JP5664157B2 - シリコンノズル基板及びその製造方法 - Google Patents
シリコンノズル基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5664157B2 JP5664157B2 JP2010255586A JP2010255586A JP5664157B2 JP 5664157 B2 JP5664157 B2 JP 5664157B2 JP 2010255586 A JP2010255586 A JP 2010255586A JP 2010255586 A JP2010255586 A JP 2010255586A JP 5664157 B2 JP5664157 B2 JP 5664157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- water
- substrate
- film
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 208
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 145
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 145
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 145
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 109
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 81
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 36
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 14
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010255586A JP5664157B2 (ja) | 2010-11-16 | 2010-11-16 | シリコンノズル基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010255586A JP5664157B2 (ja) | 2010-11-16 | 2010-11-16 | シリコンノズル基板及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012106364A JP2012106364A (ja) | 2012-06-07 |
JP2012106364A5 JP2012106364A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2013-11-28 |
JP5664157B2 true JP5664157B2 (ja) | 2015-02-04 |
Family
ID=46492553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010255586A Active JP5664157B2 (ja) | 2010-11-16 | 2010-11-16 | シリコンノズル基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5664157B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109664617A (zh) * | 2017-10-13 | 2019-04-23 | 佳能株式会社 | 穿孔基板处理方法和液体喷射头制造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6899211B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2021-07-07 | ローム株式会社 | ノズル基板、インクジェットプリントヘッドおよびノズル基板の製造方法 |
JP2022049855A (ja) | 2020-09-17 | 2022-03-30 | 株式会社リコー | 液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット及び液体を吐出する装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1016240A (ja) * | 1996-07-08 | 1998-01-20 | Ricoh Co Ltd | インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置 |
JP3785852B2 (ja) * | 1999-05-20 | 2006-06-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法 |
JP2004034331A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Konica Minolta Holdings Inc | インクジェットヘッド |
JP4200484B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2008-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | ノズルプレートの撥液膜形成方法及びノズルプレート並びにインクジェットプリンタヘッド |
JP4957896B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2012-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | ノズル形成部材の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法並びに液体噴射ヘッドユニットの製造方法 |
JP5187486B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2013-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドユニットの製造方法 |
JP5315975B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2013-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | ノズル基板、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置並びにこれらの製造方法 |
JP5287447B2 (ja) * | 2009-04-09 | 2013-09-11 | セイコーエプソン株式会社 | ノズル基板、及びそれを備えた液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置 |
-
2010
- 2010-11-16 JP JP2010255586A patent/JP5664157B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109664617A (zh) * | 2017-10-13 | 2019-04-23 | 佳能株式会社 | 穿孔基板处理方法和液体喷射头制造方法 |
CN109664617B (zh) * | 2017-10-13 | 2021-04-20 | 佳能株式会社 | 穿孔基板处理方法和液体喷射头制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012106364A (ja) | 2012-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5145985B2 (ja) | ノズル基板及びノズル基板の製造方法 | |
JP5728795B2 (ja) | ノズルプレートの製造方法、及び、液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
CN105398220B (zh) | 液体喷出装置的制造方法和液体喷出装置 | |
JP2011121218A (ja) | ノズルプレート、吐出ヘッド及びそれらの製造方法並びに吐出装置 | |
US7997697B2 (en) | Droplet discharge head, droplet discharge device, method for manufacturing droplet discharge head and method for manufacturing droplet discharge device | |
JP5218164B2 (ja) | ノズル基板の製造方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
JP5315975B2 (ja) | ノズル基板、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置並びにこれらの製造方法 | |
JP4321574B2 (ja) | ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 | |
JP5664157B2 (ja) | シリコンノズル基板及びその製造方法 | |
JP4983361B2 (ja) | ノズル基板の製造方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2011037053A (ja) | ノズルプレートの製造方法 | |
JP4678298B2 (ja) | ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法及びデバイスの製造方法 | |
JP2012213967A (ja) | 液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP2012096499A (ja) | シリコンノズルプレートの製造方法 | |
JP2010142991A (ja) | ノズル基板、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置並びにこれらの製造方法 | |
JP2009178948A (ja) | ノズル基板、ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
JP2009073072A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 | |
JP2010149375A (ja) | ノズル基板の製造方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法 | |
JP5648262B2 (ja) | シリコン製ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、及び液滴吐出装置の製造方法 | |
JP2010214923A (ja) | ノズル基板の製造方法、その製造方法で製造されたノズル基板、液滴吐出ヘッドの製造方法、その製造方法で製造された液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 | |
JP2012126070A (ja) | シリコンノズル基板及びシリコンノズル基板の製造方法 | |
JP2007320254A (ja) | ノズルプレートの製造方法、ノズルプレート、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置の製造方法及び液滴吐出装置 | |
JP2007245588A (ja) | デバイス用基板の製造方法 | |
JP2011178145A (ja) | シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP5929276B2 (ja) | ノズルプレートの製造方法、および液滴吐出ヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131011 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131011 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5664157 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |