JP5645386B2 - 電磁場印加装置 - Google Patents
電磁場印加装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5645386B2 JP5645386B2 JP2009225864A JP2009225864A JP5645386B2 JP 5645386 B2 JP5645386 B2 JP 5645386B2 JP 2009225864 A JP2009225864 A JP 2009225864A JP 2009225864 A JP2009225864 A JP 2009225864A JP 5645386 B2 JP5645386 B2 JP 5645386B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- optical axis
- magnetic field
- electric field
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2002—Controlling environment of sample
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/206—Modifying objects while observing
Description
具体的には、試料への印加磁場の領域中への電場領域の導入による振り戻し偏向系の構成、もしくは試料への印加電場の領域中への磁場領域の導入による振り戻し偏向系の構成により、磁場と電場の混在領域を作り出し、それぞれの磁場/電場において荷電粒子線の偏向を制御するようにする。
まずはじめに、図1、2を用いて荷電粒子の偏向の様子について説明する。
ここで、Eは印加電場、V1は静電偏向系への印加電圧、dは平行平板電極間距離、lEは電場領域の幅である。
<実施例1>
図5に本発明を実施する最も簡単な構造の模式図を示す。互いに直交する磁場と電場とを光軸に垂直な面内で印加する方式である。磁場によるローレンツ力は荷電粒子線に対して磁場の方向と直交する方向に作用するため、コイルペアと平行平板電極は、空間的に干渉しない位置に配置することが可能となる。
<実施例2>
図8に本発明の第2の実施例の模式図を示す。図5に示した第1の実施例と同様の構造であるが、磁場、電場ともにX軸方向、Y軸方向のどちらにもコイルペア(40X、40Y)と平行平板電極(50X、50Y)が配置されており、試料3の位置するXY平面内の任意の方向に電磁場を印加可能である。本実施例では、平行平板電極(50X、50Y)をコイルペア(40X、40Y)の内側に配置しているが、(数5)により、高速の荷電粒子線では、電場による偏向効果は磁場による偏向の効果よりも相対的に弱いため、荷電粒子線の軌道に近い位置で電圧を印加することによって、実効的により強い電場を作り出し、電場による偏向の効果を高めるための配置である。X軸方向の磁場とY軸方向の磁場とが合成された磁場の方向と、同様にX軸方向の電場とY軸方向の電場とが合成された電場の方向とが直交し、(数5)を満足する場合、荷電粒子線は偏向を全く受けずに光軸2と平行に試料3を透過する。
<実施例3>
図9に本発明の第3の実施例の模式図を示す。第2の実施例の図8に、光軸2を磁軸とするコイルペア40Zが付加され、試料3に対してZ軸方向への磁場印加が可能となった構造である。光軸2と平行な磁場は、電磁レンズと同様に荷電粒子線を大きく偏向することはないため、これを補正する機構は必要としない。Z軸方向への印加磁場を発生させるコイルペア40Zは、空芯でない場合にも、光軸2の部分に荷電粒子線を透過させるための孔が必要となる。
<実施例4>
図10に本発明の第4の実施例の模式図を示す。第2の実施例の図8に、光軸2と平行なZ方向の電場を印加するための平行平板電極50Zが付加された構造である。光軸2と平行な電場は荷電粒子線を大きく偏向することはないため、これを補正する機構は必要としない。Z軸方向への印加電場を発生させる平行平板電極50Zは、光軸2の部分に荷電粒子線を透過させるための孔が必要となる。
<実施例5>
図は省略するが、Z軸方向に磁場と電場の両方を印加する機構も可能である。実施例3の図9に描かれたZ軸方向への磁場を発生させるコイルペア40Zと、実施例4の図10に描かれたZ軸方向への電場を発生させる平行平板電極50ZとをX、Y軸方向のコイルペア(40X、40Y)と平行平板電極(50X、50Y)と同様に光軸の方向に重ねて配置すればよい。このとき、Z軸方向のコイルペア40Zと平行平板電極50Zには、光軸2の部分に荷電粒子線を透過させるための孔が必要となる。
<実施例6>
図11に本発明の第6の実施例の模式図を示す。試料3を含む空間領域のY軸方向にコイルペア40Yにより磁場が印加され、その磁場領域中の試料3より上方と下方の2箇所にX軸方向に電場が印加される様に平行平板電極(52X、53X)が配置された構成となっている。この2箇所の平行平板電極(52X、53X)に十分に強い電場が印加されると、電場の印加領域においては、荷電粒子線が印加磁場から受ける偏向作用と逆の方向にまで偏向させることが可能となる。このとき、Y軸方向への印加磁場の領域がZ軸方向に十分に広がっていると、X軸方向の電場領域の上側、および下側にもY軸方向の磁場の印加領域が残り、結果として荷電粒子線は、電磁場印加装置の上から順に、磁場による光軸2から離れる方向への偏向、電場による光軸方向への振り戻し偏向、試料への印加磁場(光軸から離れる方向への偏向)、電場による光軸方向への振り戻し偏向、そして磁場による光軸に沿う方向への偏向、と都合5段の偏向作用を受ける。
(数8)、(数9)、(数10)を条件、(数6)、(数7)に代入すると、図4中の(数11)を得る。
(数11)を磁場と電場の関係に注目して整理すると、図4中の(数12)を得る。
例えば、図13に描かれているごとく、電場領域の幅が磁場領域の幅の1/2の場合(lE=1/2lB)、ウィーン条件と比較すると4倍大きな電場が必要であることを示している。これは、図6と図13の比較において、平行平板電極40の光軸2の方向の大きさが1/2であることと、電場による荷電粒子線25の偏向が磁場による作用に打ち勝って、ちょうど2倍の偏向角度を与えなければならないことを示している。
<実施例7>
図16に本発明の第7の実施例の模式図を示す。図12に示した第6の実施例と同様の構造であるが、磁場、電場ともにX軸方向、Y軸方向のどちらにもコイルペア(40X、40Y)とX軸方向、Y軸方向のどちらにも2組の平行平板電極((52X、53X)と(52Y、53Y))が配置されている。これらの平行平板電極((52X、53X)と(52Y、53Y))に十分に強い電場が印加されると、磁場とは逆の方向に偏向させることが可能となり、結果的に5段の偏向作用が実現できる。X軸方向とY軸方向の磁場、電場を調整することにより、光軸2に垂直な面内の任意の方向に、所定の磁場/電場を印加可能である。
図17に本発明の第8の実施例の模式図を示す。第7の実施例の図16に、光軸2を磁軸とするコイルペア40Zが付加され、試料3に対してZ軸方向への磁場印加が可能となった構造である。光軸2と平行な磁場は、電磁レンズと同様に荷電粒子線を大きく偏向することはないため、これを補正する機構は必要としない。Z軸方向への印加磁場を発生させるコイルペア40Zは、空芯でない場合にも、光軸2の部分に荷電粒子線を透過させるための孔が必要となる。
<実施例9>
図18に本発明の第9の実施例の模式図を示す。試料3を含む空間領域のY軸方向にコイルペア40Yにより磁場が印加され、その磁場領域中の試料3の上下4箇所に平行平板電極(51X、52X、53X、54X)が配置されX軸方向に電場が印加される構成となっている。試料3への磁場印加と独立して上下4段の偏向系を調整可能であるため、実施例6の図11よりも荷電粒子線への制御性は向上する。試料の直上の平行平板電極(52X、52Y)と直下の平行平板電極(53X、53Y)には、荷電粒子線が印加磁場から受ける偏向作用が相殺される以上の十分に強い電場が印加されなければならない点は、実施例6と同様である。但し、装置の最上部の平行平板電極(51X、51Y)と最下部の平行平板電極(54X、54Y)では、荷電粒子線の電場による偏向方向と磁場による偏向方向が一致するため、平行平板電極((51X、51Y)と(54X、54Y))は相対的に弱い電場の発生で所定の偏向を達成できる。
<実施例10>
図20に本発明の第10の実施例の模式図を示す。実施例9の図18と同様の試料3の上下の各2段の偏向を電場にて行う平行平板電極(52X、53X)の配置となっているが、加えて試料3への印加磁場が各平行平板電極(52X、53X)へ浸漬すること防ぎ、電場による偏向の効果を高めるため、各平行平板電極(52X、53X)の光軸2より外側に磁気シールド(71、72)を設けている。これにより、試料3への印加磁場とまったく独立に、試料3より上下の偏向系(平行平板電極(52X、53X))の操作が可能となる。
<実施例11>
図22は、試料の直上の平行平板電極52と直下の平行平板電極53のみに磁気シールド(71、72)を設置した実施例11での、磁場/電場と荷電粒子線の軌道25を説明するための簡略図である。試料の直上の平行平板電極52と直下の平行平板電極53では、磁場の影響が排除されるため、実施例9と比較して弱い印加電場で所定の偏向効果を得ることが可能である。さらに、装置の最上部の平行平板電極51と最下部の平行平板電極54では、試料3へのコイルペア40による印加磁場による偏向効果も利用可能であるため、置の最上部の平行平板電極51と最下部の平行平板電極54では相対的に弱い電場の発生で所定の偏向を達成できる。
<実施例12>
図23に本発明の第12の実施例の模式図を示す。図12のコイルペアと平行平板電極の位置関係を入れ替えた構成図である。試料3を含む空間領域のX軸方向に平行平板電極50Xにより電場が印加され、その電場領域中の試料3の上下2箇所にY軸と平行な磁軸をもつコイルペア(42Y、43Y)が配置され、Y軸方向に磁場が印加される構成となっている。この2箇所のコイルペア(42Y、43Y)に十分に強い磁場が印加されると、磁場の印加領域においては、荷電粒子線が平行平板電極50Xによる印加磁場から受ける偏向作用と逆の方向にまで偏向させることが可能となる。このとき、X軸方向への印加電場の領域がZ軸方向に十分に広がっていると、Y軸方向の磁場領域の上側、および下側にもX軸方向の電場の印加領域が残り、結果として荷電粒子線は、電磁場印加装置の上から順に、電場による光軸2から離れる方向への偏向、磁場による光軸2の方向への振り戻し偏向、試料3への印加電場(光軸2から離れる方向への偏向)、磁場による光軸2の方向への振り戻し偏向、そして電場による光軸2に沿う方向への偏向、と都合5段の偏向作用を受ける。
<実施例13>
図25に本発明の第13の実施例の模式図を示す。図16のコイルペアと平行平板電極の位置関係を入れ替えた構成図である。試料3を含む空間領域のX軸方向に平行平板電極50X、Y軸方向に平行平板電極50Yにより電場が印加され、その電場領域中の試料3の上下2箇所にX軸、Y軸とそれぞれ平行な磁軸をもつコイルペア((42X、43X)と(42Y、43Y)が配置される構成となっている。図16と異なる点は、平行平板電極(50X、50Y)の内側(光軸側)にコイルペア((42X、43X)と(42X、42Y))が配置される点である。コイルを構成するコイルボビンや巻きつけられる線材は、一般的には金属材料であり、平行平板電極の内側にコイルペアが配置された場合、コイル自身に平行平板電極の発生させる電場をシールドする効果がある。すなわち、この配置を取るだけで、実施例10での磁場印加装置に付加した磁気シールドと同様の作用として、荷電粒子線に対する電場シールドの効果が期待される。
<実施例14>
図27に本発明の第14の実施例の模式図を示す。図19に示した第9の実施例の場合と、磁場と電場の関係が逆になった平行平板電極50をコイルペア(41、42、43、44)の内側(光軸2の側)に配置する例を示している。すなわち、試料3の上側に2段の磁場による偏向系(コイルペア(41、42))と下側にも2段の磁場による偏向系(コイルペア(43、44))とが設けられ、5段の偏向作用を実現する構成である。金属製のコイル自身による電場シールドの効果が期待できる点は、第13の実施例と同様である。
<実施例15>
図28に本発明の第15の実施例の模式図を示す。図27に示した第14の実施例と同様に、試料3の上側に2段の磁場による偏向系(コイルペア(41、42))と下側にも2段の磁場による偏向系(コイルペア(43、44))とが設けられ、5段の偏向作用を実現する構成であるが、試料位置の上下の偏向系に電場が作用する必要がないため、平行平板電極50を小さくし、電場の印加領域を試料位置近傍に制限した例である。
Claims (16)
- 荷電粒子線装置において、荷電粒子線の光軸上に試料が配置され、該光軸と垂直を成す該試料の位置する平面を含む所定の領域において、所定の方向に磁場を印加するとともに、該磁場の印加された領域の少なくとも1箇所の領域において、電場を印加し、
前記光軸に沿って流れる荷電粒子線の伝播方向が、前記試料よりも荷電粒子線の上流側で前記光軸から離れる方向に偏向された後、前記光軸方向に偏向され、前記試料の配する位置で前記光軸上に戻るとともに前記光軸から離れる方向に偏向され、前記試料よりも荷電粒子線の下流側で前記光軸方向に偏向された後、前記光軸上で光軸に沿って流れる方向に偏向される
ことを特徴とする被観察試料もしくは被加工試料への電磁場印加装置。 - 前記磁場の印加方向と前記電場の印加方向とが前記試料の位置する平面にそれぞれ平行であるとともに、前記磁場と前記電場の印加方向が直交する
ことを特徴とする請求項1に記載の電磁場印加装置。 - 前記印加磁場が前記試料の位置する平面内の前記試料の両側で、かつ前記光軸に対向して配置された磁軸を同じくする、少なくとも2つのコイルにより構成された、少なくとも1組のコイルペアにより発生させられるものである
ことを特徴とする請求項1もしくは2に記載の電磁場印加装置。 - 前記印加電場が前記試料の位置する平面内の前記試料の両側で、かつ前記光軸に対向して配置された電界軸を同じくする、少なくとも2つの平板電極により構成された、少なくとも1組の平行平板電極により発生させられるものである
ことを特徴とする請求項1もしくは2に記載の電磁場印加装置。 - 前記試料に対し前記光軸と平行な方向へ磁場を印加可能である
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電磁場印加装置。 - 前記試料に対し前記光軸と平行な方向へ印加する磁場が、前記光軸と平行な磁軸をもつ、少なくとも2つのコイルにより構成された、少なくとも1組のコイルペアにより発生させられるものである
ことを特徴とする請求項5に記載の電磁場印加装置。 - 前記試料に対し前記光軸と平行な方向へ電場を印加可能である
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の電磁場印加装置。 - 前記試料に対し前記光軸と平行な方向へ印加する電場が、前記光軸と平行な電界軸をもつ、少なくとも2つの平板電極により構成された、少なくとも1組の平行平板電極により発生させられるものである
ことを特徴とする請求項7に記載の電磁場印加装置。 - 前記平行平板電極の、前記光軸を中心とした動径方向外側に、前記光軸を内に包む少なくとも2箇所に磁気シールドを有する
ことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の電磁場印加装置。 - 荷電粒子線装置において、荷電粒子線の光軸上に試料が配置され、該光軸と垂直を成す該試料の位置する平面を含む所定の領域において、所定の方向に電場を印加するとともに、該電場の印加された領域の少なくとも1箇所の領域において該試料の位置する平面に平行に磁場を印加し、
前記光軸に沿って流れる荷電粒子線の伝播方向が、前記試料よりも荷電粒子線の上流側で前記光軸から離れる方向に偏向された後、前記光軸方向に偏向され、前記試料の配する位置で前記光軸上に戻るとともに前記光軸から離れる方向に偏向され、前記試料よりも荷電粒子線の下流側で前記光軸方向に偏向された後、前記光軸上で光軸に沿って流れる方向に偏向される
ことを特徴とする被観察試料もしくは被加工試料への電磁場印加装置。 - 前記印加電場が前記試料の位置する平面内の前記試料の両側で、かつ前記光軸に対向して配置された電界軸を同じくする、少なくとも2つの平板電極により構成された、少なくとも1組の平行平板電極により発生させられるものである
ことを特徴とする請求項10に記載の電磁場印加装置。 - 前記印加磁場が前記試料の位置する平面内の前記試料の両側で、かつ前記光軸に対向して配置された磁軸を同じくする、少なくとも2つのコイルにより構成された、少なくとも1組のコイルペアにより発生させられるものである
ことを特徴とする請求項10に記載の電磁場印加装置。 - 前記試料に対し前記光軸と平行な方向へ磁場を印加可能である
ことを特徴とする請求項10から12のいずれか一項に記載の電磁場印加装置。 - 前記試料に対し前記光軸と平行な方向へ印加する磁場が、前記光軸と平行な磁軸をもつ、少なくとも2つのコイルにより構成された、少なくとも1組のコイルペアにより発生させられるものである
ことを特徴とする請求項13に記載の電磁場印加装置。 - 前記試料に対し前記光軸と平行な方向へ電場を印加可能である
ことを特徴とする請求項10から12のいずれか一項に記載の電磁場印加装置。 - 前記試料に対し前記光軸と平行な方向へ印加する電場が、前記光軸と平行な電界軸をもつ、少なくとも2つの平板電極により構成された、少なくとも1組の平行平板電極により発生させられるものである
ことを特徴とする請求項15に記載の電磁場印加装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009225864A JP5645386B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 電磁場印加装置 |
EP10008099.3A EP2315231A3 (en) | 2009-09-30 | 2010-08-03 | Electromagnetic field application system |
US12/854,262 US8653472B2 (en) | 2009-09-30 | 2010-08-11 | Electromagnetic field application system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009225864A JP5645386B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 電磁場印加装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011076812A JP2011076812A (ja) | 2011-04-14 |
JP5645386B2 true JP5645386B2 (ja) | 2014-12-24 |
Family
ID=43734003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009225864A Expired - Fee Related JP5645386B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 電磁場印加装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8653472B2 (ja) |
EP (1) | EP2315231A3 (ja) |
JP (1) | JP5645386B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013085929A1 (en) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Charged particle beam scanning using deformed high gradient insulator |
JP5836171B2 (ja) | 2012-03-21 | 2015-12-24 | 日本電子株式会社 | 透過型電子顕微鏡の調整方法 |
JP6061771B2 (ja) | 2013-04-25 | 2017-01-18 | 株式会社日立製作所 | 試料ホルダおよびそれを用いた荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2005682C3 (de) * | 1970-02-07 | 1974-05-09 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum Absaugen der Sekundärelektronen in einem Rasterelektronenmikroskop oder einem Elektronenstrahl-Mikroanalysator |
JPS4896852U (ja) * | 1972-02-22 | 1973-11-16 | ||
DE69233781D1 (de) * | 1991-11-27 | 2010-04-01 | Hitachi Ltd | Elektronenstrahlgerät |
JPH08241690A (ja) * | 1995-03-06 | 1996-09-17 | Hitachi Ltd | スピン偏極走査電子顕微鏡 |
JPH08264146A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Hitachi Ltd | 透過電子顕微鏡 |
US6392231B1 (en) * | 2000-02-25 | 2002-05-21 | Hermes-Microvision, Inc. | Swinging objective retarding immersion lens electron optics focusing, deflection and signal collection system and method |
JP3515063B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2004-04-05 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡 |
EP1271604A4 (en) * | 2001-01-10 | 2005-05-25 | Ebara Corp | EXAMINATION DEVICE AND INVESTIGATION METHOD WITH ELECTRON BEAM AND COMPONENT MANUFACTURING METHODS WITH THE INVESTIGATION DEVICE |
JP3469213B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2003-11-25 | 株式会社日立製作所 | 磁場印加試料観察システム |
DE10122957B4 (de) * | 2001-05-11 | 2005-06-02 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Teilchenstrahlapparat mit energiekorrigierter Strahlablenkung sowie Vorrichtungund Verfahren zur energiekorrigierten Ablenkung eines Teilchenstrahls |
US6825475B2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-11-30 | Applied Materials Israel, Ltd. | Deflection method and system for use in a charged particle beam column |
US7825386B2 (en) * | 2006-10-25 | 2010-11-02 | Hermes-Microvision, Inc. | System and method for a charged particle beam |
JP4973466B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-07-11 | 住友電装株式会社 | コネクタの取付構造 |
-
2009
- 2009-09-30 JP JP2009225864A patent/JP5645386B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-03 EP EP10008099.3A patent/EP2315231A3/en not_active Withdrawn
- 2010-08-11 US US12/854,262 patent/US8653472B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2315231A3 (en) | 2014-09-03 |
US20110073759A1 (en) | 2011-03-31 |
JP2011076812A (ja) | 2011-04-14 |
EP2315231A2 (en) | 2011-04-27 |
US8653472B2 (en) | 2014-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5634619B2 (ja) | 多軸磁気レンズを有するマルチ荷電粒子ビーム装置 | |
JP6490772B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
JP5506951B2 (ja) | 多軸磁気レンズを有するマルチ荷電粒子ビーム装置 | |
JP2008153209A (ja) | 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び荷電粒子ビーム装置 | |
JP2005310778A (ja) | 永久磁石の材料を備えたレンズが設けられた粒子光学装置 | |
JP5156429B2 (ja) | 電子線装置 | |
US10290463B2 (en) | Compact deflecting magnet | |
WO2012173007A1 (ja) | スピン回転装置 | |
WO2005071708A2 (en) | Focussing lens for charged particle beams | |
JP2016004640A (ja) | 荷電粒子線応用装置 | |
JP2015032360A (ja) | 電子ビーム装置 | |
JP2017517119A (ja) | 2重ウィーンフィルタ単色計を用いる電子ビーム画像化 | |
JP5645386B2 (ja) | 電磁場印加装置 | |
KR101591154B1 (ko) | 회절 수차 보정기를 적용한 하전 입자 빔 현미경 | |
KR101694239B1 (ko) | 하전 입자선 장치 | |
US8421029B1 (en) | Wien filter with reduced field leakage | |
TWI749396B (zh) | 電磁複合透鏡、帶電粒子光學系統、及用以組態具有光軸之電磁複合透鏡之方法 | |
KR20040034600A (ko) | 입자 비임용 슬릿 렌즈장치 | |
Egerton et al. | Electron Optics | |
KR20240055162A (ko) | 전자기 복합 렌즈 및 이러한 렌즈를 갖는 하전 입자 광학 시스템 | |
JP2022099282A (ja) | 荷電粒子顕微鏡用の無磁場サンプル面 | |
EP2312610B1 (en) | Charged particle device with an achromatic beam deflector, or an achromatic beam separator, and method of operating | |
JP2011091036A (ja) | 色収差補正ビーム偏向器、色収差補正ビーム分離器、荷電粒子デバイス、色収差補正ビーム偏向器を動作させる方法、及び色収差補正ビーム分離器を動作させる方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140610 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141007 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141104 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |