JP5685844B2 - 熱処理炉 - Google Patents
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Description
バインダーを含む未焼成セラミック素体を熱処理して脱バインダーを行った後、さらに高い温度で焼成を行うために用いられる熱処理炉であって、
外側に断熱材が配設された、金属材からなるケーシングと、
ケーシング内部に設けられた、被熱処理品を収容するための熱処理領域と、
前記ケーシング内に配設され、前記熱処理領域を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記ケーシング内に、前記熱処理領域を囲むように、かつ、前記熱処理領域と前記ケーシングの間に前記加熱手段が配設されている領域においては前記加熱手段よりも外側に位置するように配設された、前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう熱伝導を抑制するハニカム構造体および/または前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう輻射熱を反射させる複数枚の反射板を積層してなるリフレクタと
を具備することを特徴としている。
バインダーを含む未焼成セラミック素体を熱処理して脱バインダーを行った後、さらに高い温度で焼成を行うために用いられる熱処理炉であって、
外側に断熱材が配設された、金属材からなるケーシングと、
ケーシング内部に設けられた、被熱処理品を収容するための熱処理領域と、
前記ケーシング内に配設され、前記熱処理領域を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記ケーシング内に、前記熱処理領域を囲むように、かつ、前記熱処理領域と前記ケーシングの間に前記加熱手段が配設されている領域においては前記加熱手段よりも外側に位置するように配設され、前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう輻射熱を反射させる複数枚の反射板を積層してなるリフレクタと
を具備することを特徴としている。
バインダーを含む未焼成セラミック素体を熱処理して脱バインダーを行った後、さらに高い温度で焼成を行うために用いられる熱処理炉であって、
外側に断熱材が配設された、金属材からなるケーシングと、
ケーシング内部に設けられた、被熱処理品を収容するための熱処理領域と、
前記ケーシング内に配設され、前記熱処理領域を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記ケーシング内に、前記熱処理領域を囲むように、かつ、前記熱処理領域と前記ケーシングの間に前記加熱手段が配設されている領域においては前記加熱手段よりも外側に位置するように配設され、前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう熱伝導を抑制するハニカム構造体と
を具備することを特徴とする熱処理炉。
バインダーを含む未焼成セラミック素体を熱処理して脱バインダーを行った後、さらに高い温度で焼成を行うために用いられる熱処理炉であって、
外側に断熱材が配設された、金属材からなるケーシングと、
ケーシング内部に設けられた、被熱処理品を収容するための熱処理領域と、
前記ケーシング内に配設され、前記熱処理領域を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記ケーシング内に、前記熱処理領域を囲むように、かつ、前記熱処理領域と前記ケーシングの間に前記加熱手段が配設されている領域においては前記加熱手段よりも外側に位置するように配設された、前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう熱伝導を抑制するハニカム構造体および前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう輻射熱を反射させる複数枚の反射板を積層してなるリフレクタと
を具備し、
前記ハニカム構造体が、前記熱処理領域の天井部分を覆う領域に配設され、
前記リフレクタが、前記天井部分以外を覆う領域に配設されていること
を特徴としている。
なお、本発明の熱処理炉においてケーシング内に配設されている複数枚の反射板を積層してなるリフレクタ、または、ハニカム構造体の場合、タール分などの表面への付着はいくらか発生するとしても内部への蓄積は発生しないが、通常用いられるファイバー状の断熱材(例えば、アルミナファイバー材を主たる成分とし、内部に空隙を持つ構造体など)はバインダーの分解ガスや燃焼ガスを吸着する。
なお、熱伝達の形態は、熱伝導・対流伝熱・輻射(放射)伝熱の3つの形態に分類されるが、本発明の熱処理炉で用いられているリフレクタは、主として熱線の輻射(放射)による伝熱を抑制する機能を果たし、ハニカム構造体は、主として熱伝導による熱の移動を抑制する機能を果たす。
この熱処理炉は、図1に示すように、外側に配設された断熱材2と一体的に形成されたケーシング1と、ケーシング1の内部に設けられた、被熱処理品(図示せず)を収容するための熱処理領域3と、ケーシング1の内部に配設され、熱処理領域3を所定の温度に加熱する加熱手段4と、ケーシング1の内部の、熱処理領域3の天井部分を覆うような態様で設置されたハニカム構造体5と、ケーシング内の、熱処理領域3の天井部分および底面部分を除いた周囲を取り囲むように、加熱手段4が配設されている領域よりも外側(外周側)の領域と、熱処理領域3の下面側の領域とに配設され、熱処理領域3や加熱手段4からの輻射熱を反射させるリフレクタ6とを備えている。
なお、この実施例では、ケーシング1を構成する金属製の板材で断熱材2が覆われているが、断熱材2と熱処理領域3は別空間に配設されている。
なお、ケーシング1と断熱材2の配設態様(ケーシング1と断熱材2の組み合わせ態様)に特別の制約はなく、ケーシング1の外側に、断熱材2が露出するように配設されていてもよい。
このリフレクタ6は、主として、熱処理領域3および加熱手段4からの熱輻射を反射させることにより、熱処理炉の外部に伝わろうとする熱を遮断する機能を果たす。
この実施例では、ハニカム構造体5として、図2(a),(b)に示すように、第1の端面11から、第2の端面12に至る複数の貫通孔(セル)20が、隔壁13によって区画され、相互に平行に配置された構造を有する空隙率の高い構造体が用いられている。
また、この熱処理炉では、熱処理領域3を所定の温度に加熱するための加熱手段4として、熱線ヒータが用いられている。
なお、この実施例1の熱処理炉によれば、例えば、800℃前後の温度で熱処理温度を行う場合において、炉内にファイバー系の断熱材を用いずに、炉壁の温度を500℃以下にまで低下させることが可能になる。
図3に、各反射板の温度の実測値と、以下の方法で求めた理論値の関係を示す。すなわち、反射板6aを図4に示すように熱が通過して行く場合において、反射板として、無限平板を仮定した場合、平行な2平面間の熱輻射の射度の関係式は数式1のようになる。
εn:n層目の反射板での放射率
Q:放散熱量
Tn:n層目のリフレクタの温度
貫通熱流束は各層において保存され、最外層での自然対流と輻射の経験式、すなわち下記の数式2と等価となる。
また、20層目の反射板温度が500℃以下となることから、従来の加工技術を用いた炉の製作が可能であることがわかる。
この実施例2の熱処理炉は、図5に示すように、熱処理領域3の天井部分を覆うようにセラミック製のハニカム構造体5が配設されているとともに、熱処理領域3の天井部分以外の領域を覆う部分、すなわち、上記実施例1では、リフレクタを配設した領域(炉内の加熱手段4よりも外側(外周側)の領域や底面側領域)にもセラミック製のハニカム構造体5が配設された構造を有している。
また、図5において、図1と同一符号を付した部分は同一または相当する部分を示している。
(a)熱処理領域3の天井部分を覆うハニカム構造体5を、図2(a)に示すように、熱の移動方向Aに対して、貫通孔20の軸方向Bが直交するような態様で配設した場合と、
(b)熱処理領域3の天井部分を覆うハニカム構造体5を、図2(b)に示すように、熱の移動方向Aに対して、貫通孔20の軸方向Bが平行となるような態様で配設した場合
の両方の場合について、天井部分を覆うハニカム構造体5の下面(熱処理領域側の面)と上面(外側面)の温度と経過時間の関係を調べた。なお、熱処理領域3内の温度は、800℃一定とした。
その結果を図6に示す。
なお、この実施例3の熱処理炉においては、リフレクタ6として、実施例1で用いたリフレクタと同じリフレクタを用いている。
また、図7において、図1と同一符号を付した部分は同一または相当する部分を示している。
2 断熱材
3 熱処理領域
4 加熱手段
5 ハニカム構造体
6 リフレクタ
6a 反射板
7 排気口
8 台座
8a 支柱
9 昇降テーブル
10 昇降軸
11 第1の端面
12 第2の端面
13 隔壁
20 貫通孔(セル)
21 第1の係合部
22 第2の係合部
A 熱の移動方向
B 貫通孔の軸方向
t ハニカム構造体の厚み
W ハニカム構造体の幅方向
Claims (6)
- バインダーを含む未焼成セラミック素体を熱処理して脱バインダーを行った後、さらに高い温度で焼成を行うために用いられる熱処理炉であって、
外側に断熱材が配設された、金属材からなるケーシングと、
ケーシング内部に設けられた、被熱処理品を収容するための熱処理領域と、
前記ケーシング内に配設され、前記熱処理領域を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記ケーシング内に、前記熱処理領域を囲むように配設され、かつ、前記熱処理領域と前記ケーシングの間に前記加熱手段が配設されている領域においては前記加熱手段よりも外側に位置するように配設された、前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう熱伝導を抑制するハニカム構造体および/または前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう輻射熱を反射させる複数枚の反射板を積層してなるリフレクタと
を具備することを特徴とする熱処理炉。 - バインダーを含む未焼成セラミック素体を熱処理して脱バインダーを行った後、さらに高い温度で焼成を行うために用いられる熱処理炉であって、
外側に断熱材が配設された、金属材からなるケーシングと、
前記ケーシングの内部に設けられた、被熱処理品を収容するための熱処理領域と、
前記ケーシング内に配設され、前記熱処理領域を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記ケーシング内に、前記熱処理領域を囲むように配設され、かつ、前記熱処理領域と前記ケーシングの間に前記加熱手段が配設されている領域においては前記加熱手段よりも外側に位置するように配設され、前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう輻射熱を反射させる複数枚の反射板を積層してなるリフレクタと
を具備することを特徴とする熱処理炉。 - バインダーを含む未焼成セラミック素体を熱処理して脱バインダーを行った後、さらに高い温度で焼成を行うために用いられる熱処理炉であって、
外側に断熱材が配設された、金属材からなるケーシングと、
前記ケーシングの内部に設けられた、被熱処理品を収容するための熱処理領域と、
前記ケーシング内に配設され、前記熱処理領域を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記ケーシング内に、前記熱処理領域を囲むように配設され、かつ、前記熱処理領域と前記ケーシングの間に前記加熱手段が配設されている領域においては前記加熱手段よりも外側に位置するように配設され、前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう熱伝導を抑制するハニカム構造体と
を具備することを特徴とする熱処理炉。 - バインダーを含む未焼成セラミック素体を熱処理して脱バインダーを行った後、さらに高い温度で焼成を行うために用いられる熱処理炉であって、
外側に断熱材が配設された、金属材からなるケーシングと、
前記ケーシングの内部に設けられた、被熱処理品を収容するための熱処理領域と、
前記ケーシング内に配設され、前記熱処理領域を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記ケーシング内に、前記熱処理領域を囲むように配設され、かつ、前記熱処理領域と前記ケーシングの間に前記加熱手段が配設されている領域においては前記加熱手段よりも外側に位置するように配設された、前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう熱伝導を抑制するハニカム構造体および前記熱処理領域から前記ケーシングに向かう輻射熱を反射させる複数枚の反射板を積層してなるリフレクタと
を具備し、
前記ハニカム構造体が、前記熱処理領域の天井部分を覆う領域に配設され、
前記リフレクタが、前記天井部分以外を覆う領域に配設されていること
を特徴とする熱処理炉。 - 前記ハニカム構造体は、複数の貫通孔が相互に平行に配置された構造を有するハニカム構造体であり、前記貫通孔の軸方向が、前記ハニカム構造体を経て前記熱処理領域から外部に移動しようとする熱の移動方向に対して直交する方向となるような態様で配設されていることを特徴とする請求項1,3,4のいずれかに記載の熱処理炉。
- 前記ハニカム構造体がセラミックからなるセラミックハニカム構造体であることを特徴とする請求項1,3,4のいずれかに記載の熱処理炉。
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JP2010161480A JP5685844B2 (ja) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | 熱処理炉 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010161480A JP5685844B2 (ja) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | 熱処理炉 |
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---|---|
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Family Applications (1)
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JP2010161480A Active JP5685844B2 (ja) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | 熱処理炉 |
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