JP5651434B2 - スパッタリング用ターゲット材料の検査方法及びスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Description
切り出された上記サンプル片は、水素化処理される。
水素化処理された上記サンプル片の内部欠陥が検査される。
上記金属インゴットからサンプル片が切り出される。
切り出された上記サンプル片は、水素化処理される。
水素化処理された上記サンプル片の内部欠陥が検査される。
切り出された上記サンプル片は、水素化処理される。
水素化処理された上記サンプル片の内部欠陥が検査される。
これにより、スパッタリング時の異常放電を低減し、高品質の薄膜を安定して成膜することができる。
上記金属インゴットからサンプル片が切り出される。
切り出された上記サンプル片は、水素化処理される。
水素化処理された上記サンプル片の内部欠陥が検査される。
Claims (6)
- スパッタリング用ターゲット材料の金属インゴットからサンプル片を切り出し、
切り出された前記サンプル片を水素化処理し、
水素化処理された前記サンプル片の内部欠陥を検査する
スパッタリング用ターゲット材料の検査方法であって、
前記内部欠陥を検査する工程は、前記サンプル片に含まれる介在物の大きさが0.2mmφ未満であり、かつ、0.001mmφ以上の前記介在物の平均個数が250個/cm 2 以下の場合に前記金属インゴットを良品と判定する
スパッタリング用ターゲット材料の検査方法。 - 請求項1に記載のスパッタリング用ターゲット材料の検査方法であって、
前記金属インゴットは、アルミニウム、銅、鉄またはこれらの合金で形成される
スパッタリング用ターゲット材料の検査方法。 - スパッタリング用ターゲット材料の金属インゴットを作製し、
前記金属インゴットからサンプル片を切り出し、
切り出された前記サンプル片を水素化処理し、
水素化処理された前記サンプル片の内部欠陥を検査する
スパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記内部欠陥を検査する工程は、前記サンプル片に含まれる介在物の大きさが0.2mmφ未満であり、かつ、0.001mmφ以上の前記介在物の平均個数が250個/cm 2 以下の場合に前記金属インゴットを良品と判定する
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項3に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記金属インゴットを作製する工程は、前記金属インゴットを鍛造する工程を含み、
前記サンプル片は、鍛造された前記金属インゴットから切り出される
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項3に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記金属インゴットを作製する工程は、前記金属インゴットを熱処理する工程を含み、
前記サンプル片は、熱処理された前記金属インゴットから切り出される
スパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項3に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記金属インゴットは、アルミニウム、銅、鉄またはこれらの合金で形成される
スパッタリングターゲットの製造方法。
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