JP5680226B2

JP5680226B2 - 配線基板およびパッケージ、ならびに電子装置

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Publication number: JP5680226B2
Application number: JP2013554723A
Authority: JP
Inventors: 有川　秀洋; 秀洋有川; 慎也寺尾
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2012-07-27
Filing date: 2013-01-23
Publication date: 2015-03-04
Anticipated expiration: 2033-01-23
Also published as: WO2014017110A1; CN103703559A; JPWO2014017110A1; CN103703559B

Description

本発明は、気密封止を必要とする配線基板およびパッケージ、ならびに電子装置に関する。

気密封止を必要とする電子部品の例として、水晶振動子等の水晶応用製品やフラッシュメモリなどの半導体素子あるいはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）やＳＡＷ（Ｓurface Ａccoustic Ｗave（表面弾性波））デバイスなどがあげられる。これら各製品はいずれも素子を外気から保護するために、セラミックパッケージなどの筐体に収納され気密封止されている。

図１１は、電子部品を搭載するための従来のセラミック製のパッケージ（以下、セラミックパッケージという場合がある。）の一例を示す分解斜視図である。水晶応用製品等の電子部品を搭載するためのセラミックパッケージは、セラミック基板１０１の表面に導体１０２が形成されて配線基板が構成されており、その導体１０２の表面に実装される電子部品（例えば、水晶振動子）１０５を気密封止するための金属部材１０７（ここでは、蓋体１０７）がメタライズ層１０３に塗られた銀ロウなどの接合部材１０９を介して接合される構成となっている。

近年、携帯電話やＩＣカード等の電子装置が普及しているが、これらの電子装置はますます小型化や薄型化あるいは高性能化が要求されてきており、そのため、これらの電子装置に組み込まれる電子部品１０５やこれを収納するためのセラミックパッケージについても一層の小型化や薄型化が求められている（例えば、特許文献１を参照）。

特開２００１−１９６４８５号公報

ところが、セラミックパッケージを小型化する場合、セラミック基板１０１を構成する基板底部１０１Ａの厚みｔやセラミック基板１０１と蓋体１０７とを接合する部分の幅（図１１において、セラミック基板１０１の基板堤部１０１Ｂの幅Ｗ）を狭くする必要があるが、セラミック基板１０１の基板底部１０１Ａや基板堤部１０１Ｂの厚みが薄くなると、セラミック基板１０１自体の強度が低下し、例えば、セラミック基板１０１に蓋体１０７を接合する際等において、セラミック基板１０１と蓋体１０７との間の熱膨張係数差によって発生する熱応力によりセラミック基板１０１にクラックが発生しやすいという問題があった。

従って、本発明は、配線基板に蓋体を接合する際においても、配線基板にクラックが発生することを抑制できる配線基板およびこれを具備するパッケージ、ならびに電子装置を提供することを目的とする。

本発明の配線基板は、一方の主面に電子部品の搭載面を有する基板底部と、前記搭載面を囲むように前記基板底部上に設けられた基板堤部と、前記基板底部の前記主面と前記基板堤部の側面とが交わる部位に設けられ、前記基板底部および前記基板堤部と一体化されている張出部と、を有するとともに、該張出部は、前記基板堤部の側面から前記基板底部の主面にわたる表面が凸状の曲面となっていることを特徴とする。

本発明のパッケージは、上記の配線基板と、蓋体とを具備してなることを特徴とする。

本発明の電子装置は、上記のパッケージにおける前記搭載面に電子部品を搭載してなり、前記蓋体が前記電子部品を覆うように前記基板堤部の上面に接合されていることを特徴とする。

本発明によれば、配線基板に蓋体を接合する際においても、配線基板にクラックが発生することを抑制できる配線基板およびこれを具備するパッケージ、ならびに電子装置を得ることができる。

本発明の配線基板の一実施形態を示す斜視図である。（ａ）は、図１に示した配線基板の平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面模式図である。本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板底部の角部における張出部の最大幅を角部間の中央の幅よりも広くした状態を示す平面模式図である。本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板底部の角部における張出部の幅を角部間の中央よりも広くしつつ、張出部の搭載面側の側面を円弧状とした状態を示す平面模式図である。本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板底部の角部における張出部の形状が搭載面側の側面において円弧状であることを示す平面模式図である。本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板堤部の側面から基板底部の主面にわたる張出部の表面を凸状の曲面とした状態を示す断面模式図である。本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板堤部の内側の側面が搭載面側に覆い被さるように傾斜している状態を示す断面模式図である。本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板堤部の上面が上側に向けて凸状となっている状態を示す断面模式図である。本発明の電子装置の一実施形態を示す分解斜視図である。本実施形態の配線基板を製造するための工程図である。セラミック製の配線基板により構成される従来のパッケージの一例を示す分解斜視図である。

図１は、本発明の配線基板の一実施形態を示す斜視図である。図２（ａ）は、図１に示した配線基板の平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面模式図である。本発明の配線基板として、以下、セラミック配線基板を例にして詳細に説明する。

本実施形態のセラミック配線基板は、以下に示すセラミック基板１により構成されている。

セラミック基板１は、矩形状の基板底部１ａと、その基板底部１ａの周縁部に設けられた基板堤部１ｂとから構成されており、基板底部１ａの表面（搭載面１ａａ）には電子部品を実装するための導体２が形成されている。

本実施形態のセラミック配線基板では、基板堤部１ｂの側面１ｂｂと基板底部１ａの搭載面１ａａとが交わる隅部１ｃに、搭載面１ａａの周縁に沿って、張出部５が形成されており、また、その張出部５は基板底部１ａおよび基板堤部１ｂと一体化している。なお、この張出部５もセラミック焼結体により形成されている。

これによりセラミック配線基板に、例えば、蓋体を接合する場合のように熱応力が加わっても、セラミック基板１にクラックが発生することを抑制できる。

このセラミック配線基板では、基板底部１ａと基板堤部１ｂとがほぼ直角に交わる部位１ｃ（以下、隅部１ｃという場合がある。）に、基板底部１ａおよび基板堤部１ｂと一体となった張出部５が設けられている。このため基板底部１ａおよび基板堤部１ｂの両者の接合部分ある隅部１ｃの厚みが厚くなっている。例えば、蓋体を接合する際の加熱によりセラミック基板１および蓋体の寸法が変化し、基板底部１ａが基板堤部１ｂ側に向けて凸になるように反り、これとともに基板堤部１ｂが上側に開くように変形しようとしても、基板底部１ａと基板堤部１ｂとの接合部である隅部１ｃを基板底部１ａ側および基板堤部１ｂの両方から厚くしているために、この隅部１ｃの強度が増し、変形が抑えられ、また隅部１ｃへの応力集中を緩和できることからクラックの発生を抑制することができる。

ここで、基板堤部１ｂの側面１ｂｂと基板底部１ａの搭載面１ａａとが交わる部位（隅部１ｃ）は基板底部１ａの搭載面１ａａの周縁を全周囲にわたっている範囲のことである。

また、張出部５が基板底部１ａおよび基板堤部１ｂと一体化したとは各部位を構成するセラミック焼結体が焼結している状態のことである。この場合、張出部５は隅部１ｃを埋めるように形成されている。

さらに、矩形状とは長方形などの多角形に限らず、角部がやや丸みを帯びている形状も含む意である。

図３は、本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板底部１ｂの角部Ｃにおける張出部５の最大幅Ｗｃを角部Ｃ間の中央における幅Ｗ_Ｌよりも広くした状態を示す断面模式図である。通常、セラミック配線基板では、例えば、蓋体を接合する際に、セラミック配線基板を平面視したときの方向でＸ方向およびＹ方向に変形することになるが、その際、両方向からの熱応力により角部Ｃに応力が集中する。このような状態において、図３に示すようなセラミック配線基板では、基板底部１ａの角部Ｃにおける張出部５の最大幅Ｗｃを角部Ｃ間の中央部における幅Ｗ_Ｌよりも広くしているために、セラミック基板１の基板底部１ａの角部Ｃにおける隅部１ｃの強度がさらに高まり、これによりクラックの発生をさらに抑制することができる。

図４は、本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板底部１ａの角部Ｃにおける張出部５の幅Ｗｃを基板底部１ａの辺Ｌの中央部よりも広くしつつ、張出部５の搭載面１ａａ側の側面を円弧状とした状態を示す断面模式図である。図５は、本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板底部１ａの角部Ｃにおける張出部５の幅Ｗｃを基板底部１ａの辺Ｌの中央部よりも広くしつつ、基板底部の角部における張出部の形状が搭載面側の側面において円弧状であることを示す断面模式図である。

図４に示すように、基板底部１ａの角部Ｃにおける張出部５の幅Ｗｃを基板底部１ａの辺Ｌの中央部よりも広くしつつ、張出部５の搭載面側を円弧状にすると、角部Ｃにおける張出部５の最大幅Ｗｃが角部Ｃから辺の方に向けて緩やかに狭くなることから、角部Ｃ間の辺の方向から角部Ｃにかけて張出部５による拘束力を緩やかに変化させることができることから角部Ｃでの応力集中をより緩和することができる。さらには、図５に示すように、張出部５のみならず、セラミック基板１を構成する基板底部１ａおよび基板堤部１ｂの外形を円弧状にすると、セラミック配線基板への応力集中をさらに緩和することができ、クラックの発生をさらに低減することができる。

図６は、本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板堤部１ｂの側面から基板底部１ａの主面にわたる張出部５の表面Ｓを凸状の曲面とした状態を示す断面模式図である。このセラミック配線基板では、張出部５は、基板堤部１ｂの内側の側面１ｂｂから基板底部１ａの搭載面１ａａに向かって丸みを帯びるように形成されていることが望ましい。張出部５の表面が丸みを帯びている状態、言い換えれば、張出部５の表面が上に向けて凸状に湾曲した曲面であると、基板堤部１ｂの内側の側面１ｂｂと張出部５との交点の角度θが鈍角となり、応力集中が緩和されるため、隅部５を構成する基板底部１ａと基板堤部１ｂとの間に生じる応力を小さくすることができ、クラックの発生を抑制することができる。

図７は、本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板堤部１ｂの内側の側面１ｂｂが搭載面１ａａ側に覆い被さるように傾斜している状態を示す断面模式図である。

このセラミック配線基板では、セラミック基板１を構成する基板堤部１ｂの内側の側面１ｂｂは、搭載面１ａａ側から基板堤部１ｂの上面側に向けて搭載面１ａａ側に覆い被さるように傾斜していることが望ましい。基板堤部１ｂの内側の側面１ｂｂが、このように搭載面１ａａ側に傾斜している構造であると、基板堤部１ｂの外側への変形をより抑えることができる。

図８は、本実施形態のセラミック配線基板の他の態様を示すもので、基板堤部１ｂｂの上面Ｕが上側に向けて凸状となっている状態を示す断面模式図である。このセラミック配線基板では、基板堤部１ｂの上面Ｕが上側に向けて凸状となっていることが望ましい。基板堤部１ｂの上面Ｕが上側に向けて凸状となっていると、この基板堤部１ｂの上面にメタライズ層３を設けた場合に、メタライズ層３の厚みを、基板堤部１ｂの幅方向の中央部よりも両端側で薄くすることができるために、メタライズ層３による熱応力の影響を低減することができ、これにより基板堤部１ｂの変形をより小さくすることができる。

本実施形態のセラミック配線基板は、図９に示すようなセラミック製のパッケージ（以下、セラミックパッケージという）を具備する電子装置の配線基板として適用できる。ここで、本実施形態のセラミックパッケージは上記の配線基板に蓋体７が設けられた構成となっているものである。図９は、本発明の電子装置の一実施形態を示す分解斜視図である。本実施形態の電子装置は、上記のパッケージにおける搭載面１ａａに電子部品９が搭載され、蓋体７が電子部品９を覆うように基板堤部１ｂの上面に接合されている。

セラミックパッケージを構成する配線基板として本実施形態のセラミック配線基板を適用すると、上述のように、本実施形態のセラミック配線基板が熱応力による変形を小さくできるという効果を有することから、蓋体７を接合する際に、セラミック配線基板に対してクラックの発生を抑制することができる。

この場合、セラミック配線基板を構成するセラミック基板１、メタライズ層３および蓋体７としては、種々の材料を用いることが可能であるが、機械的強度や耐環境特性等に優れるという点から、セラミック基板１にアルミナを、メタライズ層３にモリブデンまたはタングステンあるいはこれらの合金を、および蓋体７にコバール等の熱膨張係数の比較的小さい金属部材を適用したものが好適なものとなる。

本実施形態のセラミックパッケージによれば、メタライズ層３の接合強度と気密性を向上させることができることから、セラミック配線基板を構成するセラミック基板１の基板底部１ａおよび基板堤部１ｂの厚みが薄く、その上面に形成されるメタライズ層３の幅が狭いような小型のセラミック配線基板に対してより好適なものとなる。そのサイズはセラミック基板１を構成する基板底部１ａおよび基板堤部１ｂの平均厚みが０．０５〜０．１５ｍｍであるものに適している。

ここで、本実施形態の電子装置に搭載可能な電子部品としては、水晶振動子やフラッシュメモリなどの半導体素子の他、ＳＡＷデバイスやＭＥＭＳなども含まれる。

次に、本実施形態のセラミックパッケージを製造する方法を説明する。図１０は、本実施形態のセラミック配線基板を製造するための工程図である。

まず、セラミック粉末に対して有機バインダを添加した後、これをプレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法等の周知の成形方法によって、基板底部１ａとなるグリーンシート２１ａを作製し、次いで、そのグリーンシート２１ａの表面に導体パターン２３ａを形成する。

一方、基板堤部１ｂとなるグリーンシート２１ｂには穴加工を施し、次いで、そのグリーンシート２１ｂの穴２２の周囲の表面に部分的に導体パターン２３ｂを形成したものを作製する。このとき、穴２２を形成しただけのグリーンシート２５も準備しておく。

次に、基板底部１ａとなるグリーンシート２１ａの導体パターン２３ａを形成した側に、まず、穴２２を形成しただけのグリーンシート２５を積層し、次に、このグリーンシート２５の上面側に穴２２の周囲の表面に導体パターン２３ｂを形成したグリーンシート２１ｂを積層し、密着させて、図１に示す形状のセラミック配線基板用の成形体を形成する。

この場合、穴２２を形成（基板堤部１ｂとなるグリーンシートの穴２２よりも小さい）しただけのグリーンシート２５が焼成後にセラミック配線基板の張出部５となるが、張出部５を形成する方法としては、上記したような穴２２を形成したグリーンシート２５を用いることの他に、穴２２の周囲の表面に導体パターン２３ｂを形成したグリーンシート２１ｂと基板底部１ａとなるグリーンシート２１ａとの間に熱可塑性の樹脂をコートし、積層時に、例えば、穴２２の周囲の表面に導体パターン２３ｂを形成したグリーンシート２１ｂの一部を変形させて穴２２の内側に突出させる方法を用いることもできる。

ここで、グリーンシート２１ａ、２１ｂ、２５を形成するためのセラミック粉末としては、例えば、アルミナ粉末に、シリカ粉末やマンガンを含む酸化物粉末を混合し、アルミナ粉末の割合が８０質量％以上となる混合粉末を用いるのがよい。

導体パターン２３ａ、２３ｂ用のペーストとしては、セラミック粉末の焼結温度に合わせて種々の組成の金属材料を用いることが可能であるが、生の成形体に、例えば、アルミナ粉末を８０質量％以上含むセラミック粉末を用いる場合には、モリブデンやタングステン等の高融点の金属材料を用いるのが良い。

次に、作製したセラミック配線基板用成形体を還元雰囲気中、１３００〜１６００℃の温度で焼成する。

次に、得られたセラミック配線基板のメタライズ層３の表面にニッケルのめっき膜を形成し、ニッケルのめっき膜を形成したメタライズ層３の表面に接合部材７を介して、蓋体や金属枠などの金属部材５を接合する。

このようにして作製されたセラミックパッケージは、剛性が高く、かつ蓋体７を接合した場合には気密性の高いものとなる。

次に、本発明の効果を確認するために行った実験例について説明する。この場合、図９に示す構造のセラミックパッケージを作製し、評価した。

まず、セラミック基板を形成するための原料粉末として、アルミナ粉末、Ｍｎ_２Ｏ_３粉末、ＳｉＯ_２粉末、ＭｇＣＯ_３粉末およびＭｏＯ_３粉末を準備した。

次に、これらの原料粉末をボールミルを用いて、アルミナ粉末を主成分として、Ｍｎ_２Ｏ_３粉末を６質量％、ＳｉＯ_２粉末を６質量％、ＭｇＣＯ_３粉末を０．５質量％およびＭｏＯ_３粉末を０．３質量％の比率で添加、混合した後、アクリル系樹脂とトルエンとを混合してスラリーを調整し、しかる後に、ドクターブレード法にて厚さ１５０μｍのグリーンシートを作製した。

作製したグリーンシートのうち一部のグリーンシートに金型を用いて長方形状の開口部を形成した。このとき張出部を形成するためのグリーンシート（以下、第１のシートとする。）の開口部は、基板堤部となるグリーンシートの開口部よりも開口部の面積を小さいものとした。

次に、開口部を有する一部のグリーンシートに対して、その開口部の周囲に焼成後にメタライズ層となる導体パターンを形成した（以下、第２のシートとする。）。一方、グリーンシートのうち開口部を形成しなかったグリーンシートには、積層したときに開口部の内側の領域となる位置に電子部品を接続するための導体となる導体パターンを形成した（以下、第３のシートとする。）。この場合、導体パターンはモリブデン粉末を主成分としてアルミナ粉末を１５質量％添加したものを用いた。

次に、第３のシートを下層にして、この第３のシートに形成した導体パターンが第１のシートおよび第２のシートの開口部内に入るように位置決めして、第１のシートおよび第２のシートをこの順に積層し、加圧加熱した後、所定のサイズに切断して、表１に示す図番の構造の生の積層体を作製した。なお、表１の図６、図７および図８の積層体は、加圧加熱時にラバープレスを用いて作製した。

次に、この積層体を、露点＋２５℃の窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行った後、引き続き、本焼成を行った。本焼成は、１８０℃／ｈで１０００℃から焼成最高温度１３５０℃まで昇温し、それを焼成温度として露点＋２５℃の窒素水素混合雰囲気にて６０分間保持した後、１０００℃までの冷却を１８０℃／ｈという条件で行った。

こうして得られたセラミック配線基板は、平面面積が２ｍｍ×１．６ｍｍ、高さが０．２ｍｍ、基板底部の平均厚みおよび基板堤部の平均厚みがいずれも０．１ｍｍであった。メタライズ層の平均厚みは２０μｍであった。

次に、セラミック配線基板上に形成したメタライズ層の表面にＮｉメッキ膜を形成した。

次に、Ｎｉめっき膜を形成したセラミック配線基板の基板堤部のメタライズ層の表面の全面に接合部材として銀ロウ（共晶Ａｇ−Ｃｕロウ）を仮付けし、銀ロウを溶融させメタライズ層中に拡散させた。

次に、さらに銀ロウを形成したメタライズ層の表面に厚み０．２μｍの金メッキを施した。

次に、メタライズ層の金めっき膜の表面に銀ロウ（共晶Ａｇ−Ｃｕロウ）を用いて、厚みが０．１ｍｍ、長さが１．９ｍｍ、幅が１．５ｍｍのコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）製の蓋体をシーム溶接によって接合した。

シーム溶接は、セラミック配線基板のシーム接合時のクラックに対する耐力の度合いを確認するために、通常封止条件を条件１、封止時の出力を条件１の１．５倍にしてクラックの発生を促進させた封止条件を条件２、さらに出力を条件1の２倍にしたものを条件３とし、３条件でのシーム接合を行った。

次に、蓋体を接合したセラミックパッケージについて、セラミック配線基板に発生したクラックについて実体顕微鏡を用いて観察を行った。また、Ｈｅリーク法により気密封止性を評価した。Ｈｅリーク法は、０．４１ＭＰａのＨｅ加圧雰囲気中に２時間保持した後、取り出し、真空雰囲気中で検出されるＨｅガス量を測定し、１×１０^−１０ＭＰａ・ｃｍ^３／ｓｅｃ以下をリーク無しとした。クラックの発生していなかった試料はいずれもＨｅガス量が１×１０^−１０ＭＰａ・ｃｍ^３／ｓｅｃ以下であった。一方、クラックの認められた試料はＨｅガス量が５×１０^−９ＭＰａ・ｃｍ^３／ｓｅｃを超えるものとなった。

表１の結果から明らかなように、セラミック基板の隅部に張出部を設けなかった試料Ｎｏ．８はクラックの発生個数が条件１で１００個中３個、条件２で１００個中８個、さらに条件３では１００個中１５個であったのに対し、セラミック基板の隅部に張出部を設けた試料Ｎｏ．１〜７はクラックの発生個数が条件１、および条件２では１００個中０個、条件３で１００個中４個以下であった。

試料Ｎｏ．２は基板底部の角部における張出部の幅を基板底部の辺の中央部の幅よりも広くしたものであったが、この試料のクラック発生個数は条件３で１００個中３個であった。

試料Ｎｏ．３は基板底部の角部における張出部の幅を基板底部の辺の中央部よりも広くしつつ、張出部の搭載面側を円弧状としたものであったが、この試料のクラック発生個数は条件３で１００個中２個であった。

試料Ｎｏ．４は基板底部の角部における張出部の幅を基板底部の辺の中央部よりも広くしつつ、基板底部およびその上面に配置されている基板堤部の角部、ならびに張出部の搭載面側を円弧状としたものであったが、この試料のクラック発生個数は条件３で１００個中１個であった。

試料Ｎｏ．５は、試料Ｎｏ．５の構造に加えて、さらに張出部の表面を円弧状としたものであったが、この試料にはどの封止条件においてもクラックの発生が見られなかった。

試料Ｎｏ．６は、試料Ｎｏ．１の構造に対して、基板堤部の内側の側面が搭載面側に傾斜させたものであったが、この試料のクラック発生個数は条件３で１００個中１個であった。

試料Ｎｏ．７は、試料Ｎｏ．１の構造に対して、基板堤部の上面が上側に向けて凸状としたものであったが、この試料のクラック発生個数は条件３で１００個中２個であった。

１、１０１・・・・・セラミック基板
１ａ・・・・・・・・基板底部
１ａａ・・・・・・・搭載面
１ｂ・・・・・・・・基板堤部
１ｂｂ・・・・・・・基板堤部の側面
１ｃ・・・・・・・・隅部
２、１０２・・・・・導体
３、１０３・・・・・メタライズ層
５・・・・・・・・・張出部
７、１０７・・・・・蓋体
９、１０５・・・・・電子部品
Ｃ・・・・・・・・・角部
Ｓ・・・・・・・・・張出部の表面
ｔ・・・・・・・・・基板底部の厚み（平均厚み）
Ｗ・・・・・・・・・基板堤部の幅
Ｗｃ・・・・・・・・基板底部の角部における張出部の幅
Ｗ_Ｌ・・・・・・・・基板堤部に沿った張出部の角部間の中央部における幅
Ｕ・・・・・・・・・基板堤部１ｂの上面

Claims

一方の主面に電子部品の搭載面を有する基板底部と、
前記搭載面を囲むように前記基板底部上に設けられた基板堤部と、
前記基板底部の前記主面と前記基板堤部の側面とが交わる部位に設けられ、
前記基板底部および前記基板堤部と一体化されている張出部と、を有するとともに、
該張出部は、前記基板堤部の側面から前記基板底部の主面にわたる表面が凸状の曲面となっていることを特徴とする配線基板。
前記張出部は、前記基板堤部の前記搭載面側の側面と前記基板底部の主面とが交わる部位に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
前記基板底部を平面視したときの形状が矩形状であるとともに、該基板底部の周縁に前記基板堤部が配置されており、前記基板底部の角部における前記張出部の最大幅が前記角部間の中央における前記張出部の幅よりも広いことを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
前記基板底部の角部における前記張出部は、前記基板底部を平面視したときの前記搭載面側の側面の形状が円弧状であることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
前記基板堤部の前記搭載面側の側面が前記搭載面側に覆い被さるように傾斜していることを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれかに記載の配線基板。
前記基板堤部の上面が、上側に向けて凸状であることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれかに記載の配線基板。
前記基板堤部の上面にメタライズ層を有することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれかに記載の配線基板。
請求項１乃至７のうちいずれかに記載の配線基板と、蓋体とを具備してなることを特徴とするパッケージ。
請求項８に記載のパッケージにおける前記搭載面に電子部品を搭載してなり、前記蓋体が前記電子部品を覆うように前記基板堤部の上面に接合されていることを特徴とする電子
装置。