JP5506951B2 - 多軸磁気レンズを有するマルチ荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
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Description
Claims (12)
- 多軸磁気界浸対物レンズであって、
対をなした複数の円形貫通穴を備えた上板及び下板を有し、各々の前記円形貫通穴について、前記上板内の上側円形貫通穴が前記下板内の対応する下側円形貫通穴に揃えて配置された一対の平行磁気導体板と、
前記複数の円形貫通穴に揃えて、前記円形貫通穴の内部に、各々対をなす複数の第1半径方向ギャップを有して配置された対をなす複数の磁気リングであって、前記一対の平行磁気導体板内の磁気リングの各対の各々について、上側磁気リングが、対応する下側磁気リングに揃えて第2半径方向ギャップを有して配置されるとともに、該対応する下側磁気リングの内部を通って下方に延び、各対をなす前記第1半径方向ギャップは、前記上側円形貫通穴の内側の側壁と前記上側磁気リングの外側の側壁との間の第1上側半径方向ギャップと、前記下側円形貫通穴の内側の側壁と前記下側磁気リングの外側の側壁との間の第1下側半径方向ギャップとを有し、
それにより複数の荷電粒子ビームの焦点を合わせる複数の磁気サブレンズモジュールを形成し、各磁気サブレンズモジュールについて、前記上側磁気リングが内側磁極片として機能するとともに、前記対応する下側磁気リングが外側磁極片として機能する複数の磁気リングと、
前記複数の磁気サブレンズモジュールに対して磁束を供給する前記一対の平行磁気導体板間に配置された共通励磁コイルと、を有する多軸磁気界浸対物レンズ。 - 多軸電磁複合界浸対物レンズであって、
請求項1に記載された多軸磁気界浸対物レンズと、
前記一対の平行磁気導体板よりも上方に配置され、前記複数の円形貫通穴にそれぞれ揃えて配置された複数の円形開口を有する上側磁気遮蔽板と、
前記一対の平行磁気導体板よりも下方に配置され、前記複数の円形貫通穴にそれぞれ揃えて配置された複数の円形開口を有する下側磁気遮蔽板と、
該下側磁気遮蔽板よりも下方に配置された試料と、
該試料よりも上方かつ前記下側磁気遮蔽板よりも下方に配置され、前記下側磁気遮蔽板内の前記複数の円形開口に揃えて配置された複数の開口オリフィスを有する平面電極とを有し、
それにより前記複数の磁気サブレンズモジュールに揃えてそれぞれ配置された複数の静電サブレンズモジュールを形成し、各静電サブレンズモジュールは、前記内側磁極片と、前記平面電極と、前記試料とを第1の電極、第2の電極及び第3の電極として含む多軸電磁複合界浸対物レンズ。 - 前記第1及び第2半径方向ギャップは各々、真空であるか又は非磁性材料で満たされ、
各サブレンズモジュールについて、前記第1上側及び下側半径方向ギャップの寸法は、前記第2半径方向ギャップよりも小さく、前記第1上側及び下側半径方向ギャップは同じ寸法を有する請求項1に記載の多軸磁気界浸対物レンズ。 - 前記第1及び第2半径方向ギャップは各々、真空であるか又は非磁性材料で満たされ、
各サブレンズモジュールについて、前記第1上側及び下側半径方向ギャップの寸法は、前記第2半径方向ギャップの寸法よりも小さく、前記第1上側及び下側半径方向ギャップは同じ寸法を有する請求項2に記載の多軸電磁複合界浸対物レンズ。 - 前記一対の平行磁気導体板よりも上方に配置された上側磁気遮蔽板と、
前記一対の平行磁気導体板よりも下方に配置された下側磁気遮蔽板とを更に有し、
前記上側及び下側磁気遮蔽板はそれぞれ前記複数の円形貫通穴に揃えて配置された複数の円形開口を有し、
前記上側磁気遮蔽板内の各円形開口は逆さまのザグリの形状を有し、
前記内側磁極片の各々の上端は上方に向かって、前記逆さまのザグリの内壁に接触することなく各逆さまのザグリの下側部分まで延びるとともに、前記逆さまのザグリの上側部分の内径以上の内径を有し、
試料が前記下側磁気遮蔽よりも下方に配置され、
前記内側及び外側磁極片の各対の下端は下方に向かって、前記第1下側半径方向ギャップを有する前記下側磁気遮蔽板内の各円形開口の内部まで延び、前記下側磁気遮蔽板の底面の位置か又は該底面の位置より上方で止まる請求項3に記載の多軸磁気界浸対物レンズ。 - 前記各磁気サブレンズモジュールは、前記内側磁極片の下端と前記試料の表面との間の第1の作動距離と、前記外側磁極片の下端と前記試料の前記表面との間の第2の作動距離を有し、
前記第1の作動距離は、前記第2の作動距離よりも短く、前記多軸磁気界浸対物レンズは、前記試料をその上に保持するために前記試料の下方に配置された磁気ステージを更に有し、
該磁気ステージは、前記試料に対して強い磁場界浸を生成するために各サブレンズの前記内側及び外側磁極片と磁気的に連結している請求項5に記載の多軸磁気界浸対物レンズ。 - 前記複数の磁気サブレンズモジュールについて、前記第2半径方向ギャップは互いに等しくない請求項3に記載の多軸磁気界浸対物レンズ。
- 前記複数の磁気サブレンズモジュールについて、前記第2半径方向ギャップは互いに同一であり、
前記複数の第1半径方向ギャップは、各第1半径方向ギャップから前記一対の平行磁気導体板の対応する幾何学的中心軸までの距離とともに増加する寸法を有し、
前記複数の円形貫通穴について、前記一対の平行磁気導体板の中心部に配置された前記円形貫通穴は、前記一対の平行磁気導体板の周辺部に配置された前記円形貫通穴よりも小さい内径を有し、
前記複数の内側及び外側磁極片について、前記一対の平行磁気導体板の中心部に配置された磁極片は、前記一対の平行磁気導体板の周辺部に配置された磁極片よりも大きな外径を有する請求項3に記載の多軸磁気界浸対物レンズ。 - 前記複数の第1半径方向ギャップは、等しい寸法を有する請求項8に記載の多軸磁気界浸対物レンズ。
- 前記各一対の内側及び外側磁極片の下端は下方に向かって、前記下側半径方向ギャップを有する前記下側磁気遮蔽板中の各円形開口の内部まで延び、前記下側磁気遮蔽板の底面の位置又は該底面の位置より上方で止まり、
前記各磁気サブレンズモジュールは、前記内側磁極片の下端と前記試料の表面との間の第1の作動距離と、前記外側磁極片の下端と前記試料の前記表面との間の第2の作動距離とを有し、
前記第1の作動距離は前記第2の作動距離よりも短く、
前記複数の磁気サブレンズモジュールについて、前記第2半径方向ギャップは互いに同一であり、
前記複数の第1半径方向ギャップは、各第1半径方向ギャップから前記一対の平行磁気導体板の対応する幾何学的中心軸までの距離に伴い増加する寸法を有し、
前記複数の円形貫通穴について、前記一対の平行磁気導体板の中心部上に配置された前記円形貫通穴は、前記一対の平行磁気導体板の周辺部上に配置された前記円形貫通穴よりも小さい内径を有する請求項4に記載の多軸電磁複合界浸対物レンズ。 - 前記磁気リングの各対について、前記上側磁気リングは、円筒形状又は前記対応する下側磁気リングの内部に狭い下端部を有する漏斗形状を有する請求項4に記載の多軸電磁複合界浸対物レンズ。
- 前記平面電極は、複数の独立したセグメントに分割され、各セグメントは前記平面電極内の前記複数の円形オリフィスの1つを含む請求項4に記載の多軸電磁複合界浸対物レンズ。
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