回転速度で回転させ、金属コロイドを基板に滴下しながら1分間回転し続けることにより行った。次いで、金属コロイドを塗布したガラス基板を室温に保持することにより自然乾燥して金属コロイド中の分散媒を除去した。次に、ガラス基板をホットプレートに載せて、ガラス基板及び金属コロイドを、実施例2と同じ温度に保持しながら、以下の表4に示すように、比較例5,6ともに、実施例と同じ装置を用いて照射量が1000mJ/cm2に満たない紫外線を照射することにより、ガラス基板上に金属膜を形成した。
先ず、基材として、20mm×20mm×1mm厚のガラス基板を用意し、このガラス基板表面に、合成9で得られた50重量%濃度の金属コロイドをスピンコート法により塗膜した。スピンコートは、ガラス基板を1000rpmの回転速度で回転させ、金属コロイドを基板に滴下しながら1分間回転し続けることにより行った。次いで、金属コロイドを塗布したガラス基板を室温に保持することにより自然乾燥して金属コロイド中の分散媒を除去した。次に、ガラス基板をホットプレートに載せて、ガラス基板及び金属コロイドを、比較例7,8ともに200℃を越える温度に保持しながらガラス基板上に金属膜を形成した。このとき、比較例7では紫外線を照射せずに、比較例8では実施例と同じ装置を用いて実施例1〜4と同じ照射量の紫外線を照射した。
先ず、基材として、20mm×20mm×1mm厚のガラス基板を用意し、このガラス基板表面に、合成9で得られた50重量%濃度の金属コロイドをスピンコート法により塗膜した。スピンコートは、ガラス基板を1000rpmの回転速度で回転させ、金属コロイドを基板に滴下しながら1分間回転し続けることにより行った。次いで、金属コロイドを塗布したガラス基板を室温に保持することにより自然乾燥して金属コロイド中の分散媒を除去した。次に、ガラス基板をホットプレートに載せて、ガラス基板及び金属コロイドを、実施例2と同じ温度に保持しながら、実施例と同じ装置を用いて、10000mJ/cm2を越える照射量の紫外線を照射することにより、ガラス基板上に金属膜を形成した。
実施例1〜6及び比較例1〜9で得られた金属膜の電気抵抗値を測定した。その結果を表4に示す。また、このときの電気抵抗値と紫外線の照射量及び温度との関係を図2に示す。
Claims (6)
- 金属塩としての塩化金酸をメタノールに溶解し、保護剤前駆体としての1−アミノ−2−プロパノールに還元剤としてのジメチルアミンボランを添加した液に前記塩化金酸のメタノール液を添加して混合溶液を調製し、前記混合溶液を攪拌しながら前記塩化金酸を還元して金属コロイド粒子としての金コロイド粒子を生成し、前記混合溶液を限外濾過法により脱塩した後、前記金コロイド粒子を水とメタノールの混合液に分散させて、TOF−SIMS分析したときにAuとCNからなるクラスターイオンが優勢に検出され、かつ金コロイド中の金コロイド粒子を構成する保護剤分子が窒素にてAu粒子表面に配位修飾し、前記保護剤は、分子中に窒素又は酸素のいずれか一方又はその双方を含む炭素骨格を有し、一端を窒素をアンカーとして前記Au粒子表面に配位修飾し、他端をハイドロキシアルキル基であってコロイド最表面の保護剤末端部位である、金属コロイドとしての金コロイドを調製する工程と、
前記金コロイドを基材としてのガラス基板表面にスピンコートにより、前記ガラス基板を回転させ、前記金コロイドを前記ガラス基板に滴下しながら塗布する工程と、
前記金コロイドを塗布したガラス基板を室温に保持することにより前記塗布した金コロイド中の分散媒を自然乾燥により除去する工程と、
前記塗布した金コロイド中の分散媒を除去したガラス基板を金属粒子面に配位した保護剤を金属表面から離脱しやすくする紫外線照射と熱処理を同時に行うことにより、前記ガラス基板表面に金属膜を形成する工程と
を含み、
前記紫外線照射と熱処理を紫外線照射装置を用いて、70〜200℃の温度に保持しながら、照射量が、3000〜10000mJ/cm2の条件で行うことを特徴とする金属膜形成方法。 - 紫外線の波長が、254〜365nmである請求項1記載の金属膜形成方法。
- 金コロイド粒子の平均粒子径が、1〜60nmの範囲にある請求項1記載の金属膜形成方法。
- 金コロイド粒子の形状が、球形、多角状又はアメーバ状を有する粒状粒子である請求項1記載の金属膜形成方法。
- 請求項1ないし4いずれか1項に記載の金属膜形成方法により得られた金属膜。
- 請求項5記載の金属膜を含む太陽電池。
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