JP5676868B2 - 電気回路デバイス内の少なくとも1つの構成要素を電気的に分離するための電気回路構成 - Google Patents

電気回路デバイス内の少なくとも1つの構成要素を電気的に分離するための電気回路構成 Download PDF

Info

Publication number
JP5676868B2
JP5676868B2 JP2009234710A JP2009234710A JP5676868B2 JP 5676868 B2 JP5676868 B2 JP 5676868B2 JP 2009234710 A JP2009234710 A JP 2009234710A JP 2009234710 A JP2009234710 A JP 2009234710A JP 5676868 B2 JP5676868 B2 JP 5676868B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
bond pad
pad
controllable switch
coupled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009234710A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010261931A (ja
Inventor
エー. フラッティ ロジャー
エー. フラッティ ロジャー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Agere Systems LLC
Original Assignee
Agere Systems LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agere Systems LLC filed Critical Agere Systems LLC
Publication of JP2010261931A publication Critical patent/JP2010261931A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5676868B2 publication Critical patent/JP5676868B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31903Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
    • G01R31/31905Interface with the device under test [DUT], e.g. arrangements between the test head and the DUT, mechanical aspects, fixture
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2822Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere of microwave or radiofrequency circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

本発明は、ボンド・パッドを含む電気回路デバイスに関する。より詳細には、本発明は、電気回路デバイスをテストするために使用されるボンド・パッド延長部を含む電気回路デバイスに関する。
ボンド・パッドは、電子部品パッケージングの際に半導体集積回路ダイなど電気回路デバイスを装着するためにワイヤ・ボンディング技術で使用される。電気回路デバイスは一般に、複数の比較的細い導電性リード線を含み、これらのリード線は、デバイス・パッケージに埋め込まれた、対応する導体のワイヤ・ボンド・パッドに、例えば超音波ボンディングによって電気的に接続される。
従来の回路デバイス構成のうちには、延長ボンド・パッドを含むものもあり、これは、回路デバイスをテストする際にテスト・プローブを配置するための余地をもたせた延長区域または延長領域を有するボンド・パッドである。しかし、このような従来の構成では、延長ボンド・パッドは、通常は回路デバイスのテストを完了した後にその場に残る。したがって、延長ボンド・パッドは、余分なキャパシタンスを追加し、あるいは比較的高い周波数帯では回路デバイスに開路スタブを追加する恐れがある。このような開路スタブは、容量性の性質のものであり、望ましくない信号輻射をもたらす可能性のある共振を引き起こす。他の従来の回路デバイス構成は、テストが実行された後、実在のまたは元のボンド・パッドから切り離されまたは剥がされる延長ボンド・パッドを含む。しかし、このような構成では、回路デバイスから延長ボンド・パッドを永続的に取り外した後、延長ボンド・パッドを続けて使用することは可能ではない。
したがって、付加的な寄生効果を含まないか、あるいは関連する電気回路デバイスの既存の寄生効果に付加的な寄生効果を与えない、再使用可能で取り外し可能な延長ボンド・パッドまたはボンド・パッド延長部が必要である。
本発明は、切替え可能に取り外し可能なボンド・パッド延長部のテスト・パッドを少なくとも1つ含む電気回路構成として実施される。このテスト・パッドを用いると、テスト・プローブの配置の改善により、対応する電気回路デバイスのテストの改良が可能になる。ボンド・パッド延長部のテスト・パッドは、例えば電気回路デバイスのボンド・パッドの1つを介して、電気回路デバイスに取り外し可能に結合され、これらのボンド・パッドは、電気回路デバイスの外側の構成要素に電気回路デバイスの集積回路部分をワイヤ・ボンディングするために使用される。この電気回路構成は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドと、ボンド・パッドまたは他の適切なデバイス回路との間に結合された制御可能スイッチを含む。この制御可能スイッチは、それをイネーブルしディスエーブルするための少なくとも1つのイネーブル制御入力端を含んでおり、制御可能スイッチがイネーブルされたとき、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドがボンド・パッドまたは他のデバイス回路に電気的に接続され、制御可能スイッチがディスエーブルされたとき、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドがボンド・パッドまたは他のデバイス回路から電気的に分離されるように構成されている。制御回路が、制御可能スイッチと、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドとに結合されており、この制御回路は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに印加されたテスト電圧を検出したときに制御可能スイッチをイネーブルし、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに印加されたテスト電圧を検出しないときに制御可能スイッチをディスエーブルするように動作する。テストした後、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドを、ボンド・パッドまたは他のデバイス回路から切断し、したがって電気回路デバイスから取り外すことができるので、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドは、対応する電気回路デバイスに付加的な寄生効果を与えない。この電気回路構成は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト電圧が印加されたときにそのことを自動的に検出し、その後、印加されたテスト電圧の検出に応答してボンド・パッド延長部のテスト・パッドを接続する。ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに印加されたテスト電圧が取り除かれたとき、この電気回路構成は、関連するボンド・パッドまたは他のデバイス回路からボンド・パッド延長部のテスト・パッドを切断する。
本発明の諸実施形態によるボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成を示す構成図である。 本発明の諸実施形態による、トランスミッション・ゲート・スイッチとスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)制御回路とを含むボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成を示す構成図である。 本発明の諸実施形態による、無線周波数(RF)送受信機で使用されるボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成を示す構成図である。 本発明の諸実施形態による、無線周波数(RF)送信電力の監視に使用するためのボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成を示す構成図である。 本発明の諸実施形態によるボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成を使用して電気回路をテストする方法を示す構成図である。
以下の説明では、図面の説明を通して本発明の理解を深めるために、同じ参照番号は同じ構成要素を示す。また、特定の特徴、構成および配置を本明細書で以下に論じるが、例示のためにそうしたのにすぎないことを理解されたい。当業者であれば、他のステップ、構成および配置は、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく有用であることが分かるであろう。
本発明の諸実施形態は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドを提供することを対象としており、このテスト・パッドは、対応する電気回路をテストするために使用することができるが、その後、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに印加されたテスト電圧が取り除かれると、電気回路から自動的に取り外される。対応する電気回路からボンド・パッド延長部のテスト・パッドが取り外されると、基板ノイズ、基板結合、表皮効果など、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに関連する余分な寄生効果があってもそれが対応する電気回路に付加されることが防止される。例えば、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドは、対応する電気回路に接続されたとき、非常に長い伝送線を介して電気回路に高速無線周波数(RF)のテスト信号を注入するために使用することができ、こうした伝送線は、対応する電気回路からボンド・パッド延長部のテスト・パッドが取り外されたとき、実際の高速RF回路に負荷を与えない。
次に図1を参照すると、本発明の諸実施形態によるボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成10を示す構成図が示されている。ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成10は、電気回路デバイス22内のボンド・パッド12など任意の適当な構成要素を介して電気回路デバイス22に結合することができる。ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成10は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッドすなわちテスト・パッド14と、ボンド・パッド12とボンド・パッド延長部のテスト・パッド14との間に結合された制御可能スイッチ16と、制御可能スイッチ16とボンド・パッド延長部のテスト・パッド14とに結合された制御回路18とを含む。
ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成10は、例えば、ボンド・パッドを含む電気回路デバイス内の内部回路など、電気回路デバイスに関連する任意の適当な回路で有用であることを理解されたい。したがって、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成10を、電気回路デバイスのボンド・パッドに接続し、そのボンド・パッドから切断するために使用することができるだけでなく、電気回路デバイス内の他の内部回路に接続し、その内部回路から切断するためにも使用することができる。したがって、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成10は、電気回路デバイス内の電気的構成要素を内部テストするだけでなく、電気回路デバイス内の電気的構成要素に接続し、その電気的構成要素から切断するのにも有用である。
ボンド・パッド12は、適切な電気回路デバイス22において、1つまたは複数の集積回路(IC)に電気的に結合された任意の適当なボンド・パッドとすることができる。通常、ボンド・パッド12は、電気回路デバイス22の外部の構成要素(図示せず)に電気回路デバイスの集積回路部分をワイヤ・ボンディングするために使用される。
制御可能スイッチ16は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14がボンド・パッド12に電気的に接続されるように、ボンド・パッド12にテスト・パッド14を取り外し可能に結合できる任意の適当なスイッチとすることができる。例えば、制御可能スイッチ16は、図2に示し、以下、本明細書により詳細に論じるようにトランスミッション・ゲートとすることができる。トランスミッション・ゲートとは、1つまたは複数の構成要素を、例えばホット・インサーションまたはホット除去の間、ライブ信号から分離できる電子的素子である。
制御回路18は、本明細書で論じるようにして制御可能スイッチ16を適切に動作させることができる任意の適当な制御回路とすることができる。例えば、制御回路18としては、図2に示し、以下、本明細書により詳細に論じるようにスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)セルおよびその他の制御論理回路が挙げられる。場合によっては、ビルトイン・セルフテスト(BIST)機能によって制御回路18を制御することができる。
以下、本明細書により詳細に論じるように、制御回路18は、制御可能スイッチ16の動作を制御することによって、すなわち、ボンド・パッド12にボンド・パッド延長部のテスト・パッド14を電気的に接続するために制御可能スイッチ16をターンオンすることによって、またボンド・パッド12からボンド・パッド延長部のテスト・パッド14を電気的に切断または電気的に分離するために制御可能スイッチ16をターンオフすることによって、ボンド・パッド12にボンド・パッド延長部のテスト・パッド14を切替え可能に接続する。制御回路18は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14が、例えばテスト・プローブから印加されたテスト電圧またはテスト信号を有するか否かに基づいて、制御可能スイッチ16の動作を制御する。
次に図2を参照すると、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成10が示されており、この構成10では、制御可能スイッチ16はトランスミッション・ゲート24を含み、制御回路18はトランスミッション・ゲート24に結合されたSRAMセル26を含む。制御回路18はまた、例えば付加的な論理回路構成28を介して、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にも結合されている。本発明の諸実施形態によれば、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14は、付加された何らかのリーケージ構成要素(図示せず)を有することができるが、必ずしもそうする必要はない。
SRAMセル26は、図示の通り、複数のトランジスタM1〜M4を含み、トランジスタM2およびM3がそれぞれ抵抗R1およびR2によって互いに直接クロス・カップリングされる。図示の通り、トランジスタM1、トランジスタM2、および抵抗R3を接続することによって、SRAMセル26のデータ線32が形成される。図示の通り、トランジスタM4、トランジスタM3、および抵抗R4を接続することによって、SRAMセル26のデータ・バーまたはデータ相補線34が形成される。データ線32は、電源電圧VCCに結合され(すなわち、「高」につながれる)、データ相補線34はアースに結合される(すなわち、「低」につながれる)。
トランスミッション・ゲート24は、ボンド・パッド12とボンド・パッド延長部のテスト・パッド14との間に結合される。より具体的には、トランスミッション・ゲート24は、結線36を介してボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に結合された入力端と、結線38を介してボンド・パッド12に結合された出力端とを有する。トランスミッション・ゲート24はまた、結線42を介してトランジスタM1とM2の間でSRAMセル26に結合された第1の制御入力端またはイネーブル入力端と、結線44を介してトランジスタM3とM4の間でSRAMセル26に結合された第2の相補制御入力端またはイネーブル入力端とを含む。
トランスミッション・ゲート24は、論理「高」または論理「1」電圧が、第1の制御入力端またはイネーブル入力端に印加され、論理「低」または論理「0」電圧が、第2の相補制御入力端またはイネーブル入力端に印加されたときにターン「オン」する。トランスミッション・ゲート24がターン「オン」したとき、トランスミッション・ゲート入力端はトランスミッション・ゲート出力端に電気的に接続される。したがって、この応用例では、トランスミッション・ゲート24がターン「オン」したとき、結線36を介するボンド・パッド延長部のテスト・パッド14が、結線38を介するボンド・パッド12に電気的に接続されることになる。また、動作の際に、トランスミッション・ゲート24は、論理「低」または論理「0」電圧が、第1の制御入力端またはイネーブル入力端に印加され、論理「高」または論理「1」電圧が、第2の相補制御入力端またはイネーブル入力端に印加されたときにターン「オフ」する。トランスミッション・ゲート24がターン「オフ」したとき、トランスミッション・ゲート入力端がトランスミッション・ゲート出力端から電気的に分離または切断される。したがって、トランスミッション・ゲート24がターン「オフ」したときは、ボンド・パッド12がボンド・パッド延長部のテスト・パッド14から電気的に分離されることになる。
SRAMセル26は、書込み線(W)46を含み、それにボンド・パッド延長部のテスト・パッド14が適切な論理回路構成28を介して結合される。例えば、構成28はNANDゲート29を含み、NANDゲート29は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に結合された第1の入力端と、SRAMセル26のデータ線32に結合された第2の入力端と、インバータ31の入力端に結合された出力端とを含むことができ、インバータ31は、SRAMセル26の書込み線46に結合された出力端を有する。あるいは、論理回路構成28は、D型フリップフロップまたはその他のワンショット型回路を使用した、より複雑な組合せとすることができる。
上記で論じたように、ボンド・パッド12は、通常、外部回路(図示せず)にワイヤ・ボンディングされているか、あるいは後でワイヤ・ボンディングされる従来のボンド・パッドである。ボンド・パッド12および構成10が属する電気回路デバイスの回路のテスト中、テスト・プローブは、ボンド・パッド12ではなくボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に接触する。したがって、どんなテスト中でも、ボンド・パッド12にはどのテスト・プローブも接触せず、したがってボンド・パッド12のボンディング能力は維持される。このようにして、ボンド・パッド12のボンディング能力に悪影響を与えることなく、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14がテスト・プローブによって繰り返し接触(gouge)できる。
動作の際に、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成が属する回路がパワーアップされていないとき、SRAMセル26はアクティブでなく(collapsed)、機能していない。例えばテストの目的で、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成が属する回路に電源電圧VCCが印加されたとき、SRAMセル26、および制御回路18のその他の部分がパワーアップされる。テスト・プロセスのこの段階では、書込み線46はまだ通電されないので、SRAMセル26にはデータが書き込まれない。
テスト・プローブがボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に当てられたとき、SRAMセル26の書込み線46が通電される。SRAMセル26の書込み線46が通電状態になったとき、結線42がトランスミッション・ゲート24の第1の制御入力端またはイネーブル入力端に論理「高」を印加し、結線44がトランスミッション・ゲート24の第2の相補制御入力端またはイネーブル入力端に論理「低」を印加し、それによってトランスミッション・ゲート24がターン「オン」するように、SRAMセル26内に適切な信号がラッチされる。トランスミッション・ゲート24がターン「オン」されたとき、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に印加されたテスト・プローブからのテスト信号が、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14とボンド・パッド12の間で移動することができる。上記で論じたように、ボンド・パッド12がテスト信号を受信中であっても、テスト・プローブはボンド・パッド12に接触しない。
テスト・プローブがボンド・パッド延長部のテスト・パッド14から取り外されると、もはやSRAMセル26の書込み線46は通電されない。したがって、SRAMセル26内で、トランスミッション・ゲート24の第1の制御入力端またはイネーブル入力端への結線42は論理「低」の状態になり、トランスミッション・ゲート24の第2の相補制御入力端またはイネーブル入力端への結線44は論理「高」の状態になり、それによってトランスミッション・ゲート24がターン「オフ」する。上記で論じたように、トランスミッション・ゲート24がターン「オフ」されたとき、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14はボンド・パッド12から電気的に分離される。
ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成10の動作が示すように、電気回路構成およびその電気回路構成が属する電気回路デバイスのテストを、テスト・プローブをボンド・パッド12に接触させずに実行することができる。したがって、ボンド・パッド12は、例えばテスト・プロセス中にテスト・プローブで繰り返し探査しえぐる(gouge)ことによって生じる起こり得る物理的損傷を受けることはなく、したがってボンド・パッド12のボンディング能力が維持される。
図2に示すボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成10は、制御回路18内にSRAMセルを含むが、本発明の諸実施形態に従ってその他の制御回路構成を使用することもできる。例えば、SRAMセル26を使用するのではなく、制御回路18は、上記に記載したようにしてトランスミッション・ゲート24の動作を制御するために、トランスミッション・ゲート24の第1および第2のイネーブル入力端で、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14への印加電圧を感知し、論理「高」および論理「低」を感知するように構成されたNAND論理回路構成を含むことができる。しかし、制御回路18内でSRAMセルを使用すると、SRAMセルの構成が、例えば走査ラインのテスト・ストリームまたはその他のクロック信号とは別の、書込み線制御を含まないので有利になり得る。
次に図3を参照すると、本発明の諸実施形態による、RF送受信機の低雑音増幅器(LNA)の入力端など高速用入力端に対する高速テストを提供するためのボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成50を示す構成図が示されている。構成50は、RF送受信機52のRF入力パッドなど1つまたは複数のボンド・パッド12を含む。構成50はまた、ボンド・パッド12に結合されたトランスミッション・ゲートすなわち制御可能スイッチ16と、制御可能スイッチ16に結合されたボンド・パッド延長部のテスト・パッド14と、制御可能スイッチ16およびボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に結合された制御回路18とを含む。ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14はまた、例えば入力伝送線56を介してRFテスト・ソース54にも結合されている。
RFテスト・ソース54は、RF送受信機52の入力端において低雑音増幅器に高速テスト信号を注入するように構成されている。しかし、低雑音増幅器(図示せず)は一般に、入力負荷の影響を受けやすく、したがって、RFテストがアクティブである間、ボンド・パッド12を擾乱すべきではない。したがって、上記で論じた方式での動作に際しては、RFテスト・ソース54によってボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にテスト信号またはテスト電圧が印加されたことを制御回路18が検出したとき、制御回路18は、制御可能スイッチ16をイネーブルして、RF送受信機52内の低雑音増幅器の入力端に高速テスト信号を注入できるようにする。テストが完了したとき、すなわち、もはやRFテスト・ソース54によってボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にテスト信号が印加されなくなったとき、制御回路18は制御可能スイッチ16をディスエーブルし、それによってRFテスト・ソース54が、伝送線56とともに、RF送受信機52内の低雑音増幅器の入力端から電気的に切断または分離される。
次に図4を参照すると、本発明の諸実施形態による、無線周波数(RF)送信電力監視に使用するための、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成60を示す構成図が示されている。例えば、構成60は、送信器出力段62を介して、図に印刷されたアンテナなどアンテナ64にRF送信器が結合される場合の応用例で使用されるボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成を示す。構成60は、例えば伝送線68を介してボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に結合された出力モニタまたは検出器66を含む。ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14は、やはりボンド・パッド12に結合された制御可能スイッチ16(例えば、トランスミッション・ゲート)に結合される。制御回路18は、前述したようにして制御可能スイッチ16およびボンド・パッド12に結合される。
本明細書の諸実施形態によれば、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に出力モニタ66が当てられたときに、RF送信器出力の一部分を取り出すためのスタブをもたらす。通常、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成によってもたらされるこのようなスタブまたはタップは、送信器出力段62とアンテナ64の間の出力整合ネットワーク72上の比較的低いインピーダンス点に結合される。通常、出力整合ネットワーク72は、伝送線68のインピーダンスと整合するか、あるいはほぼ整合するインピーダンスをもつように構成されている。
動作に際しては、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に出力モニタ66が結合され、出力モニタ66がターンオンまたはパワーアップされたとき、制御回路18は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14を介して出力モニタ66の存在を検出し、その検出に応答して制御可能スイッチ16をイネーブルし、それによってボンド・パッド延長部のテスト・パッド14がボンド・パッド12に電気的に接続される。ボンド・パッド12が出力整合ネットワーク72に結合された状態で、送信器出力段62からの出力電力を出力モニタ66によって測定またはモニタリングすることができる。送信器出力段62がテストされていないとき、例えば出力モニタ66がターンオフまたはパワーダウンしているとき、制御回路18は制御可能スイッチ16をディスエーブルし、それによって送信器出力段62から出力モニタ66および伝送線68が電気的に切断または分離される。そうしないと、RF送信器の送信器出力段62に出力モニタ66および伝送線68が電気的に接続されたままになるので、RF送信器の動作に悪影響を及ぼすことになる。
次に図5を参照すると、本発明の諸実施形態によるボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成を使用して電気回路をテストする方法80を示す構成図が示されている。方法80は、本発明の諸実施形態によるボンド・パッド延長部のテスト・パッド構成、例えば、図1〜図4に示し、上記で説明したように、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14が制御可能スイッチ16を介してボンド・パッド12に結合され、制御回路18がボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に結合され、かつ制御可能スイッチ16に結合される構成を用意するステップ82を含む。方法80はまた、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にテスト信号が印加されたか否かを判別または検出するステップ84も含む。例えば、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14を探査するか、またはこのテスト・パッド14にテスト・プローブを接触させることによって、テスト信号を生成するように構成されたテスト・プローブが、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にテスト信号を印加することができる。本明細書で先に論じたように、このテスト・プローブはボンド・パッド12に接触しない。
方法80はまた、制御可能スイッチ16をイネーブルするステップ86も含む。上記で論じたように、制御回路18は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にテスト信号が印加されたことを制御回路18が検出したごとに応答して制御可能スイッチ16をイネーブルするように構成されている。ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にテスト信号が印加されたことを制御回路18が検出した場合(イエスの場合)、制御回路18は制御可能スイッチ16をイネーブルし、それによってボンド・パッド12にボンド・パッド延長部のテスト・パッド14が電気的に接続される。制御可能スイッチ16をイネーブルするステップ86が実行されると、方法80は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にテスト信号が印加されたか否かを判別または検出するステップ84に戻る。したがって、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にテスト信号が印加されている限り、制御回路18は制御可能スイッチ16をイネーブルし続けることになり、それによって、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14をボンド・パッド12に電気的に結合することが可能になり、ボンド・パッド12、およびボンド・パッド12が属する電気回路にテスト信号を印加することが可能になる。
方法80はまた、制御可能スイッチ16をディスエーブルするステップ88も含む。上記で論じたように、制御回路18は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に印加されたテスト信号を検出しなかった場合に、制御可能スイッチ16をディスエーブルするように構成されている。ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14に印加されたテスト信号を制御回路18が検出しなかった場合(ノーの場合)、制御回路18は制御可能スイッチ16をディスエーブルし、それによってボンド・パッド延長部のテスト・パッド14がボンド・パッド12から電気的に分離または切断される。制御可能スイッチ16をディスエーブルするステップ88が実行されると、方法80は、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にテスト信号が印加されたか否かを判別または検出するステップ84に戻る。したがって、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14にテスト信号が印加されていない限り、制御回路18は制御可能スイッチ16をディスエーブルされたままにすることになり、それによって、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14がボンド・パッド12から電気的に分離されたままになる。
上記で論じたように、ボンド・パッド12ではなくボンド・パッド延長部のテスト・パッド14をテスト・プローブで探査することによって、テスト・プローブをボンド・パッド12に接触させずに、ボンド・パッド12が属する電気回路をテストすることができ、それによって物理的な完全性が維持され、ボンド・パッド12のボンディング能力が維持される。また、ボンド・パッド12が属する電気回路がテストされていないときに、ボンド・パッド延長部のテスト・パッド14(および制御回路18)をボンド・パッド12から電気的に分離されたままにすることによって、普通ならボンド・パッド延長部のテスト・パッド14が与える可能性がある付加的な寄生効果が、ボンド・パッド12が属する電気回路に付加されることはない。
添付の特許請求の範囲およびその等価物の全範囲によって定義される本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、本明細書に記載された本発明の諸実施形態に多くの変更および置換を加えることができることが当業者には明らかになるであろう。

Claims (10)

  1. 電気回路デバイス内の少なくとも1つの構成要素(13)を電気的に分離するための電気回路構成(10)であって、前記電気回路デバイスは前記少なくとも1つの構成要素へ結合したボンド・パッド(12)を有し、
    前記電気回路デバイス外のボンド・パッド延長部のテスト・パッド(14)と、
    前記電気回路デバイス外であって、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに結合され制御可能スイッチ(16)と、前記制御可能スイッチは前記電気回路デバイス内のボンド・パッドへボンド・パッド延長部のテスト・パッドを結合するように構成され、前記制御可能スイッチはそれをイネーブルしディスエーブルするための少なくとも1つのイネーブル制御入力端を含んでおり、前記制御可能スイッチがイネーブルされたとき、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドが前記ボンド・パッドを介して前記少なくとも1つの構成要素に電気的に接続され、ディスエーブルされたとき、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドが前記少なくとも1つの構成要素から電気的に分離されるように構成され、
    前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに結合され、前記制御可能スイッチの前記イネーブル制御入力端に結合された、前記電気回路デバイス外の制御回路(18)とを備え、
    前記制御回路が、
    前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト電圧が印加されたとき、前記制御可能スイッチをイネーブルし、
    前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト電圧が印加されていないとき、前記制御可能スイッチをディスエーブルするように構成されている
    電気回路構成。
  2. 前記制御回路が、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに結合された書込み線を含んでおり、前記制御回路が、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト電圧が印加されたとき、前記制御回路の前記書込み線の入力端が前記制御回路に前記制御可能スイッチをイネーブルさせ、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト電圧が印加されていないとき、前記制御回路の前記書込み線の入力端が前記制御回路に前記制御可能スイッチをディスエーブルさせるように構成されている、請求項1に記載の構成。
  3. 前記制御可能スイッチが、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに結合された入力端と、前記少なくとも1つの構成要素に結合するように構成されている出力端と、第1のイネーブル制御入力端と、第2のイネーブル制御入力端とを含み、
    前記制御回路が、前記制御可能スイッチの前記第1のイネーブル制御入力端に結合された第1の制御線と、前記制御可能スイッチの前記第2のイネーブル制御入力端に結合された第2の制御線と、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに結合された書込み線とを含み、
    前記制御回路が、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト電圧が印加されたとき、前記制御可能スイッチがイネーブルされるように、前記第1の制御線を介して前記第1のイネーブル制御入力端に、また前記第2の制御線を介して前記第2のイネーブル制御入力端に制御入力信号を印加するように構成されており、
    前記制御回路が、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト電圧が印加されていないとき、前記制御可能スイッチがディスエーブルされるように、前記第1の制御線を介して前記第1のイネーブル制御入力端に、また前記第2の制御線を介して前記第2のイネーブル制御入力端に制御入力信号を印加するように構成されている、請求項1に記載の構成。
  4. 前記少なくとも1つの構成要素がボンド・パッドである、請求項1に記載の構成。
  5. 前記制御可能スイッチがトランスミッション・ゲートである、請求項1に記載の構成。
  6. 前記制御回路がスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)セルを含む、請求項1に記載の構成。
  7. 前記制御可能スイッチが第1のイネーブル制御入力端と第2のイネーブル制御入力端とを含み、前記制御回路がスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)セルを含み、前記SRAMセルが、
    前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに結合された第1のトランジスタと、
    前記第1のトランジスタに結合された第2のトランジスタと、
    前記第2のトランジスタにクロス・カップリングされた第3のトランジスタと、
    前記第3のトランジスタに結合され、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに結合された第4のトランジスタと、
    前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタの間に結合された第1の端部、および前記制御可能スイッチの前記第1のイネーブル制御入力端に結合された第2の端部を有する第1の制御線と、
    前記第3のトランジスタと前記第4のトランジスタの間に結合された第1の端部、および前記制御可能スイッチの前記第2のイネーブル制御入力端に結合された第2の端部を有する第2の制御線とを含んでおり、
    前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト電圧が印加されたとき、前記SRAMセルが、前記制御可能スイッチがイネーブルされるように、前記第1および第2の制御線を介して前記制御可能スイッチに制御入力信号を印加し、
    前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト電圧が印加されていないとき、前記SRAMセルが、前記制御可能スイッチがディスエーブルされるように、前記第1および第2の制御線を介して前記制御可能スイッチに制御入力信号を印加する、請求項1に記載の構成。
  8. 前記少なくとも1つの構成要素が無線周波数(RF)送受信機の入力端ボンド・パッドをさらに備え、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドがRFテスト・ソースに結合されており、前記RFテスト・ソースが前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト信号を印加したとき、前記制御回路が前記制御可能スイッチをイネーブルしてRFテスト信号を前記RF送受信機の入力端ボンド・パッドに印加できるようにし、前記RFテスト・ソースが前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドにテスト信号を印加しないとき、前記制御回路が前記制御可能スイッチをディスエーブルして前記RF送受信機の入力端ボンド・パッドから前記RFテスト・ソースを電気的に分離する、請求項1に記載の構成。
  9. 前記少なくとも1つの構成要素が、無線周波数(RF)送受信機の出力段に結合されたボンド・パッドであり、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドがスタブを介してRF出力検出器に結合されており、前記RF出力検出器がパワーアップされたとき、前記制御回路が、前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに結合された前記RF出力検出器の存在を検出し、前記存在の検出に応答して前記制御可能スイッチをイネーブルして、前記RF出力検出器が前記RF送受信機の出力段によって生成される出力の一部分を取り出すことができるようにし、前記RF出力検出器がパワーアップされていないとき、前記制御回路が前記制御可能スイッチをディスエーブルして、前記RF送受信機の出力段から前記RF出力検出器を電気的に分離する、請求項1に記載の構成。
  10. 前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドが論理回路構成を介して前記書込み線の入力端に結合されており、前記論理回路構成が、
    前記ボンド・パッド延長部のテスト・パッドに結合された入力端を有し、出力端を有するNANDゲートと、
    前記NANDゲートの前記出力端に結合された入力端と、前記書込み線の入力端に結合された出力端とを有するインバータとを含む、請求項に記載の構成。
JP2009234710A 2009-05-11 2009-10-09 電気回路デバイス内の少なくとも1つの構成要素を電気的に分離するための電気回路構成 Expired - Fee Related JP5676868B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/463,718 2009-05-11
US12/463,718 US7724023B1 (en) 2009-05-11 2009-05-11 Circuit apparatus including removable bond pad extension

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010261931A JP2010261931A (ja) 2010-11-18
JP5676868B2 true JP5676868B2 (ja) 2015-02-25

Family

ID=42184277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009234710A Expired - Fee Related JP5676868B2 (ja) 2009-05-11 2009-10-09 電気回路デバイス内の少なくとも1つの構成要素を電気的に分離するための電気回路構成

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7724023B1 (ja)
EP (1) EP2251703B1 (ja)
JP (1) JP5676868B2 (ja)
KR (1) KR101420174B1 (ja)
CN (1) CN101887089A (ja)
AT (1) ATE543102T1 (ja)
SG (1) SG166712A1 (ja)
TW (1) TWI401440B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI498574B (zh) * 2011-05-05 2015-09-01 Mstar Semiconductor Inc 積體電路晶片及其測試方法
US9846192B2 (en) * 2015-02-25 2017-12-19 Nxp B.V. Switched probe contact
US10529438B2 (en) * 2018-04-17 2020-01-07 Nanya Technology Corporation DRAM and method of designing the same
EP3742486A1 (en) 2019-05-21 2020-11-25 Infineon Technologies AG Circuit including configuration terminal and method
US11295995B2 (en) * 2019-09-17 2022-04-05 International Business Machines Corporation Testing SRAM structures

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59174769A (ja) * 1983-03-25 1984-10-03 Hitachi Ltd コントロ−ルセンタの自動試験装置
JPS63178538A (ja) * 1987-01-20 1988-07-22 Nec Corp 半導体集積回路装置
DE4233765A1 (de) * 1992-09-23 1994-03-24 Abb Metrawatt Gmbh Elektrisches Meß- und Prüfgerät zur Erfassung von Prüfdaten entsprechend einem Prüfprotokoll, insbesondere nach DIN VDE 0100 und DIN VDE 0701
WO1995023341A1 (en) * 1994-02-23 1995-08-31 Everett Charles Technologies, Inc. Translator fixture with module for expanding test points
US5783868A (en) 1996-09-20 1998-07-21 Integrated Device Technology, Inc. Extended bond pads with a plurality of perforations
KR100305032B1 (ko) * 1999-06-22 2001-11-01 윤종용 반도체 메모리 장치
DE10029835C1 (de) * 2000-06-16 2001-10-25 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung mit Testbetrieb und Testanordnung zum Testen einer integrierten Schaltung
TW498476B (en) * 2001-08-30 2002-08-11 Macronix Int Co Ltd Synchronization test method and circuit for the segment of memory
JP3963259B2 (ja) 2002-03-15 2007-08-22 スパンション インク 半導体装置
JP2004061299A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP4913329B2 (ja) * 2004-02-09 2012-04-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8045353B2 (en) 2005-12-30 2011-10-25 Stmicroelectronics Pvt. Ltd. Integrated circuit capable of operating at different supply voltages
JP4751766B2 (ja) 2006-05-18 2011-08-17 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
JP4958653B2 (ja) * 2007-06-21 2012-06-20 三菱電機株式会社 インバータ試験装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101887089A (zh) 2010-11-17
EP2251703B1 (en) 2012-01-25
KR101420174B1 (ko) 2014-07-17
JP2010261931A (ja) 2010-11-18
KR20100122042A (ko) 2010-11-19
SG166712A1 (en) 2010-12-29
US7724023B1 (en) 2010-05-25
ATE543102T1 (de) 2012-02-15
EP2251703A1 (en) 2010-11-17
TWI401440B (zh) 2013-07-11
TW201040542A (en) 2010-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5676868B2 (ja) 電気回路デバイス内の少なくとも1つの構成要素を電気的に分離するための電気回路構成
US8847221B2 (en) Stacked semiconductor device and method of testing the same
US7990163B2 (en) Systems and methods for defect testing of externally accessible integrated circuit interconnects
US8779790B2 (en) Probing structure for evaluation of slow slew-rate square wave signals in low power circuits
CN103135048B (zh) 驱动装置的测试方法及电路测试接口
US11353494B2 (en) High-side gate over-voltage stress testing
JP2011196813A (ja) 半導体集積回路のテスト方法、および、テストシステム
US7245140B2 (en) Parameter measurement of semiconductor device from pin with on die termination circuit
US6714038B2 (en) Apparatus for controlling input termination of semiconductor memory device and method for the same
US10283213B2 (en) Semiconductor device for detecting a poor contact of a power pad
US7701789B2 (en) Semiconductor device
US20090224779A1 (en) Chip test apparatus and probe card circuit
US7944285B1 (en) Method and apparatus to detect manufacturing faults in power switches
WO2009144948A1 (ja) 試験用ユニットおよび試験システム
US7443180B2 (en) On-chip probing apparatus
US20090212812A1 (en) Multi-chip package semiconductor device and method of detecting a failure thereof
KR101143398B1 (ko) 반도체 집적회로
US8209571B2 (en) Valid-transmission verifying circuit and a semiconductor device including the same
CN111161788A (zh) 一种存储器的老炼测试装置
KR100806141B1 (ko) 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법
JP2001358298A (ja) 半導体集積回路装置
JP2001168157A (ja) 半導体装置およびその検査方法および半導体チップ
JP2000114337A (ja) 半導体集積回路及びその特性チェック方法
KR19990010764A (ko) 오픈/쇼트 불량 체크 회로를 포함하는 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120710

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120927

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130702

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131002

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131007

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131225

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20140813

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20140821

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20140821

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141007

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141028

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5676868

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees