JP5644085B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態に係る成膜装置の構造を示す模式図である。この図1に示すように、本実施形態に係る成膜装置は、プラズマ発生部10と、磁場フィルタ部20と、成膜チャンバ30とを有している。これらのプラズマ発生部10、磁場フィルタ部20及び成膜チャンバ30の筐体は、主にステンレス等の金属により形成されている。磁場フィルタ部20は、プラズマ分離部40と、パーティクルトラップ部50と、プラズマ移送部60とに区画されている。
図6は、第2の実施形態に係る成膜装置の構造を示す模式図である。
図7は、第3の実施形態に係る成膜装置の構造を示す模式図である。本実施形態が第1の実施形態と異なる点は磁場フィルタ部20の筺体内に着脱自在の電極板131が設けられていることにあり、他の構成は基本的に第1の実施形態と同様であるので、図7において図1と同一物には同一符号を付している。
図12は、第4の実施形態の成膜装置の構造を示す模式図である。本実施形態が第3の実施形態と異なる点はパーティクルトラップ部50に電極板131を設けていないことにあり、その他の基本的な構造は第3の実施形態と同様である。図12において、図7と同一物には同一符号を付している。
図13は、第5の実施形態の成膜装置の構造を示す模式図である。本実施形態が第4の実施形態と異なる点は、パーティクルトラップ部50を設けていない点にあり、その他の基本的な構造は第4の実施形態と同様である。図13において、図12と同一物には同一符号を付している。
基体が配置される成膜チャンバと、
磁場により前記プラズマ発生部で発生したプラズマからパーティクルを除去して前記成膜チャンバに移送する磁場フィルタ部とを有し、
前記磁場フィルタ部が、前記プラズマの移動方向の上流側に配置されて筺体内側に第1の電圧が印加される第1の領域と、前記第1の領域よりもプラズマ移動方向の下流側に配置されて筺体内側に第2の電圧が印加される第2の領域とに分割されていることを特徴とする成膜装置。
磁場フィルタ部により前記プラズマに磁場を印加し、前記プラズマ発生部において発生したプラズマからパーティクルを分離する工程と、
前記磁場フィルタ部を通過したプラズマ中に含まれるイオンを基体上に付着させて膜を形成する工程とを有し、
前記磁場フィルタ部を前記プラズマの移動方向に沿って複数の領域に分割し、前記プラズマ発生部側の第1の領域の筺体内側に第1の電圧を印加し、前記第1の領域よりもプラズマ移動方向下流側の第2の領域の筺体内側に第2の電圧を印加することを特徴とする成膜方法。
Claims (8)
- ターゲットとアノードとの間にアーク放電を発生させてプラズマを生成するプラズマ発生部と、
基体が配置される成膜チャンバと、
磁場により前記プラズマ発生部で発生したプラズマからパーティクルを除去して前記成膜チャンバに移送する磁場フィルタ部とを有し、
前記磁場フィルタ部が、前記プラズマの移動方向の上流側に配置されて筺体内側に第1の電圧が印加される第1の領域と、前記第1の領域よりもプラズマ移動方向の下流側に配置されて筺体内側に正の第2の電圧が印加される第2の領域とに分割され、
前記第1の領域及び前記第2の領域の前記筐体内側に前記筐体と電気的に分離された電極板がそれぞれ着脱自在に配置され、前記第1の電圧は前記第1の領域の前記電圧板に印加され、前記第2の電圧は前記第2の領域の前記電圧板に印加されることを特徴とする成膜装置。 - 前記第1の電圧が−5Vから−15Vまでの間の電圧であることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記磁場フィルタ部は、磁場によりプラズマとパーティクルとを分離するプラズマ分離部と、前記プラズマ分離部により分離されたプラズマを前記成膜チャンバに移送するプラズマ移送部とを有することを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記プラズマ移送部の筺体外周には、プラズマの移送経路を湾曲させる磁場を発生するコイルが設けられていることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
- プラズマ発生部においてターゲットとアノードとの間にアーク放電を発生させてプラズマを生成する工程と、
磁場フィルタ部により前記プラズマに磁場を印加し、前記プラズマ発生部において発生したプラズマからパーティクルを分離する工程と、
前記磁場フィルタ部を通過したプラズマ中に含まれるイオンを基体上に付着させて膜を形成する工程とを有し、
前記磁場フィルタ部を前記プラズマの移動方向に沿って複数の領域に分割し、前記プラズマ発生部側の第1の領域の筺体内側に前記筐体から電気的に分離した第1の電極板を着脱自在に取付けて該第1の電極板に第1の電圧を印加し、前記第1の領域よりもプラズマ移動方向下流側の第2の領域の筺体内側に前記筐体から電気的に分離した第2の電極板を着脱自在に取付けて該第2の電極板に正の第2の電圧を印加することを特徴とする成膜方法。 - 前記第1の電圧が−5Vから−15Vまでの間の電圧であることを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。
- 前記ターゲットとして、グラファイトを用いることを特徴とする請求項5又は6に記載の成膜方法。
- 前記基体が、磁気記録媒体用基板又は磁気ヘッド形成用基板であることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の成膜方法。
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