JP5688266B2 - Pwmリミッター回路及びdc−dcコンバータ - Google Patents

Pwmリミッター回路及びdc−dcコンバータ Download PDF

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Description

技術分野は、電源回路等(例えば、スイッチングレギュレータ)に適用できるPWMリミッター回路に関する。
電源回路に用いられるPWM制御は、PWM信号のデューティ比を変化させることにより、入力電圧を昇圧または降圧させるものである。
図5は、PWM制御回路の構成例である。このPWM制御回路は、誤差増幅器50,参照電圧発生回路60,PWMリミッター回路70,三角波を生成する発振器80およびPWMコンパレータ90から構成されている。
誤差増幅器50は、帰還電圧Vfbと、基準電圧との差を増幅し、電圧Verrを出力する回路である。
参照電圧発生回路60は、基準電圧および参照電圧Vrefを生成する回路である。
PWMリミッター回路70は、誤差増幅器50の出力電圧Verrと、参照電圧Vrefとを比較して、その出力電圧Versを制御する回路である。
発振器80は、PWM信号の生成に必要な信号である三角波Voscを発生させる回路である。
PWMコンパレータ90は、PWMリミッター回路70の出力電圧Versと、発振器80が生成した三角波Voscから、PWM信号を出力する回路である。
PWM制御において、PWM信号のデューティ比がある一定値(80%)よりも高くなると、高調波ノイズの発生という問題が生ずるおそれがある。また、過剰な電流が流れることにより素子が故障するという問題が生ずるおそれがある。
したがって、上記の問題を発生させずにPWM制御を行うためには、PWM信号のデューティ比がある一定値よりも高くなることを防ぐリミッター制御を行うことが必要となる。
特許文献1では、リミッター制御の方法として、誤差増幅器の出力電圧が最大デューティ比電圧を超える場合、最大デューティ比電圧をコンパレータに入力することで、PWM信号のデューティ比を制御する方法が提案されている。
特開平10−127047号 公報
PWM信号のデューティ比がある一定値よりも高くなることを防ぐためにリミッター制御をしていても、PWM制御の開始直後には、PWM信号のデューティ比がゼロになり、コイルに流れる電流のリンギングによるノイズの発生や、定電圧制御回路の不安定動作などを引き起こすという課題があった。
太陽電池など入力電圧の変動が大きい機器を電源として使用してPWM制御する場合も同様に、PWM信号のデューティ比がゼロになるという課題があった。
PWMリミッター回路の構成を、PWM信号のデューティ比がある一定値より高くなることを防止し、かつ、ある一定値より低くなることを防止することが可能な構成にする。
本発明の一態様は、最大デューティ比基準電圧が入力される第1の端子と、最小デューティ比基準電圧が入力される第2の端子と、第3の端子に入力された電圧と最大デューティ比基準電圧とを比較するコンパレータおよび第3の端子に入力された電圧と最小デューティ比基準電圧とを比較するコンパレータと、第3の端子に入力された電圧が最大デューティ比基準電圧より大きい場合にオンになる第1のスイッチと、第3の端子に入力された電圧が最小デューティ比基準電圧より小さい場合にオンになる第2のスイッチと、第3の端子に入力された電圧が最小デューティ比基準電圧より大きく、かつ、最大デューティ比基準電圧より小さい場合にオンになる第3のスイッチと、第1のスイッチ、第2のスイッチおよび第3のスイッチと電気的に接続された出力端子と、を有することを特徴とするPWMリミッター回路である。
PWM信号のデューティ比が常に存在する状態に保つよう制御することで、ノイズの発生を低減し、また不安定動作を防止できる。
PWMリミッター回路の回路図 PWMリミッター回路の回路図 誤差増幅器の出力電圧Verrが、最小デューティ比基準電圧VrefLより小さい場合を含む場合におけるPWM信号生成を示すグラフ 誤差増幅器の出力電圧Verrが、最大デューティ比基準電圧VrefHより大きい場合を含む場合におけるPWM信号生成を示すグラフ PWM制御回路の構成例を示す回路図 PWM制御回路を用いたDC−DCコンバータの構成例を示す回路図
以下、開示される発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。ただし、発明は以下の説明に限定されず、その発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなく、その態様および詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
(実施の形態1)
図1は、本実施の形態におけるPWMリミッター回路の回路図である。このPWMリミッター回路は、コンパレータ回路20,コントローラ回路30およびスイッチ回路40で構成されている。
入力端子10には、誤差増幅器からの出力電圧Verrが入力される。
入力端子11には、最大デューティ比基準電圧VrefHが入力される。
入力端子12には、最小デューティ比基準電圧VrefLが入力される。
最大デューティ比基準電圧VrefHおよび最小デューティ比基準電圧VrefLを出力するための回路は、オペアンプで構成されていてもよい。
コンパレータ回路20は、誤差増幅器からの出力電圧Verrと、最大デューティ比基準電圧VrefHおよび最小デューティ比基準電圧VrefLをそれぞれ比較するための回路である。
コンパレータ回路20は、コンパレータ21および22で構成されている。
コンパレータ21の非反転入力端子には、誤差増幅器からの出力電圧Verrが入力される。コンパレータ21の反転入力端子には、最大デューティ比基準電圧VrefHが入力される。
コンパレータ22の非反転入力端子には、最小デューティ比基準電圧VrefLが入力される。コンパレータ22の反転入力端子には、誤差増幅器からの出力電圧Verrが入力される。
コントローラ回路30は、コンパレータ回路20の出力信号をスイッチ回路40で制御するための信号を生成する回路である。
コントローラ回路30は、NOTゲート31および32ならびにNORゲート33,34および35で構成されている。
スイッチ回路40は、スイッチ41,42および43で構成されている。ここでは、スイッチ41,42および43は、NMOSトランジスタを用いたMOSスイッチで構成されている。
ここで、スイッチ回路40を構成するトランジスタは、チャネル層にシリコンを用いた薄膜トランジスタである。なお、スイッチ回路40を構成するトランジスタの構造は、シングルゲート構造に限らず、ダブルゲート構造などのマルチゲート構造であってもよい。
また、スイッチ回路40を構成するトランジスタのチャネル層は、シリコンに限られず、酸化物半導体などを用いてもよい。
なお、スイッチ41,42および43は、コントローラ回路30からの信号によってオン、オフが切り替わるものであれば、この構成に限られない。
出力端子13には、PWMリミッター回路の出力電圧Versが出力される。
続いて、このPWMリミッター回路による、PWM信号の制御方法について説明する。
PWM信号のデューティ比の制御は、PWMコンパレータにおいて、誤差増幅器の出力電圧Verrと、三角波Voscとを比較して、その差分を増幅することにより行う。
PWMコンパレータは、誤差増幅器の出力電圧errと三角波Voscを比較し、三角波Voscの信号レベルが誤差増幅器の出力電圧Verrより大きい場合は、H(ハイレベル)をPWM信号として出力する。一方、三角波Voscの信号レベルが誤差増幅器の出力電圧Verrより小さい場合は、L(ローレベル)をPWM信号として出力する。
三角波Voscより誤差増幅器の出力電圧Verrが小さい場合は、PWM信号はデューティ比を有しない。同様に、三角波Voscより誤差増幅器の出力電圧Verrが大きい場合も、PWM信号はデューティ比を有しない。
まず、誤差増幅器の出力電圧Verrが、最小デューティ比基準電圧VrefLより小さい場合を考える。
この場合、スイッチ43がオンとなり、PWMリミッター回路の出力電圧Versとして、最小デューティ比基準電圧VrefLが出力される。
図3は、誤差増幅器の出力電圧Verrが、最小デューティ比基準電圧VrefLより小さい場合を含む場合におけるPWM信号生成を示すグラフである。
図3(A)において、縦軸は電圧[V]、横軸は時間[s]を示す。また、線100は三角波Vosc、線110は誤差増幅器の出力電圧Verr、線120は最小デューティ比基準電圧VrefLを示す。
図3(B)において、縦軸は電圧[V]、横軸は時間[s]を示す。また、線130は、図3(A)に表される三角波と誤差増幅器の出力電圧又は最小デューティ比基準電圧から生成されるPWM信号を示す。
図3(A)の領域125において、誤差増幅器の出力電圧Verrは、最小デューティ比基準電圧VrefLより小さい。したがって、PWMリミッター回路の出力電圧Versとして、最小デューティ比基準電圧VrefLが出力される。
次に、誤差増幅器の出力電圧Verrが、最大デューティ比基準電圧VrefHより大きい場合を考える。
この場合、スイッチ41がオンとなり、PWMリミッター回路の出力電圧Versとして、最大デューティ比基準電圧VrefHが出力される。
図4は、誤差増幅器の出力電圧Verrが、最大デューティ比基準電圧VrefHより大きい場合を含む場合におけるPWM信号生成を示すグラフである。
図4(A)において、縦軸は電圧[V]、横軸は時間[s]を示す。また、線100は三角波Vosc、線110は誤差増幅器の出力電圧Verr、線140は最大デューティ比基準電圧VrefHを示す。
図4(B)において、縦軸は電圧[V]、横軸は時間[s]を示す。また、線130は、図4(A)に表される三角波と誤差増幅器の出力電圧又は最大デューティ比基準電圧から生成されるPWM信号を示す。
図4(A)の領域145において、誤差増幅器の出力電圧Verrは、最大デューティ比基準電圧VrefHより大きい。したがって、PWMリミッター回路の出力電圧Versとして、最大デューティ比基準電圧VrefHが出力される。
最後に、誤差増幅器の出力電圧Verrが、最小デューティ比基準電圧VrefLより大きく、かつ、最大デューティ比基準電圧VrefHより小さい場合を考える。
この場合、スイッチ42がオンとなり、PWMリミッター回路の出力電圧Versとして、誤差増幅器の出力電圧Verrが出力される。
以上の制御により、PWMリミッター回路の出力電圧Versは、常に三角波Voscの振幅の中に存在することとなり、PWM信号は常にデューティ比を有する信号となる。
(実施の形態2)
図2は、本実施の形態におけるPWMリミッター回路の回路図である。このPWMリミッター回路は、図1と比較してスイッチ回路40およびコントローラ回路30の構成が異なる。
スイッチ44は、PMOSトランジスタQ1を用いたMOSスイッチで構成されている。ソースとドレインを短絡させたPMOSトランジスタQ2は、PMOSトランジスタQ1がオフするとき、ゲートからのフィードスルー電荷を補償するためのダミースイッチとして付けている。
MOSスイッチであるPMOSトランジスタQ1と、ダミースイッチであるPMOSトランジスタQ2とは、逆位相のパルスで駆動するため、コントローラ回路30にはNOTゲート36が設けられている。
スイッチ45は、PMOSトランジスタQ3とNMOSトランジスタQ4を用いたMOSスイッチ(トランスミッションゲート)で構成されている。スイッチ45の駆動のため、コントローラ回路30にはNOTゲート37が設けられている。
スイッチ46は、NMOSトランジスタQ5を用いたMOSスイッチに、NMOSトランジスタQ6をダミースイッチとして付けたもので構成されている。スイッチ46の駆動のため、コントローラ回路30にはNOTゲート38が設けられている。
MOSスイッチとして用いるトランジスタの極性はこれに限られないが、最大デューティ比基準電圧VrefHが入力される入力端子11に、PMOSトランジスタQ1を用いたMOSスイッチであるスイッチ44を接続することには利点がある。その利点とは、PMOSトランジスタQ1のゲート−ソース電圧(Vgs)が高くなり、その結果、ソース−ドレイン抵抗(Rds)が低くなることである。
最小デューティ比基準電圧VrefLが入力される入力端子12に、NMOSトランジスタQ5を用いたMOSスイッチであるスイッチ46を接続することでも、同様の効果を得ることができる。
なお、図2に示すPWMリミッター回路によるPWM信号の制御方法は、図1に示すPWMリミッター回路と同様である。
(実施の形態3)
図6は、実施の形態1及び2で示されたPWMリミッター回路を含むPWM制御回路を用いたDC−DCコンバータの回路図である。
本実施の形態で説明されるDC−DCコンバータ200は、パワートランジスタ210、コイル220、ダイオード230、コンデンサ240、抵抗250、抵抗260およびPWM制御回路270で構成される。DC−DCコンバータ200は、出力電圧から分圧された電圧をPWM制御回路270でモニタリングし、出力電圧を所望の値にする。
PWM制御回路270はパワートランジスタ210を駆動させるPWM信号を制御する。PWM制御回路270の構成は、図5に示された回路と同様である。PWM制御回路270に含まれるPWMリミッター回路は、PWM信号のデューティ比の上限、下限を制御する。本実施の形態のPWMリミッター回路の構成は図1、図2と同様である。また、これらのPWMリミッター回路によるPWM信号制御方法については、実施の形態1および実施の形態2と同様であるため説明を省略する。
10,11,12 入力端子
13 出力端子
20 コンパレータ回路
21,22 コンパレータ
30 コントローラ回路
31,32,36,37,38 NOTゲート
33,34,35 NORゲート
40 スイッチ回路
41,42,43,44,45,46 スイッチ
50 誤差増幅器
60 参照電圧発生回路
70 PWMリミッター回路
80 発振器
90 PWMコンパレータ
100 三角波Vosc
110 誤差増幅器の出力電圧Verrを示す線
120 最小デューティ比基準電圧VrefLを示す線
125 領域
130 PWM信号を示す線
140 最大デューティ比基準電圧VrefHを示す線
145 領域
Q1,Q2,Q3 P型トランジスタ
Q4,Q5,Q6 N型トランジスタ
200 DC−DCコンバータ
210 パワートランジスタ
220 コイル
230 ダイオード
240 コンデンサ
250 抵抗
260 抵抗
270 PWM制御信号

Claims (3)

  1. 第1の電が入力される第1の端子と、
    前記第1の電より低い第2の電が入力される第2の端子と、
    第3の電が入力される第3の端子と、
    前記第1の電と前記第3の電とを比較することができる機能を有する第1のコンパレータと、
    前記第2の電と前記第3の電とを比較することができる機能を有する第2のコンパレータと、
    前記第3の電位が前記第1の電位よりも高い場合にオンとなることができる機能を有する第1のスイッチと、
    前記第3の電位が前記第2の電位よりも低い場合にオンとなることができる機能を有する第2のスイッチと、
    前記第3の電位が前記第1の電位よりも低く、且つ前記第2の電位よりも高い場合にオンとなることができる機能を有する第3のスイッチと、
    出力端子と、
    第1の回路と、
    を有し、
    前記第1のコンパレータの出力及び前記第2のコンパレータの出力は、前記第1の回路と電気的に接続され、
    前記第1のスイッチは、前記第1の端子と電気的に接続され、
    前記第2のスイッチは、前記第2の端子と電気的に接続され、
    前記第3のスイッチは、前記第3の端子と電気的に接続され、
    前記出力端子は、前記第1のスイッチ、前記第2のスイッチ、及び前記第3のスイッチと電気的に接続され
    前記第1のスイッチは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
    前記第2のトランジスタのソースは、前記第2のトランジスタのドレインと短絡されており、
    前記第2のスイッチは、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、を有し、
    前記第4のトランジスタのソースは、前記第4のトランジスタのドレインと短絡されており、
    前記第3のスイッチは、トランスミッションゲートを有し、
    前記トランスミッションゲートは、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、を有し、
    前記第1乃至第6のトランジスタのゲートは、前記第1の回路と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第1の端子と電気的に接続され、
    前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第2の端子と電気的に接続され、
    前記第5のトランジスタのソースまたはドレインの一方、及び前記第6のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第3の端子と電気的に接続されていることを特徴とするPWMリミッター回路。
  2. 請求項1において、
    前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタは、P型トランジスタであり、
    前記第3のトランジスタおよび前記第4のトランジスタは、N型トランジスタであることを特徴とするPWMリミッター回路。
  3. 請求項1又は2に記載のPWMリミッター回路を有することを特徴とするDC−DCコンバータ。
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