JP5681879B2 - 垂直磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、保磁力が高い磁性層を有する磁気記録媒体の製造方法及び製造装置に関し、特に磁性層を消磁する機能を有するものに関する。

磁気ディスクドライブ（ＨＤＤ）は、磁気ディスク媒体と磁気ヘッドとを備える。磁気ディスク媒体は、一般的に、磁気ディスク表面に垂直な磁気異方性を有し、保磁力の高い多結晶磁性膜を有する垂直磁気記録媒体が用いられる。磁気ヘッドは、磁気抵抗型読取り部と高磁気モーメントの書込み部とを有し、データを磁気ディスク媒体に書込み及びディスク媒体に記録されたデータを読み込む。

垂直磁気記録媒体は、基板と、非磁性層と磁性層を有する薄膜層と、カーボンで形成された保護膜と、潤滑油層とからなる。

垂直磁気記録媒体は、何ら微細加工パターンがない連続的な表面であるが、平均直径が１０ｎｍより小さい粒子で構成されている。薄膜は磁性粒子が円柱状に成長し、各磁性粒子はディスク表面に対して上方向又は下方向にスイッチしたり、回転したりする単一の磁気モーメントを有する。

垂直磁気記録媒体は、基板を加熱したり、基板上に成膜したりするための、複数の処理チャンバを備える製造装置で成膜される。複数の磁性層は、一般的に高い磁気異方性を有する、基板側に近接する層とともに使用される。

磁性層の後に続いて形成される層は、熱安定性を備えつつ、書込み性能（writability）を改善するため、磁気異方性エネルギーはより低いが、より高い飽和磁化を持つ傾向にある。

磁性層は、一般的に5kOeの室温保磁力と10kOeより小さい磁気異方性強度を有する。ＨＤＤの高密度化が進むと、磁気的に記録されたデータが周囲に発生する熱によって消失してしまう問題が発生する。この熱揺らぎの問題を防止するため、垂直磁気記録媒体では、より高い保磁力が求められている。しかし、高い保磁力を有する媒体への書込みを実現するためには、磁気ヘッドの利用可能な磁場も大きくする必要があるが、現在のところ磁気ヘッドの利用可能磁場には限界がある。従って、エネルギーアシストによる書込みは、より高い面密度を達成するための近道であると考えられている。

エネルギーアシストによる書込みを用いるにあたって、磁気異方性がより高い粒状材料が検討されている。より微細なビット領域を実現するため、その粒子はますます小さくなっている。

現在、室温で10kOeより大きな保磁力を有する媒体が研究されている。該媒体の高い保磁力を有するモーメントは、熱やマイクロ波エネルギーでアシストされた、適度な書込み磁気ヘッドによって、スイッチされ得る。

候補となる材料は、Co-Pt, Fe-Co-Pt, Fe-Ptのような合金や、Co/PtやFe/Ptのマルチレイヤーを有する（Ptに代わって、より安価なPdも検討されている）。現在の垂直磁気記録媒体の製造装置は、例えば２４個もの複数の真空チャンバを連結したものからなる。ディスクキャリアは、加熱したり、成膜したりするため、チャンバからチャンバへ基板を移動する。

垂直磁気記録媒体は、多層膜を含むので、チャンバのほとんどは、マグネトロンスパッタリング用である。即ち、１〜２個のチャンバが保護層成膜専用で、別の一以上のチャンバが加熱専用である。

２つのチャンバは、ディスクを搭載又は着脱するために使用され、別のチャンバは保護層を成膜する前に基板を冷却するために使用される。加熱、冷却及び成膜は一般的に基板の両面に対して行われる。チャンバは、２つのターゲットがターゲット表面を互いに対向させた状態で保持されており、当該２つのターゲットの間に基板が搬入されるように形成されている。マグネトロンスパッタリングするためのマグネットアセンブリは、ターゲットの裏面であって、かつチャンバの外部に回転可能に設けられている。

エネルギーアシスト型磁気記録媒体は、現在、量産に至ってないが、これらの製造は、より複雑な加熱や冷却の要求以外は、従来の垂直記録媒体の製造方法とは、それほど異なるとは考えられていない。

現在の垂直磁気記録媒体は、２００℃以下の温度で成膜されているが、候補となりうる材料や多層膜は、より高い磁気異方性が生じる化学的規則化を導入するため、基板温度を４００℃以上にして形成することが望まれている。

急速冷却は、その後のより低い保磁力を有する磁性合金や保護層を形成するにあたり、成膜温度を最適化するために行われる。巨大領域の磁区は、スパッタリング成膜後、垂直記録媒体上に観察される。媒体における同じ磁化方向を有する巨大な磁区は、書込みビットの読み出しに悪影響を与える。この巨大領域の磁区を分断し磁区を小さくするため、読み書きパフォーマンステスト又はドライブ組立の前に、追加的な消磁処理が行われている。

例えば、特許文献１には、磁気記録媒体の磁化容易軸と垂直方向に静磁界を印加するとともに、高周波磁界を印加することにより、磁気記録媒体の磁化を消失させる磁気記録媒体初期化方法が開示されている。

特許文献２には、垂直磁気記録ディスクの表面を透して垂直方向の磁界を発する、ディスク面を挟んで対をなす磁極を、ディスク面状で移動させることにより、該ディスク面の記録信号及び／又は雑音を消去することを特徴とする、垂直磁気記録ディスクの消磁方法及びその装置が開示されている。

特開２０１１−８６３４２号公報 特開２００４−３２６９６０号公報

しかしながら、従来の消磁装置では、磁気記録媒体を装置の近くに配置しなければ、マイクロ波が伝わらない。そのため、磁気記録媒体と装置との距離を制御しながら、消磁処理するのは非常に困難となる。また、装置が複雑化し、コストが増大するという問題を有する。

そこで本発明は上記した問題点に鑑み、高い保磁力を有する磁性層を容易に消磁することができる垂直磁気記録媒体の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。

本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板上に高磁気異方性材料を含む磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板を４００℃以上に加熱する加熱工程と、加熱された前記基板上に前記磁性層を形成する磁性層形成工程と、前記磁性層が加熱されたことにより保磁力が低下した前記磁性層の表面に対し平行な磁場を印加し、前記磁性層を消磁する消磁工程とを有することを特徴とする。
別の観点に係る垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板上に高磁気異方性材料を含む磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板上に前記磁性層を形成する磁性層形成工程と、前記磁性層を４００℃以上に加熱する加熱工程と、前記磁性層が加熱されたことにより保磁力が低下した前記磁性層の表面に対し平行な磁場を印加し、前記磁性層を消磁する消磁工程とを有することを特徴とする。

また、本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造装置は、複数のチャンバ間を、基板を搬送させて、前記基板上に高磁気異方性材料を含む磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造装置であって、前記基板を搬送する搬送部と、前記基板を加熱する加熱部と、前記基板上にスパッタリングにより前記磁性層を形成する磁性層形成チャンバと、前記磁性層が形成された前記基板に対して、当該基板の表面に平行な磁場を印加する磁場発生部と、制御部とを備え、前記制御部は、前記加熱部により、前記基板を４００℃以上に加熱し、前記磁性層形成チャンバ内で前記基板上に前記磁性層を形成し、前記磁性層が加熱されたことにより保磁力が低下した前記磁性層の表面に対し、前記磁場発生部により、平行な磁場を印加し、前記磁性層を消磁するように構成されていることを特徴とする。
別の観点に係る垂直磁気記録媒体の製造装置は、複数のチャンバ間を、基板を搬送させて、前記基板上に高磁気異方性材料を含む磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造装置であって、前記基板を搬送する搬送部と、前記基板を加熱する加熱部と、前記基板上にスパッタリングにより前記磁性層を形成する磁性層形成チャンバと、前記磁性層が形成された前記基板に対して、当該基板の表面に平行な磁場を印加する磁場発生部と、制御部とを備え、前記制御部は、前記磁性層形成チャンバ内で前記基板上に形成された前記磁性層を、４００℃以上に加熱することにより、保磁力が低下した前記磁性層の表面に対し、前記磁場発生部により、平行な磁場を印加し、前記磁性層を消磁するように構成されていることを特徴とする。
さらに別の観点に係る垂直磁気記録媒体の製造装置は、複数のチャンバ間を、基板を搬送させて、前記基板上に高磁気異方性材料を含む磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造装置であって、前記基板を加熱する加熱部と、前記基板上にスパッタリングにより前記磁性層を形成する磁性層形成チャンバと、制御部とを備え、前記磁性層形成チャンバは、前記基板の両側に設けられた一対のターゲット保持部と、一対の前記ターゲット保持部の裏側に回転可能に設けられた一対の磁石ユニットとを有し、前記制御部は、前記加熱部により、前記基板を４００℃以上に加熱し、前記磁性層形成チャンバ内で一対の前記磁石ユニットを回転させながら、前記基板上に磁性層を形成した後、一対の前記磁石ユニットを磁極が同期した状態で停止させて、前記磁性層が加熱されたことにより保磁力が低下した前記磁性層の表面に対し、平行な磁場を印加し、前記磁性層を消磁するように構成されていることを特徴とする。

本発明によれば、基板を４００℃以上に加熱することにより、基板温度が高い状態すなわち磁性層の保磁力を下げた状態で消磁する。したがって、より小さい磁場を印加することで消磁することができるので、高い保磁力を有する磁性層を容易に消磁することができる。

垂直磁気記録媒体の構成を示す模式図である。 真空チャンバ内で５００℃の基板が熱放射によって継時的に冷却される基板温度推移とその時の保磁力の変化を示すグラフである。 第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の構成を模式的に示す平面図である。 第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の構成を示す部分縦断面図である。 第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置のプロセスフローを示すフローチャートである。 第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の変形例を示す部分縦断面図である。 第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の別の変形例に係る磁場発生部の構成を示す横断面図である。 第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の別の変形例に係る磁場発生部の構成を示す縦断面図である。 第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の別の変形例に係る磁場発生部のＹ−Ｚ面での磁場方向と磁場強度マップである。 第２実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の構成を模式的に示す平面図である。 第２実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の構成を示す部分縦断面図である。 第２実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置のプロセスフローを示すフローチャートである。 第２実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の変形例を示す部分縦断面図である。 第２実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の変形例のプロセスフローを示すフローチャートである。 第３実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の構成を示す部分縦断面図である。 第３実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の磁場発生部の構成を示す横断面図である。 第３実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置の磁場発生部の磁場マップであり、図１７Ａは基板に平行な磁場マップ、図１７Ｂは基板に垂直な磁場マップである。 第３実施形態に係る垂直磁気記録媒体の製造装置のプロセスフローを示すフローチャートである。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。

（１）熱アシスト型磁気記録媒体
まず、本発明の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法及び製造装置によって製造される磁気記録媒体の一例について説明する。図１に示す垂直磁気記録媒体１１は、基板１上に、ヒートシンク層２、軟磁性下地層３、配向層４、記録層１０、保護層７が順に積層されている。記録層１０は、磁性層としての第１磁性層５及び第２磁性層６で構成される。なお、本図では説明の便宜上基板の一方の面にのみ多層膜が形成されている場合について図示しているが、実際は両面に多層膜が形成されている。

基板１は、一般的に用いられているガラスの他、セラミックス、Ｓｉ等の非磁性材料で形成することができる。本例の場合、第１磁性層５の材料としてＦｅＰｔやＣｏＰｔを用い、第１磁性層５の保磁力が磁気記録媒体中で最大となる。また、第２磁性層６の材料は、第１磁性層５と同じＦｅＰｔやＣｏＰｔか、または、ＦｅＰｔやＣｏＰｔ以外で、かつそれよりも保磁力が小さい材料を用いる。第１磁性層５と第２磁性層６の材料が同じ場合でも、各層の成膜時の温度により、規則化が異なり、保磁力も異なる。また、第１磁性層５と第２磁性層６の材料が同じでも、組成比が異なれば、保磁力も異なる。いずれにしても、第１磁性層５の保磁力が最大となる。配向層４はシード層ともいい、後に続いて形成される第１磁性層５の磁化容易軸を一定方向に配向させる下地として形成される。

なお、本図に示す垂直磁気記録媒体１１は、本発明の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法及び製造装置によって製造される磁気記録媒体の一例に過ぎず、構成及び使用される材料は本例に限定されるものではない。

次に、例えば室温における保磁力が２０ｋＯｅと大きい第１磁性層の消磁方法について考える。第１磁性層５を形成する際、磁気異方性を向上するため、一般的には４００℃程度以上に基板１を加熱して成膜する。図２に真空チャンバ内で７５０℃の基板１が熱放射によって継時的に冷却される場合の基板温度推移とその時の保磁力を示す。本図から、基板温度は時間経過に伴い低下し（図中符号２８）、基板温度が減少するに伴い第１磁性層５の保磁力は急激に増加することがわかる（図中符号２９）。このように高保磁力を有する第１磁性層５を室温で消磁するには、基板１の表面積に相当する領域に渡って巨大な磁場を印加する必要がある。したがって、室温において第１磁性層５を消磁することは困難である。

そこで本発明者は、第１磁性層５を成膜後、基板１をキュリー温度に近い温度に保持し、第１磁性層５の保磁力が小さい状態で消磁することにより、消磁するために必要な磁場をより小さくすることができることを見出した。

なお、基板１を加熱して消磁する方法として、完成後の垂直磁気記録媒体１１を加熱して消磁する方法では、膜の劣化を防ぐため高価な真空環境が必要となる。また、エネルギーアシスト型磁気ヘッドの書き込み部を用いて消磁する方法では、時間がかかり実用的ではない。

本発明は、垂直磁気記録媒体１１の完成後に消磁するのではなく、また垂直磁気記録媒体１１が磁気記録媒体製造装置から搬出された後に消磁するのでもなく、薄膜が形成される工程において消磁することで、上記問題点を解決する。

本発明に係る磁場印加による消磁処理は、真空又は不活性ガス雰囲気中で、高温で行う。ここでいう「真空中」とは、大気圧よりも減圧状態であり、より好ましくは圧力が１×１０−１Ｐａ以下の状態をいう。また、不活性ガス雰囲気中とは、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気で、膜特性に影響を与えない状態をいう。

基板１の温度は高温状態から急激に低下するため、冷却に伴う保磁力の増加を避けるため、消磁処理のタイミングは非常に重要である。一つの実施形態は、最大の磁気異方性を有する磁性層を成膜した直後、該磁性層のキュリー温度以下で、かつ十分に昇温された状態で基板１を静止させながら、基板表面に平行な面内磁場を印加するものである。この温度は、磁性材料によって異なるが、該磁性層のキュリー温度より２００℃低い温度以上、より好ましくはキュリー温度より１００℃低い温度以上であることが好ましい。例えば、約450℃で、2500 Oe 以下の保磁力を有する膜に対して、5000 Oe程度の面内磁場が印加されれば、十分に消磁することができる。

消磁された磁性層上に形成される別の磁性層は、最大の磁気異方性を有する磁区構造（domain structure）が転写される。上記のような工程を経て製造装置から搬出された垂直磁気記録媒体１１は、電気的検査とハードディスクドライブの統合のために求められる、所望の磁性状態を持って消磁されている。

（２）第１実施形態
次に本発明の第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体１１の製造装置（以下、「製造装置」という。）２０Ａについて説明する。図３に示す製造装置２０Ａは、搬送部２１、ロードロックチャンバ２２、予備加熱チャンバ２３、ヒートシンク層形成チャンバ２４、軟磁性下地層形成チャンバ２５、配向層形成チャンバ２６、加熱チャンバ２７、第１磁性層形成チャンバ２８Ａ、第２磁性層形成チャンバ２９、第１冷却チャンバ３０、第２冷却チャンバ３１、保護層形成チャンバ３２、アンロードチャンバ３３を備え、基板１の両面に多層膜を備える垂直磁気記録媒体１１を製造し得る。前記各チャンバは、環状に配列され、開閉可能なゲートバルブ（不図示）を介して接続されており、基板１の両面に対し同時に加熱、成膜などの処理を行う。

製造装置２０Ａは、図示しないが搬送部２１及び各チャンバを統括的に制御する制御部を備える。制御部は予め格納されている基本プログラムや各種制御プログラムを読み出して、これら各種プログラムに従って製造装置２０Ａ全体を制御するようになされている。例えば、制御部は、ロードロックチャンバ２２及びアンロードチャンバ３３のロボットの動作、搬送部２１の搬送動作、チャンバ内に設けられたターゲットへの電力の投入、プロセスガスの導入動作、排気手段の排気動作、及び磁石ユニットの回転動作、電磁石への電流のオンオフ等を制御する。

ロードロックチャンバ２２は、搬送部２１へ基板１を搭載するロボット（不図示）を備える。搬送部２１は、基板１を縦に保持した状態で当該基板１を各チャンバへ順に搬送し得るように形成されている。予備加熱チャンバ２３は、基板１の両面に対向して複数の放射ヒータが設けられている。第１冷却チャンバ３０、及び第２冷却チャンバ３１は、保護層７を形成するため、基板１を冷却する。アンロードチャンバ３３は、完成した垂直磁気記録媒体１１を製造装置２０Ａ外へ搬出するロボット（不図示）を有する。各チャンバには、図示しないが、チャンバ内の空気を排気したり、ベントしたりするためのガス注入口と真空ポンプが設けられている。

まず制御部は、ロードロックチャンバ２２に基板１を受け取らせ、当該基板１を搬送部２１に搭載する。次いで制御部は、搬送部２１に基板１を予備加熱チャンバ２３へ搬送させる。制御部は予備加熱チャンバ２３において基板１を１５０℃程度に加熱する。

次いで制御部は基板１をヒートシンク層形成チャンバ２４へ搬送する。制御部はヒートシンク層形成チャンバ２４において基板１上にヒートシンク層２を形成する。次いで制御部は搬送部２１に基板１を軟磁性下地層形成チャンバ２５へ搬送させる。制御部は軟磁性下地層形成チャンバ２５において基板１上に形成されたヒートシンク層２上に軟磁性下地層３を形成する。次いで、制御部は搬送部２１に基板１を配向層形成チャンバ２６へ搬送させる。制御部は配向層形成チャンバ２６において基板１上に形成された軟磁性下地層３上に配向層４を形成する。ヒートシンク層２、軟磁性下地層３、配向層４はいずれも通常、スパッタリングにより成膜される。本実施形態の場合、高磁気異方性材料は例えばFe-Pt や Co-Pt等を用いることができ、垂直磁気異方性エネルギーがＫＵ≧５×１０６ｅｒｇ／ｃｃより好ましくはＫＵ≧１０７ｅｒｇ／ｃｃである。

次いで、制御部は搬送部２１に基板１を加熱チャンバ２７へ搬送させる。制御部は加熱チャンバ２７において基板１を例えば４００℃以上に加熱する。高磁気異方性材料としてFe-PtやCo-Pt等を用いる場合、磁気異方性を高めるために４００℃以上の高温で成膜する必要がある。加熱チャンバ２７は、第１磁性層５の高温成膜に備えてあらかじめ基板１を加熱する。なお、加熱温度が高すぎると、ガラス等で形成された基板１が塑性変形してしまい、基板１が搬送部２１から落下してしまう。したがって、加熱チャンバ２７では、基板１が塑性変形を起こさない程度の温度で加熱することが好ましい。ただし、現在、基板１の耐熱性を高めるための技術革新が進んでおり、将来的には、加熱温度が約７００℃になることが予測される。

７００℃以下に加熱された基板１は、表面積が大きく熱容量が小さいため、熱放射によりすぐに冷却されてしまう（図２：０秒〜５秒）。したがって加熱チャンバ２７は、第１磁性層形成チャンバ２８Ａ、第２磁性層形成チャンバ２９の直前（搬送方向の上流）に設けることが好ましい。

次いで、制御部は搬送部２１に基板１を第１磁性層形成チャンバ２８Ａ及び第２磁性層形成チャンバ２９へ順次搬送させ、基板１上に形成された配向層４上に第１磁性層５を、当該第１磁性層５上に第２磁性層６を順次形成する。

次いで、制御部は搬送部２１に基板１を第１冷却チャンバ３０，第２冷却チャンバ３１へ搬送させる。保護層７の成膜温度を最適化するため、３００℃以下に基板１を冷却する。また、垂直磁気記録媒体１１は、大気ガスにより多層膜が劣化することを防ぐため、製造装置２０Ａから搬出される前に十分冷却する必要がある。

次いで、制御部は搬送部２１に基板１を保護層形成チャンバ３２へ搬送させる。制御部は、保護層形成チャンバ３２において、ＣＶＤ（化学気相成長法）によって、高密度のダイヤモンドライクカーボンを基板１上に形成された第２磁性層上に形成する。保護層７の表面は、保護層形成チャンバ３２内で、プラズマ雰囲気中で窒素ガスに曝されることにより、後に続く潤滑油層の接着性を向上するため、さらに清浄化される。

製造装置２０Ａのスループットは、搬送速度や、最長継続時間のプロセス工程によって制限される。本実施形態では３０ｎｍ以上の厚い膜を形成するため、プロセス処理は、各チャンバのプロセス時間を減らすため、複数の成膜チャンバに渡って行われる。スループットを向上し、高水準の電気的パフォーマンスの要求に伴い構造が複雑化する垂直磁気記録媒体１１に対応するため、現在の製造装置２０Ａは、２０以上のチャンバを有する。

図４は、製造装置２０Ａを構成するチャンバの一部である加熱チャンバ２７、第１磁性層形成チャンバ２８Ａ、第２磁性層形成チャンバ２９を示す縦断面図である。各チャンバ同士は隔壁５４で仕切られている。実際上、隔壁５４には、図示しないがゲートバルブが設けられており、各チャンバ間をプロセスガスが行き来しないように形成されている。

加熱チャンバ２７は、基板１を挟んで当該基板１の両側に設けられた複数の放射ヒータ５７を有する。基板１はキャリア７１に縦方向に保持されている。キャリア７１は搬送部２１により搬送方向に沿って移動可能に設けられている。

第１磁性層形成チャンバ２８Ａは、第１ターゲット５８と、磁場発生部５２Ａとが基板１を挟んで当該基板１の両側に設けられている。磁場発生部５２Ａは、ヨーク６０ａと当該ヨーク６０ａに巻回されたコイル６０ｂとを有する電磁石で構成されている。コイル６０ｂは図示しない電源に電気的に接続されており、供給された電力によりヨーク６０ａの周囲に基板１表面に対し平行な面内磁場を発生させる。

第２磁性層形成チャンバ２９は、第２ターゲット５９が基板１を挟んで当該基板１の両側に設けられている。

次に、図５を参照して本実施形態に係る製造装置２０Ａのプロセスフロー１０２について説明する。

まず制御部は、ステップＳ１０において、ロードロックチャンバ２２に基板１を受け取らせ、当該基板１を搬送部２１に搭載し、ステップＳ１１へ移る。

ステップＳ１１において制御部は、基板１を１５０℃程度に加熱し、ステップＳ１２へ移る。ステップＳ１２において制御部は基板１上にヒートシンク層２を形成し、ステップＳ１３へ移る。ステップＳ１３において制御部は基板１上に形成されたヒートシンク層２上に軟磁性下地層３を形成し、ステップＳ１４へ移る。

ステップＳ１４において制御部は基板１上に形成された軟磁性下地層３上に配向層４を形成し、ステップＳ１５へ移る。

ステップＳ１５において制御部は基板１を４００℃以上に加熱し、ステップＳ１６へ移る。ステップＳ１６において制御部は基板１上に形成された配向層４上に、第１磁性層５を形成し、ステップＳ５０２へ移る。

ステップＳ５０２において制御部は基板１に対し面内磁場を印加する。この場合、ステップＳ１５で加熱された基板１は第１磁性層５の成膜、搬送過程において熱放射により冷却されるが、基板温度の低下によって第１磁性層５の保磁力が高くなる前に磁場を印加する。これにより、より小さい磁場でも基板１上に形成された第１磁性層５を消磁することができ、当該第１磁性層５上に微細な磁区が形成される。消磁する際の基板温度は、第１磁性層５の保磁力を下げる観点から、可能な限りキュリー温度に近い温度であることが好ましい。但し、上述の通り基板１が塑性変形しない温度以下である必要がある。

なお、本実施形態の場合、磁場発生部５２Ａは電磁石で構成したので、コイル６０ｂに供給する電力をオンオフすることにより磁場をオンオフすることができる。したがって、製造装置２０Ａは、プロセス環境内である第１磁性層形成チャンバ２８Ａ内に磁場発生部５２Ａを設けているが、第１磁性層５を成膜している間は磁場をオフしておくことで、磁場発生部５２Ａがプラズマに影響を与えることを防止することができる。プロセス環境内とは、磁場発生部５２Ａが発生する磁場が成膜中のスパッタリングに影響を与える環境内であることをいう。次いで制御部は、磁場をオフしてステップＳ１７へ移る。

ステップＳ１７において制御部は基板１上に形成された第１磁性層５上に第２磁性層６を形成し、ステップＳ１８へ移る。第２磁性層６は、交換結合により第１磁性層５の磁区構造が転写される。

ステップＳ１８において制御部は基板１を冷却し、ステップＳ１９へ移る。ステップＳ１９において制御部は基板１上に形成された第２磁性層６上に保護層７を形成し、ステップＳ２０へ移る。ステップＳ２０において制御部は基板１を搬出し、プロセスフローを終了する。

上記のように本実施形態に係る製造装置２０Ａは、基板１を加熱することにより、基板温度が高い状態すなわち第１磁性層５の保磁力を下げた状態で消磁する。これにより、より小さい磁場を印加することで消磁することができるので、高い保磁力を有する第１磁性層５を容易に消磁することができる。

しかも、本実施形態の場合、磁気異方性を高めるため第１磁性層５を成膜する前に加熱された基板１が冷却され、第１磁性層５の保磁力が高くなる前に消磁することとしたので、消磁するための加熱手段を別途設ける必要がなく、装置構成の大型化を避けながら容易に消磁することができる。

（変形例）
次に図６を参照して本実施形態に係る製造装置の変形例について説明する。上記第１実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する。本変形例に係る製造装置は、磁場発生部が第１磁性層形成チャンバと第２磁性層形成チャンバ２９の間に設けられている点が上記第１実施形態と異なる。以下、上記図４と対応する図６を参照して説明する。

本図に示すように、製造装置２０Ｂは、加熱チャンバ２７、第１磁性層形成チャンバ２８Ｂ、第２磁性層形成チャンバ２９を備え、各チャンバはそれぞれ隔壁５４で仕切られている。第１磁性層形成チャンバ２８Ｂは第１ターゲット５８が設けられている。本変形例の場合、磁場発生部５２Ｂは、第１磁性層形成チャンバ２８Ｂ内ではなく、第１磁性層形成チャンバ２８Ｂと第２磁性層形成チャンバ２９の間を仕切る隔壁５４に設けられている。

磁場発生部５２Ｂは、搬送される基板１の両面を挟んで当該基板１の両側に設けられた永久磁石で構成される。永久磁石は基板１表面に平行な面内磁場を発生し得るように磁極が配置されている。当該磁場発生部５２Ｂは、第１磁性層形成チャンバ２８Ｂと第２磁性層形成チャンバ２９における成膜中のプラズマには影響を与えないように、プロセス環境外に設けられている。本変形例の場合、磁場発生部５２Ｂは、磁場発生部５２Ｂによって各チャンバで成膜中の基板１に生じる磁場が３０Ｇ以下となるように、第１磁性層形成チャンバ２８Ｂと第２磁性層形成チャンバ２９から離れた位置に設けられている。

第１磁性層形成チャンバ２８Ｂには、加熱部としての小型の放射ヒータ６２が設けられている。基板１は、加熱チャンバ２７から第１磁性層形成チャンバ２８Ｂへ搬送される間と、第１磁性層形成チャンバ２８Ｂから第２磁性層形成チャンバ２９へ搬送される間において放射ヒータ６２により補助的に加熱される。

次に上記のように構成された本変形例に係る製造装置の動作について説明する。制御部は、加熱チャンバ２７で加熱された基板１を第１磁性層形成チャンバ２８Ｂに搬送する。搬送中、基板１は第１磁性層形成チャンバ２８Ｂに設けられた放射ヒータ６２によって補助的に加熱される。制御部は第１磁性層形成チャンバ２８Ｂにおいて基板１上に形成された配向層４上に第１磁性層５を形成する。

次いで制御部は基板１を第２磁性層形成チャンバ２９へ搬送する。搬送中、基板１は第１磁性層形成チャンバ２８Ｂに設けられた放射ヒータ６２によって補助的に加熱された後、磁場発生部５２Ｂを通過する。搬送中、基板１は表面に面内磁場が印加されることにより、第１磁性層５が消磁される。

上記のように本変形例に係る製造装置は、基板１を加熱することにより第１磁性層の保磁力を下げた状態で消磁することとしたから、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

また本変形例の場合、第１磁性層形成チャンバ２８Ｂに設けられた放射ヒータ６２によって補助的に加熱することにより、第１磁性層５の成膜、搬送過程中に熱放射による基板１の温度低下を抑制することができる。したがって、より高温に保持した状態で第１磁性層５に面内磁場を印加することができるので、より小さい磁場で第１磁性層５を消磁することができる。

本変形例では、第１磁性層形成チャンバ２８Ｂと第２磁性層形成チャンバ２９における成膜中のプラズマには影響を与えないようにするため、磁場発生部５２Ｂを第１磁性層形成チャンバ２８Ｂと第２磁性層形成チャンバ２９から十分離れた位置に設ける場合について説明したが、本発明はこれに限られない。

例えば、図７，８に示すように磁場発生部５２Ｃは磁場透過性容器６５と、当該磁場透過性容器６５内に設けられた永久磁石アセンブリ６６，６７とで構成することとしてもよい。

磁場透過性容器６５は、底面と対向する一対の側面にキャリア７１に保持された基板１が通過する通路６８が形成された箱状の部材で構成される。永久磁石アセンブリ６６，６７は、前記通路６８を挟んで磁場透過性容器６５内に一対設けられヨークプレート６６ｃ，６７ｃと、当該ヨークプレート６６ｃ，６７ｃに保持された複数（本図では各２個、合計４個）の永久磁石６６ａ，６６ｂ，６７ａ，６７ｂとを有する。永久磁石６６ａ，６６ｂ，６７ａ，６７ｂは、通路６８を通過する基板１の表面に平行な面内磁場を発生し得るように、異極同士が互いに平行に配置されている。永久磁石アセンブリ６６，６７は、当該永久磁石アセンブリ６６，６７間の磁場が最大となるように通路６８を挟んで対称に設けられている。発生した磁場は、永久磁石アセンブリ６６，６７同士が対向している面（Ｙ−Ｚ面）に平行で、かつ基板１の搬送方向６１に平行である。磁場発生部５２Ｃによって発生する磁場は図９に示すように、強度が永久磁石の略中央で最大（約６０００Ｇ）となり、方向がＹ−Ｚに平行である。

磁場透過性容器６５は、各部の大きさを例えば、通路６８の幅は２０ｍｍ、Ｌ１は１２０ｍｍ、Ｌ２は１４０ｍｍ、Ｌ３は９０ｍｍ、Ｌ４は１２０ｍｍ、Ｌ５は１７０ｍｍ、Ｌ６は２１０ｍｍとすることもできる。磁場透過性容器６５は、永久磁石アセンブリ６６，６７によって生じる磁場を効率よく吸収することで、磁場透過性容器６５外に漏れる磁場を最小限に抑制する。

（３）第２実施形態
次に第２実施形態に係る製造装置について説明する。上記第１実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する。本実施形態に係る製造装置は、消磁用加熱チャンバ４２Ａが設けられている点が上記第１実施形態と異なる。

図１０に示す製造装置２０Ｃは、搬送部２１、ロードロックチャンバ２２、予備加熱チャンバ２３、ヒートシンク層形成チャンバ２４、軟磁性下地層形成チャンバ２５、配向層形成チャンバ２６、加熱チャンバ２７、第１磁性層形成チャンバ２８Ｃ、消磁用加熱チャンバ４２Ａ、第２磁性層形成チャンバ２９、第１冷却チャンバ３０、保護層形成チャンバ３２、アンロードチャンバ３３を備え、基板１の両面に多層膜を備える垂直磁気記録媒体１１を製造し得る。

図１１は、製造装置２０Ｃを構成するチャンバの一部である加熱チャンバ２７、第１磁性層形成チャンバ２８Ｃ、消磁用加熱チャンバ４２Ａ、第２磁性層形成チャンバ２９を示す縦断面図である。各チャンバ同士は隔壁５４で仕切られている。実際上、隔壁５４には、図示しないがゲートバルブが設けられており、各チャンバ間をプロセスガスが行き来しないように形成されている。

本図に示すように、加熱チャンバ２７は、基板１を挟んで当該基板１の両側に設けられた複数の第１放射ヒータ５７ａを有する。第１磁性層形成チャンバ２８Ｃは、第１ターゲット５８が基板１を挟んで当該基板１の両側に設けられている。第２磁性層形成チャンバ２９は、第２ターゲット５９が基板１を挟んで当該基板１の両側に設けられている。

消磁用加熱チャンバ４２Ａは、複数の第２放射ヒータ５７ｂと、磁場発生部５２Ａが基板１を挟んで当該基板１の両側に設けられる。これにより、消磁用加熱チャンバ４２Ａは、基板１を加熱すると同時に基板１に対し面内磁場を印加する。

次に、本実施形態に係る製造装置のプロセスフローの特徴部分についてのみ図１２を参照して説明する。すなわち、図５のステップＳ１６〜ステップＳ１７に対応するプロセスフロー１０４について説明する。

ステップＳＰ１６において制御部は基板１上に形成された配向層４上に、第１磁性層５を形成し、ステップＳ５１２へ移る。

ステップＳ５１２において制御部は基板１を加熱すると同時に基板１に対し面内磁場を印加する。基板１を加熱すると同時に基板１に対し面内磁場を印加することにより、第１磁性層５の成膜、搬送過程中に熱放射による基板１の温度低下に関わらず確実に基板１を所定温度、例えばキュリー温度に近い温度に再度加熱することができる。したがって、より確実に高温に保持した状態で第１磁性層５に面内磁場を印加することができるので、より小さい磁場で第１磁性層５を消磁することができる。
次いで制御部は、ステップＳ１７へ移る。ステップＳ１７において制御部は基板１上に形成された第１磁性層５上に第２磁性層６を形成し、次ステップへ移る。

上記のように本実施形態に係る製造装置２０Ｃは、基板１を加熱することにより、基板温度が高い状態すなわち第１磁性層の保磁力を下げた状態で消磁することとしたから、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（変形例）
次に本実施形態に係る製造装置の変形例について説明する。上記第２実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する。本変形例に係る製造装置は、磁場発生部が消磁用加熱チャンバと第２磁性層形成チャンバ２９の間に設けられている点が上記第２実施形態と異なる。

図１３に示すように、製造装置２０Ｄは、加熱チャンバ２７、第１磁性層形成チャンバ２８Ｃ、消磁用加熱チャンバ４２Ｂ、第２磁性層形成チャンバ２９を備え、各チャンバはそれぞれ隔壁５４で仕切られている。消磁用加熱チャンバ４２Ｂは、第２放射ヒータ５７ｂが設けられている。本変形例の場合、磁場発生部５２Ｂは、消磁用加熱チャンバ４２Ｂ内ではなく、消磁用加熱チャンバ４２Ｂと第２磁性層形成チャンバ２９の間を仕切る隔壁５４に設けられている。

磁場発生部５２Ｂは、搬送される基板１を挟んで当該基板１の両側に設けられた永久磁石で構成される。本変形例で適用される磁場発生部５２Ｂは、図６で説明した磁場発生部５２Ｂと同じであるので、説明を省略する。

次に上記のように構成された本変形例に係る製造装置２０Ｄの動作について説明する。制御部は、加熱チャンバ２７で加熱された基板１を第１磁性層形成チャンバ２８Ｃに搬送する。制御部は第１磁性層形成チャンバ２８Ｃにおいて基板１上に形成された配向層４上に第１磁性層５を形成する。

次いで制御部は基板１を加熱する。これにより、第１磁性層５の成膜、搬送過程中に熱放射による基板１の温度低下に関わらず確実に基板１を所定温度、例えばキュリー温度に近い温度に再度加熱することができる。

次いで制御部は基板１を第２磁性層形成チャンバ２９へ搬送する。搬送中、基板１は、磁場発生部５２Ｂを通過する。搬送中、基板１は表面に面内磁場が印加されることにより、第１磁性層５が消磁される。基板１は再度加熱されているので、より小さい磁場で第１磁性層５を消磁することができる。

次いで制御部は基板１を第２磁性層形成チャンバ２９へ搬送し、基板１上に形成された第１磁性層５上に第２磁性層６を形成する。

上記のように本変形例に係る製造装置２０Ｄは、基板１を加熱することにより第１磁性層５の保磁力を下げた状態で消磁することとしたから、上記第２実施形態と同様の効果を得ることができる。

（別の変形例）
次に本実施形態に係る製造装置の別の変形例について説明する。上記第２実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する。本変形例は、図１２のステップＳ５１２に相当するプロセスフローが上記第２実施形態と異なる。以下、図１４を参照して図１２のステップＳ５１２に相当するプロセスフロー１０５について説明する。

本図に示すように、制御部はステップＳ５２１において、基板１上に形成された配向層４上に第１ａ磁性層を形成し、ステップＳ５２２へ移る。第１ａ磁性層は、次いで形成される第１ｂ磁性層の下地となる。次いで制御部はステップＳ５２２において、基板１上に形成された第１ａ磁性層上に第１ｂ磁性層を形成し、ステップＳ５２３へ移る。ステップＳ５２３において制御部は基板１を加熱すると同時に基板１に対し面内磁場を印加し、ステップＳ５２４へ移る。ステップＳ１７において制御部は基板１上に形成された第１磁性層５上に第２磁性層を形成し、次ステップへ移る。第２磁性層は、第１ａ磁性層及び第１ｂ磁性層より保磁力が小さい材料で形成される。

上記のように本変形例に係る製造装置は、基板１を加熱することにより第１磁性層の保磁力を下げた状態で消磁することとしたから、上記第２実施形態と同様の効果を得ることができる。

また本変形例では、最大の保磁力を有する第１磁性層５を第１ａ磁性層及び第１ｂ磁性層の２層として成膜した場合でも、第１磁性層５より保磁力の小さい第２磁性層を形成することで、媒体全体の保磁力を減少させることできる。これにより、消磁するために印加する磁場を少なくすることができる。

（４）第３実施形態
次に第３実施形態に係る製造装置について説明する。上記第１実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する。本実施形態に係る製造装置は、磁場発生部が第１磁性層形成チャンバ２８Ｃに設けられているスパッタリング用の磁石ユニットである点が上記第１実施形態と異なる。

図１５に示すように、製造装置２０Ｅは、加熱チャンバ２７、第１磁性層形成チャンバ２８Ｃ、第２磁性層形成チャンバ２９を備える。なお、製造装置２０Ｅは上記実施形態のように磁場発生部が別途設けられていない点が上記第１実施形態と異なる。

第１磁性層形成チャンバ２８Ｃは、図１６に示すように、第１ターゲット５８が基板１を挟んで当該基板１の両側に一対配置されている。基板１の両側において構成は同様であるので、説明の便宜上、一方の構成について説明する。第１ターゲット５８は背面に設けられたターゲット保持部８２に固定されている。ターゲット保持部８２はカソード本体８３に設けられている。

カソード本体８３内には磁石ユニット８４が設けられている。当該磁石ユニット８４は磁場発生部８０としても構成される。すなわち、磁場発生部８０は、磁石ユニット８４と、当該磁石ユニット８４を回転させる駆動部８５と、当該駆動部８５の回転動作を制御する制御部８６とを有する。

制御部８６は、第１ターゲット５８の利用率及び膜厚均一性を向上するため、成膜中において一対の磁石ユニット８４を回転させる。この場合、一対の磁石ユニット８４は、磁極が同期した状態で回転させてもよいし、同期していなくともよい。

そして、制御部は、第１磁性層５の成膜終了後、一対の磁石ユニット８４を磁極が同期した状態で停止する。これにより磁石ユニット８４は、基板１の表面に対し平行な面内磁場を発生させる。この面内磁場は、基板１の搬送方向に沿って基板１の表面に平行な磁場が最大（４５０〔Ｏｅ〕）となり（図１７Ａ）、基板１の表面に垂直な磁場が最小となる（図１７Ｂ）。なお、図１７に示す磁場マップは、成膜中における基板１の中心位置から８０ｍｍ×８０ｍｍ領域に渡るものである。

次に、本実施形態に係る製造装置のプロセスフローの特徴部分についてのみ図１８を参照して説明する。すなわち、図５のステップＳ１５〜ステップＳ１７に対応するプロセスフロー１１１について説明する。

ステップＳ１５において制御部は基板１を４００℃以上に加熱し、ステップＳ５３１へ移る。ステップＳ５３１において制御部は基板１上に形成された配向層４上に、第１磁性層５を形成し、ステップＳ５３２へ移る。

ステップＳ５３２において制御部は一対の磁石ユニット８４を同期させた状態で停止することにより基板１に対し面内磁場を印加する。この場合、磁石ユニットによって発生する磁場は４５０〔Ｏｅ〕程度と小さいが、成膜直後であって基板１を搬送する前に磁場を印加することができる。したがって、本実施形態の場合、基板温度がキュリー温度付近で、消磁することができるので、比較的小さい磁場で消磁することができる。次いで制御部は、ステップＳ５３３へ移り、基板１を第２磁性層形成チャンバ２９へ搬送し、ステップＳ１７へ移る。

ステップＳ１７において制御部は基板１上に形成された第１磁性層５上に第２磁性層６を形成し、次ステップへ移る。

上記のように本実施形態に係る製造装置２０Ｅは、基板１を加熱することにより第１磁性層５の保磁力を下げた状態で消磁することとしたから、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（変形例）
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内で適宜変更することが可能である。例えば、上記実施形態の場合、垂直磁気記録媒体は、基板の両面に多層膜が形成されている場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板の一方の面にのみ多層膜が形成されることとしてもよい。

また、上記実施形態の場合、垂直磁気記録媒体は第１磁性層と第２磁性層とを備える場合について説明したが、本発明はこれに限らず、第１磁性層のみを備えることとしてもよい。

１ ：基板
５ ：第１磁性層（磁性層）
６ ：第２磁性層
２０Ａ ：製造装置（垂直磁気記録媒体の製造装置）
２７ ：加熱チャンバ
２８Ａ ：第１磁性層形成チャンバ
５２Ａ ：磁場発生部

Claims (23)

1. 基板上に高磁気異方性材料を含む磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
   前記基板を４００℃以上に加熱する加熱工程と、
   加熱された前記基板上に前記磁性層を形成する磁性層形成工程と、
   前記磁性層が加熱されたことにより保磁力が低下した前記磁性層の表面に対し平行な磁場を印加し、前記磁性層を消磁する消磁工程と
   を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
2. 基板上に高磁気異方性材料を含む磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
   前記基板上に前記磁性層を形成する磁性層形成工程と、
   前記磁性層を４００℃以上に加熱する加熱工程と、
   前記磁性層が加熱されたことにより保磁力が低下した前記磁性層の表面に対し平行な磁場を印加し、前記磁性層を消磁する消磁工程と
   を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
3. 前記高磁気異方性材料は、Ｋ _Ｕ ≧５×１０ ^６ ｅｒｇ／ｃｃであることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
4. 前記磁性層は、Co-Pt、Fe-Co-Pt、Fe-Pt、Co-Pd、Fe-Co-Pd、又はFe-Pdを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
5. 前記消磁工程は、前記磁性層のキュリー温度未満であって当該キュリー温度より２００℃低い温度を超える温度で行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
6. 前記消磁工程は、前記磁性層のキュリー温度未満であって当該キュリー温度より１００℃低い温度を超える温度で行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
7. 前記磁性層上に前記磁性層より保磁力が小さい別の磁性層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
8. 前記加熱工程の前に、前記基板に配向層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
9. 前記消磁工程は、１×１０ ^−１ Ｐａ以下で行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
10. 前記消磁工程は、前記磁性層を形成した後の、前記基板搬送中に行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
11. 前記磁性層形成工程中、前記基板上に生じる磁場が３０Ｇ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
12. 複数のチャンバ間を、基板を搬送させて、前記基板上に高磁気異方性材料を含む磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造装置であって、
    前記基板を搬送する搬送部と、
    前記基板を加熱する加熱部と、
    前記基板上にスパッタリングにより前記磁性層を形成する磁性層形成チャンバと、
    前記磁性層が形成された前記基板に対して、当該基板の表面に平行な磁場を印加する磁場発生部と、
    制御部と
    を備え、
    前記制御部は、前記加熱部により、前記基板を４００℃以上に加熱し、前記磁性層形成チャンバ内で前記基板上に前記磁性層を形成し、
    前記磁性層が加熱されたことにより保磁力が低下した前記磁性層の表面に対し、前記磁場発生部により、平行な磁場を印加し、前記磁性層を消磁するように構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造装置。
13. 複数のチャンバ間を、基板を搬送させて、前記基板上に高磁気異方性材料を含む磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造装置であって、
    前記基板を搬送する搬送部と、
    前記基板を加熱する加熱部と、
    前記基板上にスパッタリングにより前記磁性層を形成する磁性層形成チャンバと、
    前記磁性層が形成された前記基板に対して、当該基板の表面に平行な磁場を印加する磁場発生部と、
    制御部と
    を備え、
    前記制御部は、前記磁性層形成チャンバ内で前記基板上に形成された前記磁性層を、４００℃以上に加熱することにより、保磁力が低下した前記磁性層の表面に対し、前記磁場発生部により、平行な磁場を印加し、前記磁性層を消磁するように構成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造装置。
14. 前記磁場発生部は、前記磁性層形成チャンバで成膜中の前記基板に生じる磁場が３０Ｇ以下になるように、前記磁性層形成チャンバと、前記磁性層形成チャンバの搬送方向の下流側に開閉可能なゲートバルブを介して接続されたチャンバとの間に設けられていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の垂直磁気記録媒体の製造装置。
15. 前記磁性層形成チャンバから、前記磁性層形成チャンバの搬送方向の下流側に開閉可能なゲートバルブを介して接続されたチャンバへ搬送される間に、前記基板を加熱する補助加熱部が設けられていることを特徴とする請求項１２に記載の垂直磁気記録媒体の製造装置。
16. 前記磁性層形成チャンバは、前記基板の両面に前記磁性層を形成し、
    前記磁場発生部は、前記搬送部により搬送された前記基板の両側に設けられていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の垂直磁気記録媒体の製造装置。
17. 前記加熱部及び前記磁場発生部は、前記磁性層形成チャンバの搬送方向の下流側に開閉可能なゲートバルブを介して接続された、消磁用加熱チャンバ内に設けられていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の垂直磁気記録媒体の製造装置。
18. 前記磁場発生部は、前記磁性層形成チャンバに設けられた電磁石であり、
    前記制御部は、前記磁場発生部からの磁場が、前記磁性層形成チャンバ内のスパッタリングに影響を与えないように、前記磁性層を成膜している間、前記電磁石をオフしていることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の垂直磁気記録媒体の製造装置。
19. 複数のチャンバ間を、基板を搬送させて、前記基板上に高磁気異方性材料を含む磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造装置であって、
    前記基板を加熱する加熱部と、
    前記基板上にスパッタリングにより前記磁性層を形成する磁性層形成チャンバと、
    制御部と
    を備え、
    前記磁性層形成チャンバは、
    前記基板の両側に設けられた一対のターゲット保持部と、
    一対の前記ターゲット保持部の裏側に回転可能に設けられた一対の磁石ユニットと
    を有し、
    前記制御部は、前記加熱部により、前記基板を４００℃以上に加熱し、前記磁性層形成チャンバ内で一対の前記磁石ユニットを回転させながら、前記基板上に磁性層を形成した後、
    一対の前記磁石ユニットを磁極が同期した状態で停止させて、前記磁性層が加熱されたことにより保磁力が低下した前記磁性層の表面に対し、平行な磁場を印加し、前記磁性層を消磁するように構成されている
    ことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造装置。
20. 前記加熱部は、前記磁性層形成チャンバの搬送方向の上流側に開閉可能なゲートバルブを介して接続されていることを特徴とする請求項１２，１３及び１９のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造装置。
21. 前記加熱部の搬送方向の上流側に、配向層形成チャンバが接続されていることを特徴とする請求項１２，１３及び１９のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造装置。
22. 前記消磁工程は、前記磁性層の巨大領域の磁区を分断し磁区を小さくすることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
23. 前記磁場発生部は、前記磁性層の巨大領域の磁区を分断し磁区を小さくすることを特徴とする請求項１２〜２１のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体の製造装置。