JP5667260B1 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
40:電流設定回路
50、60、70:カレントミラー回路
80:エミュレート用トランジスタ
90:レールツーレールアンプ
100:フラッシュメモリ
110:メモリアレイ
120:入出力バッファ
130:アドレスレジスタ
140:データレジスタ
150:コントローラ
160:ワード線選択回路
170:ページバッファ/センス回路
180:列選択回路
182:周辺回路
190:内部電圧発生回路
200:クランプ電圧生成回路
210:定電圧出力回路(レギュレータ)
220:エミュレート用トランジスタ
230:第2の電流設定回路
BL:ビット線
SL:共通ソース線
TD:ビット線選択トランジスタ
TS:ソース線選択トランジスタ
SGD、SGS:選択ゲート線
Claims (11)
- ビット線のセンスノードに結合された電荷転送トランジスタにクランプ電圧を提供するクランプ電圧生成回路を備えた半導体記憶装置であって、
前記クランプ電圧生成回路は、
ドレインが第1の電位に結合され、ソースがノードに結合され、クランプ電圧がゲートに結合されたトランジスタと、
前記ノードと第2の電位との間に接続され、前記ノードから第2の電位に流れる電流を設定する電流設定手段と、
前記ノードからフィードバックされた電圧と基準電圧とを入力し、前記フィードバックされた電圧が前記基準電圧に一致するように前記クランプ電圧の出力を制御する定電圧出力手段と、
を有する半導体記憶装置。 - 前記電流設定手段は、前記トランジスタのドレイン電流を設定する、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記電流設定手段は、並列に接続された複数の電流設定用トランジスタと、前記複数の電流設定用トランジスタにそれぞれ直列に接続される電流源とを含み、前記電流設定手段は、前記複数の電流設定用トランジスタの中から選択された電流設定用トランジスタをオンすることで電流を設定する、請求項1または2に記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置はさらに、ビット線の電流を複製した複製データを予め記憶し、前記電流設定手段は、前記複製データに基づき電流を設定する、請求項1ないし3いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記複製データは、半導体チップ毎にフューズレジスタに記憶される、請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 前記電流設定手段は、前記複製データに基づきオンされる電流設定用トランジスタを選択する、請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記電流設定手段は、前記電荷転送トランジスタを介してビット線をプリチャージする開始する一定期間に、相対的に大きなドレイン電流を設定し、当該開始期間終了後に前記電荷転送トランジスタのドレイン電流をエミュレートする電流を設定する、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記相対的に大きなドレイン電流は、予めメモリに記憶される、請求項7に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1の電位は、前記センスノードに供給される電位に等しく、前記トランジスタのドレイン電流は、前記電荷転送トランジスタのドレイン電流に等しい、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記定電圧出力手段は、非反転入力端子に前記基準電圧を入力し、反転入力端子に前記フィードバックされた電圧を入力し、前記クランプ電圧を出力するレギュレータを含む、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記定電圧出力手段は、選択された電流値に基づき前記基準電圧を生成するカレントミラー回路とを含み、前記カレントミラー回路は、前記第1の電位よりも大きい第3の電位に結合される、請求項1に記載の半導体記憶装置。
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