JP5686009B2 - 基板ユニット、及び、基板ユニットの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板ユニット、及び、基板ユニットの製造方法に関する。

従来より、２本のスルーホールを併設し、２本のスルーホールの間をそれぞれのスルーホールの両端部分もしくは片端部分で接続することにより、スルーホールのスタブ部分を除去した多層配線基板があった。

ここで、スタブ（stub）とは、プリント基板や半導体基板の配線において、どの端子にも接続（終端）されず、かつ、接地もされない分岐配線をいう。

また、基板の内層配線に接続するスルーホールを形成する方法の一つとして、貫通孔の内壁に金属膜を形成してから、配線基板の裏面側から削り取ることで、スタブとなる不要部分を除去する方法があった。

特開２００５−１８３６４９号公報 米国特許第６，６６３，４４２号明細書

ところで、スルーホールにコネクタ等のピンを差し込んでプリント基板にコネクタ等を実装する場合がある。ピンは、先端が細くなっているため、ピンの先端部にはスルーホールの導電性のある壁面と接触しない部分が生じる。

このため、上述のような従来の手法でスルーホールのスタブを低減しても、スルーホールにコネクタ等のピンを差し込む場合は、ピンの先端部にスタブが生じる。

このようにピンの先端部にスタブが生じると、基板における信号の伝送特性が低下し、特に、高速信号の伝送特性が大きく低下するという問題が生じる。

そこで、信号の伝送特性の良好な基板ユニット、及び、基板ユニットの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の実施の形態の基板ユニットは、第１の面と第２の面との間を貫通する、導電性の壁面を備えた貫通孔を有する基板と、前記貫通孔に前記第１の面から圧入される第１の接続ピンを有する第１の電子部品と、前記貫通孔内に配置され、前記貫通孔の壁面と前記第１の接続ピンとを接続させる導電性部材と、前記貫通孔に前記第２の面から圧入される第２の接続ピンを有する第２の電子部品とを有し、前記導電性部材は、前記第１の接続ピンと前記第２の接続ピンとを接続するように前記貫通孔内に配置され、前記導電性部材は、前記貫通孔に配置された導電性の弾性部材であり、前記第１の接続ピンと前記第２の接続ピンとの間で高速信号を伝送する。

信号の伝送特性の良好な基板ユニット、及び、基板ユニットの製造方法を提供することができる。

信号伝送路におけるスタブを示す図である。 ビルドアップ基板１０Ａの断面構造を示す図である。 （Ａ）は、バックドリルでスタブを除去して製造するプリント基板１０Ｂを示す図であり、（Ｂ）はプリント基板１０Ｂの製造工程を示す図である。 比較例１の基板ユニット１０Ｃを示す図である。 比較例２の基板ユニット１０Ｄを示す図である。 実施の形態１の基板ユニット１００を含むサーバ５００のブロック構成を示す図である。 実施の形態１の基板ユニット１００の断面構造を示す図である。 実施の形態１の基板ユニット１００（１０１）の製造方法を示す断面図である。 実施の形態１の基板ユニット１００（１０１）の製造方法を示す断面図である。 実施の形態２の基板ユニット２００の断面構造を示す図である。 実施の形態２の基板ユニット２００（２０１）の製造方法を示す断面図である。 実施の形態３の基板ユニット３００の断面構造を示す図である。 実施の形態３の基板ユニット３００（３０１）の製造方法を示す断面図である。 実施の形態４の基板ユニット４００の断面構造を示す図である。 実施の形態４の基板ユニット４００（４０１）の製造方法を示す断面図である。

以下、本発明の基板ユニット、及び、基板ユニットの製造方法を適用した実施の形態について説明する。

ここで、実施の形態の基板ユニット、及び、基板ユニットの製造方法について説明する前に、まず、図１乃至図５を用いて、比較例のプリント基板及び基板ユニットとその問題点について説明する。

図１は、信号伝送路におけるスタブを示す図である。例えば、バッファ１からバッファ２に伝送路３を経て信号を伝送する場合に、伝送路３の途中に、伝送路３から枝分かれして終端されていない部分３Ａがあるとする。この部分３Ａはスタブ３Ａとなる。

スタブ３Ａは、伝送信号の反射を生じさせて伝送路３のインピーダンスの不整合の原因になるとともに、アンテナとして機能して伝送信号を放射させることによりノイズ発生の原因になる。

半導体プロセスの微細化にともない、ＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit：大規模集積回路）の動作周波数は、年々高速化している。これに伴い、ＬＳＩ外部へのアクセスも高速化が求められている。

イーサネット（登録商標）やインフィニバンド等の伝送規格で高速化が図られているが、電気信号を用いた伝送は、限界と言われ続けている。

しかしながら、現実的には、プリント基板の材料の改良、又は、ケーブルあるいはコネクタ等の低損失化により、１０ギガビットイーサーでの電気信号の伝送が可能になっており、４０ギガビットイーサー、又は、１００ギガビットイーサーでの信号伝送が視野に入ってきている。

このような高速での信号伝送は、スタブによる信号の反射又はノイズ発生によって大きな影響を受ける。

スタブの影響は、低速での信号伝送では問題とならないが、特に１０Ｇｂｐｓを超える周波数の高速信号になると、ｍｍ単位の長さのスタブが信号の伝送特性に大きな影響を与えることになる。例えば、信号の周波数が２０ＧＨｚの場合は、長さ０．６ｍｍのスタブで一次共振が発生し、放射損失が生じる場合がある。

このようなスタブは、例えば、プリント基板の内層に接続するスルーホールに生じる場合がある。このため、スタブを低減した多層基板として、銅箔、コア層、プリプレグ層等を一層ずつ積層して配線を形成しながら製造するビルドアップ基板がある。

図２は、ビルドアップ基板１０Ａの断面構造を示す図である。ビルドアップ基板１０Ａは、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層２１、２２、２３、２４、２５、２６とを交互に積層することによって製造される。

導電層２１、２６は、ビルドアップ基板１０Ａの表面と裏面にそれぞれ配設される導電層であり、それぞれ、ＬＳＩ４、５が実装される。ＬＳＩ４、５は、それぞれ、接続部４Ａ、５Ａを介して、導電層２１に接続されている。これに対して、導電層２２〜２５は、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５に挟まれる内層の導電層である。

導電層２１と導電層２３を接続するスルーホール６、導電層２３と導電層２５を接続するスルーホール７、及び、導電層２５と導電層２６を接続するスルーホール８は、絶縁層１１〜１５と導電層２１〜２６を一層ずつ順次積層する段階で形成される。

ビルドアップ基板１０Ａが完成した後に、ＬＳＩ４、５をそれぞれ接続部４Ａ、５Ａで導電層２１、２６に実装すれば、ＬＳＩ４、５の間は、導電層２１、スルーホール６、導電層２３、スルーホール７、導電層２５、スルーホール８、及び導電層２６で電気的に接続される。

このようなビルドアップ基板１０Ａのスルーホール６、７、８にはスタブが殆ど形成されないため、ビルドアップ基板１０Ａの信号の伝送特性は良好である。

しかしながら、ビルドアップ基板１０Ａは、上述のように一層ずつ積層して製造するため、高価であるという問題がある。

また、スルーホールのスタブを低減する手法として、バックドリルという手法がある。

図３（Ａ）は、バックドリルでスタブを除去して製造するプリント基板１０Ｂを示す図であり、図３（Ｂ）はバックドリルを行う前のプリント基板１０Ｂを示す図である。

図３（Ａ）に示すように、プリント基板１０Ｂは、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５、導電層２１、２２、２３、２４、２５、２６、及びスルーホール３１、３２を含む。プリント基板１０Ｂは、複数の絶縁層と複数の導電層を一度に熱溶着することによって製造される。

図３（Ａ）に示すプリント基板１０Ｂでは、導電層２１と導電層２５がスルーホール３１によって接続され、導電層２５と導電層２６がスルーホール３２によって接続されている。

ここで、バックドリルによるスルーホール３１、３２の形成方法について説明する。

まず、図３（Ｂ）に示すように、プリント基板１０Ｂの上面から下面までスルーホール３１Ａ、３２Ａを形成する。

スルーホール３１Ａ、３２Ａは、プリント基板１０Ｂの導電層２１から導電層２６までを貫通する貫通孔をドリル等で穿孔し、貫通孔の壁面にメッキ処理を施すことによって形成される。メッキ処理は、例えば、まず無電解メッキ層を貫通孔の壁面に形成した後に、電解メッキ層を無電解メッキ層の上に形成することによって形成される。無電解メッキ層及び電解メッキ層としては、例えば、銅メッキ、金メッキ、又は錫メッキ等を用いればよい。

次に、図３（Ｂ）における下側からドリルＡでスルーホール３１Ａの不要部分を削り取るとともに、上側からドリルＢでスルーホール３２Ａの不要部分を削り取る。このようにドリルＡ、Ｂで不要部分を削り取ることにより、図３（Ａ）に示すスルーホール３１、３２が完成する。

このように、バックドリルという手法を用いれば、図３（Ａ）に示すようなスルーホール３１、３２を形成することができるが、ドリルＡ、Ｂによるスルーホール３１、３２の深さ方向の位置合わせ精度の問題がある。

このため、バックドリルでは不要部分を完全に取り除くことが難しく、スルーホール３１には導電層２５の下面よりも下側に小さなスタブが残存することがあり、スルーホール３２には導電層２５の上面よりも上側に小さなスタブが残存することがある。

ところで、ブレードサーバ又は大型の通信装置等では、図４に示すようなＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ型のプレスフィットコネクタが使用される場合がある。

図４は、比較例１の基板ユニット１０Ｃを示す図である。

図４に示す基板ユニット１０Ｃは、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５、導電層４１、４２、４３、４４、スルーホール５１、５２、及びプレスフィットコネクタ６１、６２を含む。基板ユニット１０Ｃのうち、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５、導電層４１、４２、４３、４４、及びスルーホール５１、５２はプリント基板（基板）である。基板ユニット１０Ｃに含まれる絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層４１、４２、４３、４４の積層体は、複数の絶縁層（１１〜１５）と複数の導電層（４１〜４４）を一度に熱溶着することによって製造される。

基板ユニット１０Ｃの導電層は、すべて内層の導電層４１〜４４である。導電層４１〜４４は、スルーホール５１、５２には接続されておらず、平面視でスルーホール５１、５２を避けるように形成されている。

スルーホール５１、５２は、基板ユニット１０Ｃの絶縁層１１から絶縁層１５までを貫通する貫通孔をドリル等で穿孔し、貫通孔の壁面にメッキ処理を施すことによって形成される。メッキ処理は、例えば、まず無電解メッキ層を貫通孔の壁面に形成した後に、電解メッキ層を無電解メッキ層の上に形成することによって形成される。無電解メッキ層及び電解メッキ層としては、例えば、銅メッキ、金メッキ、又は錫メッキ等を用いればよい。

プレスフィットコネクタ６１、６２は、Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ型のプレスフィットコネクタであり、基板ユニット１０Ｃの両面に実装される。

プレスフィットコネクタ６１、６２の接続ピン６３、６４の先端部６３Ａ、６４Ａは、それぞれ、基板ユニット１０Ｃのスルーホール５１、５２に圧入される。これにより、接続ピン６３、６４は、スルーホール５１、５２を介して電気的に接続される。

このように、Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ型のプレスフィットコネクタ６１、６２を用いると、コネクタ（６１、６２）間にケーブル等の配線が不要になるため、接続ピン６３と接続ピン６４の間の配線長を短くすることが可能となる。

ところで、接続ピン６３、６４の先端部６３Ａ、６４Ａは細いため、先端部６３Ａ、６４Ａはスルーホール５１、５２の内壁面に接しない。

このため、先端部６３Ａ、６４Ａに矢印で示す部分がスタブとなり、信号の反射によるインピーダンスの不整合、又は、スタブがアンテナになって信号が放射されることによるノイズの発生が生じる場合がある。これは、信号の伝送速度が高くなるほど顕著となる。

また、Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ型のプレスフィットコネクタ６１、６２ではなくても、基板ユニットの片面だけに実装されるプレスフィットコネクタにおいても、同様の問題が生じる。

図５は、比較例２の基板ユニット１０Ｄを示す図である。

基板ユニット１０Ｄは、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５、導電層４１、４２、４３、４４、スルーホール５３、及びプレスフィットコネクタ６５を含む。基板ユニット１０Ｄのうち、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５、導電層４１、４２、４３、４４、及びスルーホール５３はプリント基板（基板）である。基板ユニット１０Ｄに含まれる絶縁層１１、１２、１３、１４、１５と導電層４１、４２、４３、４４の積層体は、複数の絶縁層（１１〜１５）と複数の導電層（４１〜４４）を一度に熱溶着することによって製造される。

基板ユニット１０Ｄの導電層は、すべて内層の導電層４１〜４４である。導電層４１は、スルーホール５３に接続されており、導電層４２〜４４は、スルーホール５３に接続されておらず、平面視でスルーホール５３を避けるように形成されている。

スルーホール５３は、基板ユニット１０Ｄの絶縁層１１から絶縁層１５までを貫通する貫通孔をドリル等で穿孔し、貫通孔の壁面にメッキ処理を施すことによって形成される。このときに、スルーホール５３と導電層４１は接続される。メッキ処理は、例えば、まず無電解メッキ層を貫通孔の壁面に形成した後に、電解メッキ層を無電解メッキ層の上に形成することによって形成される。無電解メッキ層及び電解メッキ層としては、例えば、銅メッキ、金メッキ、又は錫メッキ等を用いればよい。

プレスフィットコネクタ６５の接続ピン６６の先端部６６Ａは、基板ユニット１０Ｄのスルーホール５３に圧入される。これにより、プレスフィットコネクタ６５は基板ユニット１０Ｄの一方の面に実装され、接続ピン６６は、スルーホール５３を介して電気的に接続される。

また、プレスフィットコネクタ６５の雌状のコネクタ部６６Ｂは、プレスフィットコネクタ６５の凹部６５Ａに設けられており、コネクタ部６６Ｂには、ケーブルコネクタ６７が接続される。

ケーブルコネクタ６７は、筐体６７Ａと、筐体６７Ａの内部に保持される雄状のコネクタ部６８とを含む。プレスフィットコネクタ６５のコネクタ部６６Ｂには、ケーブルコネクタ６７のコネクタ部６８が差し込まれる。このとき、ケーブルコネクタ６７の筐体６７Ａの一部は、プレスフィットコネクタ６５の凹部６５Ａ内に圧入される。ケーブルコネクタ６７のコネクタ部６８には、ケーブル６９が接続されている。

このようなプレスフィットコネクタ６５においても、接続ピン６６の先端部６６Ａが細いため、先端部６６Ａはスルーホール５３の内壁面に接しない。

このため、先端部６６Ａに矢印で示す部分がスタブとなり、信号の反射によるインピーダンスの不整合、又は、スタブがアンテナになって信号が放射されることによるノイズの発生が生じる場合がある。これは、信号の伝送速度が高くなるほど顕著となる。

以上のように、比較例１、２の基板ユニット１０Ｃ、１０Ｄに実装されるプレスフィットコネクタ６１、６２、６５では、接続ピン６３、６４、６６の先端部６３Ａ、６４Ａ、６６Ａにスタブが形成されるという問題点がある。

このため、以下では、上述の問題点を解決する実施の形態１乃至４の基板ユニットについて説明する。

＜実施の形態１＞
図６は、実施の形態１の基板ユニット１００を含むサーバ５００のブロック構成を示す図である。

サーバ５００は、実施の形態１の基板ユニット１００を含む電子装置の一例である。サーバ５００は、シャーシ５１０Ａ、５１０Ｂ、及びスイッチモジュール５２０を含む。

シャーシ５１０Ａは、複数のブレード６００_１〜６００_ｎ、及び基板ユニット１００を含む。ここで、ｎは２以上の任意の整数であり、シャーシ５１０Ａ内のブレード６００_１〜６００_ｎの数を表す。

ブレード６００_１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit：中央演算処理装置）６１０、メモリ６２１、６２２、６２３、６２４、及び通信ＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit：大規模集積回路）６３０を含む。ＣＰＵ６１０、メモリ６２１、６２２、６２３、６２４、及び通信ＬＳＩ６３０は、バス６５０によって接続されている。ここで、メモリ６２１、６２２、６２３、６２４は、例えば、主記憶装置としてのＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）である。

なお、ブレード６００_２〜６００_ｎの内部の構成は、ブレード６００_１と同様であるため、図示及び説明を省略する。

ブレード６００_１〜６００_ｎには、それぞれ、プレスフィットコネクタ６０Ａ（ＣＮ（Connectorの略）と表す）が接続されている。プレスフィットコネクタ６０Ａと通信ＬＳＩ６３０は、バス６６０によって接続されている。

ここで、ブレード６００_１〜６００_ｎを特に区別しない場合には、単にブレード６００と称す。

基板ユニット１００は、所謂ＢＰ（Back Plane：バックプレーン）として用いられており、プレスフィットコネクタ１５０、１６０を含む。プレスフィットコネクタ１５０は第１の電子部品の一例であり、プレスフィットコネクタ１６０は第２の電子部品の一例である。

基板ユニット１００の一方の面にはｎ個のプレスフィットコネクタ１５０が実装され、他方の面にはｎ個のプレスフィットコネクタ１６０が実装される。

このように、ＢＰとしての基板ユニット１００には、両面にプレスフィットコネクタ１５０、１６０が実装されている。このため、各基板ユニット１００にＢＰ（Back Plane）と記す。

各プレスフィットコネクタ１５０、１６０は、複数の接続ピンを有し、各接続ピンが基板ユニット１００のスルーホールに圧入されることにより、各接続ピンとスルーホールの導電性の壁面とが電気的に接続されている。なお、基板ユニット１００とプレスフィットコネクタ１５０、１６０の接続部の構成については、後述する。

ブレード６００_１〜６００_ｎは、プレスフィットコネクタ６０Ａとプレスフィットコネクタ１５０とを接続することによって基板ユニット１００の配線等に電気的に接続されるとともに、基板ユニット１００の一方の面（図６中左側の面）に固定されている。

なお、シャーシ５１０Ｂは、シャーシ５１０Ａと同様の構成を有するため、説明を省略する。

スイッチモジュール５２０には、２ｎ個のプレスフィットコネクタ６０Ｂが実装されている。シャーシ５１０Ａ、５１０Ｂの基板ユニット１００のプレスフィットコネクタ１６０は、それぞれ、ケーブル８８を介して、スイッチモジュール５２０のプレスフィットコネクタ６０Ｂに接続されている。

シャーシ５１０Ａ内のブレード６００のＣＰＵ６１０が、同じシャーシ５１０Ａ内の他のブレード６００のＣＰＵ６１０と通信を行う場合には、ＣＰＵ６１０同士は、それぞれの通信ＬＳＩ６３０、プレスフィットコネクタ６０Ａ、１５０、及び基板ユニット１００の内部の配線を介してデータを伝送する。

また、シャーシ５１０Ａ内のブレード６００のＣＰＵ６１０が、シャーシ５１０Ｂ内のブレード６００のＣＰＵ６１０と通信を行う場合には、ＣＰＵ６１０同士は、それぞれの通信ＬＳＩ６３０、プレスフィットコネクタ６０Ａ、１５０、１６０、６０Ｂ、基板ユニット１００の内部の配線、及びスイッチモジュール５２０を介してデータを伝送する。このとき、スイッチモジュール５２０は、シャーシ５１０Ａ内の通信ＬＳＩ６３０と、シャーシ５１０Ｂ内の通信ＬＳＩ６３０とを接続する。

次に、図７を用いて実施の形態１の基板ユニット１００について説明する。

図７は、実施の形態１の基板ユニット１００の断面構造を示す図である。

基板ユニット１００は、５層の絶縁層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５と、４層の導電層１２１、１２２、１２３、１２４、スルーホール１３０、プレスフィットコネクタ１５０、１６０、及びコイルバネ１７０を含む。基板ユニット１００のうち、絶縁層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、導電層１２１、１２２、１２３、１２４、及びスルーホール１３０はプリント基板（基板）である。

基板ユニット１００には表面１００Ａから裏面１００Ｂまで貫通するがスルーホール１３０形成されている。

基板ユニット１００は、例えば、ＦＲ４（Flame Retardant Type 4）又はＦＲ５（Flame Retardant Type 5）等のガラス布基材とエポキシ樹脂で形成される基板ユニットである。

例えば、絶縁層１１１、１１３、１１５は、繊維に熱硬化性樹脂を含浸させたもの、例えば、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ層である。また、例えば、絶縁層１２、１４は、コア層である。ただし、プリプレグ層としては、繊維のものを含まないエポキシ樹脂で形成されたものでもよい。

導電層１２１、１２２、１２３、１２４は、例えば、銅箔である。導電層１２１、１２２、１２３、１２４は、例えば、信号伝送用の配線層、電源層、又はグランド層等として用いられる。

ここで、導電層１２１、１２２、１２３、１２４は、スルーホール１３０に接続されないため、平面視ではスルーホール１３０を避けるようにパターニングされる。

絶縁層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５と導電層１２１、１２２、１２３、１２４は、コア層である絶縁層１１２と絶縁層１１４の両面に、それぞれ、導電層１２１、１２２と導電層１２３、１２４を形成した状態で熱硬化処理が施されることによって固着される。

ここで、基板ユニット１００は、表面１００Ａと裏面１００Ｂに導電層が形成されない４層型の基板ユニットである。これは、例えば、信号の伝送速度が数１０Ｇｂｐｓ（あるいはそれ以上）のような高速信号を伝送する場合は、良好な伝送特性を確保するために、各導電層１２１〜１２４の両面に絶縁層（１１１〜１１５）が存在することが好ましい場合があるからである。

しかしながら、実施の形態１の基板ユニット１００は、上述のように表面１００Ａと裏面１００Ｂに導電層が形成されないものに限定されず、表面１００Ａと裏面１００Ｂのどちらか一方又は両方に導電層を形成することにより、５層型又は６層型にしてもよい。

また、説明の便宜上、図７には２つのスルーホール１３０と一組のプレスフィットコネクタ１５０、１６０を示すが、基板ユニット１００は、複数組のプレスフィットコネクタ１５０、１６０と、プレスフィットコネクタ１５０、１６０に応じた数のスルーホール１３０を含んでもよい。

また、基板ユニット１００は、ＦＲ４又はＦＲ５に限られるものではなく、内層の導電層を含んでいれば、ＦＲ規格の他のグレードのものであってもよく、あるいは、他の規格のものであってもよい。

スルーホール１３０は、まず、基板ユニット１００の表面１００Ａから裏面１００Ｂに至るまで絶縁層１１１〜１１５を貫通する貫通孔を形成し、貫通孔の壁面にメッキ処理を施すことによって形成される。このため、スルーホール１３０の壁部は導電壁となる。

スルーホール１３０を形成するためのメッキ処理は、まず無電解メッキ層を貫通孔の壁面に形成した後に、電解メッキ層を無電解メッキ層の上に形成することによって形成される。無電解メッキ層及び電解メッキ層としては、例えば、銅メッキ、金メッキ、又は錫メッキ等を用いればよい。

なお、メッキ処理を行う場合には、メッキ層を形成しない部分には、メッキレジスト等を塗布すればよい。メッキレジストとしては、例えば、無電解メッキが付き難いフッ素樹脂、シリコン樹脂、又はオレフィン樹脂を用いることができる。

プレスフィットコネクタ１５０、１６０は、それぞれ、筐体１５１、１６１、及び、接続ピン１５２、１６２を含む。

筐体１５１、１６１の材料としては、例えば、ポリエステル系の樹脂を用いることができる。

接続ピン１５２、１６２の材料としては、例えば、リン青銅又はニッケル合金に金メッキを施したものを用いることができる。接続ピン１５２、１６２は、それぞれ、破線で示すように筐体１５１、１６１を貫通しており、筐体１５１、１６１によって保持されている。

図７には、説明の便宜上、プレスフィットコネクタ１５０、１６０の各々について、接続ピン１５２、１６２を２本ずつ示すが、プレスフィットコネクタ１５０、１６０は、例えば、接続ピン１５２、１６２を１６本ずつ、又は３２本ずつ有する。

プレスフィットコネクタ１５０の接続ピン１５２の先端部１５２Ａは、基板ユニット１００の表面１００Ａ側からスルーホール１３０に圧入される。プレスフィットコネクタ１６０の接続ピン１６２の先端部１６２Ａは、基板ユニット１００の裏面１００Ｂ側からスルーホール１３０に圧入される。

なお、接続ピン１５２の端子部１５２Ｂは、ブレード６００のプレスフィットコネクタ６０Ａに接続され、接続ピン１６２の端子部１６２Ｂは、ケーブル８８に接続される（図６参照）。

コイルバネ１７０は、スルーホール１３０の内部で、接続ピン１５２の先端部１５２Ａと接続ピン１６２の先端部１６２Ａとの間の空間に挿入されている。

ここで、接続ピン１５２の先端部１５２Ａと接続ピン１６２の先端部１６２Ａとの間には空間が設けられる。これは、接続ピン１５２と接続ピン１６２を圧入した際に、先端部１５２Ａ、１６２Ａ同士が接触すると、接続ピン１５２又は接続ピン１６２に押し戻す力が働いてしまい、スルーホール１３０との接続不良が生じる可能性があるためである。

コイルバネ１７０は、接続ピン１５２の先端部１５２Ａと、接続ピン１６２の先端部１６２Ａとを接続するために用いられるため、図７に示すように、軸方向（伸縮する方向）がスルーホール１３０の軸方向と略一致するように挿入されることが好ましい。

コイルバネ１７０については、ピン１５２、１６２をそれぞれスルーホール１３０に圧入した際に、先端部１５２Ａと先端部１６２Ａとの間で自然長より収縮した状態で、かつ、十分な復元力を発揮できるように、全長とバネ定数を設定すればよい。

コイルバネ１７０は、導電性の弾性部材の一例であるとともに、導電性部材の一例である。コイルバネ１７０は、導電性のある材料で形成されていればよいが、例えば、スルーホール１３０のメッキ層の材料と同一の材料で形成されていることが好ましい。従って、コイルバネ１７０は、例えば、銅、金、又は錫等で形成される。

次に、図８及び図９を用いて、実施の形態１の基板ユニット１００の製造方法について説明する。

図８及び図９は、実施の形態１の基板ユニット１００（１０１）の製造方法を示す断面図である。図８及び図９では、図７よりも基板ユニット１００（１０１）を縮小して示す。ここで、基板ユニット１０１は、基板ユニット１００が完成する前の製造段階における基板ユニットを表す。

まず、図８（Ａ）に示すように、絶縁層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５と導電層１２１、１２２、１２３、１２４を重ね合わせて熱硬化処理を施すことにより、基板ユニット１０１を製造する。図８（Ａ）に示す基板ユニット１０１の導電層１２１〜１２４は、後にスルーホール１３０が形成される部分を避けるようにパターニングされている。

次に、図８（Ｂ）に示すように、基板ユニット１０１の表面１０１Ａ側から、ドリルを用いた機械加工、又は、レーザ加工等を行うことにより、貫通孔１３１を形成する。貫通孔１３１は、基板ユニット１０１の表面１０１Ａから裏面１０１Ｂに至るまで絶縁層１１１〜１１５を除去することによって形成される。なお、貫通孔１３１の形成は、基板ユニット１０１の裏面１０１Ｂ側から行ってもよい。

次に、基板ユニット１０１を無電解メッキの溶液に含浸させて無電解メッキ層を形成し、その上に電解メッキ層を形成することにより、図８（Ｃ）に示すように、スルーホール１３０を形成する。

なお、実施の形態１では、スルーホール１３０としてのメッキ層以外にはメッキ層を形成しないため、例えば、図８（Ａ）に示す基板ユニット１０１を製造した段階で、基板ユニット１０１の外表面全体に、メッキレジストを塗布しておけばよい。

図８（Ａ）の段階で基板ユニット１０１の外表面全体にメッキレジストを形成した後に、図８（Ｂ）に示すように貫通孔１３１を形成すれば、貫通孔１３１の壁面にはメッキレジストは形成されない。このため、基板ユニット１０１を無電解メッキの溶液に含浸させることにより、貫通孔１３１の壁面だけにメッキ層としてのスルーホール１３０を形成することができる。

次に、図８（Ｄ）に示すように、基板ユニット１０１の裏面１０１Ｂ側からプレスフィットコネクタ１６０の接続ピン１６２の先端部１６２Ａをスルーホール１３０に圧入する。これにより、プレスフィットコネクタ１６０は、基板ユニット１０１の裏面１０１Ｂ側に固着される。

次に、図９（Ａ）に示すように、基板ユニット１０１の表面１０１Ａ側から、スルーホール１３０にコイルバネ１７０を挿入する。このとき、コイルバネ１７０の軸方向（伸縮方向）とスルーホール１３０の軸方向が略一致するようにコイルバネ１７０をスルーホール１３０に挿入することが好ましい。

最後に、基板ユニット１０１の表面１０１Ａ側からプレスフィットコネクタ１５０の接続ピン１５２の先端部１５２Ａをスルーホール１３０に圧入することにより、図９（Ｂ）に示す基板ユニット１００が完成する。

以上により、図９（Ｂ）に示す基板ユニット１００が形成される。図９（Ｂ）に示す基板ユニット１００は、図７に示す基板ユニット１００と同一である。

基板ユニット１００は、従来の基板ユニットとは異なり、接続ピン１５２、１６２の先端部１５２Ａ、１６２Ａ同士が導電性のコイルバネ１７０によって接続されるため、終端されない導電部分が短くなり、接続ピン１５２、１６２の先端部１５２Ａ、１６２Ａにおけるスタブを低減できる。

特に、接続ピン１５２、１６２の先端部１５２Ａ、１６２Ａの形状と、コイルバネ１７０の形状を最適化することにより、スタブが殆ど発生しないようにすることができる。

このため、実施の形態１によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ発生を抑制し、高速信号の伝送特性が良好な基板ユニット１００を提供することができる。また、信号の反射又はノイズ発生が抑制されるので、長距離の信号伝送が可能になる。

また、実施の形態１によれば、ビルドアップ基板を用いる必要がなく、バックドリルのような機械加工を行う必要もない。

このため、低コストで製造の容易な基板ユニット１００を提供することができる。

＜実施の形態２＞
実施の形態２の基板ユニット２００は、コイルバネ１７０の代わりに、導電弾性パッド２７０を用いる点が実施の形態１の基板ユニット１００と異なる。その他の構成は実施の形態１の基板ユニット１００と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

図１０は、実施の形態２の基板ユニット２００の断面構造を示す図である。

基板ユニット２００は、５層の絶縁層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５と、４層の導電層１２１、１２２、１２３、１２４、スルーホール１３０、プレスフィットコネクタ１５０、１６０、及び導電弾性パッド２７０を含む。基板ユニット２００のうち、絶縁層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、導電層１２１、１２２、１２３、１２４、及びスルーホール１３０はプリント基板（基板）である。

上述のように、導電弾性パッド２７０は、実施の形態１のコイルバネ１７０の代わりに用いたものであり、導電性の弾性パッドの一例であるとともに、導電性部材の一例である。導電弾性パッド２７０は、導電性粒子を含むシリコン製のゴム、導電性のスポンジ、又は、シリコンゴムシートの厚さ方向に金属細線を埋め込んだ異方導電性シートを用いることができる。

導電弾性パッド２７０に含まれる導電材料は、例えば、スルーホール１３０のメッキ層の材料と同一の材料で形成されていることが好ましい。従って、導電弾性パッド２７０は、例えば、銅、金、又は錫等を導電材料として含むことが望ましい。

次に、図１１を用いて、実施の形態２の基板ユニット２００の製造方法について説明する。

図１１は、実施の形態２の基板ユニット２００（２０１）の製造方法を示す断面図である。図１１では、図１０よりも基板ユニット２００（２０１）を縮小して示す。ここで、基板ユニット２０１は、基板ユニット２００が完成する前の製造段階における基板ユニットを表す。

基板ユニット２００の製造工程は、絶縁層１１１〜１１５と導電層１２１〜１２４とを重ね合わせて基板ユニット２０１を製造した後に貫通孔１３１を形成し、スルーホール１３０を形成し、さらにプレスフィットコネクタ１６０を実装する工程までは、実施の形態１の基板ユニット１００の製造工程と同様である。

このため、プレスフィットコネクタ１６０を実装する工程までを表す図８（Ａ）〜（Ｄ）を援用し、その説明を省略する。

基板ユニット２０１の裏面２０１Ｂ側からプレスフィットコネクタ１６０の接続ピン１６２の先端部１６２Ａをスルーホール１３０に圧入して、プレスフィットコネクタ１６０を基板ユニット２０１の裏面２０１Ｂ側に固着した後に、図１１（Ａ）に示す工程を行う。

図１１（Ａ）に示す工程では、基板ユニット２０１の表面２０１Ａ側から、スルーホール１３０に導電弾性パッド２７０を挿入する。

最後に、基板ユニット２０１の表面２０１Ａ側からプレスフィットコネクタ１５０の接続ピン１５２の先端部１５２Ａをスルーホール１３０に圧入することにより、図１１（Ｂ）に示す基板ユニット２００が完成する。

以上により、図１１（Ｂ）に示す基板ユニット２００が形成される。図１１（Ｂ）に示す基板ユニット２００は、図１０に示す基板ユニット２００と同一である。

基板ユニット２００は、従来の基板ユニットとは異なり、接続ピン１５２、１６２の先端部１５２Ａ、１６２Ａ同士が導電弾性パッド２７０によって接続されるため、終端されない導電部分が短くなり、接続ピン１５２、１６２の先端部１５２Ａ、１６２Ａにおけるスタブを低減できる。

特に、導電弾性パッド２７０が接続ピン１５２、１６２の先端部１５２Ａ、１６２Ａの間に正確に挟まるようにすることにより、スタブが殆ど発生しないようにすることができる。

このため、実施の形態２によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ発生を抑制し、高速信号の伝送特性が良好な基板ユニット２００を提供することができる。また、信号の反射又はノイズ発生が抑制されるので、長距離の信号伝送が可能になる。

また、実施の形態２によれば、ビルドアップ基板を用いる必要がなく、バックドリルのような機械加工を行う必要もない。

このため、低コストで製造の容易な基板ユニット２００を提供することができる。

＜実施の形態３＞
実施の形態３の基板ユニット３００は、プレスフィットコネクタ１５０、１６０の代わりに、プレスフィットコネクタ３５０、３６０を用い、コイルバネ１７０を用いない点が実施の形態１の基板ユニット１００と異なる。

その他の構成は実施の形態１の基板ユニット１００と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

図１２は、実施の形態３の基板ユニット３００の断面構造を示す図である。

基板ユニット３００は、５層の絶縁層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５と、４層の導電層１２１、１２２、１２３、１２４、スルーホール１３０、及びプレスフィットコネクタ３５０、３６０を含む。基板ユニット３００のうち、絶縁層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、導電層１２１、１２２、１２３、１２４、及びスルーホール１３０はプリント基板（基板）である。

プレスフィットコネクタ３５０、３６０は、それぞれ、筐体３５１、３６１と、接続ピン３５２、３６２を含む。プレスフィットコネクタ３５０は第１の電子部品の一例であり、プレスフィットコネクタ３６０は第２の電子部品の一例である。

接続ピン３５２は先端部３５２Ａが凸形であり、接続ピン３６２は先端部３６２Ａが凹形である。接続ピン３５２と接続ピン３６２は、スルーホール１３０に圧入されたときに、先端部３５２Ａと先端部３６２Ａの凹凸が接触又は圧着するように、寸法及び先端部３５２Ａ、３６２Ａの凸形形状と凹形形状が設定されている。

具体的には、例えば、実施の形態１のプレスフィットコネクタ１６０の接続ピン１６２の長さを接続ピン１５２と接触する程度に長くするとともに、接続ピン１６２の先端に凹部を形成することにより、プレスフィットコネクタ３５０、３６０を実現できる。

また、このときに、先端部３６２Ａの凹型の部分が潰れて先端部３５２Ａの凸型の部分と密着するようにしてもよい。

筐体３５１、３６１の材料としては、例えば、ポリエステル系の樹脂を用いることができる。

接続ピン３５２、３６２の材料としては、例えば、リン青銅又はニッケル合金に金メッキを施したものを用いることができる。

プレスフィットコネクタ３５０とプレスフィットコネクタ３６０は、基板ユニット３００に対して同時に実装することが望ましい。接続ピン３５２、３６２は、それぞれ、破線で示すように筐体３５１、３６１を貫通し、筐体３５１、３６１によって保持されている。

プレスフィットコネクタ３５０、３６０は、コネクタ３５２、３６２の先端部３５２Ａ、３６２Ａをともにスルーホール１３０に圧入し、双方を押圧して接続ピン３５２、３６２の先端部３５２Ａ、３６２Ａの凸形と凹形とを圧着させることによって基板ユニット３００に実装される。

次に、図１３を用いて、実施の形態３の基板ユニット３００の製造方法について説明する。

図１３は、実施の形態３の基板ユニット３００（３０１）の製造方法を示す断面図である。図１３では、図１２よりも基板ユニット３００（３０１）を縮小して示す。ここで、基板ユニット３０１は、基板ユニット３００が完成する前の製造段階における基板ユニットを表す。

基板ユニット３００の製造工程は、絶縁層１１１〜１１５と導電層１２１〜１２４とを重ね合わせて基板ユニット３０１を製造した後に貫通孔１３１を形成し、スルーホール１３０を形成する工程までは、実施の形態１の基板ユニット１００の製造工程と同様である。

このため、スルーホール１３０を形成する工程までを表す図８（Ａ）〜（Ｃ）を援用し、その説明を省略する。

図１３（Ａ）に示すように、スルーホール１３０を形成した基板ユニット３０１の表面３０１Ａ側からプレスフィットコネクタ３５０の接続ピン３５２の先端部３５２Ａをスルーホール１３０に圧入する。また、これと同時に、基板ユニット３００の裏面３０１Ｂ側からプレスフィットコネクタ３６０の接続ピン３６２の先端部３６２Ａをスルーホール１３０に圧入する。

次に、接続ピン３５２、３６２の先端部３５２Ａ、３６２Ａの凸形と凹形の部分が押圧されて圧着するように、プレスフィットコネクタ３５０、３６０の接続ピン３５２、３６２をスルーホール１３０に圧入する。これにより、図１３（Ｂ）に示す基板ユニット３００が完成する。

以上により、図１３（Ｂ）に示す基板ユニット３００が形成される。図１３（Ｂ）に示す基板ユニット３００は、図１２に示す基板ユニット３００と同一である。

基板ユニット３００は、従来の基板ユニットとは異なり、接続ピン３５２、３６２の先端部１５２Ａ、１６２Ａ同士が圧着されているため、終端されない導電部分が短くなり、接続ピン３５２、３６２の先端部３５２Ａ、３６２Ａにおけるスタブを低減できる。

特に、先端部３６２Ａの凹型の部分が潰れて先端部３５２Ａの凸型の部分と密着することにより、スタブが殆ど発生しないようにすることができる。

このため、実施の形態３によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ発生を抑制し、高速信号の伝送特性が良好な基板ユニット３００を提供することができる。また、信号の反射又はノイズ発生が抑制されるので、長距離の信号伝送が可能になる。

また、実施の形態３によれば、ビルドアップ基板を用いる必要がなく、バックドリルのような機械加工を行う必要もない。

このため、低コストで製造の容易な基板ユニット３００を提供することができる。

＜実施の形態４＞
実施の形態４は、プレスフィットコネクタ４５０を基板ユニット４００の一方の面だけに実装する点と、プレスフィットコネクタ４５０の接続ピン４５２の先端部４５２Ａとスルーホール１３０の壁面との間に導電性樹脂を注入する点が実施の形態１の基板ユニット１００と異なる。

その他の構成は実施の形態１の基板ユニット１００と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

図１４は、実施の形態４の基板ユニット４００の断面構造を示す図である。

基板ユニット４００は、５層の絶縁層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５と、４層の導電層１２１、１２２、１２３、１２４、スルーホール１３０、及びプレスフィットコネクタ４５０を含む。基板ユニット４００のうち、絶縁層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、導電層１２１、１２２、１２３、１２４、及びスルーホール１３０はプリント基板（基板）である。

ここで、実施の形態４では、スルーホール１３０は、導電層１２１に接続されているが、導電層１２２〜１２４には接続されていない。

プレスフィットコネクタ４５０は、筐体４５１と、接続ピン４５２を含む。プレスフィットコネクタ４５０は第１の電子部品の一例である。

接続ピン４５２は、スルーホール１３０に圧入されたときに、先端部４５２Ａがスルーホール１３０の内部に収まるように、寸法が設定されている。

筐体４５１の材料としては、例えば、ポリエステル系の樹脂を用いることができる。

接続ピン４５２の材料としては、例えば、リン青銅又はニッケル合金に金メッキを施したものを用いることができる。接続ピン４５２は、破線で示すように筐体４５１の内部をＬ字型に貫通しており、筐体４５１によって保持されている。

プレスフィットコネクタ４５０は、接続ピン４５２の先端部４５２Ａを基板ユニット４００の裏面４００Ｂ側からスルーホール１３０に圧入することによって基板ユニット４００に実装される。

また、接続ピン４５２の先端部４５２Ａをスルーホール１３０に圧入した後に、基板ユニット４００の表面４００Ａ側から、スルーホール１３０に導電性樹脂４７０を注入することにより、先端部４５２Ａとスルーホール１３０の壁面とで区画される空間に導電性樹脂４７０が充填される。

導電性樹脂４７０としては、例えば、導電フィラーとして、金粉、銅粉、ニッケル粉、銀粉、アルミ粉、メッキ粉、カーボン粉、グラファイト粉等を含む導電性接着剤を用いることができる。

導電性樹脂４７０は、例えば、基板ユニット４００にスルーホール１３０を形成するための貫通孔をドリル加工で形成する装置に、ドリルの代わりにシリンジ（注入器）４８０を実装し、スルーホール１３０に位置合わせをして、スルーホール１３０の内部に導電性樹脂４７０を注入するようにすればよい。

また、プレスフィットコネクタ４５０の接続ピン４５２の雌状のコネクタ部４５２Ｂは、プレスフィットコネクタ４５０の筐体４５１の凹部４５１Ａに設けられており、コネクタ部４５２Ｂには、ケーブルコネクタ４６７が接続される。

ケーブルコネクタ４６７は、筐体４６７Ａと筐体４６７Ａの内部に保持される雄状のコネクタ部４６８とを含む。プレスフィットコネクタ４５０のコネクタ部４５２Ｂには、ケーブルコネクタ４６７のコネクタ部４６８が差し込まれる。このとき、ケーブルコネクタ４６７の筐体４６７Ａの一部は、プレスフィットコネクタ４５０の筐体４５１の凹部４５１Ａ内に圧入される。ケーブルコネクタ４６７のコネクタ部４６８には、ケーブル４６９が接続されている。

ここで、プレスフィットコネクタ４５０の接続部４５２は、基板ユニット４００の裏面４００Ｂ側からスルーホール１３０に圧入されており、スルーホール１３０は、４層の導電層１２１〜１２４のうち、最も表面４００Ａ側に位置する導電層１２１に接続されている。

これは、スルーホール１３０を導電層１２２、１２３、１２４のいずれかに接続するよりも、接続ピン４５２が挿入される側（裏面４００Ｂ側）から最も離れた位置（表面４００Ａ側）にある導電層１２１にスルーホール１３０を接続した方が、終端されない部分が低減されるからである。

従って、例えば、プレスフィットコネクタ４５０の接続部４５２を基板ユニット４００の表面４００Ａ側からスルーホール１３０に圧入する場合は、スルーホール１３０を導電層１２４（最も裏面４００Ｂ側に位置する導電層）に接続することが望ましい。

このようにすることにより、終端されない部分を低減し、スタブの発生を抑制でき、この結果、信号の伝送特性が改善される。

次に、図１５を用いて、実施の形態４の基板ユニット４００の製造方法について説明する。

図１５は、実施の形態４の基板ユニット４００（４０１）の製造方法を示す断面図である。図１５では、図１４よりも基板ユニット４００（４０１）を縮小して示す。ここで、基板ユニット４０１は、基板ユニット４００が完成する前の製造段階における基板ユニットを表す。

基板ユニット４００の製造工程は、絶縁層１１１〜１１５と導電層１２１〜１２４とを重ね合わせて基板ユニット４０１を製造した後に貫通孔１３１を形成し、スルーホール１３０を形成する工程までは、実施の形態１の基板ユニット１００の製造工程と同様である。

このため、スルーホール１３０を形成する工程までを表す図８（Ａ）〜（Ｃ）を援用し、その説明を省略する。

図１５（Ａ）に示すように、スルーホール１３０を形成した基板ユニット４０１の裏面４０１Ｂ側からプレスフィットコネクタ４５０の接続ピン４５２の先端部４５２Ａをスルーホール１３０に圧入する。

次に、基板ユニット４００の表面４００Ａ側から、導電性樹脂４７０を注入する。導電性樹脂４７０は、先端部４５２Ａとスルーホール１３０の壁面とで区画される空間に充填される。これにより、図１５（Ｂ）に示す基板ユニット４００が完成する。

以上により、図１５（Ｂ）に示す基板ユニット４００が形成される。図１５（Ｂ）に示す基板ユニット４００は、図１４に示す基板ユニット４００と同一である。

基板ユニット４００は、従来の基板ユニットとは異なり、接続ピン４５２の先端部４５２Ａとスルーホール１３０の壁面とで区画される空間に導電性樹脂４７０が充填されているため、終端されない導電部分が短くなり、接続ピン４５２の先端部４５２Ａにおけるスタブを低減できる。

このため、実施の形態４によれば、スタブの発生を効果的に抑制することにより、信号の反射又はノイズ発生を抑制し、高速信号の伝送特性が良好な基板ユニット４００を提供することができる。また、信号の反射又はノイズ発生が抑制されるので、長距離の信号伝送が可能になる。

また、実施の形態４によれば、ビルドアップ基板を用いる必要がなく、バックドリルのような機械加工を行う必要もない。

このため、低コストで製造の容易な基板ユニット４００を提供することができる。

なお、実施の形態４では、プレスフィットコネクタ４５０を基板ユニット４００の裏面４００Ｂ側だけに実装したが、表面４００Ａ側にもプレスフィットコネクタを実装してもよい。この場合は、導電性樹脂４７０をスルーホール１３０の内部に充填せずに、表面４００Ａ側のプレスフィットコネクタの接続ピンがスルーホール１３０内に圧入されることを考慮して、適量の導電性樹脂４７０をスルーホール１３０に注入してから表面４００Ａ側にプレスフィットコネクタを実装すればよい。

以上、実施の形態１乃至４では、基板ユニット１００、２００、３００、４００が電子装置としてのサーバ５００に含まれる形態について説明した。しかしながら、基板ユニット１００、２００、３００、４００を含む電子装置は、サーバ５００に限られず、例えば、ＰＣ（Personal Computer）、携帯電話端末機、スマートフォン、デジタルカメラ、ビデオカメラ等であってもよい。

以上、本発明の例示的な実施の形態の基板ユニット、及び、基板ユニットの製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
第１の面と第２の面との間を貫通する、導電性の壁面を備えた貫通孔を有する基板と、
前記貫通孔に前記第１の面から圧入される第１の接続ピンを有する第１の電子部品と、
前記貫通孔内に配置され、前記貫通孔の壁面と前記第１の接続ピンとを接続させる導電性部材とを有することを特徴とする基板ユニット。
（付記２）
前記基板ユニットはさらに、
前記貫通孔に前記第２の面から圧入される第２の接続ピンを有する第２の電子部品を有し、
前記導電性部材は、前記前記第１の接続ピンと前記第２の接続ピンとを接続するように前記貫通孔内に配置されることを特徴とする付記１記載の基板ユニット。
（付記３）
前記導電性部材は、前記貫通孔に充填された導電性樹脂であることを特徴とする付記１又は２記載の基板ユニット。
（付記４）
前記導電性部材は、前記貫通孔に配置された導電性の弾性部材であることを特徴とする付記１又は２記載の基板ユニット。
（付記５）
前記導電性部材は、導電性のコイルバネであることを特徴とする付記４記載の基板ユニット。
（付記６）
前記導電性部材は、導電性の弾性パッドであることを特徴とする付記４記載の基板ユニット。
（付記７）
第１の面と第２の面との間を貫通する、導電性の壁面を備えた貫通孔が形成された基板と、
前記第１の面に配置される、前記貫通孔に前記第１の面から圧入される凸形状の接続ピンを有する第１の電子部品と、
前記第２の面に配置される、前記貫通孔に前記第２の面から、前記凸形状の接続ピンに接触するように圧入される凹形状の接続ピンを有する第２の電子部品とを有することを特徴とする基板ユニット。
（付記８）
前記貫通孔に圧入された前記凸形状の接続ピン又は前記凹形状の接続ピンの少なくとも一方が潰れていることを特徴とする付記７記載の基板ユニット。
（付記９）
第１の面と第２の面との間を貫通する貫通孔が形成され、部品が搭載される基板ユニットの製造方法において、
第１の電子部品の第１の接続ピンを、前記貫通孔に前記第１の面から圧入するステップと、
前記貫通孔の壁面と前記第１の接続ピンとが接触するように、導電性部材を前記貫通孔に配置するステップを有することを特徴とする基板ユニットの製造方法。
（付記１０）
第１の面と第２の面との間を貫通する貫通孔が形成され、部品が搭載される基板ユニットの製造方法において、
第１の電子部品の凸形状の接続ピンを、前記貫通孔に前記第１の面から圧入するステップと、
第２の電子部品の凹形状の接続ピンを、前記貫通孔に圧入される凸形状の接続ピンに接触するように、前記貫通孔に前記第２の面から圧入するステップを有することを特徴とする基板ユニットの製造方法。

１００、１０１、２００、２０１、３００、３０１、４００、４０１ 基板ユニット
１００Ａ、１０１Ａ、２００Ａ、２０１Ａ、３００Ａ、３０１Ａ、４００Ａ、４０１Ａ 表面
１００Ｂ、１０１Ｂ、２００Ｂ、２０１Ｂ、３００Ｂ、３０１Ｂ、４００Ｂ、４０１Ｂ 裏面
１１１、１１２、１１３、１１４、１１５ 絶縁層
１２１、１２２、１２３、１２４ 導電層
１３０ スルーホール
１３１ 貫通孔
１５０、１６０、３５０、３６０、４５０、６０Ａ、６０Ｂ プレスフィットコネクタ
１５１、１６１、３５１、３６１、４５１ 筐体
１５２、１６２、３５２、３６２、４５２ 接続ピン
１５２Ａ、１６２Ａ、３５２Ａ、３６２Ａ、４５２Ａ 先端部
１５２Ｂ、１６２Ｂ 端子部
１７０ コイルバネ
２７０ 導電弾性パッド
４５１Ａ 凹部
４５２Ｂ コネクタ部
４６７ ケーブルコネクタ
４６７Ａ 筐体
４６８ コネクタ部
４７０ 導電性樹脂
４８０ シリンジ
５００ サーバ
５１０Ａ、５１０Ｂ シャーシ
５２０ スイッチモジュール
６００_１〜６００_ｎ ブレード
６１０ ＣＰＵ
６２１、６２２、６２３、６２４ メモリ
６３０ 通信ＬＳＩ
６５０、６６０ バス

Claims (5)

1. 第１の面と第２の面との間を貫通する、導電性の壁面を備えた貫通孔を有する基板と、
   前記貫通孔に前記第１の面から圧入される第１の接続ピンを有する第１の電子部品と、
   前記貫通孔内に配置され、前記貫通孔の壁面と前記第１の接続ピンとを接続させる導電性部材と、
   前記貫通孔に前記第２の面から圧入される第２の接続ピンを有する第２の電子部品とを有し、
   前記導電性部材は、前記第１の接続ピンと前記第２の接続ピンとを接続するように前記貫通孔内に配置され、
   前記導電性部材は、前記貫通孔に配置された導電性の弾性部材であり、
   前記第１の接続ピンと前記第２の接続ピンとの間で高速信号を伝送する、ことを特徴とする基板ユニット。
2. 前記導電性部材は、導電性のコイルバネであることを特徴とする請求項１記載の基板ユニット。
3. 前記コイルバネの全長とバネ定数は、前記第１の接続ピンと前記第２の接続ピンを前記貫通孔に圧入した状態で、前記第１の接続ピンの先端部と前記第２の接続ピンの先端部との間で自然長より収縮した状態で、かつ、十分な復元力を発揮できるように設定される、請求項２記載の基板ユニット。
4. 前記導電性部材は、導電性の弾性パッドであることを特徴とする請求項１記載の基板ユニット。
5. 第１の面と第２の面との間を貫通する貫通孔が形成され、部品が搭載される基板ユニットの製造方法において、
   第１の電子部品の第１の接続ピンを、前記貫通孔に前記第１の面から圧入するステップと、
   前記貫通孔の壁面と前記第１の接続ピンとが接触するように、導電性部材を前記貫通孔に配置するステップと、
   第２の電子部品の第２の接続ピンを、前記貫通孔に前記第２の面から圧入するステップと
   を有し、
   前記導電性部材は、前記第１の接続ピンと前記第２の接続ピンとを接続するように前記貫通孔内に配置され、
   前記導電性部材は、前記貫通孔に配置された導電性の弾性部材であり、
   前記第１の接続ピンと前記第２の接続ピンとの間で高速信号を伝送する、ことを特徴とする基板ユニットの製造方法。

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