JP5679915B2 - 窒化物半導体層のエッチング方法及びこれを用いた窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
<構成>
図1は、本発明の窒化物半導体装置の一例であるヘテロ接合電界効果型トランジスタ(以下、ヘテロ接合FET)の構造を示す断面図である。
図2〜図6を用いて、図1に示したヘテロ接合FETの製造工程を説明する。
なお、上記では代表的な条件について述べたが、ソース電極70、ドレイン電極80、ゲート電極90、及び素子分離領域50の形成プロセスの順序を入れ替えても良い。例えば、ソース電極70やドレイン電極80を形成する前に、素子分離領域50を形成しても構わない。
本実施の形態の窒化物半導体層のエッチング方法は、(a)窒化物半導体層に不純物イオンを注入し、その表面から所定深さまで不純物領域(n型不純物領域220)を形成する工程と、(b)n型不純物領域220を熱処理する工程と、(c)、n型不純物領域220の表面側の所定領域(ダメージ領域230)をウェットエッチングで除去する工程とを備えるので、ドライエッチングのようにn型不純物領域220にダメージを与えることなく、かつダメージ領域230のみを除去して低抵抗なn型不純物領域60を残すことが可能である。
Claims (2)
- (a)窒化物半導体層に不純物イオンを注入し、その表面から所定深さまで不純物領域を形成する工程と、
(b)前記不純物領域を熱処理する工程と、
(c)前記不純物領域の表面側の所定領域をウェットエッチングで除去する工程とを備え、
前記工程(a)は、深さ方向に不純物濃度を段階的又は連続的に減少させて前記不純物領域を形成する工程である、
窒化物半導体層のエッチング方法。 - 請求項1に記載の窒化物半導体層のエッチング方法を利用した窒化物半導体装置の製造方法であって、
(a)請求項1に記載の窒化物半導体層のエッチング方法を用いて、表面側の所定領域が除去された前記不純物領域を有する窒化物半導体層を形成する工程と、
(b)前記所定領域にソース電極及びドレイン電極を形成する工程とを備える、
窒化物半導体装置の製造方法。
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